JP3673400B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3673400B2
JP3673400B2 JP16087398A JP16087398A JP3673400B2 JP 3673400 B2 JP3673400 B2 JP 3673400B2 JP 16087398 A JP16087398 A JP 16087398A JP 16087398 A JP16087398 A JP 16087398A JP 3673400 B2 JP3673400 B2 JP 3673400B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate processing
opening
liquid
passage
chemical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP16087398A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11154660A (ja
Inventor
修治 長良
秀彦 尾崎
賢司 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP16087398A priority Critical patent/JP3673400B2/ja
Publication of JPH11154660A publication Critical patent/JPH11154660A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3673400B2 publication Critical patent/JP3673400B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、プラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、プリント基板等の薬液処理された基板の表面をリンス処理する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体ウエハ、プラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、プリント基板等の各種基板の製造プロセスにおいて、基板を薬液に浸漬して表面に種々の処理を施す基板処理装置が汎用されている。このような基板処理装置は、薬液の供給される基板処理槽を有する薬液処理部と、リンス液である純水の供給される基板処理槽を有するリンス処理部とを備えており、基板を薬液の供給された基板処理槽に浸漬して表面に薬液処理を施した後、リンス液の供給された基板処理槽に浸漬する一方、そのリンス液の供給された基板処理槽内にリンス液を供給し続けることにより表面に付着している薬液を洗い流すリンス処理を施すようになっている。
【0003】
また、上記のような薬液とリンス液とが個別に供給される複数の基板処理槽を備えた多槽式の基板処理装置の他に、単槽式の基板処理装置も汎用されている。この単槽式の基板処理装置は、1つの基板処理槽に薬液及びリンス液が順に供給されるように構成されたもので、基板を収納した基板処理槽内に薬液を供給することにより基板の表面に薬液処理を施す一方、薬液処理が終了すると基板処理槽内にリンス液である純水を供給することにより薬液を基板処理槽外に流し出してリンス液と置換した後、さらにリンス液を供給し続けることにより基板の表面に付着している薬液を洗い流すリンス処理を施すようにしたものである。
【0004】
ところで、上記のような基板処理装置では、多槽式であれ単槽式であれ、基板の表面に薬液が残留していると必要以上に薬液処理が進行したり、パーティクルの発生原因となったりするため、リンス処理が十分に行われたかどうかを確認してからリンス処理を終了させる必要がある。このため、基板処理槽から排出されるリンス液の排液経路に、リンス液中の薬液の混入度合を検出する検出手段としての比抵抗測定器の計測部を配設しておき、リンス処理後のリンス液の比抵抗が所定値以上になったときにリンス処理が終了したと判断するようになっている。
【0005】
すなわち、リンス処理が十分に行われていないときにはリンス液中に混入している薬液によりその比抵抗が低くなるが、リンス処理が十分に行われてリンス液中に薬液がほとんど混入しなくなるとその比抵抗が高くなるので、比抵抗が所定値に達した段階でリンス処理が終了したと判断する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のような基板処理装置においては、検出手段である比抵抗測定器の計測部が常に排液経路に配設された状態となっているので、多槽式の場合にはその計測部が薬液の混ざったリンス液に浸漬されることになり、単槽式の場合にはその計測部が薬液及び薬液の混ざったリンス液に浸漬されることになる。そのため、時間の経過と共に計測部を構成している電極等が薬液により腐食されて測定誤差が生じ易くなるという虞があった。
【0007】
従って、本発明は、リンス液中の薬液の混入度合を検出する検出手段の薬液による腐食を可及的に抑制することのできる基板処理装置を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、請求項1に係る基板処理装置は、基板の表面に対し薬液処理すると共に、この薬液処理した基板の表面に対しリンス処理するものであって、薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施すもので、上端にリンス処理後のリンス液を排出する排出孔が形成された基板処理槽と、この基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理時にのみ基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽の排出孔から排出されるリンス液が通過し、かつ検出手段が配設される導入通路を有し、この導入通路は排出孔から排出されるリンス液が排出孔と対向する位置において流れ込む流入口及び検出手段により薬液の混入度合いが検出されたリンス液を外部に流出し、排出孔よりも高い位置で開口する流出口を有する導入手段とを備えたことを特徴としている。
【0009】
上記構成によれば、リンス処理時にのみ、基板処理槽の排出孔から排出されるリンス液が排出孔と対向する位置にある導入手段の流入口から導入通路に流れ込み、この導入通路を通って検出手段に導かれる。この検出手段に導かれ、薬液の混入度合いが検出されたリンス液は、流出口から外部に流出される。このため、薬液処理時には薬液が検出手段にまで流れ込まないことから検出手段が薬液に接触しないことになり、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。また、流出口が排出孔よりも高い位置で開口していることから、基板処理槽内のリンス液の液位が不必要に低下することを阻止することができ、基板の表面に対して確実にリンス処理を施すことができる。
【0010】
また、請求項2に係る基板処理装置は、請求項1に係るものにおいて、導入通路を検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、導入通路が開閉部材により閉じられている場合、開閉部材の上流側で流入口から流れ込んだ薬液又はリンス液を外部に排出するものであり、排出孔よりも高い位置で開口するドレン孔とを備えたことを特徴としている。
【0011】
上記構成によれば、導入通路は検出手段の上流側において開閉部材により開閉される。そして、導入通路が開閉部材により閉じられている場合、流入口から流れ込んだ薬液又はリンス液は、ドレン孔から外部に排出される。このため、リンス処理が開始された後に導入通路を開くようにすることで、薬液処理時には薬液が検出手段にまで流れ込まないことから検出手段が薬液に接触しないことになり、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。また、リンス処理開始時においても、導入通路を開閉部材により閉じておくと、リンス液がドレン孔から外部に流れ出ることで、導入通路内には常に最新のリンス処理後のリンス液が存在することになり、開閉部材が開かれて導入通路が開放された直後においても古いリンス液の薬液の混入度合いを検出するようなことがなくなる。
【0012】
また、請求項3に係る基板処理装置は、請求項1に係るものにおいて、導入手段が、導入通路を有する通路形成部材と、この通路形成部材の導入通路を検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、この開閉部材を駆動し、薬液処理時には導入通路を閉じ、リンス処理時には導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴としている。
【0013】
上記構成によれば、通路形成部材の導入通路が薬液処理時には開閉部材により閉じられ、リンス処理時には開かれる。このため、リンス処理時にのみリンス液が検出手段に導かれ、薬液処理時には検出手段が薬液に接触しないことになり、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。
【0014】
また、請求項4に係る基板処理装置は、請求項3に係るものにおいて、基板処理槽の上部外周に配設され、基板処理槽の上部開口からオーバーフローする薬液又はリンス液を受け入れる排液槽を備え、排出孔は排液槽内に位置する個所に形成されたものであり、通路形成部材は排液槽内の排出孔に対応する位置に取り付けられたものであることを特徴としている。
【0015】
上記構成によれば、基板処理槽の上部開口からオーバーフローする薬液又はリンス液を受け入れる排液槽内に位置する個所に形成された排出孔に対応する位置に通路形成部材が 取り付けられる。このため、リンス処理時において、基板処理槽の排出孔から排出されたリンス液は、通路形成部材の流入口から導入通路に流れ込み、薬液の混入度合いが検出されて流出口から外部に排出される。
【0016】
また、請求項5に係る基板処理装置は、薬液処理された基板の表面をリンス処理する基板処理装置であって、リンス液により基板の表面をリンス処理するもので、上端にリンス処理後のリンス液を排出する排出孔が形成された基板処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽の排出孔から排出されるリンス液が通過し、かつ検出手段が配設される導入通路を有し、この導入通路は排出孔から排出されるリンス液が排出孔と対向する位置において流れ込む流入口及び検出手段により薬液の混入度合いが検出されたリンス液を外部に流出し、排出孔よりも高い位置で開口する流出口を有する導入手段とを備えたことを特徴としている。
【0017】
上記構成によれば、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、基板処理槽の排出孔から排出されるリンス液が排出孔と対向する位置にある導入手段の流入口から導入通路に流れ込み、この導入通路を通って検出手段に導かれる。この検出手段に導かれ、薬液の混入度合いが検出されたリンス液は、流出口から外部に流出される。このため、薬液混入度合いの高いリンス液が検出手段にまで流れ込まないことから検出手段が薬液混入度合の高いリンス液に接触することが防止され、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。また、流出口が排出孔よりも高い位置で開口していることから、基板処理槽内のリンス液の液位が不必要に低下することを阻止することができ、基板の表面に対して確実にリンス処理を施すことができる。
【0018】
また、請求項6に係る基板処理装置は、請求項5に係るものにおいて、導入通路を検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、導入通路が開閉部材により閉じられている場合、開閉部材の上流側で流入口から流れ込んだリンス液を外部に排出するものであり、排出孔よりも高い位置で開口するドレン孔とを備えたことを特徴としている。
【0019】
上記構成によれば、導入通路は検出手段の上流側において開閉部材により開閉される。そして、導入通路が開閉部材により閉じられている場合、流入口から流れ込んだリンス液は、ドレン孔から外部に排出される。このため、導入通路を開閉部材により閉じておくと、リンス液がドレン孔から外部に流れ出ることで、導入通路内には常に最新のリンス処理後のリンス液が存在することになり、開閉部材が開かれて導入通路が開放された直後においても古いリンス液の薬液の混入度合いを検出するようなことがなくなる。
【0020】
また、請求項7に係る基板処理装置は、請求項5に係るものにおいて、導入手段が、導入通路を有する通路形成部材と、通路形成部材の導入通路を検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、開閉部材を駆動して導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴としている。
【0021】
上記構成によれば、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、開閉部材が駆動されて通路形成部材の導入通路が開かれる。このため、薬液混入度合いの高いリンス液が検出手段にまで流れ込まないことから検出手段が薬液混入度合いの高いリンス液に接触することが防止され、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。
【0022】
また、請求項8に係る基板処理装置は、請求項に係るものにおいて、基板処理槽の上部外周に配設され、基板処理槽の上部開口からオーバーフローするリンス液を受け入れる排液槽を備え、排出孔は排液槽内に位置する個所に形成されたものであり、通路形成部材は排液槽内の排出孔に対応する位置に取り付けられたものであることを特徴としている。
【0023】
上記構成によれば、基板処理槽の上部開口からオーバーフローするリンス液を受け入れる排液槽内に位置する個所に形成された排出孔に対応する位置に通路形成部材が取り付けられる。このため、リンス処理時において、基板処理槽の排出孔から排出されたリンス液は、通路形成部材の流入口から導入通路に流れ込み、薬液の混入度合いが検出されて流出口から外部に排出される。
【0024】
また、請求項9に係る基板処理装置は、請求項3、4、7又は8に係るものにおいて、通路形成部材が、導入通路の開閉部材よりも下流側に形成された、流出口よりも小さな口径を有するドレン孔を備えたことを特徴としている。
【0025】
上記構成によれば、通路形成部材の導入通路が開閉部材により閉じられた後、該開閉部材よりも下流側の導入通路内のリンス液がドレン孔を介して通路形成部材の外部に排出されるので、検出手段が不必要にリンス液に浸漬されないようになり、検出手段の腐食が効率的に抑制される。
【0026】
また、請求項10に係る基板処理装置は、請求項3、4、7、8又は9に係るものにおいて、通路形成部材が、流出口から排出されるリンス液が基板処理槽内に流入するのを阻止する衝立板を備えたことを特徴としている。
【0027】
上記構成によれば、通路形成部材の流出口から排出されたリンス液が衝立板に遮られて基板処理槽側に流入するのが阻止され、基板処理槽内のリンス液が一旦外部に排出されたリンス液により汚染されるのが防止される。
【0028】
また、請求項11に係る基板処理装置は、請求項1に係るものにおいて、導入手段が、その一方の端部が基板処理槽に接続され、その他方の端部が検出手段に導かれた導入通路と、導入通路を開閉する開閉部材と、開閉部材を駆動し、薬液処理時には導入通路を閉じ、リンス処理時には導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴としている。
【0029】
上記構成によれば、薬液処理時には導入通路が開閉部材により閉じられ、リンス処理時には開かれる。このため、リンス処理時にのみリンス液が検出手段に導かれ、薬液処理時には検出手段が薬液に接触しないことになり、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。
【0030】
また、請求項12に係る基板処理装置は、請求項5に係るものにおいて、導入手段が、その一方の端部が基板処理槽に接続され、その他方の端部が検出手段に導かれた導入通路と、導入通路を開閉する開閉部材と、開閉部材を駆動し、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴としている。
【0031】
上記構成によれば、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、開閉部材が駆動されて導入通路が開かれる。このため、薬液混入度合いの高いリンス液が検出手段にまで流れ込まないことから検出手段が薬液混入度合の高いリンス液に接触することが防止され、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。
【0032】
また、請求項13に係る基板処理装置は、基板の表面に対し薬液処理すると共に、この薬液処理した基板の表面に対しリンス処理する基板処理装置であって、薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施す基板処理槽と、基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理時にのみ基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽から排出されたリンス液が傾斜板上に流されることでリン ス液を受け入れる排液ボックス及び排液ボックスに受け入れたリンス液を検出手段に導く導入管を有する導入手段とを備えたことを特徴としている。
【0033】
上記構成によれば、リンス処理時にのみ、基板処理槽から排出され、傾斜板上に流されることで排液ボックス内に排出されたリンス液は、導入管を通って検出手段に導かれる。このため、薬液処理時に薬液が検出手段にまで導かれることがないことから検出手段が薬液に接触しないことになり、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。また、リンス液が傾斜板を経由して排液ボックス内に排出されることにより、排液ボックスへの排出時におけるリンス液への気泡の巻き込みが抑制され、リンス液中の気泡の混在による薬液の混入度合いの検出誤差を小さくすることができる。
【0034】
また、請求項14に係る基板処理装置は、請求項13に係るものにおいて、基板処理槽の上部外周に配設され、基板処理槽の上部開口からオーバーフローする薬液又はリンス液を受け入れる排液槽を備え、傾斜板が、排液槽の一部に形成された開放部に傾斜して配設された排出傾斜板であることを特徴としている。
【0035】
上記構成によれば、基板処理槽から排出された薬液又はリンス液は、排液槽の一部に形成された開放部に傾斜して配設された排出傾斜板を経由して排液ボックス内に排出される。これにより、排液ボックスへの排出時におけるリンス液への気泡の巻き込みが抑制され、リンス液中の気泡の混在による薬液の混入度合いの検出誤差を小さくすることができる。
【0036】
また、請求項15に係る基板処理装置は、請求項13に係るものにおいて、傾斜板が、排液ボックス内に傾斜して配設された受入傾斜板であることを特徴としている。
【0037】
上記構成によれば、基板処理槽から排出された薬液又はリンス液は、排液ボックス内に傾斜して配設された受入傾斜板を経由して排液ボックス内に排出される。これにより、排液ボックスへの排出時におけるリンス液への気泡の巻き込みが抑制され、リンス液中の気泡の混在による薬液の混入度合いの検出誤差を小さくすることができる。
【0038】
また、請求項16に係る基板処理装置は、薬液処理された基板の表面をリンス処理する基板処理装置であって、リンス液により基板の表面をリンス処理する基板処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽から排出されたリンス液が傾斜板上に流されることでリンス液を受け入れる排液ボックス及び排液ボックスに受け入れたリンス液を検出手段に導く導入管を有する導入手段とを備えたことを特徴としている。
【0039】
上記構成によれば、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、基板処理槽から排出され、傾斜板上に流されることで排液ボックス内に排出されたリンス液は、導入管を通って検出手段に導かれる。このため、検出手段が薬液混入度合いの高いリンス液に接触することが防止され、検出手段の薬液による腐食を抑制することができる。また、リンス液が傾斜板を経由して排液ボックス内に排出されることにより、排液ボックスへの排出時におけるリンス液への気泡の巻き込みが抑制され、リンス液中の気泡の混在による薬液の混入度合いの検出誤差を小さくすることができる。
【0040】
また、請求項17に係る基板処理装置は、請求項16に係るものにおいて、基板処理槽の上部外周に配設され、基板処理槽の上部開口からオーバーフローするリンス液を受け入れる排液槽を備え、傾斜板が、排液槽の一部に形成された開放部に傾斜して配設された排出傾斜板であることを特徴としている。
【0041】
上記構成によれば、基板処理槽から排出されたリンス液は、排液槽の一部に形成された開放部に傾斜して配設された排出傾斜板を経由して排液ボックス内に排出される。これにより、排液ボックスへの排出時におけるリンス液への気泡の巻き込みが抑制され、リンス液中の気泡の混在による薬液の混入度合いの検出誤差を小さくすることができる。
【0042】
また、請求項18に係る基板処理装置は、請求項16に係るものにおいて、傾斜板が、排液ボックス内に傾斜して配設された受入傾斜板であることを特徴としている。
【0043】
上記構成によれば、基板処理槽から排出されたリンス液は、排液ボックス内に傾斜して配設された受入傾斜板を経由して排液ボックス内に排出される。これにより、排液ボックスへの排出時におけるリンス液への気泡の巻き込みが抑制され、リンス液中の気泡の混在による薬液の混入度合いの検出誤差を小さくすることができる。
【0044】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。この図において、基板処理装置は、薬液中又はリンス液中に半導体ウエハ等の基板Bを浸漬し、基板Bに対して薬液処理又はリンス処理を施す基板処理槽10と、この基板処理槽10内に複数種類の薬液を選択的に供給する薬液供給部12と、基板処理槽10内にリンス液である純水を供給する純水供給部14と、これらの薬液供給部12からの薬液又は純水供給部14からの純水の供給によって基板処理槽10の上部開口からオーバーフローした薬液又は純水を排出する処理液排出部16と、装置全体の動作を制御する制御部18とを備えている。
【0045】
基板処理槽10は、石英ガラス等により側面視略V字状で平面視略矩形状に構成される一方、その内部に基板Bを収容した図略のキャリアが搬送用ロボットにより挟持されて搬入されるようになっており、その底部には薬液と純水の供給路を兼ねた処理液供給管20が連結されている。この処理液供給管20には、導入弁連結管22、スタティックミキサ24及び給排液切替弁26が上流側から下流側に向けて順に配設されている。また、導入弁連結管22には、薬液供給部12からの薬液を導入する薬液導入弁28,30,32,34,36が連結されている。
【0046】
なお、導入弁連結管22は、各薬液導入弁28,30,32,34,36を介して薬液供給部12からの各薬液を個別に導入するものである。また、スタティックミキサ24は、薬液供給部12からの薬液と純水供給部14からの純水を混合して所定濃度の薬液を生成するものである。また、給排液切替弁26は、薬液又は純水を基板処理槽10内に供給するか又は、基板処理槽10内の薬液又は純水を後述する排液管74及び排液ドレン76を介して装置外部に排出するものである。
【0047】
薬液供給部12は、複数種類の薬液QA,QB,QC,QD,QEを貯留する薬液容器38,40,42,44,46と、各薬液導入弁28,30,32,34,36及び各薬液容器38,40,42,44,46の間をそれぞれ連通する薬液供給管48,50,52,54,56と、各薬液供給管48,50,52,54,56をそれぞれ開閉する薬液切替弁481,501,521,541,561と、薬液QA,QB,QC,QD,QEをそれぞれ処理液供給管20側にそれぞれ圧送する圧送ポンプ482,502,522,542,562と、各圧送ポンプ482,502,522,542,562の上流側にそれぞれ配設された薬液供給量測定器483,503,523,543,563と、各圧送ポンプ482,502,522,542,562の下流側にそれぞれ配設された薬液フィルタ484,504,524,544,564とを備えている。
【0048】
純水供給部14は、純水Wを図略の純水供給源から処理液供給管20側に圧送する純水供給管58と、この純水供給管58に上流側から下流側にかけて順に配設された純水加熱部60、純水開閉弁62、圧力調整レギュレータ64、純水圧力測定器66及び純水フィルタ68とを備えている。なお、圧力調整レギュレータ64は、空気圧制御によって純水供給管58内を圧送される純水流量を制御するものである。
【0049】
処理液排出部16は、基板処理槽10の上部外周に配設され、基板処理槽10の上部開口からオーバーフローする薬液又は純水を受け入れる排液槽70と、この排液槽70の底部に形成された排出口72に一端が連結された排液管74と、この排液管74の他端に連結された排液ドレン76とを備えている。これらの排液槽70、排液管74及び排液ドレン76により排液経路が構成される。
【0050】
また、排液槽70内における基板処理槽10の上端外周には、その基板処理槽10の上端に形成された排出孔11に対応する位置に、その排出孔11から排出されたリンス処理後の純水が流れ込む通路部材78がゴムパッキング80を介して取り付けられている。この通路部材78は、耐薬品性に優れた樹脂等で形成され、基板処理槽10内のリンス処理後の純水が内部を流れる直方体形状の通路形成部材781と、この通路形成部材781内の純水の流れを制御するアクチュエータ部782とから構成されており、通路形成部材781には純水中への薬液の混入度合を検出する検出手段である純水の比抵抗を測定する比抵抗測定器82が取り付けられ、アクチュエータ部782にはソレノイド等からなる後述する駆動手段782aが配設されている。
【0051】
図2乃至図5は、通路部材78の構成を説明するための図で、図2は通路部材78の外観斜視図、図3は図2に示す通路部材78の一部を切り欠いて示す要部斜視図、図4は図2に示す通路部材78のA−A線断面図、図5は図2に示す通路部材78のB−B線断面図である。なお、これらの図には、方向を明確にするためのXYZ直角座標系を併せて図示している。
【0052】
すなわち、通路形成部材781には、その内部に、前後方向(X方向)に形成された第1の通路783aと、左右方向(Y方向)に形成された第2の通路783bと、上下方向(Z方向)に形成された第3の通路783cとからなる導入通路783が形成されている。
【0053】
第1の通路783aは、一端が通路形成部材781の前面(+X方向)に開口しており、この開口部分が基板処理槽10の排出11と対向する純水の流入口783dを構成する。なお、通路部材78は、この流入口783dが基板処理槽10の排出孔11に対向するように基板処理槽10に取り付けられる。また、この第1の通路783aには、この第1の通路783aよりも小径のドレン孔783eが通路形成部材781の上面(+Z方向)に通じるように形成されている。
【0054】
また、第2の通路783bは、一端が第1の通路783aの他端に連通される一方、他端が通路形成部材781の左側面(+Y方向)に開口しており、この開口部分が比抵抗測定器82の挿入口783fを構成する。なお、比抵抗測定器82は、この挿入口783fに挿入されて通路部材78に取り付けられ、その先端の計測部821が第2の通路783b内に露出するようになっている。
【0055】
また、第3の通路783cは、一端が第2の通路783bに連通され、他端が上面(+Z方向)に開口しており、この開口部分が純水の流出口783gを構成する。従って、通路部材78の前面の流入口783dから流入されたリンス処理後の純水は第1,第2及び第3の通路783a,783b及び783cからなる導入通路783を通過して上面の流出口783gから流出されることになり、比抵抗測定器82の計測部821はこの導入通路783内を流れる純水の比抵抗を測定する。
【0056】
また、第1の通路783aと第2の通路783bとの接合部分には、アクチュエータ部782内に配設されている駆動手段782aにより通路部材78の軸挿入孔783iに挿入された軸体782bを介して前後方向(X方向)に進退する弁体等からなる開閉部材782cが配設されている。そして、この開閉部材782cが前側(+X方向)に移動したときに第1の通路783aと第2の通路783bとの間が遮断され、流入口783dから流入したリンス処理後の純水が流出口783g側に流れるのが阻止される一方、後側(−X方向)に移動したときに第1の通路783aと第2の通路783bとの間が開放され、流入口783dから流入したリンス処理後の純水が流出口783g側に流れるようになっている。
【0057】
また、通路形成部材781の上面(+Z方向)には、ドレン孔783e及び流出口783gよりも前側(+X方向)の位置に左右方向(Y方向)の両端に亘る衝立板784が上方に突設されており、ドレン孔783e及び流出口783gから外部に流出した純水が衝立板784に遮られることによって基板処理槽10内に流れ込まないようになっている。
【0058】
なお、通路形成部材781と、この通路形成部材781の導入通路783を比抵抗測定器82の計測部821の上流側において開閉する開閉部材782cと、この開閉部材782cを駆動し、薬液処理時には開閉部材782cで導入通路783を閉じ、リンス処理時には開閉部材782cで導入通路783を開く駆動手段782aとで基板処理槽10のリンス液を比抵抗測定器82の計測部821に導く導入手段を構成する。
【0059】
図1に戻り、制御部18は、図示を省略するが、所定の演算処理を行うCPU、所定の処理プログラムが記憶されているROM及び処理データを一時的に記憶するRAMから構成されており、上記所定の処理プログラムに従って基板処理装置の動作を制御する。
【0060】
すなわち、制御部18には、薬液供給量測定器483,503,523,543,563、純水圧力測定器66、及び比抵抗測定器82が接続され、所定の出力信号が入力されるようになっている。また、制御部18には、給排液切替弁26、薬液導入弁28,30,32,34,36、薬液切替弁481,501,521,541,561、圧送ポンプ482,502,522,542,562、純水加熱部60、純水開閉弁62、圧力調整レギュレータ64、及びアクチュエータ782の駆動手段782aが接続され、上記出力信号に基づきそれぞれの動作が制御されるようになっている。
【0061】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。まず、図略のスタートスイッチがONされると、純水開閉弁62が開かれる一方、図略の純水供給源から供給された純水Wが純水加熱部60で所定温度に加熱され、処理液供給管20を介して基板処理槽10内に供給される。このとき、薬液導入弁28,30,32,34,36は閉じられており、純水だけが基板処理槽10内に継続して供給される。そして、基板処理槽10の上部開口からオーバーフローした純水は排液槽70内に排出され、その排出口72から排液管74、排液ドレン76を介して装置外部に排出される。
【0062】
このように、純水が基板処理槽10からオーバーフローするようになると、基板Bが基板処理槽10内に搬入される。その後、基板処理槽10内に給送される1の薬液QA,QB,QC,QD,QEに対応した薬液導入弁28,30,32,34,36が開かれる一方、その1の薬液QA,QB,QC,QD,QEに対応する1の圧送ポンプ482,502,522,542,562が駆動されて所定の薬液(原液)が導入弁連結管22を介してスタティックミキサ24に給送される。このスタティックミキサ24に給送されてきた薬液はスタティックミキサ24内で純水供給部14から給送されてきた純水と混合され、所定濃度の薬液とされた上で基板処理槽10内に供給される。
【0063】
そして、この動作が継続されることで基板処理槽10内の純水が薬液に置換され、これにより基板Bの表面に対して薬液処理が施される。なお、このとき、1の薬液導入弁28,30,32,34,36が開かれていることから薬液処理であると判断され、純水供給源から給送される純水Wは圧力調整レギュレータ64によりリンス処理の場合よりも少ない流量となるように制御されてスタティックミキサ24に給送される。また、この薬液処理であると判断されたときには、通路部材78の開閉部材782cは駆動手段782aにより前側に移動して導入通路783を遮断するようになっており、基板処理槽10内の薬液が導入通路783の開閉部材782cよりも下流側には流れ込まないようになっている。
【0064】
この結果、比抵抗測定器82の計測部821は薬液に浸漬されることがないので、計測部821の電極等の薬液による腐食が抑制される。なお、薬液は排出通路783の開閉部材782cの手前までは流入することになるが、ドレン孔783eを介して通路部材78の外部に排出されることになる。
【0065】
そして、一定時間が経過して基板Bに対する薬液処理が終了すると、開いていた1の薬液導入弁28,30,32,34,36が閉じられ、対応する1の圧送ポンプ482,502,522,542,562の駆動が停止される。なお、このとき、薬液導入弁28,30,32,34,36がすべて閉じられていることからリンス処理であると判断され、純水供給源から給送される純水Wは圧力調整レギュレータ64により薬液処理の場合よりも多い流量となるように制御されて基板処理槽10内に給送される。
【0066】
そして、純水のみが基板処理槽10内に供給されると、基板処理槽10内の薬液が上部開口からオーバーフローして排液槽70内に排出されることにより基板処理槽10内の薬液が純水と置換される。排液槽70内に排出された薬液は、排出口72から排液管74及び排液ドレン76を介して装置外部に排出される。このように、基板処理槽10内が純水で置換されることにより、基板Bの表面に対して薬液を洗い流すリンス処理が施されることになる。
【0067】
このとき、通路部材78の開閉部材782cが駆動手段782aにより後側に移動して導入通路783が開放されるようになっており、基板処理槽10内のリンス処理後の純水が排出11を介して通路部材78の流入口783dから導入通路783内に流れ込んで流出口783gから通路部材78の外部に流出される一方、比抵抗測定器82の計測部821により導入通路783内を流れる純水の比抵抗が継続して測定される。
【0068】
なお、開閉部材782cを移動して導入通路783を開放する動作は、例えば、薬液導入弁28,30,32,34,36がすべて閉じられてから一定時間を経過した後に行われる。また、導入通路783が開閉部材782cにより閉じられているときでも、基板処理槽10内のリンス処理後の純水が流入口783dに流れ込んでドレン孔783eから通路部材78の外部に流れ出る流路が形成され、第1の通路783a内には常に最新のリンス処理後の純水が存在するようになっているので、導入通路783が開放された直後においても古い純水の比抵抗を測定するようなことがなくなり、常に正確な比抵抗を測定することが可能となる。
【0069】
このように、基板Bの表面に対するリンス処理が開始された後に導入通路783の流出口783g側にリンス処理後の純水が流れ込むようになっているので、比抵抗測定器82の計測部821が高濃度の薬液に浸漬されることがなくなり、計測部の電極等の薬液による腐食が抑制される。そして、比抵抗測定器82からの出力が所定値(例えば、18MΩcm)を越えたとき、リンス処理が終了したと判断して純水Wの供給が停止され、基板Bが基板処理槽10から搬出されて次工程へと搬送される。
【0070】
この実施形態に係る基板処理装置は、上記のように通路部材78の導入通路783を通過するリンス処理後の純水中への薬液の混入度合を比抵抗測定器82により検出する一方、導入通路783を比抵抗測定器82の上流側において開閉することにより比抵抗測定器82の計測部821が薬液に浸漬されないようにしているので、比抵抗測定器82の計測部821の薬液による腐食を可及的に抑制することができ、長期に亘って純水の比抵抗を正確に測定することが可能となる。
【0071】
なお、導入通路783を開放するタイミングはリンス処理開始後であればいつでも良いが、経験的にリンス処理が概ね終了する時間を所定時間とし、該所定時間を制御部18に記憶させておき、リンス処理開始後、該所定時間が経過したときに導入通路783を開放させればより好ましい。このようにしてリンス処理が概ね終了する時間まで比抵抗測定器82が薬液の混入した純水に接触することを防止することにより、比抵抗測定器82の計測部821の腐食をより効果的に抑制することができる。
【0072】
また、この実施形態では、通路部材78の流出口783gが通路形成部材781の上面に形成されており、これにより基板処理槽10内の純水の液位を不必要に低下させることがないようになっているが、液位が多少低下してもリンス処理に支障が生じなければ、流出口783gを通路形成部材781の側面や下面に形成することも可能である。
【0073】
また、この実施形態では、通路部材78の第1の通路783aにドレン孔783eを設けて導入通路783が閉じられているときでも第1の通路783a内には常に最新のリンス処理後の純水が存在するようになっているが、導入通路783が開放された直後の測定値を無視するようにすればドレン孔783eをなくすことも可能である。このように、ドレン孔783eをなくし、かつ、流出口783gを側面や下面に形成するようにした場合は、ドレン孔783eや流出口783gから流出した純水が基板処理槽10内に流れ込む虞がなくなるので、衝立板784を除去するようにしてもよい。
【0074】
また、この実施形態では、第2の通路783bにはドレン孔を設けていないが、図6に示すように、第2の通路783bの第3の通路783cに対向する位置に、この第3の通路783cよりも小径のドレン孔783hを通路形成部材781の下面(−Z方向)に通じるように形成するようにしてもよい。このようにした場合は、導入通路783が開閉部材782cにより閉じられた後には、開閉部材782cよりも下流側の導入通路783内の純水がドレン孔783hを介して通路部材78の外部に排出されることになるので、比抵抗測定器82の計測部821が不必要に純水に浸漬されないようになり、計測部821の腐食がさらに抑制されることになる。なお、外気が汚染されている場合等では、ドレン孔783hを形成せずに導入通路783が閉じられた後も計測部821が積極的に純水に浸漬されるようにすることにより計測部821を外気から保護することができる。
【0075】
また、上記実施形態では、通路部材78は基板処理槽10の外周に取り付けられているので、基板処理槽10内から排出される純水に不純物等が混入される虞がなくなって比抵抗測定器82による精度の高い測定が可能となるが、通路部材78を排液槽70の外周に取り付けるようにすることも可能である。この場合には、通路部材78の流出口にそこから流出される純水を所定箇所に排出するための配管を施しておけばよい。
【0076】
また、この実施形態では、基板処理装置として単槽式のものについて説明しているが、薬液処理部およびリンス処理部を有し、薬液処理が施された基板をリンス処理部の基板処理槽内に搬入してリンス処理を行う多槽式の基板処理装置においても該リンス処理部の基板処理槽に上記のような構成を適用することができる。このような構成では、初期状態で開閉部材782cを移動させて第1の通路783aと第2の通路783bとを遮断しておき、薬液処理部で処理された基板がリンス処理部の基板処理槽内に搬入されてから所定時間後、開閉部材を782cを移動させて第1の通路783aと第2の通路783bとを開通させることにより比抵抗測定器82の計測部821に純水を接触させればよい。このときの所定時間はリンス処理開始後であればいつでもよいが、経験的にリンス処理が概ね終了する時間を求めておき、これを所定時間とすればより好ましい。こうすることによって、薬液の混入度合いの比較的高い純水が計測部821に接触することを防止でき、その結果、比抵抗測定器の腐食を抑制することができる。
【0077】
図7は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の要部を示す図である。この第2の実施形態では第1の実施形態に係るものとの相違点を中心に説明し、同一の構成になるものは同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。すなわち、第1の実施形態では、基板処理槽10の純水の比抵抗を測定する比抵抗測定手段が基板処理槽10の上部外周に取り付けられた通路部材78と、通路部材78の導入通路783に計測部821が配設された比抵抗測定器82とで構成されているが、図7に示すものでは、排液槽70から排出される処理液を受け入れる排液ボックス86と、排液ボックス86内に排出された純水を比抵抗測定器82の計測部821側に流し込む導入管87と、制御部18により制御され、導入管87の通路を開閉するエアーバルブ等の開閉手段88と、導入管87の排出口871が装着されると共に、比抵抗測定器82の計測部821が装着される通路ブロック89とから構成されている。なお、開閉手段88は、弁体等の開閉部材と、この開閉部材を駆動する駆動手段とを有している。
【0078】
排液ボックス86は、一端が排液ボックス86の一方の壁面上端に取り付けられ、他端が対向壁面(図中の手前側)に向けて下方向に緩やかに傾斜して配設された受入傾斜板861と、底壁に取り付けられ、内部に排出された処理液を外部に排出する排出管862とを備えている。
【0079】
基板処理槽10の上部外周に配設された排液槽70は、その一部が開放され、その開放部に下方向に傾斜して配設された排出傾斜板701を備えており、基板処理槽10から排液槽70に流れ出た処理液が排出傾斜板701を介して排液ボックス86の受入傾斜板861上に排出されるようになっている。この受入傾斜板861上に排出された処理液は受入傾斜板861上を流れて他端から排液ボックス86の底部に流れ込む。
【0080】
このように、排液槽70の処理液が排出傾斜板701及び受入傾斜板861を経由して排液ボックス86に排出されることにより、排液ボックス86に排出される処理液への気泡の巻き込みが抑制され、純水中の気泡の混在による比抵抗の測定誤差を小さくすることができる。
【0081】
通路ブロック89は、ブロック体891を縦方向に貫通する縦通路892と、縦通路892と交差してブロック体891を横方向に貫通する横通路893とを有しており、比抵抗測定器82の計測部821が横通路893の一方側から挿入されてその先端が縦通路892内に位置するようにされる一方、導入管87の排出口871が横通路893の他方側から挿入されるようになっている。
【0082】
このように構成された比抵抗測定手段を有する基板処理装置では、基板処理槽10から薬液が排出されるときには、開閉手段88により導入管87が閉じられて薬液が比抵抗測定器82の計測部821に流れ込まないようにされる一方、基板処理装置10から純水が排出されるときには、開閉手段88により導入管87が開放されて純水が通路ブロック89の横通路893から内部に流れ込み、比抵抗測定器82の計測部821に導かれる。このとき、計測部821により純水の比抵抗が測定される。比抵抗測定器82の計測部821に達した純水は縦通路892から上下方向に分流されて外部に排出され、排出ドレンに導かれる。
【0083】
この導入管87を開放するタイミングはリンス処理開始後であればいつでも良いが、経験的にリンス処理が概ね終了する時間を所定時間とし、該所定時間を制御部18に記憶させておき、リンス処理開始後、該所定時間が経過したときに導入管87を開放させるようにすればより好ましい。このようにしてリンス処理が概ね終了する時間まで比抵抗測定器82の計測部821が薬液の混入した純水に接触することを防止することにより、計測部821の電極等の腐食をより効果的に抑制することができる。
【0084】
なお、排液ボックス86に排出された処理液は、処理液が純水の場合には一部が導入管87により比抵抗測定器82に導かれる他は大半が排出管862から外部に排出され、排液ドレンに導かれる。また、処理液が薬液の場合はそのすべてが排出管862から外部に排出され、排液ドレンに導かれる。
【0085】
この第2の実施形態に係る基板処理装置は、上記のように排液ボックス86に排出された純水中への薬液の混入度合を比抵抗測定器82により検出する一方、導入管87を比抵抗測定器82の上流側において開閉することにより比抵抗測定器82の計測部821が薬液に浸漬されないようにしているので、比抵抗測定器82の計測部821の薬液による腐食を可及的に抑制することができ、長期に亘って純水の比抵抗を正確に測定することが可能となる。
【0086】
また、この第2の実施形態に係る基板処理装置では、比抵抗測定手段を基板処理槽10と分離して配設しているので、計測部821等で解離した金属イオン等の影響を受けることなく基板処理槽10において基板を処理することができる。また、比抵抗測定器82を基板処理槽10から離反して配設しているので、比抵抗測定器82の交換等のメンテナンス作業が容易となる。
【0087】
なお、この実施形態では、排出傾斜板701及び受入傾斜板861を設けることにより、排液ボックス86に排出される処理液への気泡の巻き込みを抑制するようにしているが、必ずしも排出傾斜板701及び受入傾斜板861の両方を設ける必要はなく、いずれか一方が設けられておれば気泡の巻き込みを効果的に抑制することができる。
【0088】
また、排液槽70の一部を開放せずに、排液槽70の底部に取り付けた配管(排出手段)を介して排液槽70に排出された処理液を排液ボックス86に流し込むようにしてもよい。この場合、排液槽70の配管から排液ボックス86の受入傾斜板861に流し込むようにしてもよいし、受入傾斜板861を除去して排液ボックス86の底部等に直接流し込むようにしてもよい。また、この実施形態に係る比抵抗測定手段は、第1の実施形態の場合と同様に単槽式に限らず多槽式のものにも適用できることはいうまでもない。
【0089】
この実施形態では、排液槽70の処理液を排液ボックス86内に排出する排出傾斜板701や配管等の排出手段と、排液ボックス86と通路ブロック89間に接続された導入管87と、この導入管87の通路を比抵抗測定器82の計測部821の上流側において開閉する開閉手段88とで基板処理槽10の純水を比抵抗測定器82の計測部821に導く導入手段を構成する。また、排液槽70の処理液を排液ボックス86内に排出する排出傾斜板701や配管等の排出手段と、排液ボックス86と通路ブロック89間に接続された導入管87と、通路ブロック89とは、基板処理槽10から排出された純水を計測部821に導くための導入通路を構成する。
【0090】
図8は、本発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の要部を示す図である。この第3の実施形態では、第1の実施形態に係るものとの相違点を中心に説明し、第1の実施形態と同一の構成になるものは同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。すなわち、この実施形態では、基板処理槽10の排液槽70の下方に位置する中間部に排出11を形成し、この排出11に比抵抗測定器82の取り付けられた第1の実施形態と同様の構成になる通路部材78をゴムパッキング80を介して取り付けたものである。
【0091】
このように構成された比抵抗測定手段を有する基板処理装置では、第1の実施形態に係るものと同様に、基板処理槽10から薬液が排出されるときには、開閉部材782cにより導入通路783が閉じられて薬液が比抵抗測定器82の計測部821に流れ込まないようにされる一方、基板処理装置10から純水が排出されるときには、開閉部材782cにより導入通路783が開放されて純水が導入通路783内に流れ込み、比抵抗測定器82の計測部821に導かれる。このとき、計測部821により純水の比抵抗が測定される。比抵抗測定器82の計測部821に達した純水は流出口783gから外部に排出され、排出ドレンに導かれる。
【0092】
この実施形態では、通路形成部材781に形成され、一方の端部が基板処理槽10に接続されると共に、他方の端部が比抵抗測定器82の計測部821に導かれる導入通路781と、この導入通路783を比抵抗測定器82の計測部821の上流側において開閉する開閉部材782cと、この開閉部材782cを駆動し、薬液処理時には開閉部材782cで導入通路783を閉じ、リンス処理時には開閉部材782cで導入通路783を開く駆動手段782aとで基板処理槽10の純水を比抵抗測定器82の計測部821に導く導入手段を構成する。
【0093】
この第3の実施形態に係る基板処理装置は、通路部材78の導入通路783を通過するリンス処理後の純水中への薬液の混入度合を比抵抗測定器82により検出する一方、導入通路783を比抵抗測定器82の上流側において開閉することにより比抵抗測定器82の計測部821が薬液に浸漬されないようにしているので、比抵抗測定器82の計測部821の薬液による腐食を可及的に抑制することができ、長期に亘って純水の比抵抗を正確に測定することが可能となる。
【0094】
なお、導入通路783を開放するタイミングはリンス処理開始後であればいつでも良いが、経験的にリンス処理が概ね終了する時間を所定時間とし、該所定時間を制御部18に記憶させておき、リンス処理開始後、該所定時間が経過したときに導入通路783を開放させればより好ましい。このようにしてリンス処理が概ね終了する時間まで比抵抗測定器82が薬液の混入した純水に接触することを防止することにより、比抵抗測定器82の計測部821の腐食をより効果的に抑制することができる。また、この実施形態に係る比抵抗測定手段は、第1の実施形態の場合と同様に単槽式に限らず多槽式のものにも適用できることはいうまでもない。
【0095】
この実施形態では、通路部材78は基板処理槽10の中間部に設けているので、通路部材78から排出された純水が基板処理槽10に還流する虞はないので、衝立板784は不要となる。
【0096】
図9は、本発明の第4の実施形態に係る基板処理装置の要部を示す図である。この第4の実施形態では、第1の実施形態に係るものとの相違点を中心に説明し、第1の実施形態と同一の構成になるものは同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。すなわち、この実施形態では、比抵抗測定手段が、基板処理槽10の排液槽70の下方に位置する中間部に形成された排出11の周囲にゴムパッキング等を介して取り付けられた排液受部90と、排液受部90内に排出される純水を比抵抗測定器82の計測部821に流し込む導入管91と、制御部18により制御され、排液受部90内において排出11を開閉する弁体等の開閉部材92と、開閉部材92を開閉駆動するエアシリンダ等の駆動手段93と、導入管91の流出口91が装着されると共に、比抵抗測定器82の計測部821が装着される通路ブロック94とから構成されている。なお、この実施形態では、排液受部90は導入管91の一部を構成するものであり、開閉部材92は導入管91の通路を開閉するものとなる。
【0097】
通路ブロック94は、ブロック体941を縦方向に貫通する縦通路942と、縦通路942と交差してブロック体941を横方向に貫通する横通路943とを有しており、比抵抗測定器82の計測部821が横通路943の一方側から挿入されてその先端が縦通路942内に位置するようにされる一方、導入管91の排出口911が横通路943の他方側から挿入されるようになっている。
【0098】
このように構成された比抵抗測定手段を有する基板処理装置では、基板処理槽10の排出11から薬液が排出されるときには、開閉部材92により排出11が閉じられて薬液が比抵抗測定器82の計測部821に流れ込まないようにされる一方、純水が排出されるときには、開閉部材92により排出11が開放されて純水が導入管91を介して通路ブロック94の横通路943から内部に流れ込み、比抵抗測定器82の計測部821に導かれる。このとき、計測部821により純水の比抵抗が測定される。比抵抗測定器82の計測部821に達した純水は縦通路942から上下方向に分流されて外部に排出され、排出ドレンに導かれる。
【0099】
この排出11を開放するタイミングはリンス処理開始後であればいつでも良いが、経験的にリンス処理が概ね終了する時間を所定時間とし、該所定時間を制御部18に記憶させておき、リンス処理開始後、該所定時間が経過したときに排出11を開放させるようにすればより好ましい。このようにしてリンス処理が概ね終了する時間まで比抵抗測定器82の計測部821が薬液の混入した純水に接触することを防止することにより、計測部821の電極等の腐食をより効果的に抑制することができる。この実施形態に係る比抵抗測定手段は、第1の実施形態の場合と同様に単槽式に限らず多槽式のものにも適用できることはいうまでもない。
【0100】
この実施形態では、一方の端部が基板処理槽10に接続されると共に、他方の端部が比抵抗測定器82の計測部821に導かれる排液受部90を含む導入管91と、この導入管91を比抵抗測定器82の計測部821の上流側において開閉する開閉部材92と、この開閉部材92を駆動し、薬液処理時には開閉部材92で導入管91を閉じ、リンス処理時には開閉部材92で導入管91を開く駆動手段93とで基板処理槽10の純水を比抵抗測定器82の計測部821に導く導入手段を構成する。
【0101】
この第4の実施形態に係る基板処理装置は、導入管91の通路を通過するリンス処理後の純水中への薬液の混入度合を比抵抗測定器82により検出する一方、導入管91の通路を比抵抗測定器82の上流側において開閉することにより比抵抗測定器82の計測部821が薬液に浸漬されないようにしているので、比抵抗測定器82の計測部821の薬液による腐食を可及的に抑制することができ、長期に亘って純水の比抵抗を正確に測定することが可能となる。
【0102】
なお、この実施形態において、排液受部90を設けずに導入管91を直接排出11に取り付け、導入管91の中間部に導入管91の通路を開閉するエアバルブ等の開閉手段を取り付けて構成することも可能である。この開閉手段は、弁体等の開閉部材と、この開閉部材を駆動する駆動手段とを有するものである。
【0103】
また、いずれの実施形態ともにリンス液は純水に限るものではなく、純水中にオゾンを含むようにしたもの等であってもよい。さらには、リンス液中への薬液の混入度合を検出する検出手段として比抵抗測定器を使用しているが、比抵抗以外の物性を測定する他の測定器を使用することも可能である。
【0104】
また、いずれの実施形態ともに計測部821の電極等の材料として、使用されるすべての薬液に対して耐蝕性を有するもの(例えば、白金やカーボン等)を用いるようにすると、電極等の劣化による誤動作や基板処理槽10の処理液への不純物の溶出を防止することが可能となる。
【0105】
【発明の効果】
以上のように請求項1乃至4及び11の発明によれば、薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施すもので、上端にリンス処理後のリンス液を排出する排出孔が形成された基板処理槽と、基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理時にのみ基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽の排出孔から排出されるリンス液が通過し、かつ検出手段が配設される導入通路を有し、この導入通路は排出孔から排出されるリンス液が排出孔と対向する位置において流れ込む流入口及び検出手段により薬液の混入度合いが検出されたリンス液を外部に流出し、排出孔よりも高い位置で開口する流出口を有する導入手段とを備えているので、検出手段の薬液による腐食を可及的に抑制することができる。
【0106】
また、請求項5乃至8及び12の発明によれば、リンス液により基板の表面リンス処理するもので、上端にリンス処理後のリンス液を排出する排出孔が形成された基板処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽の排出孔から排出されるリンス液が通過し、かつ検出手段が配設される導入通路を有し、この導入通路は排出孔から排出されるリンス液が排出孔と対向する位置において流れ込む流入口及び検出手段により薬液の混入度合いが検出されたリンス液を外部に流出し、排出孔よりも高い位置で開口する流出口を有する導入手段とを備えているので、検出手段の薬液による腐食を可及的に抑制することができる。
【0107】
また、請求項の発明によれば、通路形成部材が、導入通路の開閉部材よりも下流側に流出口よりも小さな口径を有するドレン孔を備えているので、導入通路が開閉部材により閉じられた後に検出手段が不必要にリンス液に浸漬されないようになる結果、検出手段の腐食を効率的に抑制することができる。
【0108】
また、請求項10の発明によれば、通路形成部材が、流出口から排出されるリンス液が基板処理槽内に流入するのを阻止する衝立板を備えているので、通路形成部材の流出口から排出されたリンス液が衝立板に遮られて基板処理槽側に流入するのが阻止され、基板処理槽内のリンス液が一旦外部に排出されたリンス液により汚染されるのを防止することができる。
【0109】
また、請求項13乃至15の発明によれば、薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施す基板処理槽と、基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理時にのみ基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽から排出されたリンス液が傾斜板上に流されることでリンス液を受け入れる排液ボックス及び排液ボックスに受け入れたリンス液を検出手段に導く導入管を有する導入手段 とを備えているので、検出手段の薬液による腐食を可及的に抑制することができる。
【0110】
また、請求項16乃至18の発明によれば、リンス液により基板の表面をリンス処理する基板処理槽と、基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、基板処理槽のリンス液を検出手段に導くもので、基板処理槽から排出されたリンス液が傾斜板上に流されることでリンス液を受け入れる排液ボックス及び排液ボックスに受け入れたリンス液を検出手段に導く導入管を有する導入手段とを備えているので、検出手段の薬液による腐食を可及的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図2】 図1に示す基板処理装置の基板処理槽に適用される通路部材の外観斜視図である。
【図3】 図2に示す通路部材の一部を切り欠いて示す要部斜視図である。
【図4】 図2に示す通路部材のA−A線断面図である。
【図5】 図2に示す通路部材のB−B線断面図である。
【図6】 図2に示す通路部材の別の構成例を示す図で、図4に対応する断面図である。
【図7】 本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の要部を示す図である。
【図8】 本発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の要部を示す図である。
【図9】 本発明の第4の実施形態に係る基板処理装置の要部を示す図である。
【符号の説明】
10 基板処理槽
12 薬液供給部(液供給手段)
14 純水供給部(液供給手段)
16 処理液排出部
18 制御部
78 通路部材
82 比抵抗測定器
86 排液ボックス
87,91 導入管
88 開閉手段
89,94 通路ブロック
90 排液受部
92 開閉部材
93 駆動手段
781 ブロック部(通路形成部)
782 アクチュエータ部
783 導入通路
784 衝立板
821 計測部
782a 駆動手段
782c 開閉部材
783d 流入口
783g 流出口
783h ドレン孔
B 基板
W 純水

Claims (18)

  1. 基板の表面に対し薬液処理すると共に、この薬液処理した基板の表面に対しリンス処理する基板処理装置であって、
    薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施すもので、上端にリンス処理後のリンス液を排出する排出孔が形成された基板処理槽と、
    前記基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、
    前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、
    リンス処理時にのみ前記基板処理槽のリンス液を前記検出手段に導くもので、前記基板処理槽の前記排出孔から排出されるリンス液が通過し、かつ前記検出手段が配設される導入通路を有し、該導入通路は前記排出孔から排出されるリンス液が前記排出孔と対向する位置において流れ込む流入口及び前記検出手段により薬液の混入度合いが検出されたリンス液を外部に流出し、前記排出孔よりも高い位置で開口する流出口を有する導入手段と、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記導入通路を前記検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、前記導入通路が前記開閉部材により閉じられている場合、該開閉部材の上流側で前記流入口から流れ込んだ薬液又はリンス液を外部に排出するものであり、前記排出孔よりも高い位置で開口するドレン孔とを備えたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記導入手段は、前記導入通路を有する通路形成部材と、該通路形成部材の導入通路を前記検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、該開閉部材を駆動し、薬液処理時には前記導入通路を閉じ、リンス処理時には前記導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  4. 前記基板処理槽の上部外周に配設され、該基板処理槽の上部開口からオーバーフローする薬液又はリンス液を受け入れる排液槽を備え、前記排出孔は前記排液槽内に位置する個所に形成されたものであり、前記通路形成部材は前記排液槽内の前記排出孔に対応する位置に取り付けられたものであることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
  5. 薬液処理された基板の表面をリンス処理する基板処理装置であって、
    リンス液により基板の表面リンス処理するもので、上端にリンス処理後のリンス液を排出する排出孔が形成された基板処理槽と、
    前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、
    リンス処理開始後、所定時間が経過した後、前記基板処理槽のリンス液を前記検出手段に導くもので、前記基板処理槽の前記排出孔から排出されるリンス液が通過し、かつ前記検出手段が配設される導入通路を有し、該導入通路は前記排出孔から排出されるリンス液が前記排出孔と対向する位置において流れ込む流入口及び前記検出手段により薬液の混入度合いが検出されたリンス液を外部に流出し、前記排出孔よりも高い位置で開口する流出口を有する導入手段と、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  6. 前記導入通路を前記検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、前記導入通路が前記開閉部材により閉じられている場合、該開閉部材の上流側で前記流入口から流れ込んだリンス液を外部に排出するものであり、前記排出孔よりも高い位置で開口するドレン孔とを備えたことを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
  7. 前記導入手段は、前記導入通路を有する通路形成部材と、該通路形成部材の導入通路を前記検出手段の上流側において開閉する開閉部材と、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、前記開閉部材を駆動して前記導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
  8. 前記基板処理槽の上部外周に配設され、該基板処理槽の上部開口からオーバーフローするリンス液を受け入れる排液槽を備え、前記排出孔は前記排液槽内に位置する個所に形成されたものであり、前記通路形成部材は前記排液槽内の前記排出孔に対 応する位置に取り付けられたものであることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
  9. 前記通路形成部材は、前記導入通路の前記開閉部材よりも下流側に形成された、前記流出口よりも小さな口径を有するドレン孔を備えたことを特徴とする請求項3、4、7又は8記載の基板処理装置。
  10. 前記通路形成部材は、前記流出口から排出されるリンス液が前記基板処理槽内に流入するのを阻止する衝立板を備えたことを特徴とする請求項3、4、7、8又は9記載の基板処理装置。
  11. 前記導入手段は、その一方の端部が前記基板処理槽に接続され、その他方の端部が前記検出手段に導かれた導入通路と、該導入通路を開閉する開閉部材と、前記開閉部材を駆動し、薬液処理時には前記導入通路を閉じ、リンス処理時には前記導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  12. 前記導入手段は、その一方の端部が前記基板処理槽に接続され、その他方の端部が前記検出手段に導かれた導入通路と、該導入通路を開閉する開閉部材と、開閉部材を駆動し、リンス処理開始後、所定時間が経過した後、前記導入通路を開く駆動手段とを備えたことを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
  13. 基板の表面に対し薬液処理すると共に、この薬液処理した基板の表面に対しリンス処理する基板処理装置であって、
    薬液又は薬液を洗い流すリンス液を順次貯留して基板に薬液処理又はリンス処理を施す基板処理槽と、
    前記基板処理槽に薬液又はリンス液を順次供給する液供給手段と、
    前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、
    リンス処理時にのみ前記基板処理槽のリンス液を前記検出手段に導くもので、前記基板処理槽から排出されたリンス液が傾斜板上に流されることで該リンス液を受け入れる排液ボックス及び該排液ボックスに受け入れたリンス液を前記検出手段に導く導入管を有する導入手段と、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  14. 前記基板処理槽の上部外周に配設され、該基板処理槽の上部開口からオーバーフローする薬液又はリンス液を受け入れる排液槽を備え、前記傾斜板は、前記排液槽の一部に形成された開放部に傾斜して配設された排出傾斜板であることを特徴とする請求項13記載の基板処理装置。
  15. 前記傾斜板は、前記排液ボックス内に傾斜して配設された受入傾斜板であることを特徴とする請求項13記載の基板処理装置。
  16. 薬液処理された基板の表面をリンス処理する基板処理装置であって、
    リンス液により基板の表面をリンス処理する基板処理槽と、
    前記基板処理槽のリンス液中への薬液の混入度合いを検出する検出手段と、
    リンス処理開始後、所定時間が経過した後、前記基板処理槽のリンス液を前記検出手段に導くもので、前記基板処理槽から排出されたリンス液が傾斜板上に流されることで該リンス液を受け入れる排液ボックス及び該排液ボックスに受け入れたリンス液を前記検出手段に導く導入管を有する導入手段と、
    を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  17. 前記基板処理槽の上部外周に配設され、該基板処理槽の上部開口からオーバーフローするリンス液を受け入れる排液槽を備え、前記傾斜板は、前記排液槽の一部に形成された開放部に傾斜して配設された排出傾斜板であることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
  18. 前記傾斜板は、前記排液ボックス内に傾斜して配設された受入傾斜板であることを特徴とする請求項16記載の基板処理装置。
JP16087398A 1997-09-17 1998-06-09 基板処理装置 Expired - Fee Related JP3673400B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16087398A JP3673400B2 (ja) 1997-09-17 1998-06-09 基板処理装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-252246 1997-09-17
JP25224697 1997-09-17
JP16087398A JP3673400B2 (ja) 1997-09-17 1998-06-09 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11154660A JPH11154660A (ja) 1999-06-08
JP3673400B2 true JP3673400B2 (ja) 2005-07-20

Family

ID=26487219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16087398A Expired - Fee Related JP3673400B2 (ja) 1997-09-17 1998-06-09 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3673400B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7253895B2 (ja) * 2018-10-31 2023-04-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11154660A (ja) 1999-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100904452B1 (ko) 오존수혼합액 공급장치 및 방법, 그리고 이를 구비하는기판 처리 설비
KR100556626B1 (ko) 기판 처리방법 및 기판 처리장치
JPH06252122A (ja) 処理装置
JP2004363292A (ja) 液供給装置および基板処理装置
TWI390623B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20080011910A (ko) 약액 혼합 장치 및 방법
JP3673400B2 (ja) 基板処理装置
KR100904461B1 (ko) 혼합액 공급장치, 그리고 이를 구비하는 오존수혼합액을사용하여 기판을 처리하는 설비
JP2008159977A (ja) 基板処理装置
JP3773390B2 (ja) 基板処理装置
JP3519603B2 (ja) 基板処理装置
KR100801656B1 (ko) 처리액 공급 방법
KR100794585B1 (ko) 습식 세정 장치 및 방법
KR100933126B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101043715B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH07181130A (ja) 濁色度計の洗浄装置
JP2003086561A (ja) 基板処理装置
JP3035451B2 (ja) 基板の表面処理装置
JPH11300190A (ja) 半導体製造用薬液調合装置
JP3671115B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
KR200234232Y1 (ko) 웨이퍼세정장치
JP4204238B2 (ja) 基板処理装置
JPH10303163A (ja) 基板処理装置
JP3695917B2 (ja) 基板処理装置
KR100489652B1 (ko) 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040413

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050419

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees