JP2013254821A - 基板のエッチング方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】フッ酸及び超純水使用量を減少させることができる基板のエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板をエッチング槽1中でエッチング液によりエッチングする工程と、エッチングされた基板をリンス槽2でリンスするリンス工程とを有する基板のエッチング方法及び装置において、該リンス槽2内のリンス水のフッ酸濃度が所定値C1よりも低いときには該リンス槽内のリンス水の一部をHF精製装置3によって浄化してリンス槽2に戻す工程を行い、リンス水のフッ酸濃度が所定値以上に達した場合には、該リンス槽2内のリンス水を調整槽5に排出し、フッ酸を添加して濃度C0とし、エッチング槽1に供給する。
【選択図】図1
【解決手段】基板をエッチング槽1中でエッチング液によりエッチングする工程と、エッチングされた基板をリンス槽2でリンスするリンス工程とを有する基板のエッチング方法及び装置において、該リンス槽2内のリンス水のフッ酸濃度が所定値C1よりも低いときには該リンス槽内のリンス水の一部をHF精製装置3によって浄化してリンス槽2に戻す工程を行い、リンス水のフッ酸濃度が所定値以上に達した場合には、該リンス槽2内のリンス水を調整槽5に排出し、フッ酸を添加して濃度C0とし、エッチング槽1に供給する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体やLCD(液晶表示装置)等の製造プロセスで採用される基板のエッチング方法に係り、特にフッ酸を回収して再利用するようにした基板のエッチング方法及び装置に関する。
半導体、LCD等の製造プロセスでは、基板をフッ酸を含むエッチング液でエッチング処理し、次いで超純水を用いて1次リンス及び2次リンスする(例えば特許文献1)。このエッチング処理工程やリンス工程からはフッ酸含有廃液が発生する。
このようなフッ酸含有廃液からフッ酸を回収して再利用することが特許文献2〜4に記載されている。特許文献2,3では、フッ酸含有廃液からフッ酸を蒸留によって回収する。特許文献4では、フッ酸含有廃液を電気透析、イオン交換、曝気及び膜濾過することによりフッ酸として回収する。
特許文献5には、希薄なフッ酸廃液と高濃度フッ酸廃液とが発生する電子部品製造工場において、希薄フッ酸廃液を濃縮して高濃度フッ酸廃液と混合し、次いでフッ酸回収装置でフッ酸を回収することが記載されている。
上記特許文献2〜5にはフッ酸を回収することが記載されているが、回収装置が大掛りである。また、特許文献2〜5には超純水使用量を低減することについての開示はない。
本発明は、フッ酸を容易に回収して再利用することができると共に、超純水使用量を減少させることができる基板のエッチング方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明の基板のエッチング方法は、基板をエッチング槽中でフッ酸含有エッチング液によりエッチングする工程と、エッチングされた基板をリンス槽でリンスするリンス工程とを有する基板のエッチング方法において、該リンス槽内のリンス水のフッ酸濃度が所定値よりも低いときには該リンス槽内のリンス水の一部を連続的又は回分的に浄化手段によって不純物を除去した後、該リンス槽に戻す工程を行い、該リンス水のフッ酸濃度が所定値以上に達した場合には、該リンス槽内のリンス水を調整槽に排出し、リンス槽に超純水を導入し、この調整槽内に導入したリンス水にフッ酸を添加し、この調整槽内の液を前記エッチング槽に供給することを特徴とするものである。
本発明の基板のエッチング装置は、基板をフッ酸含有エッチング液によりエッチングするエッチング槽と、該エッチング槽でエッチングされた基板をリンスするリンス槽と、該リンス槽内のリンス水を受け入れて不純物を除去して浄化し、浄化されたリンス水を該リンス槽に返送する浄化手段とを有するエッチング装置であって、該リンス槽内のリンス水を受け入れる調整槽と、該調整槽にフッ酸を添加するフッ酸添加手段と、該調整槽内の液を前記エッチング槽に供給する供給手段とを備えたことを特徴とするものである。
本発明の基板のエッチング方法及び装置では、リンス槽内のリンス水のフッ酸濃度が所定値よりも低いときには、浄化手段で浄化して再利用するので、リンス槽に超純水を一過式に流す場合に比べて超純水の消費量を少なくすることができる。
リンス槽内のリンス水又は浄化手段からリンス槽に戻るリンス水のフッ酸濃度が所定値以上となったときには、リンス槽内のリンス水を調整槽に取り出し、これにフッ酸を添加し、この液をエッチング槽のエッチング液として利用する。このようにして、フッ酸が回収され再利用されるので、フッ酸の消費量が少なくなる。また、リンス水中の水もエッチング液の水として再利用されることになるので、超純水の消費量が減少する。
以下、図1を参照して実施の形態について説明する。
この基板のエッチング方法では、基板はエッチング槽1内においてエッチング液でエッチングされた後、エッチング槽1からリンス槽(この実施の形態では1次リンス槽)2に移送され、1次リンスされた後、2次リンス槽(図示略)に移送される。
エッチング運転開始初期又はエッチング設備のメンテナンス後の運転再開初期にあっては、図1(1)の通り、エッチング槽1には超純水と50%フッ酸(以下、50%HFと記載することがある。なお、この%は重量%を表わす。)とが供給され、所定のHF濃度C0(好ましくはHF0.5〜20%。この実施の形態では10%HF)のエッチング液が収容されている。エッチングされた基板をエッチング槽1から1次リンス槽2に移送すると、基板にエッチング液が付着してエッチング槽1から持ち出されるので、この持ち出し分を補充するように超純水と50%HFとがエッチング槽1に補給される。
1次リンス槽2には、当初、リンス水として超純水が収容されている。この1次リンス槽2からリンス後の基板を2次リンス槽に移送することに伴ってリンス水が持ち出されると共に、HF精製装置として膜分離処理を用いたときにはHF精製装置3からも廃液が排出され、保有リンス水量が減少するので、この減少分を補うように超純水が補給される。
1次リンス槽2内のリンス水は、HF精製装置3に循環通水され、膜分離処理やイオン交換処理により精製されたリンス水が1次リンス槽2に戻される。HF精製装置として膜分離処理を用いたときにはHF精製装置3からは廃液(濃縮廃液)が系外に排出される。HF精製装置3から1次リンス槽2に戻るリンス水のHF濃度を測定するためにHF濃度センサ4が設けられている。このセンサ4としては導電率計、超音波濃度計、イオン電極式濃度計、pH計などを用いることができる。センサ4はリンス槽2又はリンス槽2からHF精製装置3に向うラインに設けられてもよい。
図1(1)のように、エッチング槽1に超純水と50%HFを補給しながら基板をエッチング処理し、1次リンス槽2に超純水を補給しながら基板を1次リンスし、かつ1次リンス槽2のリンス水をHF精製装置3で循環精製処理して運転を継続する。そうすると、1次リンス槽2内のHF濃度が次第に上昇してくる。そこで、HF濃度センサ4の検出HF濃度が所定濃度C1(この実施の形態では5%)以上となったときには、図1(2)の通り、1次リンス槽2のリンス水の実質的に全量を調整槽5に移流させる。この場合、HF精製装置3で処理したリンス水を調整槽5に導入することが好ましい。
なお、前記所定濃度C1とエッチング槽1のエッチング液のHF濃度C0との比C1/C0は0.01〜0.6特に0.1〜0.5程度であることが好ましい。C1/C0が過度に大きいとリンス効率が悪くなり、C1/C0が過度に小さいと超純水及びHF消費量の削減効果が低くなる。
リンス槽2から調整槽5に導入した水(5%HF)に対し50%HFを添加して10%HFを調製する。図1(3)の通り、この10%HFをエッチング槽1でのHF補給に使用する。これにより、調整槽5に10%HFが残存している限りは、エッチング槽1に50%HFを補給することが不要となり、50%HFの使用量を減少させることができる。
このように、図1(2)において1次リンス槽2から調整槽5へ移送したリンス水に含まれていたHFがエッチング槽1でのエッチングに再利用されることになり、その分だけ50%HFの使用量が削減される。また、図1(2)において1次リンス槽2から調整槽5へ移送したリンス水中の水の分だけエッチング槽1への超純水補給量を削減することができる。
図1(3)の工程において、調整槽5内の10%HFがすべてエッチング槽1に添加された場合には、図1(1)のようにエッチング槽1に対し超純水と50%HFとを補給して運転を継続する。
次に、図2(a)を参照してHF精製装置3の構成例について説明する。
このHF精製装置3は、1次リンス槽2からの1次リンス水を受水槽1に受け、ポンプ11によって第1NF膜分離装置(以下、NF装置という。)12に通水し、透過液を精製水として1次リンス槽2に返送する。第1NF装置12の濃縮水は、中継槽13を経て、ポンプ14によって第2NF装置15に通水される。第2NF装置15の透過水は返送配管16によって受水槽10に返送され、濃縮水は循環配管17によって中継槽13に返送される。この循環配管17から廃液ライン18が分岐しており、濃縮水の一部が濃縮廃液として系外へ排出される。基板がSi基板である場合、この廃液中の主な不純物はケイフッ酸(H2SiF6)である。
なお、図2(a)のHF精製装置において、各部材の少なくとも接液面はフッ素樹脂、塩化ビニルなど耐フッ酸性を有した樹脂にて構成されている。図2(a)のHF精製装置によってリンス水の精製を行う場合、NF装置12,15への通水温度を20℃以下とすることにより除去率が向上するが、通水温度を低くすると液の粘性が高くなるので、この点を勘案することが望ましい。
図2(a)では、NF装置12によってHF精製装置を構成しているが、図2(b)のようにNF装置に替えてイオン交換樹脂(強カチオン、弱カチオン、強アニオン、弱アニオン、またはキレート樹脂)を適宜選択して充填したイオン交換樹脂塔などのイオン交換装置21を用いてもよいし、図2(c)のようにNF装置12とイオン交換装置21を組み合わせてもよい。なお、フッ酸から分離除去する対象物質がケイフッ酸のときは、イオン交換装置のイオン交換樹脂として弱塩基性アニオン交換樹脂を用いると、ケイフッ酸はフッ化物イオンより選択性が高いため分離除去できる。また、FeF4 −などFによりアニオン化している金属も弱塩基性アニオン交換樹脂で分離除去可能である。さらに、Ca2+、Mg2+、Na+などカチオンが含まれる場合はカチオン交換樹脂で分離除去できる。
図1では1次リンス槽2内のリンス水を常時HF精製装置3に循環させているが、間欠的に循環させる回分式処理方式としてもよい。
[実施例1]
図1に示す方法によってSi基板のエッチング及び1次リンスを行った。エッチング槽1、1次リンス槽2及び調整槽5の容積は100Lとした。エッチング槽1のエッチング液は10%HFとした。1次リンス槽1内のHF濃度が5%となったときに図1(2)の工程を行った。
図1に示す方法によってSi基板のエッチング及び1次リンスを行った。エッチング槽1、1次リンス槽2及び調整槽5の容積は100Lとした。エッチング槽1のエッチング液は10%HFとした。1次リンス槽1内のHF濃度が5%となったときに図1(2)の工程を行った。
直径150mmのSi基板を500枚/hrにてエッチング及び1次リンスしたところ、1日当りのフッ酸消費量は9.5kg、超純水の消費量は110Lであった。
[比較例1]
図3に示すフローに従って上記Si基板を500枚/hrにてエッチング及び1次リンスした。エッチング槽1及び1次リンス槽2の容積は100Lである。エッチング槽1にはHF濃度10%となるように50%HFと超純水を常時補給した。1次リンス槽2に対しては、HF濃度が5%となるように連続的かつ一過式(掛け流し式)に超純水を供給し、リンス排水をオーバーフローさせた。その結果、1日当りのフッ酸消費量は14.5kg、超純水消費量は1100Lであった。
図3に示すフローに従って上記Si基板を500枚/hrにてエッチング及び1次リンスした。エッチング槽1及び1次リンス槽2の容積は100Lである。エッチング槽1にはHF濃度10%となるように50%HFと超純水を常時補給した。1次リンス槽2に対しては、HF濃度が5%となるように連続的かつ一過式(掛け流し式)に超純水を供給し、リンス排水をオーバーフローさせた。その結果、1日当りのフッ酸消費量は14.5kg、超純水消費量は1100Lであった。
実施例1と比較例1との対比から明らかな通り、本発明によるとフッ酸及び超純水の消費量を著しく減少させることができる。
1 エッチング槽
2 1次リンス槽
3,3A,3B HF精製装置
12,15 NF装置
21 イオン交換装置
2 1次リンス槽
3,3A,3B HF精製装置
12,15 NF装置
21 イオン交換装置
Claims (4)
- 基板をエッチング槽中でフッ酸含有エッチング液によりエッチングする工程と、
エッチングされた基板をリンス槽でリンスするリンス工程と
を有する基板のエッチング方法において、
該リンス槽内のリンス水のフッ酸濃度が所定値よりも低いときには該リンス槽内のリンス水の一部を連続的又は回分的に浄化手段によって不純物を除去した後、該リンス槽に戻す工程を行い、
該リンス水のフッ酸濃度が所定値以上に達した場合には、該リンス槽内のリンス水を調整槽に排出し、リンス槽に超純水を導入し、
この調整槽内に導入したリンス水にフッ酸を添加し、この調整槽内の液を前記エッチング槽に供給する
ことを特徴とする基板のエッチング方法。 - 請求項1において、前記浄化手段としてNF膜分離装置及び/又はイオン交換装置を用いることを特徴とする基板のエッチング方法。
- 請求項1又は2において、前記フッ酸濃度の所定値C1と前記エッチング槽内のエッチング液のフッ酸濃度C0との比C1/C0との比が0.01〜0.6であることを特徴とする基板のエッチング方法。
- 基板をフッ酸含有エッチング液によりエッチングするエッチング槽と、該エッチング槽でエッチングされた基板をリンスするリンス槽と、該リンス槽内のリンス水を受け入れて不純物を除去して浄化し、浄化されたリンス水を該リンス槽に返送する浄化手段と
を有するエッチング装置であって、
該リンス槽内のリンス水を受け入れる調整槽と、
該調整槽にフッ酸を添加するフッ酸添加手段と、
該調整槽内の液を前記エッチング槽に供給する供給手段と
を備えたことを特徴とする基板のエッチング装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012129027A JP2013254821A (ja) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 基板のエッチング方法及び装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023027100A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2012
- 2012-06-06 JP JP2012129027A patent/JP2013254821A/ja active Pending
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