WO2020100661A1 - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

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WO2020100661A1
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liquid
ozone
ozone water
unit
processing
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PCT/JP2019/043341
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勝 天井
田中　志信
郁雄 須中
興司 香川
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium.
  • Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus that removes deposits (eg, resist film, contaminants, oxide film, etc.) attached to the substrate by supplying high-concentration ozone water to the substrate.
  • deposits eg, resist film, contaminants, oxide film, etc.
  • the present disclosure describes a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium capable of supplying ozone water having a stable ozone concentration to a substrate.
  • An example of the substrate processing apparatus is an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, a control liquid supply unit configured to supply a control liquid showing a predetermined hydrogen ion concentration, and an ozone gas dissolved in the control liquid. And a dissolution chamber configured to generate ozone water, at least one processing chamber configured to clean the substrate with the ozone water, and at least one processing chamber to treat the ozone water from the dissolution unit through a liquid transfer line. And a liquid delivery unit configured to deliver the liquid to the chamber.
  • the substrate processing apparatus According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the computer-readable recording medium according to the present disclosure, it is possible to supply ozone water having a stable ozone concentration to the substrate.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing system.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 3 is a block diagram showing an example of a main part of the substrate processing system.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the hardware configuration of the controller.
  • FIG. 5 is a flow chart for explaining the wafer processing steps.
  • FIG. 6 is a diagram showing another example of the substrate processing apparatus.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
  • mutually orthogonal X-axis, Y-axis and Z-axis are defined, and the Z-axis positive direction is defined as a vertically upward direction.
  • the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12.
  • the transfer unit 12 is provided adjacent to the carrier mounting unit 11, and includes a substrate transfer device 13 and a transfer unit 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning about the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the transfer part 14 using the wafer holding mechanism. To do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are arranged side by side on the transport unit 15.
  • the transfer unit 15 includes a board transfer device 17 inside.
  • the substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning about the vertical axis, and transfers the wafer W between the transfer unit 14 and the processing unit 16 using the wafer holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs a predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.
  • the substrate processing system 1 also includes a control device 4.
  • the control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • the program may be recorded in a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium.
  • the computer-readable storage medium includes, for example, a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placing part 11 and receives the taken out wafer W. Place it on the transfer unit 14.
  • the wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out of the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier placing section 11 by the substrate transfer device 13.
  • the substrate processing apparatus 10 has a function of supplying ozone water to the wafer W and removing adhered matters adhering to the surface of the wafer W.
  • the wafer W may have a disk shape or a plate shape other than a circle, such as a polygon.
  • the wafer W may have a cutout portion that is partially cut away.
  • the cutout portion may be, for example, a notch (a U-shaped groove, a V-shaped groove, or the like) or a linear portion that extends linearly (so-called orientation flat).
  • the wafer W may be, for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, or other various substrates.
  • the diameter of the wafer W may be, for example, about 200 mm to 450 mm.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a plurality of processing units 16, an ozone water supply unit 100, an alkaline solution supply unit 200, a rinse liquid supply unit 300, a drainage unit 400, and an exhaust unit. 500 and the control device 4 (control unit 18).
  • the processing unit 16 includes a processing chamber 16a, a rotation holding unit 16b, and nozzles N1 and N2.
  • the processing chamber 16a is configured so that the wafer W can be loaded and unloaded through a gate valve (not shown).
  • the rotation holding unit 16b is configured to hold and rotate the wafer W, and is arranged in the processing chamber 16a.
  • the nozzles N1 and N2 are arranged in the processing chamber 16a so as to be located above the wafer W while the wafer W is held by the rotation holding unit 16b. Ozone water is ejected from the nozzle N1. The rinse liquid is discharged from the nozzle N2.
  • FIG. 2 exemplifies a state in which the three processing units 16 (16A to 16C) are arranged side by side, the number of the processing units 16 is not particularly limited. That is, the substrate processing apparatus 10 may include at least one processing unit 16.
  • the ozone water supply unit 100 has a function of generating ozone water and a function of supplying the generated ozone water to the wafer W through the nozzle N1.
  • the ozone water supply unit 100 includes an ozone gas supply unit 110, a control liquid supply unit 120, a dissolving unit 130, and a liquid sending unit 140.
  • the ozone gas supply unit 110 is configured to generate ozone gas from oxygen.
  • the ozone gas supply unit 110 is connected to the melting unit 130 via the pipe D1 and supplies the generated ozone gas to the melting unit 130.
  • the adjustment liquid supply unit 120 includes liquid sources 121 and 122, a circulation tank 123, a pump 124, a heater 125, a hydrogen ion concentration monitor 126, and valves V1 to V3.
  • the liquid source 121 is configured to store an acidic solution.
  • the acidic solution may be a solution of an organic acid (eg, citric acid, acetic acid, carbonic acid) or an inorganic acid (eg, hydrochloric acid, nitric acid), or the organic acid and the inorganic acid may be It may be a mixed solution.
  • an acidic solution obtained by mixing an organic acid and an inorganic acid for example, hydrochloric acid
  • the liquid source 121 is connected to the circulation tank 123 via the pipe D2, and supplies the acidic solution to the circulation tank 123.
  • the liquid source 122 is configured to store water (for example, pure water, DIW (Deionized Water)).
  • the liquid source 122 is connected to the circulation tank 123 via the pipes D2 and D3, and supplies water to the circulation tank 123.
  • the pipe D3 may be connected in the middle of the pipe D2.
  • the acidic solution and water are mixed in the confluent portion of the pipes D2 and D3 to generate the adjustment liquid.
  • the adjustment liquid is adjusted so as to exhibit a predetermined hydrogen ion concentration.
  • the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be adjusted based on, for example, the flow rate and concentration of the acidic solution supplied from the liquid source 121 and the flow rate of water supplied from the liquid source 122.
  • the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be, for example, about pH 1 to pH 4.
  • the circulation tank 123 is configured to circulate the adjustment liquid through the pipe D4 while temporarily storing the adjustment liquid. By circulating the adjustment liquid through the circulation tank 123 and the pipe D4, water and the acidic solution can be mixed sufficiently uniformly during the circulation process.
  • the pipe D4 connects the lower part and the upper part of the circulation tank 123.
  • a pump 124, a heater 125, a hydrogen ion concentration monitor 126, and a valve V3 are sequentially connected to the pipe D4 from the upstream side.
  • the pump 124 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to send the adjustment liquid in the circulation tank 123 to the downstream side through the pipe D4.
  • the heater 125 operates based on a control signal from the control device 4 and is configured to heat the adjustment liquid so that the adjustment liquid has a predetermined temperature (for example, about 22 ° C. to 85 ° C.).
  • the hydrogen ion concentration monitor 126 is configured to acquire the hydrogen ion concentration data of the adjustment liquid flowing through the pipe D4. The data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126 is transmitted to the control device 4.
  • the valves V1 to V3 are provided in the middle of the pipes D2 to D4, respectively.
  • the valve V1 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to control the flow rate of the acidic solution flowing through the pipe D2.
  • the valve V2 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to control the flow rate of water flowing through the pipe D3.
  • the valve V3 operates based on a control signal from the control device 4, and a flow path through which the adjusting liquid circulates in the pipe D4 and the circulation tank 123 and the adjusting liquid is sent from the circulation tank 123 to the dissolving section 130 through the pipes D4 and D5. It is configured so that it can be switched between the liquid flow path and the liquid flow path.
  • the valve V3 may be, for example, a three-way electromagnetic valve (solenoid valve).
  • the pipe D5 connects the valve V3 and the melting unit 130.
  • the dissolving unit 130 is configured to dissolve the ozone gas supplied from the ozone gas supply unit 110 into the adjustment liquid supplied from the adjustment liquid supply unit 120 to generate ozone water.
  • the dissolution unit 130 is, for example, a dissolution module that causes ozone gas to flow to the primary side of the porous film and water to flow to the secondary side of the porous film to bring gas and liquid into contact with each other to dissolve the ozone gas in water. Good.
  • the liquid sending unit 140 has a function of sending the ozone water generated in the dissolving unit 130 to each of the processing units 16A to 16C or the liquid discharging unit 400.
  • the liquid sending unit 140 includes pipes D6 to D9 (liquid sending lines), an auxiliary heater 141, a temperature monitor 142, an ozone concentration monitor 143, and valves V4 to V6.
  • the pipe D6 extends so as to connect the dissolving section 130 and the drainage section 400.
  • An auxiliary heater 141, a temperature monitor 142, and an ozone concentration monitor 143 are sequentially connected to the pipe D6 from the upstream side.
  • the auxiliary heater 141 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to heat the ozone water so that the ozone water has a predetermined temperature (for example, about 22 ° C. to 85 ° C.).
  • the temperature monitor 142 is configured to acquire the temperature data of the ozone water flowing through the pipe D6. The data acquired by the temperature monitor 142 is transmitted to the control device 4.
  • the ozone concentration monitor 143 is configured to acquire the ozone concentration data of the ozone water flowing through the pipe D6. That is, the ozone concentration monitor 143 acquires the ozone concentration data of the ozone water on the downstream side of the dissolving section 130. The data acquired by the ozone concentration monitor 143 is transmitted to the control device 4. The ozone concentration monitor 143 is set at a position where the path length from the melting section 130 to the ozone concentration monitor 143 is substantially equal to the path length from the melting section 130 to each of the processing units 16A to 16C (to each nozzle N1). May be done.
  • the pipes D7 to D9 are branched from the middle of the pipe D6 and connected to the nozzles N1 of the processing units 16A to 16C.
  • Each of the pipes D7 and D8 may include adjustment units D7a and D8a for ensuring a predetermined path length.
  • the adjusting portions D7a and D8a may be, for example, pipes D7 and D8 that meander partially, or pipes D7 and D8 that partially extend spirally. Due to the presence of the adjusting sections D7a and D8a, the path lengths from the dissolving section 130 to the processing units 16A to 16C (to the nozzles N1) may be made substantially equal.
  • the pipe D9 may also include an adjusting unit.
  • the valves V4 to V6 are provided in the middle of the pipes D7 to D9, respectively.
  • the valves V4 to V6 operate on the basis of a control signal from the control device 4, and are configured to mix the ozone adjusting liquid supplied from the alkaline solution supply unit 200 with the ozone water flowing through the pipes D7 to D9.
  • the valves V4 to V6 may be, for example, mixed faucets (mixing valves).
  • the alkaline solution supply unit 200 has a function of generating an alkali adjusting liquid and a function of supplying the generated alkali adjusting liquid to the wafer W through the nozzle N1.
  • the alkaline solution supply unit 200 includes liquid sources 201 and 202, a circulation tank 203, a pump 204, a heater 205, a hydrogen ion concentration monitor 206, and valves V7 and V8.
  • the liquid source 201 is configured to store an alkaline solution.
  • the alkaline solution may be, for example, aqueous ammonia.
  • the liquid source 201 is connected to the circulation tank 203 via the pipe D10, and supplies the alkaline solution to the circulation tank 203.
  • the liquid source 202 is configured to store water (for example, pure water, DIW (Deionized Water)).
  • the liquid source 202 is connected to the circulation tank 203 via the pipes D10 and D11, and supplies water to the circulation tank 203.
  • the pipe D11 may be connected in the middle of the pipe D10.
  • the alkaline solution and water are mixed in the merging portion of the pipes D10 and D11 to generate an alkali adjustment liquid.
  • the alkali adjustment liquid is adjusted so as to exhibit a predetermined hydrogen ion concentration.
  • the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid may be adjusted based on, for example, the flow rate and concentration of the alkaline solution supplied from the liquid source 201 and the flow rate of water supplied from the liquid source 122.
  • the hydrogen ion concentration of the alkali adjustment liquid may be, for example, about pH 9 to pH 13.
  • the circulation tank 203 is configured to circulate the alkali adjusting liquid through the pipe D12 while temporarily storing the alkali adjusting liquid. By circulating the alkali adjustment liquid through the circulation tank 203 and the pipe D12, water and the alkaline solution can be mixed sufficiently uniformly in the process of circulation.
  • the pipe D12 connects the lower part and the upper part of the circulation tank 203.
  • a pump 204, a heater 205, and a hydrogen ion concentration monitor 206 are sequentially connected to the pipe D12 from the upstream side.
  • the pump 204 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to send the adjustment liquid in the circulation tank 203 to the downstream side through the pipe D12.
  • the heater 205 operates on the basis of a control signal from the control device 4, and is configured to heat the alkali adjusting liquid so that the alkali adjusting liquid has a predetermined temperature (for example, about 22 ° C. to 85 ° C.).
  • the hydrogen ion concentration monitor 206 is configured to acquire the hydrogen ion concentration data of the alkali adjustment liquid flowing through the pipe D12. The data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206 is transmitted to the control device 4.
  • the pipe D12 is connected with pipes D13 to D15 branched from the middle.
  • the pipe D13 branched from the pipe D12 is connected to the valve V4.
  • the pipe D14 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D13 is connected to the valve V5.
  • the pipe D15 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D14 is connected to the valve V6. Therefore, the alkali adjustment liquid supplied from the alkaline solution supply unit 200 is mixed with the ozone water supplied from the ozone water supply unit 100 in each of the valves V4 to V6.
  • the valves V7 and V8 are provided in the middle of the pipes D10 and D11, respectively.
  • the valve V7 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to control the flow rate of the alkaline solution flowing through the pipe D10.
  • the valve V8 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to control the flow rate of water flowing through the pipe D11.
  • the rinse liquid supply unit 300 has a function of supplying the rinse liquid to the wafer W through the nozzle N2.
  • the rinse liquid supply unit 300 includes a liquid source 301, a pump 302, and valves V9 to V11.
  • the liquid source 301 is configured to store the rinse liquid.
  • the rinsing liquid is used to wash away the chemical liquid, the adhered substances adhered to the substrate, and the like.
  • the rinse liquid may be water (for example, pure water, DIW (Deionized Water)).
  • the liquid source 301 extends toward the processing units 16A to 16C through the pipes D16 to D19.
  • the pipes D17 to D19 are branched from the middle of the pipe D16 and connected to the nozzles N2 of the processing units 16A to 16C. Therefore, the rinse liquid supplied from the liquid source 301 is supplied to the nozzle N2 of each of the processing units 16A to 16C.
  • the pump 302 is provided in the middle of the pipe D16.
  • the pump 302 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to send the rinse liquid to the downstream side through the pipe D16.
  • the valves V9 to V11 are provided in the middle of the pipes D17 to D19, respectively.
  • the valves V9 to V11 are each configured to operate based on a control signal from the control device 4 and control the flow rate of the rinse liquid flowing through the pipes D17 to D19.
  • the drainage unit 400 includes a drainage treatment unit 401 and a valve V12.
  • the drainage treatment unit 401 is configured to decompose ozone contained in ozone water into oxygen.
  • an ozone decomposition catalyst or activated carbon may be used for the decomposition of ozone.
  • the drainage treatment unit 401 is connected to the dissolving section 130 by a pipe D6. Therefore, the ozone water generated in the ozone water supply unit 100 but not supplied to the nozzle N1 flows into the drainage treatment unit 401 through the pipe D6.
  • the valve V12 is provided in the middle of the pipe D6. The valve V12 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to control the flow rate of ozone water flowing through the pipe D16.
  • the drainage treatment unit 401 is connected to each treatment unit 16A to 16C by a pipe D20 that is branched into three. Therefore, the ozone water used for cleaning the wafer W in each of the processing units 16A to 16C flows into the drainage processing unit 401 through the pipe D20. The liquid that has been processed by the drainage processing unit 401 is discharged to the outside of the system.
  • the exhaust unit 500 includes an exhaust processing unit 501 and a pump 502.
  • the exhaust treatment unit 501 is configured to decompose ozone gas into oxygen.
  • ozone decomposition catalyst or activated carbon may be used for the decomposition of ozone.
  • the exhaust processing unit 501 is connected to each of the processing units 16A to 16C by a pipe D21 that is branched into three. Therefore, the ozone gas generated inside the cleaning processing in each of the processing units 16A to 16C flows into the exhaust processing unit 501 through the pipe D21. The gas that has been processed by the exhaust processing unit 501 is discharged to the outside of the system.
  • the pump 502 is provided in the middle of the pipe D21.
  • the pump 502 operates based on a control signal from the control device 4, and is configured to supply ozone gas to the downstream side through the pipe D21.
  • control device 4 has a hydrogen ion concentration control unit M1, a liquid delivery control unit M2, and a drainage liquid as a functional configuration (functional module) for controlling the substrate processing apparatus 10.
  • the control unit M3 and the exhaust control unit M4 are included. These functional modules are configured by cooperation of the control unit 18 and the storage unit 19 of the control device 4.
  • the storage unit 19 stores, for example, a program read from the recording medium RM, various data when processing the wafer W (so-called processing recipe), and setting data input by an operator via an external input device (not shown). Etc. may be stored.
  • the hydrogen ion concentration control unit M1 controls the adjustment liquid supply unit 120 so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit 120 according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143. May be.
  • the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V1 and V2 to supply the acidic solution from the liquid source 121. May be increased and / or the amount of water supplied from the liquid source 122 may be decreased.
  • the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V1 and V2 to reduce the supply amount of the acidic solution from the liquid source 121. And at least one of increasing the amount of water supplied from the liquid source 122.
  • the hydrogen ion concentration control unit M1 adjusts the hydrogen ion concentration of the alkaline adjustment liquid generated in the alkaline solution supply unit 200 according to the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitor 206, so as to adjust the hydrogen ion concentration. May be controlled. For example, when the hydrogen ion concentration acquired by the ozone concentration monitor 143 is higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V7 and V8 to control the supply amount of the alkaline solution from the liquid source 201. At least one of increasing and reducing the supply amount of water from the liquid source 202 may be performed.
  • the hydrogen ion concentration control unit M1 instructs the valves V7 and V8 to supply the alkaline solution from the liquid source 201. May be reduced and / or the amount of water supplied from the liquid source 202 may be increased.
  • the liquid sending control unit M2 may control the pump 124 and the valve V3 so as to switch the circulation of the adjustment liquid through the circulation tank 123 and the pipe D4 and the supply of the adjustment liquid to the dissolution unit 130.
  • the temperature acquired by the temperature monitor 142 is equal to or higher than a predetermined value
  • the hydrogen ion concentrations acquired by the hydrogen ion concentration monitors 126 and 206 are equal to or higher than the predetermined value
  • the ozone concentration monitor 143 acquires the temperature.
  • the pump 124 and the valves V3 to V6 may be controlled so as to feed the ozone water generated in the dissolving section 130 to at least one of the processing units 16A to 16C. ..
  • the liquid sending control unit M2 may control the valves V3 to V6 so that the alkali adjustment liquid generated in the alkaline solution supply unit 200 is mixed with the ozone water.
  • the liquid feeding control unit M2 controls the valves V3 to V6 so as not to feed the ozone water to the rest of the processing units 16A to 16C when the ozone water is fed to any one of the processing units 16A to 16C. May be controlled.
  • the liquid sending controller M2 may control the valves V9 to V11 so as to send the rinse liquid from the liquid source 301 to at least one of the processing units 16A to 16C.
  • the drainage control unit M3 may control the valve V12 to drain the ozone water out of the system when the ozone water is not sent to at least one of the processing units 16A to 16C.
  • the temperature acquired by the temperature monitor 142 is less than the predetermined value
  • the hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration monitors 126 and 206 is less than the predetermined value
  • the ozone concentration monitor 143 acquires it.
  • the valve V12 may be controlled so that the ozone water generated in the dissolving section 130 is discharged out of the system.
  • the drainage control unit M3 may control the valve V12 to drain the ozone water out of the system when the ozone water is not sent to any of the processing units 16A to 16C.
  • the exhaust control unit M4 may control the pump 502 so that the gas in the processing units 16A to 16C is sucked and discharged to the outside of the system.
  • the hardware of the control device 4 is composed of, for example, one or more control computers.
  • the control device 4 has, for example, a circuit 4A shown in FIG. 4 as a hardware configuration.
  • the circuit 4A may be composed of electrical circuit elements.
  • the circuit 4A includes a processor 4B, a memory 4C (storage unit), a storage 4D (storage unit), and an input / output port 4E.
  • the processor 4B cooperates with at least one of the memory 4C and the storage 4D to execute a program, and inputs / outputs a signal via the input / output port 4E, thereby configuring each functional module described above.
  • the input / output port 4E inputs / outputs signals between the processor 4B, the memory 4C and the storage 4D, and each unit of the substrate processing apparatus 10.
  • the substrate processing apparatus 10 may include, for example, one control device 4 or a controller group (control unit) configured by a plurality of control devices 4.
  • each of the above functional modules may be realized by one control device 4 or a combination of two or more control devices 4.
  • the control device 4 is composed of a plurality of computers (circuit 4A)
  • each of the above functional modules may be realized by one computer (circuit 4A), or two or more computers (circuits). 4A) may be realized.
  • the control device 4 may include a plurality of processors 4B. In this case, each of the above functional modules may be realized by one or a plurality of processors 4B.
  • a cleaning processing method for the wafer W will be described with reference to FIG.
  • a preparatory process for cleaning the wafer W is performed (see step S1).
  • the liquid delivery control unit M2 and the drainage control unit M3 control the pump 124 and the valve V12 based on the data input from the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143.
  • the liquid delivery control unit M2 and the drainage control unit M3 determine whether or not all of the data acquired by the temperature monitor 142 and the ozone concentration monitor 143 are equal to or greater than a predetermined value. As a result, when any of the data acquired by the hydrogen ion concentration monitor 126, the temperature monitor 142, and the ozone concentration monitor 143 is less than the predetermined value, the ozone water is not sent to the processing units 16A to 16C and is sent out of the system.
  • the liquid supply control unit M2 closes the valves V4 to V6 so that the liquid is discharged, and the liquid discharge control unit M3 opens the valve V12.
  • the hydrogen ion concentration control unit M1 may control the valves V1 and V2 so that the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid becomes the predetermined value or more.
  • the controller 4 may control the heater 125 so that the temperature of the adjustment liquid becomes the predetermined value or more.
  • the hydrogen ion concentration control unit M1 may control the valves V1 and V2 so that the ozone concentration of the ozone water becomes equal to or higher than the predetermined value.
  • the liquid sending control unit M2 and the liquid discharge control unit M3 clean the wafer W. It is determined that the preparation for processing is completed (preparation processing completed).
  • the transfer process of the wafer W is next performed (see step S2).
  • the control device 4 controls the substrate transfer devices 13 and 17 so as to transfer one wafer W in the carrier C to the processing unit 16A.
  • the wafer W is held by the rotation holding unit 16b in the processing unit 16A.
  • the ozone water supply processing to the processing unit 16A is performed (see step S3).
  • the liquid supply control unit M2 opens the valve V4 and closes the valves V5 and V6 so that the ozone water is supplied to the processing unit 16A, and the drainage control unit M3 closes the valve V12.
  • the ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16A, and the wafer W is cleaned with the ozone water.
  • the wafer W transfer processing is performed in parallel with the ozone water supply processing to the processing unit 16A (see step S3).
  • the control device 4 controls the substrate transfer devices 13 and 17 so that one wafer W in the carrier C is transferred to the processing unit 16B.
  • the wafer W is held by the rotation holding unit 16b in the processing unit 16B.
  • step S4 the supply processing of the rinse liquid to the processing unit 16A is performed (see step S4).
  • the liquid sending controller M2 opens the valve V9 and closes the valves V10 and V11 so as to send the rinse liquid to the processing unit 16A.
  • the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16A, and the rinse process of the wafer W with the rinse liquid is performed.
  • the rinsed wafer W may be returned into the carrier C by the substrate transfer devices 13 and 17, for example.
  • the supply processing of ozone water to the processing unit 16B is performed (see step S4).
  • the liquid sending control unit M2 opens the valve V5 and closes the valves V4 and V6 so that the ozone water is sent to the processing unit 16B, and the drainage control unit M3 closes the valve V12.
  • the ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16B, and the wafer W is cleaned with the ozone water.
  • the ozone water supply process to the processing unit 16B may be performed after the ozone water supply to the processing unit 16A is stopped, or after the rinse liquid supply process to the processing unit 16A is started. May be done.
  • the transfer processing of the wafer W is performed in parallel with the supply processing of the rinse liquid to the processing unit 16A (see step S4).
  • the control device 4 controls the substrate transfer devices 13 and 17 so that one wafer W in the carrier C is transferred to the processing unit 16C.
  • the wafer W is held by the rotation holding unit 16b in the processing unit 16C.
  • step S5 the supply process of the rinse liquid to the processing unit 16B is performed (see step S5).
  • the liquid sending control unit M2 opens the valve V10 and closes the valves V9 and V11 so as to send the rinse liquid to the processing unit 16B.
  • the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16B, and the rinse process of the wafer W with the rinse liquid is performed.
  • the rinsed wafer W may be returned into the carrier C by the substrate transfer devices 13 and 17, for example.
  • the supply processing of ozone water to the processing unit 16C is performed (see step S5).
  • the liquid supply control unit M2 opens the valve V6 and closes the valves V4 and V5 so that the ozone water is supplied to the processing unit 16C, and the drainage control unit M3 closes the valve V12.
  • the ozone water is supplied from the nozzle N1 to the wafer W in the processing unit 16C, and the wafer W is cleaned with the ozone water.
  • the ozone water supply processing to the processing unit 16C may be performed after the ozone water supply to the processing unit 16B is stopped, or after the rinse liquid supply processing to the processing unit 16B is started. May be done.
  • step S6 the supply processing of the rinse liquid to the processing unit 16C is performed (see step S6).
  • the liquid sending controller M2 opens the valve V11 and closes the valves V9 and V10 so as to send the rinse liquid to the processing unit 16C.
  • the rinse liquid is supplied from the nozzle N2 to the wafer W in the processing unit 16C, and the rinse process of the wafer W with the rinse liquid is performed.
  • the rinsed wafer W may be returned into the carrier C by the substrate transfer devices 13 and 17, for example.
  • the ozone water is generated in the dissolving section 130 immediately before the supply of the ozone water to the processing unit 16. Therefore, the ozone water is supplied to the processing unit 16 before the ozone concentration of the ozone water is greatly attenuated. Therefore, it is possible to supply the ozone water having a stable ozone concentration to the wafer W.
  • the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit 120 is adjusted according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor 143. Therefore, it becomes possible to maintain the ozone concentration of ozone water at an appropriate value.
  • the ozone concentration of the ozone water begins to decay immediately after the ozone water is generated in the dissolving section 130. Therefore, according to the above example, the path length from the dissolving section 130 to the ozone concentration monitor 143 can be made substantially equal to the path length from the dissolving section 130 to each of the processing units 16A to 16C. In this case, the ozone concentration of the ozone water supplied to the processing units 16A to 16C can be indirectly obtained by the ozone concentration monitor 143. Therefore, the cleaning process of the wafer W with ozone water can be performed more accurately.
  • the path lengths from the melting section 130 to the processing units 16A to 16C can be made substantially equal. Therefore, the amount of attenuation of ozone concentration until the ozone water reaches the processing units 16A to 16C from the dissolving section 130 becomes substantially equal. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result regardless of which processing unit 16 cleans the wafer W.
  • the adjustment liquid supply unit is configured to circulate the adjustment liquid. Therefore, water and the acidic solution are sufficiently uniformly mixed in the process of circulating the adjustment liquid. Therefore, the ozone gas can be stably dissolved in the adjusting liquid in the dissolving section 130.
  • the alkaline solution supply unit 200 can supply the alkaline adjustment liquid to the pipes D7 to D9 via the valves V4 to V6.
  • an alkaline solution that reduces the solubility of ozone gas in the adjustment liquid is mixed with ozone water after the ozone water is generated. Therefore, it is possible to remove the deposits adhering to the wafer W also by the alkaline component while suppressing the decrease in the ozone concentration of the ozone water.
  • the liquid sending control unit M2 and the drainage control unit M3 can be controlled so as to send the ozone water generated in the dissolving section 130 to at least one of the processing units 16A to 16C.
  • the ozone concentration of the ozone water supplied to the processing unit 16 is stably maintained at a predetermined value or higher. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result.
  • the ozone water supply processing to the processing unit 16B is performed after the ozone water to the processing unit 16A is stopped, and the ozone water supply processing to the processing unit 16C is performed. It can be done after the ozone water in has been stopped. That is, when the ozone water is sent to any one of the processing units 16A to 16C, the ozone water is not sent to the rest of the processing units 16A to 16C. In this case, the cleaning process of the wafer W with ozone water is not performed simultaneously in each of the processing units 16A to 16C. Therefore, ozone water having a stable ozone concentration is supplied to each of the processing units 16A to 16C. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result even if the wafer W is cleaned by any of the processing units 16A to 16C.
  • the drainage control unit M3 can control the valve V12 to drain the ozone water out of the system when the ozone water is not delivered to at least one of the processing units 16A to 16C.
  • the ozone water is less likely to stay in the pipes D6 to D9 (liquid transfer line), so that the ozone concentration of the ozone water can be further stabilized.
  • the adjustment liquid supply unit 120 does not include the circulation tank 123 or the like, and does not contain the adjustment liquid in which the acidic solution from the liquid source 121 and the water from the liquid source 122 are mixed. It may be directly supplied to the melting unit 130 without being circulated.
  • the liquid sources 121 and 122 may be connected to the valve V13 via the pipes D2 and D3, respectively.
  • a valve V1 may be provided in the pipe D2.
  • a valve V2 and a heater 125 may be provided in the pipe D3 in this order from the upstream side.
  • the valve V13 may operate based on a control signal from the control device 4, and may be configured to mix the acidic solution flowing through the pipe D2 and the water flowing through the pipe D3.
  • the valve V13 may be, for example, a mixed faucet (mixing valve).
  • the melting unit 130 may be a plurality of melting modules connected in series. In this case, ozone gas that has not been dissolved in the adjustment liquid in the upstream dissolution module can be supplied to the downstream dissolution module to be further dissolved in the adjustment liquid. Therefore, it becomes possible to generate ozone water having a higher ozone concentration.
  • the melting unit 130 may be a plurality of melting modules connected in parallel. In this case, it is possible to increase the flow rate of ozone water generated by the dissolution module.
  • the processing unit 16 may further include a heating source configured to heat the ozone water discharged from the nozzle N1 directly above the wafer W. In this case, since the temperature of the ozone water is relatively low until just before the ejection onto the wafer W, a high concentration of ozone water can be supplied to the wafer W.
  • the ozone water discharged from the nozzle N1 is heated right above the wafer W, it is possible to enhance the reactivity of ozone with respect to the adhered matter on the wafer W while minimizing the emission of ozone gas from the ozone water. it can. Therefore, it becomes possible to remove the adhering matter adhering to the wafer W extremely effectively.
  • the heating source may be, for example, a heater that heats the wafer W from the back surface side, or a heating fluid supply mechanism that blows hot water or steam of high temperature onto the back surface of the wafer W.
  • the wafer W may be suction-held by the rotation holding portion 16b, or the peripheral edge of the wafer W may be physically held (so-called mechanical chuck holds the wafer W). May be done).
  • the heating source may be, for example, a heated object heated by electromagnetic induction.
  • the wafer W is supported by the object to be heated in the processing unit 16.
  • the heating source may be, for example, a heater configured to rapidly raise the temperature of ozone water immediately before being supplied to the nozzle N1.
  • the processing unit 16 may be a batch type chamber that simultaneously processes a plurality of wafers W in one processing tank.
  • the heating source may be a heater configured to rapidly raise the temperature of the ozone water immediately before being supplied to the processing tank.
  • the processing unit 16 may further include an irradiation unit configured to irradiate energy rays such as ultraviolet rays.
  • the control device 4 may control the irradiation unit so that the wafer W is irradiated with energy rays during the cleaning process of the wafer W with ozone water. In this case, it becomes possible to remove the adhering matter adhering to the surface of the wafer W more effectively.
  • the ozone water is discharged through the drainage unit 400. Instead of draining the water to the outside of the system, generation of ozone water in the ozone water supply unit 100 may be stopped.
  • Example 1 An example of a substrate processing apparatus is an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, a control liquid supply unit configured to supply a control liquid showing a predetermined hydrogen ion concentration, and an ozone gas dissolved in the control liquid. And a dissolution chamber configured to generate ozone water, at least one processing chamber configured to clean the substrate with the ozone water, and at least one processing chamber to treat the ozone water from the dissolution unit through a liquid transfer line. And a liquid delivery unit configured to deliver the liquid to the chamber.
  • ozone water is generated in the dissolving section immediately before the ozone water is supplied to the processing chamber. Therefore, the ozone water is supplied to the processing chamber before the ozone concentration of the ozone water is greatly attenuated. Therefore, it becomes possible to supply ozone water having a stable ozone concentration to the substrate.
  • Example 2 The apparatus of Example 1 may further include a drainage unit that is connected to the liquid supply line and is configured to discharge ozone water out of the system.
  • ozone water can be continuously generated in the dissolving section, and if the substrate is not cleaned with ozone water, the ozone water can be discharged from the draining section. Therefore, the ozone water is less likely to stay in the liquid feed line, and the ozone concentration of the ozone water can be further stabilized.
  • Example 3 The apparatus of Example 1 or Example 2 may further include an ozone concentration monitor that is provided in the liquid supply line and configured to acquire the ozone concentration of ozone water downstream of the dissolving section.
  • an ozone concentration monitor that is provided in the liquid supply line and configured to acquire the ozone concentration of ozone water downstream of the dissolving section.
  • Example 4 The apparatus of Example 3 is a control that executes a process of controlling the adjustment liquid supply unit so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor. You may further provide a part.
  • the higher the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid the lower the pH
  • the more easily the ozone gas dissolves in the adjustment liquid and the lower the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid (the higher the pH) the ozone gas dissolves in the adjustment liquid. It tends to be difficult. Therefore, by performing feedback control so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor, it is possible to maintain the ozone concentration of ozone water at an appropriate value.
  • the path length of the liquid transfer line from the dissolution section to the ozone concentration monitor may be substantially equal to the path length of the solution transfer line from the dissolution section to at least one processing chamber.
  • the ozone concentration of the ozone water starts to decay immediately after the ozone water is generated in the dissolution section. Therefore, by providing an ozone concentration monitor at a position equivalent to the path length of the liquid sending line from the dissolution section to at least one processing chamber, the ozone concentration of ozone water when being supplied to at least one processing chamber can be determined. It can be obtained indirectly. Therefore, it becomes possible to perform the cleaning process of the substrate with ozone water with higher accuracy.
  • At least one processing chamber includes first and second processing chambers configured to clean a substrate with ozone water
  • the liquid transfer line includes a dissolution unit. From the solution delivery line to the first processing chamber and the second processing chamber, the path length from the dissolving portion to the first processing chamber in the liquid feeding line is It may be approximately equal to the path length from the part to the second processing chamber.
  • the amount of ozone concentration attenuation until the ozone water reaches the first processing chamber from the dissolution unit and the amount of ozone concentration attenuation until the ozone water reaches the second processing chamber from the dissolution unit are approximately equal to each other. Will be equivalent. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result regardless of whether the substrate is cleaned in the first or second processing chamber.
  • Example 7 In the apparatus according to any one of Examples 1 to 6, the adjustment liquid supply unit may be configured to mix water and an acidic solution to generate an adjustment liquid.
  • the adjustment liquid supply part may be configured to circulate the adjustment liquid.
  • water and the acidic solution are mixed sufficiently uniformly during the circulation of the adjustment liquid. Therefore, it becomes possible to stably dissolve the ozone gas in the adjusting liquid in the dissolving portion.
  • Example 9 The apparatus according to any of Examples 1 to 8 may further include an alkaline solution supply unit configured to supply the alkaline solution to the liquid feeding line.
  • an alkaline solution that reduces the solubility of ozone gas in the adjustment liquid is mixed with ozone water after the ozone water is generated. Therefore, it is possible to remove the deposits adhering to the substrate by the alkaline component while suppressing the decrease in the ozone concentration of the ozone water.
  • Example 10 The apparatus according to any one of Examples 1 to 9 includes a temperature monitor configured to obtain the temperature of the adjustment liquid or ozone water, and a hydrogen ion concentration monitor configured to obtain the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid.
  • An ozone concentration monitor configured to acquire the ozone concentration of ozone water, a temperature acquired by the temperature monitor is equal to or higher than a predetermined value, a hydrogen ion concentration acquired is equal to or higher than a predetermined value, and
  • a control unit that executes a process of controlling the liquid sending unit so as to send the ozone water from the dissolving unit to at least one processing chamber when the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor is equal to or higher than a predetermined value. May be.
  • the ozone concentration of ozone water supplied to at least one processing chamber is stably maintained at a predetermined value or higher. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result.
  • Example 11 The apparatus according to any one of Examples 1 to 10 further includes a controller, wherein the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and the liquid transfer line includes: The diverging portion is branched and extended toward each of the plurality of processing chambers, and the liquid feeding portion is configured to feed the ozone water from the melting portion to each of the plurality of processing chambers through a liquid feeding line.
  • the control unit controls the liquid sending unit so as not to send the ozone water to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers when the ozone water is sent to one of the plurality of processing chambers. You may perform the process which controls. In this case, the cleaning process of the substrate with ozone water is not performed simultaneously in each chamber. Therefore, ozone water having a stable ozone concentration is supplied to each chamber. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result regardless of which processing chamber is used for cleaning the substrate.
  • Example 12 The apparatus according to any one of Examples 1 to 11 is provided in the liquid sending line, and a drainage unit configured to discharge the ozone water out of the system and the ozone water to the at least one processing chamber.
  • the control unit may further include a control unit that executes a process of controlling the drainage unit to discharge the ozone water to the outside of the system.
  • the ozone water is less likely to stay in the liquid feeding line, and thus the ozone concentration of the ozone water can be further stabilized.
  • Example 13 An example of the substrate processing method is to supply ozone gas and an adjusting liquid showing a predetermined hydrogen ion concentration to a dissolving portion, generate ozone water by dissolving the ozone gas in the adjusting liquid, and wash the substrate with ozone water. Sending ozone water from the dissolution section to the at least one processing chamber configured to. In this case, the same effect as that of the device of Example 1 is obtained.
  • Example 14 The method of Example 13 may further include adjusting the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid according to the ozone concentration of the ozone water flowing through the liquid feeding line. In this case, the same effect as the device of Example 4 is obtained.
  • sending the ozone water means that the temperature of the adjustment liquid or ozone water is a predetermined value or higher, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is a predetermined value or higher, and the ozone water is The method may include sending ozone water from the dissolution section to at least one processing chamber when the ozone concentration is equal to or higher than a predetermined value. In this case, the same effects as the device of Example 10 are obtained.
  • the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and delivering the ozone water to the plurality of processing chambers comprises: When the ozone water is being sent to one of the processing chambers, it may include not sending the ozone water to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers. In this case, the same effect as the device of Example 11 is obtained.
  • Example 17 The method according to any one of Examples 13 to 16 may further include discharging the ozone water out of the system when the ozone water is not delivered to the at least one processing chamber. In this case, the same effect as the device of Example 12 is obtained.
  • Example 18 An example of a computer-readable recording medium stores a program for causing a substrate processing apparatus to execute the substrate processing method of any one of Examples 13 to 17. In this case, the same operation and effect as those of the methods of Examples 13 to 17 are obtained.
  • a computer-readable recording medium may be a non-transitory tangible medium (non-transitory computer recording medium) (for example, various main storage devices or auxiliary storage devices) or a propagation signal ( transitory computer recording medium) (for example, a data signal that can be provided via a network).

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Abstract

本開示は、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。　基板処理装置は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。

Description

基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
　本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
　特許文献１は、基板に高濃度オゾン水を供給することにより、基板に付着している付着物（例えば、レジスト膜、汚染物、酸化膜など）を除去する基板処理装置を開示している。
特開２００８－３１１２５６号公報
　高濃度オゾン水のオゾン濃度は短時間で減衰することが知られている。そこで、本開示は、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
　基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。
　本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。
図１は、基板処理システムの一例を概略的に示す平面図である。 図２は、基板処理装置の一例を示す図である。 図３は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。 図４は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図５は、ウエハの処理工程を説明するためのフローチャートである。 図６は、基板処理装置の他の例を示す図である。
　以下に、本開示に係る実施形態の一例について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
　［基板処理システムの構成］
　図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
　［基板処理装置の構成］
　続いて、図２～図４を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。基板処理装置１０は、ウエハＷにオゾン水を供給して、ウエハＷの表面に付着している付着物を除去する機能を有する。
　ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。
　基板処理装置１０は、図２に示されるように、複数の処理ユニット１６と、オゾン水供給部１００と、アルカリ性溶液供給部２００と、リンス液供給部３００と、排液部４００と、排気部５００と、制御装置４（制御部１８）とを備える。
　［処理ユニット］
　処理ユニット１６は、処理チャンバ１６ａと、回転保持部１６ｂと、ノズルＮ１，Ｎ２とを含む。処理チャンバ１６ａは、図示しないゲートバルブを介してウエハＷを出し入れ可能に構成されている。回転保持部１６ｂは、ウエハＷを保持して回転するように構成されており、処理チャンバ１６ａ内に配置されている。
　ノズルＮ１，Ｎ２は、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持されている状態でウエハＷの上方に位置するように、処理チャンバ１６ａ内に配置されている。ノズルＮ１からはオゾン水が吐出される。ノズルＮ２からはリンス液が吐出される。なお、図２では、３つの処理ユニット１６（１６Ａ～１６Ｃ）が並んでいる様子を例示しているが、処理ユニット１６の数は特に限定されない。すなわち、基板処理装置１０は、少なくとも一つの処理ユニット１６を備えていてもよい。
　［オゾン水供給部］
　オゾン水供給部１００は、オゾン水を生成する機能と、生成したオゾン水をウエハＷにノズルＮ１を通じて供給する機能とを有する。オゾン水供給部１００は、オゾンガス供給部１１０と、調整液供給部１２０と、溶解部１３０と、送液部１４０とを含む。
　オゾンガス供給部１１０は、酸素からオゾンガスを生成するように構成されている。オゾンガス供給部１１０は、配管Ｄ１を介して溶解部１３０に接続されており、生成したオゾンガスを溶解部１３０に供給する。調整液供給部１２０は、液源１２１，１２２と、循環タンク１２３と、ポンプ１２４と、ヒータ１２５と、水素イオン濃度モニタ１２６と、バルブＶ１～Ｖ３とを含む。
　液源１２１は、酸性溶液を貯留するように構成されている。酸性溶液は、有機酸（例えば、クエン酸、酢酸、炭酸）の溶液であってもよいし、無機酸（例えば、塩酸、硝酸）の溶液であってもよいし、有機酸と無機酸とが混合された溶液であってもよい。有機酸と無機酸（例えば塩酸）とが混合されてなる酸性溶液を用いる場合、レジストの溶解性が高まりうる。液源１２１は、配管Ｄ２を介して循環タンク１２３に接続されており、酸性溶液を循環タンク１２３に供給する。
　液源１２２は、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））を貯留するように構成されている。液源１２２は、配管Ｄ２，Ｄ３を介して循環タンク１２３に接続されており、水を循環タンク１２３に供給する。配管Ｄ３は、配管Ｄ２の中途に接続されていてもよい。この場合、配管Ｄ２，Ｄ３の合流部分において酸性溶液と水とが混合され、調整液が生成される。調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源１２１から供給される酸性溶液の流量及び濃度と、液源１２２から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。調整液の水素イオン濃度は、例えば、ｐＨ１～ｐＨ４程度であってもよい。
　循環タンク１２３は、調整液を一時的に貯留しつつ、配管Ｄ４を通じて調整液を循環させるように構成されている。調整液が循環タンク１２３及び配管Ｄ４を通じて循環することで、循環の過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合されうる。
　配管Ｄ４は、循環タンク１２３の下部と上部とをつないでいる。配管Ｄ４には、ポンプ１２４と、ヒータ１２５と、水素イオン濃度モニタ１２６と、バルブＶ３とが上流側から順に接続されている。ポンプ１２４は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ４を通じて循環タンク１２３内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ１２５は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、調整液が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるように調整液を加熱するように構成されている。
　水素イオン濃度モニタ１２６は、配管Ｄ４を流れる調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ１２６によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。
　バルブＶ１～Ｖ３はそれぞれ、配管Ｄ２～Ｄ４の中途に設けられている。バルブＶ１は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２を流れる酸性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブＶ２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ３を流れる水の流量を制御するように構成されている。
　バルブＶ３は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、調整液が配管Ｄ４及び循環タンク１２３を循環する流路と、調整液が循環タンク１２３から配管Ｄ４，Ｄ５を通じて溶解部１３０に送液される流路とを切り替え可能に構成されている。バルブＶ３は、例えば、３方向電磁弁（ソレノイドバルブ）であってもよい。配管Ｄ５は、バルブＶ３と溶解部１３０とを接続している。
　溶解部１３０は、オゾンガス供給部１１０から供給されたオゾンガスを、調整液供給部１２０から供給された調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成されている。溶解部１３０は、例えば、多孔質膜の１次側にオゾンガスを流し、多孔質膜の２次側に水を流すことで気液を接触させて、オゾンガスを水に溶解させる溶解モジュールであってもよい。
　送液部１４０は、溶解部１３０において生成されたオゾン水を、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃ又は排液部４００に送液する機能を有する。送液部１４０は、配管Ｄ６～Ｄ９（送液ライン）と、補助ヒータ１４１と、温度モニタ１４２と、オゾン濃度モニタ１４３と、バルブＶ４～Ｖ６とを含む。
　配管Ｄ６は、溶解部１３０と排液部４００とを接続するように延びている。配管Ｄ６には、補助ヒータ１４１と、温度モニタ１４２と、オゾン濃度モニタ１４３とが上流側から順に接続されている。補助ヒータ１４１は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、オゾン水が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるようにオゾン水を加熱するように構成されている。温度モニタ１４２は、配管Ｄ６を流れるオゾン水の温度のデータを取得するように構成されている。温度モニタ１４２によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。
　オゾン濃度モニタ１４３は、配管Ｄ６を流れるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得するように構成されている。すなわち、オゾン濃度モニタ１４３は、溶解部１３０の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得する。オゾン濃度モニタ１４３によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。オゾン濃度モニタ１４３は、溶解部１３０からオゾン濃度モニタ１４３までの経路長と、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまで（各ノズルＮ１まで）の各経路長とが略同等となる位置に設定されてもよい。
　配管Ｄ７～Ｄ９はそれぞれ、配管Ｄ６の中途から分岐して、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ１に接続されている。配管Ｄ７，Ｄ８はそれぞれ、所定の経路長を確保するための調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａを含んでいてもよい。調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａは、例えば、配管Ｄ７，Ｄ８が部分的に蛇行したものであってもよいし、配管Ｄ７，Ｄ８が部分的に螺旋状に延びたものであってもよい。これらの調整部Ｄ７ａ，Ｄ８ａの存在により、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまで（各ノズルＮ１まで）の各経路長がいずれも略同等とされてもよい。なお、配管Ｄ９も調整部を含んでいてもよい。
　バルブＶ４～Ｖ６はそれぞれ、配管Ｄ７～Ｄ９の中途に設けられている。バルブＶ４～Ｖ６は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ７～Ｄ９を流れるオゾン水にアルカリ性溶液供給部２００から供給されるアルカリ調整液を混合するように構成されている。バルブＶ４～Ｖ６は、例えば、混合水栓（ミキシングバルブ）であってもよい。
　［アルカリ性溶液供給部］
　アルカリ性溶液供給部２００は、アルカリ調整液を生成する機能と、生成したアルカリ調整液をウエハＷにノズルＮ１を通じて供給する機能とを有する。アルカリ性溶液供給部２００は、液源２０１，２０２と、循環タンク２０３と、ポンプ２０４と、ヒータ２０５と、水素イオン濃度モニタ２０６と、バルブＶ７，Ｖ８とを含む。
　液源２０１は、アルカリ性溶液を貯留するように構成されている。アルカリ性溶液は、例えばアンモニア水であってもよい。液源２０１は、配管Ｄ１０を介して循環タンク２０３に接続されており、アルカリ性溶液を循環タンク２０３に供給する。
　液源２０２は、液源１２２と同様に、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））を貯留するように構成されている。液源２０２は、配管Ｄ１０，Ｄ１１を介して循環タンク２０３に接続されており、水を循環タンク２０３に供給する。配管Ｄ１１は、配管Ｄ１０の中途に接続されていてもよい。この場合、配管Ｄ１０，Ｄ１１の合流部分においてアルカリ性溶液と水とが混合され、アルカリ調整液が生成される。アルカリ調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源２０１から供給されるアルカリ性溶液の流量及び濃度と、液源１２２から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。アルカリ調整液の水素イオン濃度は、例えば、ｐＨ９～ｐＨ１３程度であってもよい。
　循環タンク２０３は、アルカリ調整液を一時的に貯留しつつ、配管Ｄ１２を通じてアルカリ調整液を循環させるように構成されている。アルカリ調整液が循環タンク２０３及び配管Ｄ１２を通じて循環することで、循環の過程で水とアルカリ性溶液とが十分均一に混合されうる。
　配管Ｄ１２は、循環タンク２０３の下部と上部とをつないでいる。配管Ｄ１２には、ポンプ２０４と、ヒータ２０５と、水素イオン濃度モニタ２０６とが上流側から順に接続されている。ポンプ２０４は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１２を通じて循環タンク２０３内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ２０５は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、アルカリ調整液が所定温度（例えば、２２℃～８５℃程度）となるようにアルカリ調整液を加熱するように構成されている。
　水素イオン濃度モニタ２０６は、配管Ｄ１２を流れるアルカリ調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ２０６によって取得されたデータは、制御装置４に送信される。
　配管Ｄ１２には、その中途からそれぞれ分岐した配管Ｄ１３～Ｄ１５が接続されている。配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１３は、バルブＶ４に接続されている。配管Ｄ１３の下流側において配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１４は、バルブＶ５に接続されている。配管Ｄ１４の下流側において配管Ｄ１２から分岐した配管Ｄ１５は、バルブＶ６に接続されている。そのため、アルカリ性溶液供給部２００から供給されるアルカリ調整液は、各バルブＶ４～Ｖ６において、オゾン水供給部１００から供給されるオゾン水と混合される。
　バルブＶ７，Ｖ８はそれぞれ、配管Ｄ１０，Ｄ１１の中途に設けられている。バルブＶ７は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１０を流れるアルカリ性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブＶ８は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１１を流れる水の流量を制御するように構成されている。
　［リンス液供給部］
　リンス液供給部３００は、リンス液をウエハＷにノズルＮ２を通じて供給する機能を有する。リンス液供給部３００は、液源３０１と、ポンプ３０２と、バルブＶ９～Ｖ１１とを含む。液源３０１は、リンス液を貯留するように構成されている。リンス液は、例えば、薬液、基板に付着している付着物などを洗い流すためのものである。リンス液は、水（例えば、純水、ＤＩＷ（Deionized Water））であってもよい。液源３０１は、配管Ｄ１６～Ｄ１９を介して各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに向けて延びている。配管Ｄ１７～Ｄ１９はそれぞれ、配管Ｄ１６の中途から分岐して、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ２に接続されている。そのため、液源３０１から供給されるリンス液は、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣのノズルＮ２に供給される。
　ポンプ３０２は、配管Ｄ１６の中途に設けられている。ポンプ３０２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１６を通じてリンス液を下流側に送液するように構成されている。バルブＶ９～Ｖ１１はそれぞれ、配管Ｄ１７～Ｄ１９の中途に設けられている。バルブＶ９～Ｖ１１はそれぞれ、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１７～Ｄ１９を流れるリンス液の流通量を制御するように構成されている。
　［排液部］
　排液部４００は、排液処理ユニット４０１と、バルブＶ１２とを含む。排液処理ユニット４０１は、オゾン水に含まれるオゾンを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排液処理ユニット４０１は、配管Ｄ６によって、溶解部１３０と接続されている。そのため、排液処理ユニット４０１には、配管Ｄ６を通じて、オゾン水供給部１００において生成されたがノズルＮ１に供給されなかったオゾン水が流入する。バルブＶ１２は、配管Ｄ６の中途に設けられている。バルブＶ１２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ１６を流れるオゾン水の流量を制御するように構成されている。
　排液処理ユニット４０１は、三つに分岐された配管Ｄ２０によって、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃと接続されている。そのため、排液処理ユニット４０１には、配管Ｄ２０を通じて、各処理ユニット１６Ａ～１６ＣにおいてウエハＷの洗浄処理に供されたオゾン水が流入する。排液処理ユニット４０１による処理済みの液体は、系外に排出される。
　［排気部］
　排気部５００は、排気処理ユニット５０１と、ポンプ５０２とを含む。排気処理ユニット５０１は、オゾンガスを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排気処理ユニット５０１は、三つに分岐された配管Ｄ２１によって、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃと接続されている。そのため、排気処理ユニット５０１には、配管Ｄ２１を通じて、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃでの洗浄処理に際して内部に発生したオゾンガスが流入する。排気処理ユニット５０１による処理済みの気体は、系外に排出される。
　ポンプ５０２は、配管Ｄ２１の中途に設けられている。ポンプ５０２は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２１を通じてオゾンガスを下流側に送気するように構成されている。
　［制御装置］
　制御装置４は、例えば図３に示されるように、基板処理装置１０を制御するための機能的な構成（機能モジュール）として、水素イオン濃度制御部Ｍ１と、送液制御部Ｍ２と、排液制御部Ｍ３と、排気制御部Ｍ４とを含む。これらの機能モジュールは、制御装置４の制御部１８および記憶部１９の協働により構成される。なお、記憶部１９は、例えば、記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶していてもよい。
　水素イオン濃度制御部Ｍ１は、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部１２０において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部１２０を制御してもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど（ｐＨが低いほど）、調整液にオゾンガスが溶解しやすいことが知られている。そのため、例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ１，Ｖ２に指示して、液源１２１からの酸性溶液の供給量を増やすことと、液源１２２からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ１，Ｖ２に指示して、液源１２１からの酸性溶液の供給量を減らすことと、液源１２２からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。
　水素イオン濃度制御部Ｍ１は、水素イオン濃度モニタ２０６が取得する水素イオン濃度に応じて、アルカリ性溶液供給部２００において生成されるアルカリ調整液の水素イオン濃度を調節するように、アルカリ性溶液供給部２００を制御してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ１４３が取得する水素イオン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ７，Ｖ８に指示して、液源２０１からのアルカリ性溶液の供給量を増やすことと、液源２０２からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、水素イオン濃度モニタ２０６が取得する水素イオン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部Ｍ１は、バルブＶ７，Ｖ８に指示して、液源２０１からのアルカリ性溶液の供給量を減らすことと、液源２０２からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。
　送液制御部Ｍ２は、循環タンク１２３及び配管Ｄ４を通じた調整液の循環と、調整液の溶解部１３０への供給とを切り替えるように、ポンプ１２４及びバルブＶ３を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、温度モニタ１４２が取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度モニタ１２６，２０６が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、溶解部１３０において生成されたオゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、ポンプ１２４及びバルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。このとき、送液制御部Ｍ２は、アルカリ性溶液供給部２００において生成されたアルカリ調整液がオゾン水に混合されるように、バルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの残余にオゾン水を送液しないように、バルブＶ３～Ｖ６を制御してもよい。送液制御部Ｍ２は、液源３０１のリンス液を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、バルブＶ９～Ｖ１１を制御してもよい。
　排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。排液制御部Ｍ３は、温度モニタ１４２が取得する温度が所定値未満であり、水素イオン濃度モニタ１２６，２０６が取得する水素イオン濃度が所定値未満であり、又は、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度が所定値未満であるときに、溶解部１３０において生成されたオゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。あるいは、排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのいずれにも送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御してもよい。
　排気制御部Ｍ４は、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃ内の気体を吸引して系外に排出するようにポンプ５０２を制御してもよい。
　制御装置４のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。制御装置４は、ハードウェア上の構成として、例えば図４に示される回路４Ａを有する。回路４Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路４Ａは、具体的には、プロセッサ４Ｂと、メモリ４Ｃ（記憶部）と、ストレージ４Ｄ（記憶部）と、入出力ポート４Ｅとを有する。プロセッサ４Ｂは、メモリ４Ｃ及びストレージ４Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート４Ｅを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート４Ｅは、プロセッサ４Ｂ、メモリ４Ｃ及びストレージ４Ｄと、基板処理装置１０の各部との間で、信号の入出力を行う。
　基板処理装置１０は、例えば、一つの制御装置４を備えていてもよいし、複数の制御装置４で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１０がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置４によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置４の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４が複数のコンピュータ（回路４Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路４Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路４Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４は、複数のプロセッサ４Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つ又は複数のプロセッサ４Ｂによって実現されていてもよい。
　［基板処理方法］
　続いて、図５を参照して、ウエハＷの洗浄処理方法（基板処理方法）について説明する。まず、ウエハＷを洗浄処理するための準備処理を行う（ステップＳ１参照）。準備処理では、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３が、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３から入力されるデータに基づいて、ポンプ１２４及びバルブＶ１２を制御する。
　例えば、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上であるか否かを判断する。その結果、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれかが所定値未満である場合には、オゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに送液せず系外に排出するように、送液制御部Ｍ２がバルブＶ４～Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を開放する。
　水素イオン濃度モニタ１２６のデータが所定値未満である場合には、調整液の水素イオン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部Ｍ１がバルブＶ１，Ｖ２を制御してもよい。温度モニタ１４２のデータが所定値未満である場合には、調整液の温度が所定値以上となるように、制御装置４がヒータ１２５を制御してもよい。オゾン濃度モニタ１４３のデータが所定値未満である場合には、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部Ｍ１がバルブＶ１，Ｖ２を制御してもよい。
　一方、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合には、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、ウエハＷを洗浄処理するための準備が整ったものと判断する（準備処理完了）。
　準備処理が完了すると、次に、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ２参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ａに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ａ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。
　処理ユニット１６ＡへのウエハＷの搬送処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ３参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ａに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ４を開放し且つバルブＶ５，Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ａ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。
　処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理と並行して、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ３参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ｂに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。
　処理ユニット１６Ａへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ａに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ９を開放し且つバルブＶ１０，Ｖ１１を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ａ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。
　処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ｂに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ５を開放し且つバルブＶ４，Ｖ６を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ａ内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。
　処理ユニット１６Ａへのリンス液の供給処理と並行して、ウエハＷの搬送処理を行う（ステップＳ４参照）。例えば、キャリアＣ内の一つのウエハＷを処理ユニット１６Ｃに搬送するように、制御装置４が基板搬送装置１３，１７を制御する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに保持される。
　処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ５参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ｂに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ１０を開放し且つバルブＶ９，Ｖ１１を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｂ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。
　処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理を行う（ステップＳ５参照）。例えば、オゾン水を処理ユニット１６Ｃに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ６を開放し且つバルブＶ４，Ｖ５を閉鎖すると共に、排液制御部Ｍ３がバルブＶ１２を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内のウエハＷにノズルＮ１からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ｂ内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット１６Ｂへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。
　処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット１６Ｃへのリンス液の供給処理を行う（ステップＳ６参照）。例えば、リンス液を処理ユニット１６Ｃに送液するように送液制御部Ｍ２がバルブＶ１１を開放し且つバルブＶ９，Ｖ１０を閉鎖する。これにより、処理ユニット１６Ｃ内のウエハＷにノズルＮ２からリンス液が供給され、リンス液によるウエハＷのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハＷは、例えば、基板搬送装置１３，１７によってキャリアＣ内に戻されてもよい。
　［作用］
　以上の例によれば、オゾン水の処理ユニット１６への供給直前に溶解部１３０においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理ユニット１６に供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水をウエハＷに供給することが可能となる。
　以上の例によれば、オゾン濃度モニタ１４３が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部１２０において生成される調整液の水素イオン濃度が調節される。そのため、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。
　ところで、オゾン水のオゾン濃度は、溶解部１３０においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そこで、以上の例によれば、溶解部１３０からオゾン濃度モニタ１４３までの経路長は、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまでの経路長と略同等とされうる。この場合、各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を、オゾン濃度モニタ１４３によって間接的に取得することができる。従って、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。
　以上の例によれば、溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃまでの経路長は略同等とされうる。そのため、オゾン水が溶解部１３０から各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに到達するまでのオゾン濃度の減衰量が略同等となる。したがって、いずれの処理ユニット１６でウエハＷを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
　以上の例によれば、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されている。そのため、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。したがって、溶解部１３０においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。
　以上の例によれば、アルカリ性溶液供給部２００が、バルブＶ４～Ｖ６を介してアルカリ調整液を配管Ｄ７～Ｄ９に供給しうる。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、ウエハＷに付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。
　以上の例によれば、水素イオン濃度モニタ１２６、温度モニタ１４２及びオゾン濃度モニタ１４３が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合に、送液制御部Ｍ２及び排液制御部Ｍ３は、溶解部１３０において生成されたオゾン水を処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液するように、ポンプ１２４及びバルブＶ３～Ｖ６を制御しうる。この場合、処理ユニット１６に供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
　以上の例によれば、処理ユニット１６Ｂへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ａ内へのオゾン水が停止された後に行われ、処理ユニット１６Ｃへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット１６Ｂ内へのオゾン水が停止された後に行われうる。すなわち、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃのうちいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの残余にはオゾン水が送液されない。この場合、オゾン水によるウエハＷの洗浄処理が各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各処理ユニット１６Ａ～１６Ｃに供給される。従って、いずれの処理ユニット１６Ａ～１６ＣでウエハＷを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
　以上の例によれば、排液制御部Ｍ３は、オゾン水が処理ユニット１６Ａ～１６Ｃの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブＶ１２を制御しうる。この場合、オゾン水が配管Ｄ６～Ｄ９（送液ライン）に滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。
　［変形例］
　以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。
　（１）図６に示されるように、調整液供給部１２０は、循環タンク１２３等を含んでおらず、液源１２１からの酸性溶液と液源１２２からの水とが混合された調整液を循環させることなく直ちに溶解部１３０に供給してもよい。この場合、液源１２１，１２２はそれぞれ、配管Ｄ２，Ｄ３を介してバルブＶ１３に接続されていてもよい。配管Ｄ２にはバルブＶ１が設けられていてもよい。配管Ｄ３にはバルブＶ２とヒータ１２５とが上流側からこの順に設けられていてもよい。バルブＶ１３は、制御装置４からの制御信号に基づいて動作し、配管Ｄ２を流れる酸性溶液と配管Ｄ３を流れる水とを混合するように構成されていてもよい。バルブＶ１３は、例えば、混合水栓（ミキシングバルブ）であってもよい。
　（２）溶解部１３０は、複数の溶解モジュールが直列に接続されたものであってもよい。この場合、上流側の溶解モジュールにおいて調整液に溶解しなかったオゾンガスを下流側の溶解モジュールに供給して調整液にさらに溶解させることができる。そのため、より高いオゾン濃度のオゾン水を生成することが可能となる。溶解部１３０は、複数の溶解モジュールが並列に接続されたものであってもよい。この場合、溶解モジュールで生成されるオゾン水の流量を増やすことが可能となる。
　（３）オゾン水の温度が高いほど、オゾンとウエハＷの表面に付着している付着物との反応性が高まる傾向にある一方で、オゾン水に溶存しているオゾンが気体となって放散してしまいオゾン水のオゾン濃度が低下する傾向にある。そこで、処理ユニット１６は、ノズルＮ１から吐出されたオゾン水をウエハＷの直上において加熱するように構成された加熱源をさらに含んでいてもよい。この場合、ウエハＷへの吐出の直前まではオゾン水の温度が相対的に低いので、高濃度のオゾン水をウエハＷに供給することができる。また、ノズルＮ１から吐出されたオゾン水がウエハＷの直上において加熱されることで、オゾン水からのオゾンガスの放散を最小限に抑えつつ、ウエハＷの付着物に対するオゾンの反応性を高めることができる。従って、ウエハＷに付着している付着物を極めて効果的に除去することが可能となる。
　加熱源は、例えば、ウエハＷを裏面側から加熱するヒータであってもよいし、ウエハＷの裏面に高温の温水又は蒸気を吹き付ける加熱流体供給機構であってもよい。これらの場合、処理ユニット１６内において、ウエハＷが回転保持部１６ｂに吸着保持されていてもよいし、ウエハＷの周縁が物理的に保持されてもよい（いわゆる、メカニカルチャックによってウエハＷが保持されてもよい）。
　加熱源は、例えば、電磁誘導によって加熱される被加熱体であってもよい。この場合、処理ユニット１６内において、ウエハＷは被加熱体に支持される。
　加熱源は、例えば、ノズルＮ１に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。
　処理ユニット１６は、複数のウエハＷを一つの処理槽において同時に処理するバッチ式のチャンバであってもよい。この場合、加熱源は、処理槽に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。
　（４）処理ユニット１６は、紫外線等のエネルギー線を照射するように構成された照射部をさらに含んでいてもよい。制御装置４はオゾン水によるウエハＷの洗浄処理中にウエハＷに対してエネルギー線を照射するように、照射部を制御するようにしてもよい。この場合、ウエハＷの表面に付着している付着物をより効果的に除去することが可能となる。
　（５）全ての処理ユニット１６においてウエハＷの洗浄処理が当面行われないような場合（洗浄処理が終了してから所定時間以上が経過する場合）には、排液部４００を介してオゾン水を系外に排液することに代えて、オゾン水供給部１００におけるオゾン水の生成を停止してもよい。
　［例示］
　例１．基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。この場合、オゾン水の処理チャンバへの供給直前に溶解部においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理チャンバに供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。
　例２．例１の装置は、送液ラインと接続されており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部をさらに備えていてもよい。この場合、溶解部においてオゾン水を継続的に生成しておき、オゾン水による基板の洗浄処理を行わない場合には排液部からオゾン水を排出することができる。そのため、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。
　例３．例１又は例２の装置は、送液ラインに設けられており、溶解部の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタをさらに備えていてもよい。
　例４．例３の装置は、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部を制御する処理を実行する制御部をさらに備えていてもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど（ｐＨが小さいほど）オゾンガスが当該調整液に溶解しやすく、調整液の水素イオン濃度が低いほど（ｐＨが大きいほど）オゾンガスが当該調整液に溶解しにくい傾向にある。そのため、オゾン濃度モニタが取得したオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節するようフィードバック制御することで、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。
　例５．例３又は例４の装置において、溶解部からオゾン濃度モニタまでの送液ラインの経路長は、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と略同等であってもよい。オゾン水のオゾン濃度は、溶解部においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そのため、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と同等の位置にオゾン濃度モニタを設けておくことにより、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を間接的に取得することができる。従って、オゾン水による基板の洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。
　例６．例１～例５のいずれかの装置において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された第１及び第２の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液ラインのうち溶解部から第１の処理チャンバまでの経路長は、送液ラインのうち溶解部から第２の処理チャンバまでの経路長と略同等であってもよい。この場合、オゾン水が溶解部から第１の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量と、オゾン水が溶解部から第２の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量とが略同等となる。そのため、第１及び第２の処理チャンバのどちらで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
　例７．例１～例６のいずれかの装置において、調整液供給部は、水と酸性溶液とを混合して調整液を生成するように構成されていてもよい。
　例８．例７の装置において、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されていてもよい。この場合、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。そのため、溶解部においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。
　例９．例１～例８のいずれかの装置は、アルカリ性溶液を送液ラインに供給するように構成されたアルカリ性溶液供給部をさらに備えていてもよい。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、基板に付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。
　例１０．例１～例９のいずれかの装置は、調整液又はオゾン水の温度を取得するように構成された温度モニタと、調整液の水素イオン濃度を取得するように構成された水素イオン濃度モニタと、オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタと、温度モニタが取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように送液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
　例１１．例１～例１０のいずれかの装置は、制御部をさらに備え、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液部は、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、制御部は、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液されている場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないように送液部を制御する処理を実行してもよい。この場合、オゾン水による基板の洗浄処理が各チャンバにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各チャンバに供給される。従って、いずれの処理チャンバで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
　例１２．例１～例１１のいずれかの装置は、送液ラインに設けられており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部と、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するように排液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。
　例１３．基板処理方法の一例は、オゾンガスと所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、オゾンガスを調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて溶解部からオゾン水を送液することとを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果を奏する。
　例１４．例１３の方法は、送液ラインを流れるオゾン水のオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節することをさらに含んでいてもよい。この場合、例４の装置と同様の作用効果を奏する。
　例１５．例１３又は例１４の方法において、オゾン水を送液することは、調整液又はオゾン水の温度が所定値以上であり、調整液の水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液することを含んでいてもよい。この場合、例１０の装置と同様の作用効果を奏する。
　例１６．例１３～例１５のいずれかの方法において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、オゾン水を送液することは、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液している場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないことを含んでいてもよい。この場合、例１１の装置と同様の作用効果を奏する。
　例１７．例１３～例１６のいずれかの方法は、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されていない場合に、オゾン水を系外に排出することをさらに含んでいてもよい。この場合、例１２の装置と同様の作用効果を奏する。
　例１８．コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例１３～例１７のいずれかの基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、例１３～例１７のいずれかの方法と同様の作用効果を奏する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）であってもよいし、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）であってもよい。
　１…基板処理システム、３…処理ステーション、４…制御装置、１０…基板処理装置、１６…処理ユニット、１８…制御部、１００…オゾン水供給部、１１０…オゾンガス供給部、１２０…調整液供給部、１２６…水素イオン濃度モニタ、１３０…溶解部、１４０…送液部、１４２…温度モニタ、１４３…オゾン濃度モニタ、２００…アルカリ性溶液供給部、３００…リンス液供給部、４００…排液部、５００…排気部、Ｄ６～Ｄ９…配管（送液ライン）、ＲＭ…記録媒体。

 

Claims (14)

  1. 　オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、
    　所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、
    　前記オゾンガスを前記調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、
    　前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、
    　送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える、基板処理装置。
  2. 　前記送液ラインと接続されており、前記オゾン水を系外に排出するように構成された排液部をさらに備える、請求項１に記載の装置。
  3. 　前記送液ラインに設けられており、前記溶解部の下流側における前記オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタをさらに備える、請求項１に記載の装置。
  4. 　前記オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度に応じて、前記調整液供給部において生成される前記調整液の水素イオン濃度を調節するように、前記調整液供給部を制御する処理を実行する制御部をさらに備える、請求項３に記載の装置。
  5. 　前記溶解部から前記オゾン濃度モニタまでの前記送液ラインの経路長は、前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバまでの前記送液ラインの経路長と略同等である、請求項３に記載の装置。
  6. 　前記少なくとも一つの処理チャンバは、前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された第１及び第２の処理チャンバを含み、
    　前記送液ラインは、前記溶解部から前記第１の処理チャンバと前記第２の処理チャンバとのそれぞれに向けて分岐して延びており、
    　前記送液ラインのうち前記溶解部から前記第１の処理チャンバまでの経路長は、前記送液ラインのうち前記溶解部から前記第２の処理チャンバまでの経路長と略同等である、請求項１に記載の装置。
  7. 　前記調整液供給部は、水と酸性溶液とを混合して前記調整液を生成するように構成されている、請求項１に記載の装置。
  8. 　前記調整液供給部は前記調整液を循環させるように構成されている、請求項７に記載の装置。
  9. 　アルカリ性溶液を前記送液ラインに供給するように構成されたアルカリ性溶液供給部をさらに備える、請求項１に記載の装置。
  10. 　前記調整液又は前記オゾン水の温度を取得するように構成された温度モニタと、
    　前記調整液の水素イオン濃度を取得するように構成された水素イオン濃度モニタと、
    　前記オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタと、
    　前記温度モニタが取得する温度が所定値以上であり、前記水素イオン濃度が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、前記オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように前記送液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備える、請求項１に記載の装置。
  11. 　制御部をさらに備え、
    　前記少なくとも一つの処理チャンバは、前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、
    　前記送液ラインは、前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、
    　前記送液部は、前記送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、
    　前記制御部は、前記複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバに前記オゾン水が送液されている場合に、前記複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバに前記オゾン水を送液しないように前記送液部を制御する処理を実行する、請求項１に記載の装置。
  12. 　前記送液ラインに設けられており、前記オゾン水を系外に排出するように構成された排液部と、
    　前記オゾン水が前記少なくとも一つの処理チャンバに送液されない場合に、前記オゾン水を系外に排出するように前記排液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備える、請求項１に記載の装置。
  13. 　オゾンガスと所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、前記オゾンガスを前記調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、
    　前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて前記溶解部から前記オゾン水を送液することとを含む、基板処理方法。
  14. 　請求項１３に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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