JP2003059891A - 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム - Google Patents
基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラムInfo
- Publication number
- JP2003059891A JP2003059891A JP2001245942A JP2001245942A JP2003059891A JP 2003059891 A JP2003059891 A JP 2003059891A JP 2001245942 A JP2001245942 A JP 2001245942A JP 2001245942 A JP2001245942 A JP 2001245942A JP 2003059891 A JP2003059891 A JP 2003059891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- processing
- resource
- substrate
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オゾン処理の予定を見越してオゾン処理に係
るブランチリソースをできるだけ連続的に使用すること
により、無駄な電力を抑制しつつも待機時間をなくして
スループットを向上させることができ、プロセスの再現
性を良好にすることができる。 【解決手段】 リソースを使用して基板に対してオゾン
処理を行なう場合で、複数のリソースでオゾン処理が並
行あるいは連続して実施される場合には、ステップS1
4で既に使用されているブランチリソースをステップS
24で継続的に使用する。これにより小刻みな使用開始
・停止を繰り返す必要がなくなるので、無駄な電力の発
生を抑制することができつつ待機時間をなくしてスルー
プットを向上させることができる。
るブランチリソースをできるだけ連続的に使用すること
により、無駄な電力を抑制しつつも待機時間をなくして
スループットを向上させることができ、プロセスの再現
性を良好にすることができる。 【解決手段】 リソースを使用して基板に対してオゾン
処理を行なう場合で、複数のリソースでオゾン処理が並
行あるいは連続して実施される場合には、ステップS1
4で既に使用されているブランチリソースをステップS
24で継続的に使用する。これにより小刻みな使用開始
・停止を繰り返す必要がなくなるので、無駄な電力の発
生を抑制することができつつ待機時間をなくしてスルー
プットを向上させることができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称す
る)に所定の処理を施す基板処理装置のスケジュール作
成方法及びそのプログラムに係り、特に洗浄などのオゾ
ン処理を施す複数個のリソースを使用する場合のスケジ
ューリング技術に関する。
液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称す
る)に所定の処理を施す基板処理装置のスケジュール作
成方法及びそのプログラムに係り、特に洗浄などのオゾ
ン処理を施す複数個のリソースを使用する場合のスケジ
ューリング技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の基板処理装置では、複数
個の洗浄処理部などのリソースを使用して、基板に対し
て洗浄などのオゾン処理を施す際は、例えば、次のよう
に行なっている。まず、二台の洗浄処理部が並行して処
理を行なう場合には、オゾンを供給するオゾンユニット
の使用タイミングをずらして直列的に使用する。したが
って、先にオゾン処理を行なう洗浄処理部に合わせてオ
ゾンユニットを起動し、その使用が終了した時点でオゾ
ンユニットを一旦停止する。そして、次にオゾン処理を
行なう洗浄処理部に合わせて再びオゾンユニットを起動
し、その使用が終了した時点でオゾンユニットを停止す
る。
個の洗浄処理部などのリソースを使用して、基板に対し
て洗浄などのオゾン処理を施す際は、例えば、次のよう
に行なっている。まず、二台の洗浄処理部が並行して処
理を行なう場合には、オゾンを供給するオゾンユニット
の使用タイミングをずらして直列的に使用する。したが
って、先にオゾン処理を行なう洗浄処理部に合わせてオ
ゾンユニットを起動し、その使用が終了した時点でオゾ
ンユニットを一旦停止する。そして、次にオゾン処理を
行なう洗浄処理部に合わせて再びオゾンユニットを起動
し、その使用が終了した時点でオゾンユニットを停止す
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、オゾンが必要になった時点でオゾンユ
ニットを起動し、不要となった時点でオゾンユニットを
停止するので、実際にオゾン処理を行なうまでに多くの
待機時間が必要となってスループットが低下するという
問題がある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、オゾンが必要になった時点でオゾンユ
ニットを起動し、不要となった時点でオゾンユニットを
停止するので、実際にオゾン処理を行なうまでに多くの
待機時間が必要となってスループットが低下するという
問題がある。
【0004】また、オゾン処理のタイミングによっては
オゾン水で実際に処理を開始するまでの待機時間が変動
するので、プロセスの再現性が悪化するという問題があ
る。
オゾン水で実際に処理を開始するまでの待機時間が変動
するので、プロセスの再現性が悪化するという問題があ
る。
【0005】さらに、上記の問題を低減するために常に
オゾン水が使えるようにオゾンユニットを継続的に起動
しておくことも考えられるが、この場合には待ち時間は
なくなるが無駄な電力を消費するという別異の問題を生
じる。
オゾン水が使えるようにオゾンユニットを継続的に起動
しておくことも考えられるが、この場合には待ち時間は
なくなるが無駄な電力を消費するという別異の問題を生
じる。
【0006】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、オゾン処理の予定を見越してオゾン
処理に係るブランチリソースをできるだけ連続的に使用
することにより、無駄な電力を抑制しつつも待機時間を
抑制してスループットを向上させることができ、プロセ
スの再現性を良好にすることができる基板処理装置のス
ケジュール作成方法及びそのプログラムを提供すること
を目的とする。
れたものであって、オゾン処理の予定を見越してオゾン
処理に係るブランチリソースをできるだけ連続的に使用
することにより、無駄な電力を抑制しつつも待機時間を
抑制してスループットを向上させることができ、プロセ
スの再現性を良好にすることができる基板処理装置のス
ケジュール作成方法及びそのプログラムを提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板に対して複数個のリ
ソースを備えた基板処理装置により、各リソースを使用
しながら処理する際に各々のリソースを使用するタイミ
ングを決定する基板処理装置のスケジュール作成方法に
おいて、実際に基板に対する処理を開始する前に各リソ
ースの使用タイミングを予め作成するとともに、オゾン
処理に付随する動作をブランチリソースとして定義し、
オゾン処理のリソースを使用して基板に対してオゾン処
理を行なう場合には、オゾン処理のリソースを使用する
とともにブランチリソースを使用し、さらに複数のリソ
ースでオゾン処理が並行あるいは連続して実施される場
合には、既に使用されているブランチリソースを継続的
に使用することを特徴とするものである。
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板に対して複数個のリ
ソースを備えた基板処理装置により、各リソースを使用
しながら処理する際に各々のリソースを使用するタイミ
ングを決定する基板処理装置のスケジュール作成方法に
おいて、実際に基板に対する処理を開始する前に各リソ
ースの使用タイミングを予め作成するとともに、オゾン
処理に付随する動作をブランチリソースとして定義し、
オゾン処理のリソースを使用して基板に対してオゾン処
理を行なう場合には、オゾン処理のリソースを使用する
とともにブランチリソースを使用し、さらに複数のリソ
ースでオゾン処理が並行あるいは連続して実施される場
合には、既に使用されているブランチリソースを継続的
に使用することを特徴とするものである。
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の基板処理装置のスケジュール作成方法において、前記
リソースは、オゾンを含む処理液により基板を洗浄する
洗浄処理部であり、前記ブランチリソースは、オゾンユ
ニットの使用時間制御と、オゾンユニットの起動制御と
を含むことを特徴とするものである。
の基板処理装置のスケジュール作成方法において、前記
リソースは、オゾンを含む処理液により基板を洗浄する
洗浄処理部であり、前記ブランチリソースは、オゾンユ
ニットの使用時間制御と、オゾンユニットの起動制御と
を含むことを特徴とするものである。
【0009】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の基板処理装置のスケジュール作成方法において、前記
起動制御は、オゾンユニットを起動した状態から一旦停
止した場合には、再起動禁止時間を経過した後でなけれ
ば起動不可能であることを特徴とするものである。
の基板処理装置のスケジュール作成方法において、前記
起動制御は、オゾンユニットを起動した状態から一旦停
止した場合には、再起動禁止時間を経過した後でなけれ
ば起動不可能であることを特徴とするものである。
【0010】請求項4に記載の発明は、請求項1ないし
3に記載の基板処理装置のスケジュール作成方法におい
て、前記処理液は、オゾンと純水を含むことを特徴とす
るものである。
3に記載の基板処理装置のスケジュール作成方法におい
て、前記処理液は、オゾンと純水を含むことを特徴とす
るものである。
【0011】請求項5に記載の発明は、基板に対して複
数個のリソースを備えた基板処理装置により、各リソー
スを使用しながら処理する際に各々のリソースを使用す
るタイミングを決定する基板処理装置のスケジュール作
成プログラムにおいて、実際に基板に対する処理を開始
する前に各リソースの使用タイミングを予め作成すると
ともに、オゾン処理に付随する動作をブランチリソース
として定義し、オゾン処理のリソースを使用して基板に
対してオゾン処理を行なう場合には、オゾン処理のリソ
ースを使用するとともにブランチリソースを使用し、さ
らに複数のリソースでオゾン処理が並行あるいは連続し
て実施される場合には、既に使用されているブランチリ
ソースを継続的に使用するようにコンピュータを制御す
ることを特徴とするものである。
数個のリソースを備えた基板処理装置により、各リソー
スを使用しながら処理する際に各々のリソースを使用す
るタイミングを決定する基板処理装置のスケジュール作
成プログラムにおいて、実際に基板に対する処理を開始
する前に各リソースの使用タイミングを予め作成すると
ともに、オゾン処理に付随する動作をブランチリソース
として定義し、オゾン処理のリソースを使用して基板に
対してオゾン処理を行なう場合には、オゾン処理のリソ
ースを使用するとともにブランチリソースを使用し、さ
らに複数のリソースでオゾン処理が並行あるいは連続し
て実施される場合には、既に使用されているブランチリ
ソースを継続的に使用するようにコンピュータを制御す
ることを特徴とするものである。
【0012】
【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、オゾン処理を行なう際には、オゾン処理
のリソースを使用するとともに、オゾン処理に付随する
動作のブランチリソースを使用するが、予めスケジュー
ルを作成するのでオゾン処理が並行あるいは連続して実
施される場合がわかる。そのような場合には、既に使用
されているブランチリソースを継続的に使用すること
で、小刻みな使用開始・停止を繰り返す必要がなくな
る。
る。すなわち、オゾン処理を行なう際には、オゾン処理
のリソースを使用するとともに、オゾン処理に付随する
動作のブランチリソースを使用するが、予めスケジュー
ルを作成するのでオゾン処理が並行あるいは連続して実
施される場合がわかる。そのような場合には、既に使用
されているブランチリソースを継続的に使用すること
で、小刻みな使用開始・停止を繰り返す必要がなくな
る。
【0013】リソースとは、例えば、基板を搬送する搬
送機構、オゾンを含んだ処理液で基板を洗浄する純水洗
浄処理部、加熱した純水を供給する温水ユニット、薬液
を含んだ処理液で基板を洗浄する薬液処理部、基板を加
熱する加熱処理部などを含むが、本発明においては特に
オゾン処理に関わる処理部のことを示している。
送機構、オゾンを含んだ処理液で基板を洗浄する純水洗
浄処理部、加熱した純水を供給する温水ユニット、薬液
を含んだ処理液で基板を洗浄する薬液処理部、基板を加
熱する加熱処理部などを含むが、本発明においては特に
オゾン処理に関わる処理部のことを示している。
【0014】また、ブランチリソースとは、オゾン処理
に付随する動作のことであり、例えば、純水洗浄処理部
にオゾンを供給するためのオゾンユニットの使用時間制
御、起動制御などのことを示している。
に付随する動作のことであり、例えば、純水洗浄処理部
にオゾンを供給するためのオゾンユニットの使用時間制
御、起動制御などのことを示している。
【0015】請求項2に記載の発明によれば、洗浄処理
部をリソースとした場合には、ブランチリソースとして
オゾンユニットの使用時間を規定する使用時間制御と、
オゾンユニットの起動・停止を規定する起動制御とを使
用する。
部をリソースとした場合には、ブランチリソースとして
オゾンユニットの使用時間を規定する使用時間制御と、
オゾンユニットの起動・停止を規定する起動制御とを使
用する。
【0016】請求項3に記載の発明によれば、オゾンユ
ニットは、オゾンを発生させるための構造上、起動した
状態から停止すると、次に起動するまでにある一定の時
間を空けることが要求される。これは再起動禁止時間な
どと呼ばれるが、ブランチリソースの起動制御において
この点を考慮する。
ニットは、オゾンを発生させるための構造上、起動した
状態から停止すると、次に起動するまでにある一定の時
間を空けることが要求される。これは再起動禁止時間な
どと呼ばれるが、ブランチリソースの起動制御において
この点を考慮する。
【0017】請求項4に記載の発明によれば、オゾンと
純水を含む処理液によって基板を処理する。
純水を含む処理液によって基板を処理する。
【0018】請求項5に記載の発明によれば、プログラ
ムとして上記の請求項1と同様の作用を生じる。
ムとして上記の請求項1と同様の作用を生じる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。図1ないし図3はこの発明の一実
施例に係り、図1は実施例に係る基板処理装置の概略構
成を示した平面図であり、図2はそのブロック図であ
り、図3は純水洗浄処理部の概略構成を示すブロック図
である。
一実施例を説明する。図1ないし図3はこの発明の一実
施例に係り、図1は実施例に係る基板処理装置の概略構
成を示した平面図であり、図2はそのブロック図であ
り、図3は純水洗浄処理部の概略構成を示すブロック図
である。
【0020】この基板処理装置は、例えば、基板Wに対
して薬液処理及び純水洗浄処理及び乾燥処理を施すため
の装置である。基板Wは複数枚(例えば25枚)がカセ
ット1に対して起立姿勢で収納されている。未処理の基
板Wを収納したカセット1は、投入部3に載置される。
投入部3は、カセット1を載置される載置台5を二つ備
えている。基板処理装置の中央部を挟んだ投入部3の反
対側には、払出部7が配備されている。この払出部7
は、処理済みの基板Wをカセット1に収納してカセット
1ごと払い出す。このように機能する払出部7は、投入
部3と同様に、カセット1を載置するための二つの載置
台9を備えている。
して薬液処理及び純水洗浄処理及び乾燥処理を施すため
の装置である。基板Wは複数枚(例えば25枚)がカセ
ット1に対して起立姿勢で収納されている。未処理の基
板Wを収納したカセット1は、投入部3に載置される。
投入部3は、カセット1を載置される載置台5を二つ備
えている。基板処理装置の中央部を挟んだ投入部3の反
対側には、払出部7が配備されている。この払出部7
は、処理済みの基板Wをカセット1に収納してカセット
1ごと払い出す。このように機能する払出部7は、投入
部3と同様に、カセット1を載置するための二つの載置
台9を備えている。
【0021】投入部3と払出部7に沿う位置には、これ
らの間を移動可能に構成された第1搬送機構11が配置
されている。第1搬送機構11は、投入部3に載置され
たカセット1ごと複数枚の基板Wを第2搬送機構13に
対して搬送する。
らの間を移動可能に構成された第1搬送機構11が配置
されている。第1搬送機構11は、投入部3に載置され
たカセット1ごと複数枚の基板Wを第2搬送機構13に
対して搬送する。
【0022】第2搬送機構13は、収納されている全て
の基板Wをカセット1から取り出した後、第3搬送機構
15に対して全ての基板Wを搬送する。また、第3搬送
機構15から処理済みの基板Wを受け取った後に、基板
Wをカセット1に収容して第1搬送機構11に搬送す
る。
の基板Wをカセット1から取り出した後、第3搬送機構
15に対して全ての基板Wを搬送する。また、第3搬送
機構15から処理済みの基板Wを受け取った後に、基板
Wをカセット1に収容して第1搬送機構11に搬送す
る。
【0023】第3搬送機構15は、基板処理装置の長手
方向に向けて移動可能に構成されており、上述した第2
搬送機構13との間で基板Wの受け渡しを行なう。上記
第3搬送機構15の移動方向における最も手前側には、
複数枚の基板Wを低圧のチャンバ内に収納して乾燥させ
るための乾燥処理部17が配備されている。
方向に向けて移動可能に構成されており、上述した第2
搬送機構13との間で基板Wの受け渡しを行なう。上記
第3搬送機構15の移動方向における最も手前側には、
複数枚の基板Wを低圧のチャンバ内に収納して乾燥させ
るための乾燥処理部17が配備されている。
【0024】第3搬送機構15の移動方向であって上記
乾燥処理部17に隣接する位置には、第1処理部19が
配備されている。この第1処理部19は、複数枚の基板
Wに対して純水洗浄処理を施すための純水洗浄処理部2
1を備えているとともに、複数枚の基板Wに対して薬液
処理を施すための薬液処理部23を備えている。この純
水洗浄処理部21は、加熱された純水を加熱処理液とし
て供給されたり、純水のみを供給されたり、オゾンを含
む処理液を供給されて基板Wに対して洗浄処理を施す。
乾燥処理部17に隣接する位置には、第1処理部19が
配備されている。この第1処理部19は、複数枚の基板
Wに対して純水洗浄処理を施すための純水洗浄処理部2
1を備えているとともに、複数枚の基板Wに対して薬液
処理を施すための薬液処理部23を備えている。この純
水洗浄処理部21は、加熱された純水を加熱処理液とし
て供給されたり、純水のみを供給されたり、オゾンを含
む処理液を供給されて基板Wに対して洗浄処理を施す。
【0025】第1副搬送機構25は、縦断面形状がLの
字状で、基板Wを起立姿勢で保持する保持アーム25a
を備えている。第1処理部19内での基板搬送の他に、
第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡しする。純水
洗浄処理部21の上方に位置する「非処理位置」では、
第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡す動作が行な
われる一方、薬液処理部23の上方に位置する「非処理
位置」では、基板Wの受け渡しは行なわれない。また、
基板Wを処理する際には、純水洗浄処理部21や薬液処
理部23の槽内に位置する「処理位置」にまで下降す
る。
字状で、基板Wを起立姿勢で保持する保持アーム25a
を備えている。第1処理部19内での基板搬送の他に、
第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡しする。純水
洗浄処理部21の上方に位置する「非処理位置」では、
第3搬送機構15との間で基板Wを受け渡す動作が行な
われる一方、薬液処理部23の上方に位置する「非処理
位置」では、基板Wの受け渡しは行なわれない。また、
基板Wを処理する際には、純水洗浄処理部21や薬液処
理部23の槽内に位置する「処理位置」にまで下降す
る。
【0026】オゾンユニット39は、第1搬送機構11
などと同様にリソースの一つである。オゾンを発生させ
る機能を有し、オゾン処理に付随する動作を規定する
「ブランチリソース」として取り扱われる。つまり、ブ
ランチリソースは、オゾンユニット39の使用時間制御
と、オゾンユニット39の起動や停止の制御である起動
制御とを含む。
などと同様にリソースの一つである。オゾンを発生させ
る機能を有し、オゾン処理に付随する動作を規定する
「ブランチリソース」として取り扱われる。つまり、ブ
ランチリソースは、オゾンユニット39の使用時間制御
と、オゾンユニット39の起動や停止の制御である起動
制御とを含む。
【0027】純水洗浄処理部21は、保持アーム25a
ごと基板Wを処理液中に浸漬する処理槽27を備え、そ
の底部には処理液を注入する注入管29が配備されてい
る。また、上部の周囲には溢れた処理液を回収して排出
する回収槽31を備えている。注入管29には、純水供
給源31に連通した配管33が接続されている。配管3
3には、開閉弁35とミキシングバルブ37が取り付け
られている。ミキシングバルブ37には、オゾンユニッ
ト39に連通した供給管41が取り付けられており、開
閉弁43の開閉によりオゾンの注入が制御される。な
お、配管33には、純水を加熱する加熱器45が取り付
けられている。
ごと基板Wを処理液中に浸漬する処理槽27を備え、そ
の底部には処理液を注入する注入管29が配備されてい
る。また、上部の周囲には溢れた処理液を回収して排出
する回収槽31を備えている。注入管29には、純水供
給源31に連通した配管33が接続されている。配管3
3には、開閉弁35とミキシングバルブ37が取り付け
られている。ミキシングバルブ37には、オゾンユニッ
ト39に連通した供給管41が取り付けられており、開
閉弁43の開閉によりオゾンの注入が制御される。な
お、配管33には、純水を加熱する加熱器45が取り付
けられている。
【0028】オゾンを含む処理液によって基板Wを洗浄
処理するには、開閉弁35を開放した状態で、開閉弁4
3を開放し、純水を処理槽27に供給しながら所定流量
でオゾンを混合する。このとき、保持アーム25aを処
理槽27内の処理位置にまで下降させた状態である。
処理するには、開閉弁35を開放した状態で、開閉弁4
3を開放し、純水を処理槽27に供給しながら所定流量
でオゾンを混合する。このとき、保持アーム25aを処
理槽27内の処理位置にまで下降させた状態である。
【0029】第2処理部47が第1処理部19に隣接し
て配備されている。この第2処理部47は、第1処理部
19と同様の構成である。つまり、純水洗浄処理部49
及び薬液処理部51を備え、さらに第2副搬送機構53
を備えている。この第2副搬送機構53は、保持アーム
53aを備えている。また、純水洗浄処理部49は、上
述した純水洗浄処理部21と同様の構成を採る。つま
り、処理槽55と、注入管57と、回収槽59と、配管
61と、開閉弁63と、ミキシングバルブ65と、供給
管67と、開閉弁69とを備えている。但し、純水供給
源31と、オゾンユニット39と、加熱器45は共用で
ある。
て配備されている。この第2処理部47は、第1処理部
19と同様の構成である。つまり、純水洗浄処理部49
及び薬液処理部51を備え、さらに第2副搬送機構53
を備えている。この第2副搬送機構53は、保持アーム
53aを備えている。また、純水洗浄処理部49は、上
述した純水洗浄処理部21と同様の構成を採る。つま
り、処理槽55と、注入管57と、回収槽59と、配管
61と、開閉弁63と、ミキシングバルブ65と、供給
管67と、開閉弁69とを備えている。但し、純水供給
源31と、オゾンユニット39と、加熱器45は共用で
ある。
【0030】なお、上述した純水洗浄処理部21,49
が本発明における洗浄処理部に相当する。本実施例で
は、オゾンを含む処理液を例に採って説明しているが、
例えば、加熱した純水にオゾンを混合した処理液を用い
る場合であっても実施可能である。
が本発明における洗浄処理部に相当する。本実施例で
は、オゾンを含む処理液を例に採って説明しているが、
例えば、加熱した純水にオゾンを混合した処理液を用い
る場合であっても実施可能である。
【0031】第2搬送機構13に付設されているカセッ
ト洗浄部71は、上述した第2搬送機構13が全ての基
板Wを取り出した後、空になったカセット1を洗浄する
機能を有する。
ト洗浄部71は、上述した第2搬送機構13が全ての基
板Wを取り出した後、空になったカセット1を洗浄する
機能を有する。
【0032】上記のように構成されている基板処理装置
は、図2のブロック図に示すように制御部73によって
統括的に制御される。
は、図2のブロック図に示すように制御部73によって
統括的に制御される。
【0033】制御部73は、CPUなどから構成されて
おり、以下に説明するスケジュール作成プログラムに相
当する手順に基づき、レシピに応じて上述した純水洗浄
処理部21などの各リソースの使用タイミングを、実際
に基板Wに対する処理を開始する前に予め決定する。そ
の後、実際に基板Wを処理するにあたり、作成されたス
ケジュールに基づき各リソースを使用してレシピに応じ
た処理を基板Wに対して施す。
おり、以下に説明するスケジュール作成プログラムに相
当する手順に基づき、レシピに応じて上述した純水洗浄
処理部21などの各リソースの使用タイミングを、実際
に基板Wに対する処理を開始する前に予め決定する。そ
の後、実際に基板Wを処理するにあたり、作成されたス
ケジュールに基づき各リソースを使用してレシピに応じ
た処理を基板Wに対して施す。
【0034】記憶部75には、この基板処理装置のユー
ザによって予め作成され、基板Wをどのようにして処理
するかを規定した複数種類のレシピと、スケジュール作
成プログラムと、作成されたスケジュールを実行する処
理プログラム等が予め格納されている。
ザによって予め作成され、基板Wをどのようにして処理
するかを規定した複数種類のレシピと、スケジュール作
成プログラムと、作成されたスケジュールを実行する処
理プログラム等が予め格納されている。
【0035】制御部73は、スケジュールを作成するた
めに純水洗浄処理部21やオゾンユニット39等のリソ
ースをどのようなタイミングで制御するかを決定する
が、リソースとしてオゾン処理を伴う純水洗浄処理部2
1,49を使用する際には、それ自身を使用するのはも
ちろんのこと、オゾン処理に付随するブランチリソース
を使用するとともに、既に使用されているブランチリソ
ースを継続的に使用するようにする点が特徴的になって
いる。
めに純水洗浄処理部21やオゾンユニット39等のリソ
ースをどのようなタイミングで制御するかを決定する
が、リソースとしてオゾン処理を伴う純水洗浄処理部2
1,49を使用する際には、それ自身を使用するのはも
ちろんのこと、オゾン処理に付随するブランチリソース
を使用するとともに、既に使用されているブランチリソ
ースを継続的に使用するようにする点が特徴的になって
いる。
【0036】なお、図4に示すタイムチャートを参照し
ながらスケジュール作成プログラムに相当する手順につ
いて説明するが、理解を容易にするためにレシピのうち
の一部だけを例に採って説明する。
ながらスケジュール作成プログラムに相当する手順につ
いて説明するが、理解を容易にするためにレシピのうち
の一部だけを例に採って説明する。
【0037】具体的に処理を説明すると、第1のロット
である基板Wが、純水洗浄処理部21にてオゾンと純水
を含む処理液(以下、オゾン水と称する)によるオゾン
処理が施され、少し遅れて第2のロットである基板Wに
対して純水洗浄処理部49にて同じ処理が施されるとい
うものである。
である基板Wが、純水洗浄処理部21にてオゾンと純水
を含む処理液(以下、オゾン水と称する)によるオゾン
処理が施され、少し遅れて第2のロットである基板Wに
対して純水洗浄処理部49にて同じ処理が施されるとい
うものである。
【0038】上記の処理動作について詳細に説明する。
まず、第1のロットに対する処理(図中に白色矩形で示
す)において、時間t0〜t11にわたり、純水洗浄処
理部21のリソースをレシピに応じた時間だけステップ
S10で使用する。これにより第1のロットの基板Wに
対してオゾン処理が行なわれる。なお、時間t3〜t4
におけるステップS10aは、ステップS10において
オゾン水が供給されて基板Wにオゾン処理が行なわれる
ステップである。
まず、第1のロットに対する処理(図中に白色矩形で示
す)において、時間t0〜t11にわたり、純水洗浄処
理部21のリソースをレシピに応じた時間だけステップ
S10で使用する。これにより第1のロットの基板Wに
対してオゾン処理が行なわれる。なお、時間t3〜t4
におけるステップS10aは、ステップS10において
オゾン水が供給されて基板Wにオゾン処理が行なわれる
ステップである。
【0039】これに並行して、第2のロットに対する処
理(図中にハッチングした矩形で示す)において、オゾ
ン水による処理が重複しないように純水洗浄処理部49
のリソースを使用する。つまり、ステップS10aとス
テップS20aとを、ある間隔(時間t4〜t8)をお
いて配置する。
理(図中にハッチングした矩形で示す)において、オゾ
ン水による処理が重複しないように純水洗浄処理部49
のリソースを使用する。つまり、ステップS10aとス
テップS20aとを、ある間隔(時間t4〜t8)をお
いて配置する。
【0040】また、第1のロットが処理される純水洗浄
処理部21におけるオゾン水の使用(ステップS10
a)にあわせて、オゾンユニット39の使用時間制御の
リソースを、時間t3〜t4にわたってステップS12
で使用する。その後、第2のロットが処理される純水洗
浄処理部49におけるオゾン水の使用(ステップS20
a)に合わせて、時間t8〜t9にわたってステップS
22で同じオゾンユニット39の使用時間制御のリソー
スを使用する。
処理部21におけるオゾン水の使用(ステップS10
a)にあわせて、オゾンユニット39の使用時間制御の
リソースを、時間t3〜t4にわたってステップS12
で使用する。その後、第2のロットが処理される純水洗
浄処理部49におけるオゾン水の使用(ステップS20
a)に合わせて、時間t8〜t9にわたってステップS
22で同じオゾンユニット39の使用時間制御のリソー
スを使用する。
【0041】さらに、オゾンユニット39の起動制御の
リソースを、純水洗浄処理部21においてオゾン水が使
用されるステップS10aに合わせて、オゾンの生成に
必要な時間を含む所定時間だけ前から使用する。つま
り、本実施例においては、オゾンユニット39の起動制
御のリソースは、時間t1〜t4にわたってステップS
14で使用する。これにより時間t1において「オン」
命令が発行されてユニットが起動され、オゾンの生成準
備開始及び生成が行なわれる。オゾンの生成が可能とな
ったことを示す「準備完了」命令は、時間t3に発行さ
れ、オゾン生成はオゾン水の使用が完了して、「オフ」
命令が発行されるべき時間t4まで継続される。オゾン
ユニット39は、オゾン生成の構造上、起動後に一旦停
止した場合には、その後一定時間だけ起動することがで
きない再起動禁止時間を有する。例えば、時間t4〜t
6が再起動禁止時間である。
リソースを、純水洗浄処理部21においてオゾン水が使
用されるステップS10aに合わせて、オゾンの生成に
必要な時間を含む所定時間だけ前から使用する。つま
り、本実施例においては、オゾンユニット39の起動制
御のリソースは、時間t1〜t4にわたってステップS
14で使用する。これにより時間t1において「オン」
命令が発行されてユニットが起動され、オゾンの生成準
備開始及び生成が行なわれる。オゾンの生成が可能とな
ったことを示す「準備完了」命令は、時間t3に発行さ
れ、オゾン生成はオゾン水の使用が完了して、「オフ」
命令が発行されるべき時間t4まで継続される。オゾン
ユニット39は、オゾン生成の構造上、起動後に一旦停
止した場合には、その後一定時間だけ起動することがで
きない再起動禁止時間を有する。例えば、時間t4〜t
6が再起動禁止時間である。
【0042】これに続いて、純水洗浄処理部49におい
てオゾン水が使用されるステップS20aに合わせ、オ
ゾンユニット39の起動制御のリソースが使用される。
つまり、オゾンユニット39の起動制御のリソースは、
時間t5〜t9にわたってステップS24で使用され
る。これにより時間t5からオゾン生成が開始される
が、既にそのブランチリソースが使用されていることが
わかっているので、ここでは再びオゾンユニット39を
起動するのではなく継続的な使用となる。そのため本来
はステップS24の時間t5で起動制御の「オン」命令
が発行されるが、この命令は発行されない。同様に、ス
テップS14の時間t4で発行されるはずの起動制御の
「オフ」命令は発行されない。これによりオゾンユニッ
ト39の起動制御リソースは、時間t1〜t10にわた
って継続的に使用されることになる。なお、時間t9〜
t10も再起動禁止時間である。
てオゾン水が使用されるステップS20aに合わせ、オ
ゾンユニット39の起動制御のリソースが使用される。
つまり、オゾンユニット39の起動制御のリソースは、
時間t5〜t9にわたってステップS24で使用され
る。これにより時間t5からオゾン生成が開始される
が、既にそのブランチリソースが使用されていることが
わかっているので、ここでは再びオゾンユニット39を
起動するのではなく継続的な使用となる。そのため本来
はステップS24の時間t5で起動制御の「オン」命令
が発行されるが、この命令は発行されない。同様に、ス
テップS14の時間t4で発行されるはずの起動制御の
「オフ」命令は発行されない。これによりオゾンユニッ
ト39の起動制御リソースは、時間t1〜t10にわた
って継続的に使用されることになる。なお、時間t9〜
t10も再起動禁止時間である。
【0043】このようなスケジュールを予め作成してお
いて、記憶部75に記憶しておく。そして、実際に基板
Wの処理を開始する際に、そのスケジュールを処理プロ
グラムが実行して実際に基板Wを処理してゆく。
いて、記憶部75に記憶しておく。そして、実際に基板
Wの処理を開始する際に、そのスケジュールを処理プロ
グラムが実行して実際に基板Wを処理してゆく。
【0044】このように予めスケジュールを作成するこ
とでオゾン処理が並行あるいは連続して実施される場合
がわかる。そのような場合には、既に使用されているオ
ゾンユニット39のブランチリソースを継続的に使用す
ることで、小刻みな使用開始・停止を繰り返す必要がな
い。そのため無駄な電力の発生を抑制することができつ
つ待機時間をなくしてスループットを向上可能である。
また、待機時間をなくすことができるので、オゾン処理
を含むプロセスの再現性を向上できる。
とでオゾン処理が並行あるいは連続して実施される場合
がわかる。そのような場合には、既に使用されているオ
ゾンユニット39のブランチリソースを継続的に使用す
ることで、小刻みな使用開始・停止を繰り返す必要がな
い。そのため無駄な電力の発生を抑制することができつ
つ待機時間をなくしてスループットを向上可能である。
また、待機時間をなくすことができるので、オゾン処理
を含むプロセスの再現性を向上できる。
【0045】<従来技術との比較>
【0046】図5に示すタイムチャートは、本発明(図
5(a))と従来技術(図5(b))とを比較したもの
である。
5(a))と従来技術(図5(b))とを比較したもの
である。
【0047】このように従来技術(図5(b))では、
純水洗浄処理部21の動作完了を待ってからオゾンユニ
ット39の起動制御を開始させていることから、オゾン
が生成されるまでの間は待機する必要がある。そのため
図中に黒塗りの矩形で示した待機時間が生じていること
がわかる。また、第1のロットに対する処理が完了した
時点で、一旦オゾンユニット39を停止しているので、
再起動禁止時間だけ次の起動まで待つ必要がある上、第
2のロットが処理を開始するまでには待ち時間が必要に
なる。また、この待機時間が第1のロットよりも長くな
っていることがわかる。つまり、オゾン処理を開始する
までの待ち時間がロット毎に大きく変わる可能性がある
ので、ロット間におけるプロセスの再現性が低い。
純水洗浄処理部21の動作完了を待ってからオゾンユニ
ット39の起動制御を開始させていることから、オゾン
が生成されるまでの間は待機する必要がある。そのため
図中に黒塗りの矩形で示した待機時間が生じていること
がわかる。また、第1のロットに対する処理が完了した
時点で、一旦オゾンユニット39を停止しているので、
再起動禁止時間だけ次の起動まで待つ必要がある上、第
2のロットが処理を開始するまでには待ち時間が必要に
なる。また、この待機時間が第1のロットよりも長くな
っていることがわかる。つまり、オゾン処理を開始する
までの待ち時間がロット毎に大きく変わる可能性がある
ので、ロット間におけるプロセスの再現性が低い。
【0048】その一方、本発明によると、オゾンユニッ
ト39のブランチリソースを継続的に使用することによ
り、待機時間がなくなっている。したがって、起動制御
に要する時間も減少し、無駄な電力が抑制できる。ま
た、待機時間がなくなっているので、第1のロットが純
水洗浄処理部21の使用を終える時間はTA時間だけ早
くなり、第2のロットが純水洗浄処理部49の使用を終
える時間はTB時間だけ短くなる。
ト39のブランチリソースを継続的に使用することによ
り、待機時間がなくなっている。したがって、起動制御
に要する時間も減少し、無駄な電力が抑制できる。ま
た、待機時間がなくなっているので、第1のロットが純
水洗浄処理部21の使用を終える時間はTA時間だけ早
くなり、第2のロットが純水洗浄処理部49の使用を終
える時間はTB時間だけ短くなる。
【0049】なお、上記の説明においては理解の容易の
ために、レシピの一部の処理工程だけを例に採って説明
した。本発明は、予め処理の前にスケジュールを作成し
てから実際の処理を行なうのであれば適用可能である
が、そのなかでも次のようなスケジュール作成方法が好
ましい。
ために、レシピの一部の処理工程だけを例に採って説明
した。本発明は、予め処理の前にスケジュールを作成し
てから実際の処理を行なうのであれば適用可能である
が、そのなかでも次のようなスケジュール作成方法が好
ましい。
【0050】すなわち、基板に処理を施すための処理部
を複数個備えた基板処理装置によって複数のロットを処
理するにあたり、複数の処理工程を含むレシピに基づい
て各々のロットを各処理部で順次に処理するために各ロ
ットの処理順序を決定する基板処理装置のスケジュール
作成方法において、いずれかのロットについて最初の処
理工程を配置した後、各ロットの次なる処理工程のう
ち、各々の前の処理工程における終了予定時刻が最も早
いロットに対する処理工程を次の処理工程として配置す
るのである。
を複数個備えた基板処理装置によって複数のロットを処
理するにあたり、複数の処理工程を含むレシピに基づい
て各々のロットを各処理部で順次に処理するために各ロ
ットの処理順序を決定する基板処理装置のスケジュール
作成方法において、いずれかのロットについて最初の処
理工程を配置した後、各ロットの次なる処理工程のう
ち、各々の前の処理工程における終了予定時刻が最も早
いロットに対する処理工程を次の処理工程として配置す
るのである。
【0051】この方法における処理工程とは、例えば、
純水洗浄処理部21における処理と、第3搬送機構15
における処理と、乾燥処理部17における処理とを含む
工程などのことである。
純水洗浄処理部21における処理と、第3搬送機構15
における処理と、乾燥処理部17における処理とを含む
工程などのことである。
【0052】この方法によれば、予めスケジュールする
ことで前の処理工程の後作業と、その後の処理工程の前
作業とを重複させて配置することができるとともに、配
置可能な処理工程のうち前の処理工程が早く終わるロッ
トの処理工程を次の処理工程として選択して配置するこ
とで、次の処理工程が終了するまでの時間を短縮するこ
とができる。したがって、基板処理装置の処理部を有効
利用することができるので、待機時間を抑制して稼働率
を向上することができる。
ことで前の処理工程の後作業と、その後の処理工程の前
作業とを重複させて配置することができるとともに、配
置可能な処理工程のうち前の処理工程が早く終わるロッ
トの処理工程を次の処理工程として選択して配置するこ
とで、次の処理工程が終了するまでの時間を短縮するこ
とができる。したがって、基板処理装置の処理部を有効
利用することができるので、待機時間を抑制して稼働率
を向上することができる。
【0053】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、予めスケジュールを作成する
ことでオゾン処理が並行あるいは連続して実施される場
合がわかる。そのような場合には、既に使用されている
ブランチリソースを継続的に使用することで、小刻みな
使用開始・停止を繰り返す必要がなくなる。したがっ
て、無駄な電力の発生を抑制することができつつ待機時
間をなくしてスループットを向上させることができる。
また、待機時間をなくすことができるので、オゾン処理
を含むプロセスの再現性を向上させることが可能であ
る。
1に記載の発明によれば、予めスケジュールを作成する
ことでオゾン処理が並行あるいは連続して実施される場
合がわかる。そのような場合には、既に使用されている
ブランチリソースを継続的に使用することで、小刻みな
使用開始・停止を繰り返す必要がなくなる。したがっ
て、無駄な電力の発生を抑制することができつつ待機時
間をなくしてスループットを向上させることができる。
また、待機時間をなくすことができるので、オゾン処理
を含むプロセスの再現性を向上させることが可能であ
る。
【0054】請求項2に記載の発明によれば、ブランチ
リソースとしてオゾンユニットの使用時間制御と、オゾ
ンユニットの起動制御とを使用することで、オゾン処理
を効率的に施すことができる。
リソースとしてオゾンユニットの使用時間制御と、オゾ
ンユニットの起動制御とを使用することで、オゾン処理
を効率的に施すことができる。
【0055】請求項3に記載の発明によれば、再起動禁
止時間を考慮することにより、オゾンユニット特有の動
作を考慮することができる。
止時間を考慮することにより、オゾンユニット特有の動
作を考慮することができる。
【0056】請求項4に記載の発明によれば、オゾンと
純水を含む処理液によって基板を洗浄したりするオゾン
処理を行なうことができる。
純水を含む処理液によって基板を洗浄したりするオゾン
処理を行なうことができる。
【0057】請求項5に記載の発明によれば、プログラ
ムとして上記の請求項1に記載の効果と同様の効果を奏
する。
ムとして上記の請求項1に記載の効果と同様の効果を奏
する。
【図1】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した
平面図である。
平面図である。
【図2】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した
ブロック図である。
ブロック図である。
【図3】純水洗浄処理部の概略構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図4】スケジュール例の一部を示すタイムチャートで
ある。
ある。
【図5】本発明と従来例を比較するタイムチャートであ
る。
る。
1 … カセット
11 … 第1搬送機構
13 … 第2搬送機構
15 … 第3搬送機構
17 … 乾燥処理部
19 … 第1処理部
21 … 純水洗浄処理部
23 … 薬液処理部
25 … 第1副搬送機構
39 … オゾンユニット
45 … 加熱器
47 … 第2処理部
73 … 制御部
75 … 記憶部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 河合 淳
京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神
北町1番地の1 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 赤尾 喜代志
京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神
北町1番地の1 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 堀口 修
京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神
北町1番地の1 大日本スクリーン製造株
式会社内
Fターム(参考) 3B201 AA02 AA03 AB01 BB02 BB89
BB92 BB93 BB98 CB15
3C100 AA05 BB14 EE06
Claims (5)
- 【請求項1】 基板に対して複数個のリソースを備えた
基板処理装置により、各リソースを使用しながら処理す
る際に各々のリソースを使用するタイミングを決定する
基板処理装置のスケジュール作成方法において、 実際に基板に対する処理を開始する前に各リソースの使
用タイミングを予め作成するとともに、 オゾン処理に付随する動作をブランチリソースとして定
義し、 オゾン処理のリソースを使用して基板に対してオゾン処
理を行なう場合には、オゾン処理のリソースを使用する
とともにブランチリソースを使用し、 さらに複数のリソースでオゾン処理が並行あるいは連続
して実施される場合には、既に使用されているブランチ
リソースを継続的に使用することを特徴とする基板処理
装置のスケジュール作成方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置のスケジ
ュール作成方法において、 前記リソースは、オゾンを含む処理液により基板を洗浄
する洗浄処理部であり、 前記ブランチリソースは、オゾンユニットの使用時間制
御と、オゾンユニットの起動制御とを含むことを特徴と
する基板処理装置のスケジュール作成方法。 - 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置のスケジ
ュール作成方法において、 前記起動制御は、オゾンユニットを起動した状態から一
旦停止した場合には、再起動禁止時間を経過した後でな
ければ起動不可能であることを特徴とする基板処理装置
のスケジュール作成方法。 - 【請求項4】 請求項1ないし3に記載の基板処理装置
のスケジュール作成方法において、 前記処理液は、オゾンと純水を含むことを特徴とする基
板処理装置のスケジュール作成方法。 - 【請求項5】 基板に対して複数個のリソースを備えた
基板処理装置により、各リソースを使用しながら処理す
る際に各々のリソースを使用するタイミングを決定する
基板処理装置のスケジュール作成プログラムにおいて、 実際に基板に対する処理を開始する前に各リソースの使
用タイミングを予め作成するとともに、 オゾン処理に付随する動作をブランチリソースとして定
義し、 オゾン処理のリソースを使用して基板に対してオゾン処
理を行なう場合には、オゾン処理のリソースを使用する
とともにブランチリソースを使用し、 さらに複数のリソースでオゾン処理が並行あるいは連続
して実施される場合には、既に使用されているブランチ
リソースを継続的に使用するようにコンピュータを制御
することを特徴とする基板処理装置のスケジュール作成
プログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001245942A JP2003059891A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001245942A JP2003059891A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003059891A true JP2003059891A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19075592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001245942A Pending JP2003059891A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003059891A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100436292C (zh) * | 2004-11-04 | 2008-11-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 电子元件、晶圆载具搬运管理方法及系统 |
JP2010153732A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置、処理方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
WO2012124193A1 (ja) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および電源管理方法 |
CN103779254A (zh) * | 2012-10-24 | 2014-05-07 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置、基板处理系统及基板处理装置的控制方法 |
WO2023027100A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2001
- 2001-08-14 JP JP2001245942A patent/JP2003059891A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100436292C (zh) * | 2004-11-04 | 2008-11-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 电子元件、晶圆载具搬运管理方法及系统 |
JP2010153732A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置、処理方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
TWI427727B (zh) * | 2008-12-26 | 2014-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 處理裝置、處理方法、電腦程式產品及記憶媒體 |
US8790469B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-07-29 | Tokyo Electron Limited | Treating apparatus, treating method and recording medium |
KR101434692B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2014-08-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체 |
WO2012124193A1 (ja) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および電源管理方法 |
JP2012195446A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および電源管理方法 |
CN103779254A (zh) * | 2012-10-24 | 2014-05-07 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置、基板处理系统及基板处理装置的控制方法 |
US9389601B2 (en) | 2012-10-24 | 2016-07-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, substrate processing system, control method for substrate processing apparatus and storage medium |
WO2023027100A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6807452B2 (en) | Scheduling method and program for a substrate processing apparatus | |
JP5323661B2 (ja) | 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法 | |
JP6224359B2 (ja) | 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム | |
JP2003059891A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP2003086562A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP2003031454A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP2003059890A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP2003086481A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP6435388B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4979412B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP2002341923A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JPS628527A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2003086563A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP5118530B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP3712370B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
TWI781307B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 | |
JP3741631B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成・実行方法及びそのプログラム | |
JP2007266442A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP4731372B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JPS58137080A (ja) | 自動取引装置 | |
JP3960761B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP2010225890A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JPH10177979A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009238916A (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム | |
JP5374203B2 (ja) | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |