TWI427727B - 處理裝置、處理方法、電腦程式產品及記憶媒體 - Google Patents

處理裝置、處理方法、電腦程式產品及記憶媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI427727B
TWI427727B TW098142690A TW98142690A TWI427727B TW I427727 B TWI427727 B TW I427727B TW 098142690 A TW098142690 A TW 098142690A TW 98142690 A TW98142690 A TW 98142690A TW I427727 B TWI427727 B TW I427727B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
liquid
processed
unit
processing step
Prior art date
Application number
TW098142690A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201034103A (en
Inventor
Takafumi Tsuchiya
Tohru Iwabae
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201034103A publication Critical patent/TW201034103A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI427727B publication Critical patent/TWI427727B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06QINFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q10/00Administration; Management
    • G06Q10/06Resources, workflows, human or project management; Enterprise or organisation planning; Enterprise or organisation modelling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Human Resources & Organizations (AREA)
  • Strategic Management (AREA)
  • Economics (AREA)
  • Entrepreneurship & Innovation (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Business, Economics & Management (AREA)
  • Game Theory and Decision Science (AREA)
  • Marketing (AREA)
  • Operations Research (AREA)
  • Educational Administration (AREA)
  • Tourism & Hospitality (AREA)
  • Development Economics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

處理裝置、處理方法、電腦程式產品及記憶媒體
本發明係關於一種處理被處理體的處理裝置、使用該處理裝置的處理方法、讓該處理方法付諸實行的電腦程式以及儲存該電腦程式的記憶媒體。
以往,將作為被處理體的複數晶圓(以下亦稱為晶圓群)依序浸漬於儲存著藥液的藥液槽或儲存著沖洗液的沖洗液槽,以除去並洗淨附著在各晶圓上之污染物的方法,已為人所習知。然後,為了將晶圓群依序浸漬於藥液槽與沖洗液槽,遂利用運送機構(參照例如專利文獻1)。然後,在該專利文獻1中,該運送機構具備共有處理部的功能,可依序處理晶圓群。
【專利文獻1】日本特開2002-118086號公報
在連續處理複數晶圓群時,當一晶圓群使用運送機構(共有處理部)時,運送機構(共有處理部)便無法運送其他晶圓群。因此,當一晶圓群未使用運送機構時,有必要組織處理程序讓其他晶圓群使用運送機構,惟根據處理程序的內容,並無法確保其他晶圓群可以利用運送機構的時間,結果,必須讓其他晶圓群的處理程序大幅落後延遲。
有鑑於這個問題點,本發明之目的在於提供一種處理裝置、處理方法、電腦程式及記憶媒體,其不會對被處理體造成不良影響,在連續處理被處理體時能夠提高處理量。
本發明之處理裝置包含:可延長液體處理機構,其以可延長液體處理被處理體;共有處理部,其依序處理一被處理體與另一被處理體;以及處理程序算出部,其算出處理程序,該處理程序 包含以該可延長液體處理機構處理該被處理體的可延長液體處理步驟,以及以該共有處理部處理該被處理體的共有處理步驟;該處理程序算出部,在該共有處理部處理一被處理體的一共有處理步驟與該共有處理部處理另一被處理體的另一共有處理步驟在時間上重疊的情況下,延長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,使一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上不會重疊。
在本發明的處理裝置中,更包含以藥液處理該被處理體的藥液處理機構,該處理程序算出部所算出的處理程序,宜更包含以該藥液處理機構處理該被處理體的藥液處理步驟。
在本發明的處理裝置中,該可延長液體處理機構,宜設置利用可延長液體,即沖洗液處理該被處理體的沖洗液處理機構。
在本發明的處理裝置中,該可延長液體處理機構宜設置利用可延長液體,即剝離液,處理該被處理體的剝離液處理機構。
在本發明的處理裝置中,該共有處理部宜設置對該藥液處理機構供給臭氧水的臭氧水供給部。
在本發明的處理裝置中,該共有處理部宜設置對該沖洗液處理機構供給臭氧水的臭氧水供給部。
在本發明的處理裝置中,該共有處理部宜設置對該沖洗液處理機構供給經過加熱之純水的加熱DIW供給部。
在本發明的處理裝置中,該共有處理部宜設置讓該被處理體移動的運送機構。
在本發明的處理裝置中,該可延長液體處理機構係由複數可延長液體處理部所構成的,各可延長液體處理部所延長的時間合計宜與共有處理步驟被偏移的時間相等。
本發明的處理方法包含:可延長液體處理步驟,其利用可延長液體處理機構以可延長液體處理被處理體;一共有處理步驟,其以共有處理部處理一被處理體;以及另一共有處理步驟,其在該共有處理步驟之後實施,以該共有處理部處理另一被處理體;當一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊時,延長另 一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,使一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上不會重疊。
本發明之電腦程式,可讓處理裝置執行處理方法,該處理裝置具備可延長液體處理機構以及共有處理部,該處理方法包含:可延長液體處理步驟,其利用該可延長液體處理機構以可延長液體處理被處理體;一共有處理步驟,其以該共有處理部處理一被處理體;以及另一共有處理步驟,其在該共有處理步驟之後實施,以該共有處理部處理另一被處理體;當一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊時,延長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,使一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上不會重疊。
本發明之記憶媒體,儲存有電腦程式,該電腦程式可讓處理裝置執行處理方法,該處理裝置包含可延長液體處理機構以及共有處理部,該處理方法包含:可延長液體處理步驟,其利用該可延長液體處理機構以可延長液體處理被處理體;一共有處理步驟,其以該共有處理部處理一被處理體;以及另一共有處理步驟,其在該共有處理步驟之後實施,以該共有處理部處理另一被處理體;當一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊時,延長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,使一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上不會重疊。
若利用本發明,當共有處理部處理一被處理體的一共有處理步驟與該共有處理部處理另一被處理體的另一共有處理步驟在時間上重疊時,延長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,藉此,讓一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上不會重疊。因此,不會對被處理體造成不良影響,且能夠提高連續處理被處 理體時的處理量。
[第1實施形態]
以下,參照圖面說明本發明之處理裝置、處理方法、電腦程式以及記憶媒體的第1實施形態。在此,圖1乃至圖3(a)(b)表示本發明的第1實施形態。
如圖1所示,處理裝置包含:框體1;載體送入送出部(未經圖示),其用來送入送出載體(未經圖示),該載體設置在框體1內,並可收納複數晶圓(以下稱為晶圓群);載體存放部(未經圖示),其從該載體送入送出部接收並保管載體;載體送入送出台3,其可移動在處理時保管於載體存放部的晶圓群;第一運送機構5,其從該載體送入送出台3取出晶圓群;以及裝載部21,其從該第一運送機構5接收晶圓群。其中,載體送入送出台3設有載體送入窗3a,該載體送入窗3a在第一運送機構5接近時形成打開狀態,在第一運送機構5離開時形成關閉狀態。
又,如圖1所示的,處理裝置包含藥液處理機構與沖洗液處理機構,該藥液處理機構包含用第一藥液處理晶圓的第一藥液處理部30以及用第二藥液處理晶圓的第二藥液處理部35;該沖洗液處理機構包含用第一沖洗液處理晶圓的第一沖洗液處理部40以及用第二沖洗液處理晶圓的第二沖洗液處理部45。
其中,第一藥液處理部30包含儲存第一藥液的第一藥液槽31以及從後述第二運送機構10接收晶圓群並在第一藥液槽31內運送晶圓群的第一藥液昇降機構32。又,第二藥液處理部35包含儲存第二藥液的第二藥液槽36以及從第二運送機構10接收晶圓群並在第二藥液槽36內運送晶圓群的第二藥液昇降機構37。
又,第一沖洗液處理部40包含儲存第一沖洗液的第一沖洗液槽41以及從第二運送機構10接收晶圓群並在第一沖洗液槽41內運送晶圓群的第一沖洗液昇降機構42。又,第二沖洗液處理部45包含儲存第二沖洗液的第二沖洗液槽46以及從第二運送機構10接收晶圓群並在第二沖洗液槽46內運送晶圓群的第二沖洗液昇降機構47。
另外,在本案中,藥液係指除了後述剝離液之外的蝕刻液等,藥液,例如可以使用濃氟酸、稀氟酸、氨過氧化氫水(SC1)、鹽酸過氧化氫水(SC2)、磷酸等。另一方面,沖洗液,例如可以使用純水(DIW)、臭氧水等。關於此點,在本實施形態中,使用稀氟酸作為第一藥液,使用SC1作為第二藥液,使用純水作為第一沖洗液以及第二沖洗液,以下說明之。
如圖1所示的,處理裝置包含:乾燥部60,其設置在隣接第二沖洗液處理部45的位置上,可讓晶圓乾燥;運送機構洗淨部65,其設置在鄰接第一藥液處理部30的位置上,可洗淨後述第二運送機構(運送機構)10。
又,本實施形態的乾燥部60,如圖1所示的,包含收納第三沖洗液(在本實施形態中為純水)的第三沖洗液槽61;設置在該第三沖洗液槽61上方的乾燥室63;以隨意開閉方式設置在第三沖洗液槽61與乾燥室63之間的開閉機構(未經圖示);以及在第三沖洗液槽61與乾燥室63之間昇降的乾燥昇降機構62。又,在乾燥室63內,設置有供給IPA等乾燥液的乾燥液供給部(未經圖示)以及供給N2 等惰性氣體的惰性氣體供給部(未經圖示)。
又,如圖1所示的,處理裝置具備第二運送機構(運送機構)10,其將裝載部21所載置的晶圓群從該裝載部21抬起,並在運送機構洗淨部65、第一藥液處理部30、第一沖洗液處理部40、第二藥液處理部35、第二沖洗液處理部45以及乾燥部60之間移動該晶圓群。又,在本實施形態中,該第二運送機構10構成依序處理一晶圓群與其他晶圓群的共有處理部。
又,如圖1所示的,處理裝置亦具備卸載部22,其從第二運送機構10接收經過乾燥部60乾燥的晶圓群,又,該卸載部22所載置之晶圓群,被第一運送機構5抬起,並運送到載體送入送出台3。
另外,在本實施形態中,用來執行後述處理方法的電腦程式儲存在記憶媒體52(參照圖1)。然後,處理裝置具備安裝有記憶媒體52的電腦55,以及從該電腦55接收信號,並控制處理裝置本體的控制裝置50。因此,藉由將記憶媒體52插入(或安裝)到電腦55,便能夠利用控制裝置50,在藥液處理裝置執行後述一連串的藥液處理方法。又,在本案中記憶媒體52係指CD、DVD、MD、硬碟、RAM等構件。
又,控制裝置50設有可算出處理程序的處理程序算出部51,該處理程序包含後述的裝載載置步驟a1、b1、c1;第一藥液運送步驟a2、b2、c2;第一藥液處理步驟a3、b3、c3;第一沖洗液運送步驟a4、b4、c4;第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5;第二藥液運送步驟a6、b6、c6;第二藥液處理步驟a7、b7、c7;第二沖洗液運送步驟a8、b8、c8;第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9;乾燥運送步驟a10、b10、c10;第三沖洗液處理步驟a11、b11、c11;乾燥處理步驟a12、b12、c12以及卸載載置步驟a13、b13、c13[參照圖1以及圖3(a)(b)]。
接著,敘述由該等構造所構成之本實施形態的作用。
首先,第一運送機構5接近載體送入送出台3,載體送入窗3a打開。之後,第一運送機構5將載體送入送出台3內所載置的晶圓群(例如25片晶圓)取出,之後載體送入窗3a關閉(參照圖1)。
接著,第一運送機構5向裝載部21轉動90°,讓晶圓群的表面以朝垂直方向延伸的方式轉動。之後,表面朝垂直方向延伸的晶圓被載置於裝載部21(參照圖1)。
接著,再度重複上述步驟,然後將複數(例如25片)晶圓載置於裝載部21。此時,先前載置的晶圓與本次載置的晶圓,按照順序間隔排列在一起,晶圓群的節距為晶圓收納於載體內的節距的1/2(裝載載置步驟a1、b1、c1)[參照圖3(a)(b)]。
接著,第二運送機構10將複數(例如50片)晶圓所構成的晶圓群(一被處理體),從裝載部21抬起,之後,運送到第一藥液處理部30(第一藥液運送步驟a2、b2、c2)[參照圖2的(1)與圖3(a)(b)]。然後,在該第一藥液處理部30中,第一藥液昇降機構32從第二運送機構10接收晶圓群,並運送到第一藥液槽31內(參照圖1)。藉此,晶圓群受到稀氟酸(第一藥液)的處理(第一藥液處理步驟a3、b3、c3)[參照圖3(a)(b)]。
接著,第一藥液昇降機構32讓晶圓群上昇,並從第一藥液槽31內送出。然後,第二運送機構10從第一藥液昇降機構32接收晶圓群,並運送到第一沖洗液處理部40(第一沖洗液運送步驟a4、b4、c4)[參照圖2的(2)與圖3(a)(b)]。
接著,在第一沖洗液處理部40中,第一沖洗液昇降機構42從第二運送機構10接收晶圓群,並運送到第一沖洗液槽41內(參照圖1)。藉此,晶圓群受到純水(第一沖洗液)的處理(第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5)[參照圖3(a)(b)]。
接著,第一沖洗液昇降機構42讓晶圓群上昇,並從第一沖洗液槽41內送出。然後,第二運送機構10從第一沖洗液昇降機構42接收晶圓群,運送到第二藥液處理部35(第二藥液運送步驟a6、b6、c6)[參照圖2的(3)與圖3(a)(b)]。
接著,在第二藥液處理部35中,第二藥液昇降機構37從第二運送機構10接收晶圓群,並運送到第二藥液槽36內。藉此,晶圓群受到SC1(第二藥液)的處理(第二藥液處理步驟a7、b7、c7)[參照圖3(a)(b)]。
接著,第二藥液昇降機構37讓晶圓群上昇,並從第二藥液槽36內送出。然後,第二運送機構10從第二藥液昇降機構37接收晶圓群,並運送到第二沖洗液處理部45(第二沖洗液運送步驟a8、b8、c8)[參照圖2的(4)與圖3(a)(b)]。
接著,在第二沖洗液處理部45中,第二沖洗液昇降機構47從第二運送機構10接收晶圓群,並運送到第二沖洗液槽46內。藉此,晶圓群受到純水(第二沖洗液)的處理(第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9)[參照圖3(a)(b)]。
接著,第二沖洗液昇降機構47讓晶圓群上昇,並從第二沖洗液槽46內送出。然後,第二運送機構10從第二沖洗液昇降機構47接收晶圓群,並運送到乾燥部60(乾燥運送步驟a10、b10、c10)[參照圖2的(5)與圖3(a)(b)]。
接著,在乾燥部60中,乾燥昇降機構62從第二運送機構10接收晶圓群,並運送到第三沖洗液槽61內。藉此,晶圓群受到純水(第三沖洗液)的處理(第三沖洗液處理步驟)。
接著,乾燥昇降機構62讓晶圓群上昇。然後,對上昇的晶圓群供給IPA等乾燥液,之後供給N2 等惰性氣體,讓該晶圓群乾燥(乾燥步驟)。又,在本實施形態中,以下,上述第三沖洗液處理步驟與乾燥步驟合稱為乾燥處理步驟a11、b11、c11[參照圖3(a)(b)]。
接著,第二運送機構10從乾燥昇降機構62接收晶圓群,該晶圓群被運送到卸載部22(卸載運送步驟a12、b12、c12),並載置於該卸載部22(卸載載置步驟a13、b13、c13)[參照圖2的(6)與圖3(a)(b)]。之後,晶圓群被第一運送機構5抬起,並運送到載體送入送出台3。另一方面,晶圓群從第二運送機構10被傳遞到卸載部22,第二運送機構10移動到裝載部21[參照圖2的(7)]。
上述一連串的步驟,也會對接下來要處理的晶圓群(另一被處理體)實施。然後,為了提高處理量,讓處理先受處理之晶圓群(一被處理體)的步驟,與處理接著受處理之晶圓群(另一被處理體)的步驟,毫無間斷地連接著進行。
對此技術特徵,以下具體說明之,為了說明,對先受處理之晶圓群(第一晶圓群)所實施的步驟,在「步驟」之前會附上「前」,對接著受處理之晶圓群(第二晶圓群)所實施的步驟,在「步驟」之前會附上「中」,對後來受處理之晶圓群(第三晶圓群)所實施的步驟在「步驟」之前會附上「後」,以便於說明。
亦即,對先受處理之晶圓群(第一晶圓群),依序實施裝載載置前步驟a1、第一藥液運送前步驟a2、第一藥液處理前步驟a3、第一沖洗液運送前步驟a4、第一沖洗液處理前步驟a5、第二藥液運送前步驟a6、第二藥液處理前步驟a7、第二沖洗液運送前步驟a8、第二沖洗液處理前步驟a9、乾燥運送前步驟a10、乾燥處理前步驟a11、卸載運送前步驟a12以及卸載載置前步驟a13。
又,對接著受處理之晶圓群(第二晶圓群),依序實施裝載載置中步驟b1、第一藥液運送中步驟b2、第一藥液處理中步驟b3、第一沖洗液運送中步驟b4、第一沖洗液處理中步驟b5、第二藥液運送中步驟b6、第二藥液處理中步驟b7、第二沖洗液運送中步驟b8、第二沖洗液處理中步驟b9、乾燥運送中步驟b10、乾燥處理中步驟b11、卸載運送中步驟b12以及卸載載置中步驟b13。
然後,對後來受處理之晶圓群(第三晶圓群),依序實施裝載載置後步驟c1、第一藥液運送後步驟c2、第一藥液處理後步驟c3、第一沖洗液運送後步驟c4、第一沖洗液處理後步驟c5、第二藥液運送後步驟c6、第二藥液處理後步驟c7、第二沖洗液運送後步驟c8、第二沖洗液處理後步驟c9、乾燥運送後步驟c10、乾燥處理後步驟c11、卸載運送後步驟c12以及卸載載置後步驟c13。
另外,處理程序算出部51(在不讓各步驟偏移或延長的情況下)以相同構件(特別是第二運送機構10)的利用時間不會重疊的方式組合既定處理程序,形成如圖3(a)所示的態樣。
在此,首先,針對第一晶圓群決定處理程序。接著,針對第二晶圓群,以運送前步驟a2、a4、a6、a8、a10、a12(以下稱運送前步驟a2-a12)與運送中步驟b2、b4、b6、b8、b10、b12(以下稱運送中步驟b2-b12)在時間上不會重疊的方式決定處理程序。最後,針對第三晶圓群,以運送前步驟a2-a12、運送中步驟b2-b12以及運送後步驟c2、c4、c6、c8、c10、c12(以下稱運送後步驟c2-c12)在時間上不會重疊的方式決定處理程序。
像這樣,圖3(a)所示的態樣,係處理程序內所包含的步驟未偏移或延長,而讓第三晶圓群的處理程序整個在時間上向後偏移。因此,處理第三晶圓群的時間會大幅延遲,在連續處理晶圓群時處理量會變少。
相對於此,本實施形態之處理程序算出部51,係在第二運送機構10處理一被處理體的一運送步驟與該第二運送機構10處理另一被處理體的另一運送步驟在時間上重疊的情況下,延長另一被處理體的沖洗液處理步驟,且依沖洗液處理步驟的延長量使時間上後於該沖洗液處理步驟的另一運送步驟時間偏移,藉以避免一運送步驟與另一運送步驟在時間上重疊。
更具體地說明圖3(b)所示之態樣,處理程序算出部51,首先,決定第一晶圓群的處理程序。
接著,處理程序算出部51,以運送前步驟a2-a12與運送中步驟b2-b12在時間上不會重疊的方式,決定第二晶圓群的處理程序。此時,在讓第一沖洗液處理中步驟b5之後所進行的運送中步驟b6、b8、b10、b12偏移而使第二晶圓群的處理完成時間變早的情況下,將第一沖洗液處理中步驟b5延長,並讓運送中步驟b6、b8、b10、b12時間偏移。
又,當受偏移的運送中步驟在第二沖洗液處理中步驟b9之後實施時(當受偏移的運送中步驟為運送中步驟b10、b12時),亦可不延長第一沖洗液處理中步驟b5而延長第二沖洗液處理中步驟b9,或將第一沖洗液處理中步驟b5與第二沖洗液處理中步驟b9雙方都延長。在此,當把第一沖洗液處理中步驟b5與第二沖洗液處理中步驟b9雙方都延長時,第一沖洗液處理中步驟b5與第二沖洗液處理中步驟b9所延長的時間合計與運送中步驟b6、b8、b10、b12被偏移的時間相等。
此點,在本實施形態中,讓第一沖洗液處理中步驟b5之後實施的運送中步驟b6、b8、b10、b12偏移,使第二晶圓群的處理完成時間不會變快,故處理程序算出部51便能夠以不會讓處理程序內所包含的步驟偏移或延長且運送前步驟a2-a12與運送中步驟b2-b12在時間上不會重疊的方式,算出所決定的處理程序。
接著,處理程序算出部51,針對第三晶圓群,以運送前步驟a2-a12、運送中步驟b2-b12以及運送後步驟c2-c12在時間上不會重疊的方式決定處理程序。此時,在讓第一沖洗液處理後步驟c5之後實施的運送後步驟c6、c8、c10、c12偏移,以使第三晶圓群的處理完成時間變快的情況下,將第一沖洗液處理後步驟c5延長,且讓運送後步驟c6、c8、c10、c12時間偏移。
又,當受偏移的運送後步驟在第二沖洗液處理後步驟c9之後實施時(當受偏移的運送後步驟為運送後步驟c10、c12時),亦可不延長第一沖洗液處理後步驟c5而延長第二沖洗液處理後步驟c9,亦可將第一沖洗液處理後步驟c5與第二沖洗液處理後步驟c9雙方都延長。在此,當第一沖洗液處理後步驟c5與第二沖洗液處理後步驟c9雙方都被延長時,第一沖洗液處理後步驟c5與第二沖洗液處理後步驟c9被延長的時間合計與運送步驟被偏移的時間相等。
在本實施形態中,讓第一沖洗液處理後步驟c5之後實施的運送後步驟c6、c8、c10、c12偏移,使第三晶圓群處理完成時間變快,故處理程序算出部51,如圖3(b)所示的,算出將第一沖洗液處理後步驟c5延長E1,且使第二藥液運送後步驟c6與該藥液運送後步驟c6之後的步驟偏移的處理程序。
因此,與讓第三晶圓群的處理程序全部在時間上向後偏移的情況[參照圖3(a)]比較,若利用本實施的形態,則能夠提高連續處理晶圓群時的處理量[參照圖3(b)]。
亦即,若不讓處理程序內所包含的步驟偏移或延長而僅組合既定處理程序,則運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12無論如何都會產生重疊部份,處理程序全部必須向後偏移,連續處理晶圓群時的處理量會變差。相對於此,如本實施形態,讓處理程序內所包含的運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12時間上適當偏移,便能夠有效利用第二運送機構10沒有利用到的時間,而提高連續處理晶圓群時的處理量。
再者,由於在本實施形態中所延長的步驟是由沖洗液處理步驟(更具體而言是第一沖洗液處理後步驟c5)所構成的,故能夠防止延長對晶圓造成不良的影響。亦即,在延長例如藥液處理步驟c3、c7的時間的情況下,藥液可能會對各晶圓蝕刻過度,然而在沖洗液中浸泡比預定時間更長的時間也不會對各晶圓造成不良的影響。
另外,在本實施形態中,係使用供給沖洗液的沖洗液處理部40、45進行說明,惟並非以此為限,亦可使用在供給藥液之後供給沖洗液的POU槽取代沖洗液處理部40、45。在該等POU槽的情況下也是一樣,晶圓最後會受沖洗液處理,故沒有過度蝕刻的危險。
又,在上述態樣中,第二運送機構10亦可由運送機構洗淨部65適當洗淨之。
亦即,第二運送機構10可分別在第一藥液運送步驟a2、b2、c2[參照圖2的(1)]與第一沖洗液運送步驟a4、b4、c4[參照圖2的(2)]之間,在第一沖洗液運送步驟a4、b4、c4[參照圖2的(2)]與第二藥液運送步驟a6、b6、c6[參照圖2的(3)]之間,在第二藥液運送步驟a6、b6、c6[參照圖2的(3)]與第二沖洗液運送步驟a8、b8、c8[參照圖2的(4)]之間,在第二沖洗液運送步驟a8、b8、c8[參照圖2的(4)]與乾燥運送步驟a10、b10、c10[參照圖2的(5)]之間,在乾燥運送步驟a10、b10、c10[參照圖2的(5)]與卸載載置步驟a13、b13、c13[參照圖2的(6)]之間,以及,在卸載載置步驟a13、b13、c13[參照圖2的(6)]與晶圓群被移動到裝載部21的步驟[參照圖2的(7)]之間,因應需要適當移動到運送機構洗淨部65,由該運送機構洗淨部65洗淨之後,再回到原來的位置。
又,在上述中,雖提到亦可延長第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5與第二沖洗液處理後步驟a9,b9,c9,惟並非以此為限,例如,亦可使用將第三沖洗液處理步驟、乾燥步驟,或第三沖洗液處理步驟與乾燥步驟雙方都延長的態樣。其中,當延長乾燥步驟時,對晶圓群的影響較小,故比起延長供給IPA等乾燥液的步驟而言,更宜延長供給N2 等惰性氣體的步驟。
[第2實施形態]
接著,根據圖4以及圖5(a)(b),說明本發明第2實施形態。圖4以及圖5(a)(b)所示的第2實施形態,更包含對第一沖洗液處理部40與第二沖洗液處理部45供給臭氧水的臭氧水供給部71,該臭氧水供給部71,也跟第二運送機構10一樣,構成共有處理部。其他構造與圖1乃至圖3(a)(b)所示的第1實施形態約略相同。
在圖4以及圖5(a)(b)所示的第2實施形態中,與圖1乃至圖3(a)(b)所示的第1實施形態相同的部份會附上相同的符號並省略詳細說明。
在本實施形態中,會在以第一沖洗液處理部40處理晶圓的期間,以及以第二沖洗液處理部45處理晶圓的期間這兩個期間內,使用臭氧水供給部71。因此,不僅是各運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12而已,第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5與第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9也會受到調整,使其在時間上不會重疊[參照在圖5(a)(b)中以點線表示的a9’、b9’、c9’]。
處理程序算出部51(在不偏移或延長各步驟的情況下)以相同構件(特別是第二運送機構10、第一沖洗液處理部40以及第二沖洗液處理部45)的利用時間不會重疊的方式組合既定處理程序,形成如圖5(a)所示的情況。
在此,首先,針對第一晶圓群決定處理程序。接著,針對第二的晶圓群,以各運送步驟a2-a12、b2-b12之間,還有第一沖洗液處理步驟a5、b5以及第二沖洗液處理步驟a9、b9之間,在時間上不會重疊的方式,決定處理程序。最後,針對第三晶圓群,以各運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12之間,還有第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5以及第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9之間,在時間上不會重疊的方式,決定處理程序。
像這樣,在圖5(a)所示的態樣中,不偏移或延長處理程序內所包含的步驟,而使第三晶圓群的處理程序全體在時間上向後偏移。因此,處理第三晶圓群的時間會大幅延遲,連續處理晶圓群時的處理量會變差。
相對於此,本實施形態之處理程序算出部51,在第二運送機構10處理一被處理體的一運送步驟,與該第二運送機構10處理另一被處理體的另一運送步驟,在時間上重疊的情況下,或是,臭氧水供給部71處理一被處理體的一個第一沖洗液處理步驟以及一個第二沖洗液處理步驟,與該第二運送機構10處理另一被處理體的另一個第一沖洗液處理步驟以及另一個第二沖洗液處理步驟,在時間上重疊的情況下,會延長另一被處理體的沖洗液處理步驟,且依沖洗液處理步驟的延長量,讓時間上後於該沖洗液處理步驟的另一運送步驟時間偏移,使各運送步驟之間,還有第一沖洗液處理步驟以及第二沖洗液處理步驟之間,在時間上不會重疊。
更具體說明圖5(b)所示的態樣,處理程序算出部51,首先,決定第一晶圓群的處理程序。
接著,處理程序算出部51,針對第二晶圓群,以各運送步驟a2-a12、b2-b12之間,還有第一沖洗液處理步驟a5、b5以及第二沖洗液處理步驟a9、b9之間,在時間上不會重疊的方式,決定處理程序。此時,在讓第一沖洗液處理中步驟b5之後實施的運送中步驟偏移,使第二晶圓群的處理完成時間便快的情況下,延長第一沖洗液處理中步驟b5,並讓運送中步驟b6、b8、b10、b12時間偏移。
又,當受偏移的運送中步驟在第二沖洗液處理中步驟b9之後實施時(當受偏移的運送中步驟為運送中步驟b10、b12時),亦可不延長第一沖洗液處理中步驟b5而延長第二沖洗液處理中步驟b9,或是將第一沖洗液處理中步驟b5與第二沖洗液處理中步驟b9雙方都延長。在此,當第一沖洗液處理中步驟b5與第二沖洗液處理中步驟b9雙方都被延長時,第一沖洗液處理中步驟b5與第二沖洗液處理中步驟b9所延長的時間合計與運送步驟被偏移的時間相等。
在本實施形態中,讓第一沖洗液處理後步驟c5之後實施的運送後步驟c6、c8、c10、c12偏移,使第二晶圓群的處理完成時間變快,故處理程序算出部51,如圖5(b)所示的,算出將第一沖洗液處理後步驟c5延長E2,且讓第二藥液運送後步驟c6與該藥液運送後步驟c6之後的步驟偏移的處理程序。
接著,處理程序算出部51,針對第三晶圓群,以各運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12之間,還有第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5以及第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9之間,在時間上不會重疊的方式,決定處理程序。此時,在讓第一沖洗液處理後步驟c5之後實施的運送後步驟c6、c8、c10、c12偏移,使第三晶圓群的處理完成時間變快的情況下,延長第一沖洗液處理後步驟c5,且讓運送後步驟c6、c8、c10、c12時間偏移。
又,當受偏移的運送後步驟在第二沖洗液處理後步驟c9之後實施時(當受偏移的運送後步驟為運送後步驟c10、c12時),亦可不延長第一沖洗液處理後步驟c5而延長第二沖洗液處理後步驟c9,亦可將第一沖洗液處理後步驟c5與第二沖洗液處理後步驟c9雙方都延長。在此,當第一沖洗液處理後步驟c5與第二沖洗液處理後步驟c9雙方都被延長時,第一沖洗液處理後步驟c5與第二沖洗液處理後步驟c9所延長的時間合計與運送步驟被偏移的時間相等。
關於此點,在本實施形態中,讓沖洗液處理後步驟c5、c9之後實施的運送後步驟c6、c8、c10、c12偏移,(與未偏移的情況比較)使第三晶圓群的處理完成時間未變快,處理程序算出部51,算出不偏移或延長處理程序內所包含的步驟,而以各運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12之間還有第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5以及第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9之間在時間上不會重疊的方式所決定的處理程序。
如上所述,在本實施形態中,由於能夠使針對第二晶圓群的處理在時間上向前偏移,故能夠提高連續處理晶圓群時的處理量[參照圖5(a)(b)]。再者,由於在本實施形態中所延長的步驟也是由沖洗液處理步驟所構成的,故能夠防止延長對晶圓造成不良影響。
另外,在本實施形態中,係就在以第一沖洗液處理部40處理晶圓的期間以及以第二沖洗液處理部45處理晶圓的期間這二個期間使用臭氧水供給部71的態樣進行說明,惟並非以此為限。也可以是例如以第一沖洗液處理部40處理晶圓的期間、以第二沖洗液處理部45處理晶圓的期間、以第三沖洗液處理部61處理晶圓的期間全部都使用臭氧水供給部71的態樣。
此時,以第二運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12之間,還有第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5,第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9以及第三沖洗液處理步驟之間,在時間上不會重疊的方式,延長沖洗液處理中步驟b5、b9,同時偏移運送中步驟b6、b8、b10、b12,並延長沖洗液處理後步驟c5、c9,同時偏移運送後步驟c6、c8、c10、c12。
又,亦可將臭氧水混入藥液中使用。此時亦以在第一藥液處理步驟a3、b3、c3之間(在第一藥液處理部30利用臭氧水的情況),第二藥液處理步驟a7、b7、c7之間(在第二藥液處理部35利用臭氧水的情況),或是第一藥液處理步驟a3、b3、c3以及第二藥液處理步驟a7、b7、c7之間(在第一藥液處理部30與第二藥液處理部35雙方都利用臭氧水的情況)在時間上不會重疊的方式,延長沖洗液處理中步驟b5、b9,同時偏移運送中步驟b6、b8、b10、b12,並延長沖洗液處理後步驟c5、c9,同時偏移運送後步驟c6、c8、c10、c12。
[第3實施形態]
接著,根據圖6,說明本發明第3實施形態。圖6所示的第3實施形態,設置對第一沖洗液處理部40與第二沖洗液處理部45供給經過加熱之純水的加熱DIW供給部72,取代對第一沖洗液處理部40與第二沖洗液處理部45供給臭氧水的臭氧水供給部71,該加熱DIW供給部72,與第二運送機構10一樣,構成共有處理部。其他構造與圖4以及圖5所示之第2實施形態約略相同。
在圖6所示的第3實施形態中,與圖1乃至圖3(a)(b)所示的第1實施形態以及圖4以及圖5所示的第2實施形態相同的部份會附上相同的符號並省略詳細說明。
在本實施形態中,在第一沖洗液處理部40處理晶圓的期間,與在第二沖洗液處理部45處理晶圓的期間這兩個期間,都使用加熱DIW供給部72。因此,與第2實施形態一樣,不僅是運送步驟a2-a12、b2-b12、c2-c12之間而已,連第一沖洗液處理步驟a5、b5、c5與第二沖洗液處理步驟a9、b9、c9也以在時間上不會重疊的方式作調整。
因此,在本實施形態中,也能達到與第2實施形態所述內容同樣的作用效果,不會對晶圓造成不良影響,而能夠提高連續處理晶圓群時的處理量。
[第4實施形態]
接著,根據圖7,說明本發明第4實施形態。圖7所示的第4實施形態,更包含利用剝離液處理晶圓群的剝離液處理機構80。在本實施形態中,剝離液處理機構80與沖洗液處理部40、45一起構成可延長液體處理機構。其他構造與圖1乃至圖3(a)(b)所示的第1實施形態約略相同。
在圖7所示的第4實施形態中,與圖1乃至圖3(a)(b)所示的第1實施形態相同的部份會附上相同的符號並省略詳細說明。
在本實施形態中,在將複數晶圓群載置於裝載部21上的裝載載置步驟a1、b1、c1,與將自裝載部21被抬起的晶圓群運送到第一藥液處理部30的第一藥液運送步驟a2、b2、c2之間,利用剝離液處理機構80的剝離液對晶圓群進行處理(剝離液處理步驟)。又,剝離液處理機構80包含儲存剝離液的剝離液槽81,以及從第二運送機構10接收晶圓群並將晶圓群運送到剝離液槽81內的剝離液昇降機構82。
在該等剝離液中,由於剝離對象物已經決定,故即使浸泡比預定時間更長的時間,晶圓也不會過度蝕刻。因此,除了沖洗液處理部40、45之外,在剝離液處理機構80中也能延長處理步驟。
因此,處理程序算出部51,在第二運送機構10處理一被處理體的一個運送步驟,與該第二運送機構10處理另一被處理體的另一運送步驟在時間上重疊的情況下,針對另一被處理體,延長剝離液處理步驟,且依剝離液處理步驟的延長量讓時間上後於該剝離液處理步驟的另一運送步驟時間偏移,或是延長沖洗液處理步驟,且依沖洗液處理步驟的延長量讓時間上後於該沖洗液處理步驟的另一運送步驟時間偏移,藉此避免一運送步驟與另一運送步驟在時間上重疊。
因此,在本實施形態中,也不會對晶圓造成不良影響,而能夠提高連續處理晶圓群時的處理量。又,在本實施形態中,由於剝離液處理步驟比第一藥液運送步驟在時間上更早實施,故時間上能夠偏移的運送步驟對象,比第1實施形態更多,此點較為有利。亦即,在第1實施形態中,時間上能夠偏移的運送步驟,是第二藥液運送步驟b6、c6以後的運送步驟,相對於此,本實施形態時間上能夠偏移的運送步驟,是第一藥液運送步驟b2、c2以後的運送步驟,而第一藥液運送步驟b2、c2以及第一沖洗液運送中步驟b4、c4時間上也能夠偏移,相較於第1實施形態,此點較為有利。
又,本實施形態的剝離液,可使用例如H2 SO4 與H2 O2 的混合液,即SPM,或使用H2 SO4 與O3 的混合液,即SPOM。
1...框體
3...載體送入送出部
3a...載體送入窗
5...第一運送機構
10...第二運送機構(運送機構)
21...裝載部
22...卸載部
30...第一藥液處理部
31...第一藥液槽
32...第一藥液昇降機構
35...第二藥液處理部
36...第二藥液槽
37...第二藥液昇降機構
40...第一沖洗液處理部
41...第一沖洗液槽
42...第一沖洗液昇降機構
45...第二沖洗液處理部
46...第二沖洗液槽
47...第二沖洗液昇降機構
50...控制裝置
51...處理程序算出部
52...記憶媒體
55...電腦
60...乾燥部
61...第三沖洗液槽
62...乾燥昇降機構
63...乾燥室
65...運送機構洗淨部
71...臭氧水供給部
72...加熱DIW供給部
80...剝離液處理機構
81...剝離液槽
82...剝離液昇降機構
a1、b1、c1...裝載載置步驟
a2、b2、c2...第一藥液運送步驟
a3、b3、c3...第一藥液處理步驟
a4、b4、c4...第一沖洗液運送步驟
a5、b5、c5...第一沖洗液處理步驟
a6、b6、c6...第二藥液運送步驟
a7、b7、c7...第二藥液處理步驟
a8、b8、c8...第二沖洗液運送步驟
a9、b9、c9...第二沖洗液處理步驟
a9’、b9’、c9’...第二沖洗液處理步驟
a10、b10、c10...乾燥運送步驟
a11、b11、c11...第三沖洗液處理步驟
a12、b12、c12...乾燥處理步驟
a13、b13、c13...卸載載置步驟
E1、E2...延長時間
圖1係本發明第1實施形態之處理裝置的概略構造圖。
圖2係本發明第1實施形態之處理裝置的處理方法的概略說明圖。
圖3係本發明第1實施形態之處理裝置的處理程序算出部所算出的處理程序圖。
圖4係本發明第2實施形態之處理裝置的概略構造圖。
圖5係本發明第2實施形態之處理裝置的處理程序算出部所算出的處理程序圖。
圖6係本發明第3實施形態之處理裝置的概略構造圖。
圖7係本發明第4實施形態之處理裝置的概略構造圖。
1...框體
3...載體送入送出部
3a...載體送入窗
5...第一運送機構
10...第二運送機構(運送機構)
21...裝載部
22...卸載部
30...第一藥液處理部
31...第一藥液槽
32...第一藥液昇降機構
35...第二藥液處理部
36...第二藥液槽
37...第二藥液昇降機構
40...第一沖洗液處理部
41...第一沖洗液槽
42...第一沖洗液昇降機構
45...第二沖洗液處理部
46...第二沖洗液槽
47...第二沖洗液昇降機構
50...控制裝置
51...處理程序算出部
52...記憶媒體
55...電腦
60...乾燥部
61...第三沖洗液槽
62...乾燥昇降機構
63...乾燥室
65...運送機構洗淨部

Claims (12)

  1. 一種處理裝置,包含:可延長液體處理機構,用來以可延長液體處理被處理體;共有處理部,用以依序處理一被處理體與另一被處理體;以及處理程序算出部,用以算出處理程序,該處理程序包含:可延長液體處理步驟,以該可延長液體處理機構處理該被處理體;及共有處理步驟,以該共有處理部處理該被處理體;該處理程序算出部,於該共有處理部處理一被處理體的一共有處理步驟與該共有處理部在對於另一被處理體之可延長液體處理步驟之後處理另一被處理體的另一共有處理步驟在時間上重疊的情況下,延長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量使另一共有處理步驟的時間偏移,藉以避免一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中,更包含以藥液處理該被處理體的藥液處理機構,該處理程序算出部所算出的處理程序,更包含以該藥液處理機構處理該被處理體的藥液處理步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之處理裝置,其中,該可延長液體處理機構設有利用作為可延長液體的沖洗液處理該被處理體的沖洗液處理機構。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之處理裝置,其中,該可延長液體處理機構設有利用作為可延長液體的剝離液處理該被處理體的剝離液處理機構。
  5. 如申請專利範圍第2項之處理裝置,其中,該共有處理部設有對該藥液處理機構供給臭氧水的臭氧水供給部。
  6. 如申請專利範圍第3項之處理裝置,其中,該共有處理部設有對該沖洗液處理機構供給臭氧水的臭氧水供給部。
  7. 如申請專利範圍第3項之處理裝置,其中,該共有處理部設有對該沖洗液處理機構供給經過加熱之純水的加熱DIW供給部。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之處理裝置,其中,該共有處理部設有讓該被處理體移動的運送機構。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之處理裝置,其中,該可延長液體處理機構係由複數可延長液體處理部所構成的,各可延長液體處理部所延長的時間合計與令共有處理步驟偏移的時間相等。
  10. 一種處理方法,包含:可延長液體處理步驟,其利用可延長液體處理機構,以可延長液體處理被處理體;一共有處理步驟,其以共有處理部處理一被處理體;以及另一共有處理步驟,其在對於另一被處理體之可延長液體處理步驟之後實施,以該共有處理部處理另一被處理體;當一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊時,延長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,藉以避免一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊。
  11. 一種電腦程式產品,其可讓一處理裝置執行一處理方法,該處理裝置設有可延長液體處理機構以及共有處理部,該電腦程式產品的特徵為:該處理方法包含:可延長液體處理步驟,其利用該可延長液體處理機構,以可延長液體處理被處理體;一共有處理步驟,其以該共有處理部處理一被處理體;以及另一共有處理步驟,其在對於另一被處理體之可延長液體處理步驟之後實施,以該共有處理部處理另一被處理體;當一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊時,延 長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,藉以避免一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊。
  12. 一種記憶媒體,其儲存電腦程式,該電腦程式使一處理裝置執行一處理方法,該處理裝置設有可延長液體處理機構以及共有處理部,該記憶媒體的特徵為:該處理方法包含:可延長液體處理步驟,其利用該可延長液體處理機構,以可延長液體處理被處理體;一共有處理步驟,其以該共有處理部處理一被處理體;以及另一共有處理步驟,其在對於另一被處理體之可延長液體處理步驟之後實施,以該共有處理部處理另一被處理體;當一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊時,延長另一被處理體的可延長液體處理步驟,且依可延長液體處理步驟的延長量讓另一共有處理步驟時間偏移,藉以避免一共有處理步驟與另一共有處理步驟在時間上重疊。
TW098142690A 2008-12-26 2009-12-14 處理裝置、處理方法、電腦程式產品及記憶媒體 TWI427727B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008332795A JP5191880B2 (ja) 2008-12-26 2008-12-26 処理装置、処理方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201034103A TW201034103A (en) 2010-09-16
TWI427727B true TWI427727B (zh) 2014-02-21

Family

ID=42283420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098142690A TWI427727B (zh) 2008-12-26 2009-12-14 處理裝置、處理方法、電腦程式產品及記憶媒體

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8790469B2 (zh)
JP (1) JP5191880B2 (zh)
KR (1) KR101434692B1 (zh)
TW (1) TWI427727B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5738796B2 (ja) * 2012-04-11 2015-06-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 処理室割当設定装置及び処理室割当設定プログラム
JP6951269B2 (ja) * 2018-01-29 2021-10-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10275844A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003059891A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
US6694218B2 (en) * 1998-12-31 2004-02-17 Asml Holdings N.V. Method and apparatus for resolving conflicts in a substrate processing system
US6745783B2 (en) * 2000-08-01 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Cleaning processing method and cleaning processing apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3253229B2 (ja) * 1995-02-22 2002-02-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置および洗浄処理方法
JP3575859B2 (ja) * 1995-03-10 2004-10-13 株式会社東芝 半導体基板の表面処理方法及び表面処理装置
JP3934275B2 (ja) 1999-03-25 2007-06-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、基板処理装置のシミュレート装置、及び基板処理装置のシミュレートプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP3888612B2 (ja) 2000-08-01 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP4115107B2 (ja) * 2001-07-17 2008-07-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2003059890A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2003241818A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システムのスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP2008016620A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10275844A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6694218B2 (en) * 1998-12-31 2004-02-17 Asml Holdings N.V. Method and apparatus for resolving conflicts in a substrate processing system
US6745783B2 (en) * 2000-08-01 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
JP2003059891A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP5191880B2 (ja) 2013-05-08
TW201034103A (en) 2010-09-16
US8790469B2 (en) 2014-07-29
KR101434692B1 (ko) 2014-08-26
JP2010153732A (ja) 2010-07-08
US20100163077A1 (en) 2010-07-01
KR20100076878A (ko) 2010-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5003919B2 (ja) 基板処理装置及び基板移送方法
JP6370233B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2009099710A (ja) 基板処理装置、基板搬送方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
JP6434367B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN107579020B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
JP2010045190A (ja) 加熱システム、塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
TWI427727B (zh) 處理裝置、處理方法、電腦程式產品及記憶媒體
JP6441198B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2017169155A1 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4979412B2 (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
US20060137713A1 (en) Apparatus for cleaning wafer and method of pre-cleaning wafer for gate oxide formation
JP2018148245A (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR20090040781A (ko) 습식세정장치 및 기판처리방법
JP2010050222A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR20240005163A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI699848B (zh) 基板收納方法及基板處理裝置
JP2018157235A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2018152622A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5425719B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5148524B2 (ja) 処理装置
JP5220641B2 (ja) 処理装置、処理方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
JPH09283483A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP2010283402A (ja) 基板処理装置
JP2009238916A (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
KR20090055422A (ko) 습식세정장치 및 기판처리방법