JPH09219386A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH09219386A JPH09219386A JP4538096A JP4538096A JPH09219386A JP H09219386 A JPH09219386 A JP H09219386A JP 4538096 A JP4538096 A JP 4538096A JP 4538096 A JP4538096 A JP 4538096A JP H09219386 A JPH09219386 A JP H09219386A
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Abstract
や排液系でのクロスコンタミネーションを防止すると共
に、薬液の循環使用を容易にする。 【解決手段】 供給管48を介して調合タンク43にあ
る1種類の薬液のみを処理槽31に供給してウエハWを
処理する。処理後の薬液は調合タンク43に戻されて循
環路Rのフィルタ47で清浄化される。その間純水供給
源49から供給された純水でウエハWは処理槽31内で
水洗洗浄される。1つの処理槽31で薬液処理と水洗処
理とが行え、しかも1種類の薬液のみが供給されるの
で、処理槽31内や排液経路Eでクロスコンタミネーシ
ョンが発生しない。
Description
のである。
半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)表面のパーテ
ィクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーショ
ンを除去するために洗浄装置が使用されており、その中
でもウエハを処理槽内の薬液に浸漬して洗浄を行うウェ
ット型の洗浄装置は、ウエハに付着したパーティクルを
効果的に除去できる長所がある。
バッチ処理を可能とするため、例えば25枚のウエハを
キャリア単位で装置内にロードするローダと、このロー
ダによってロードされたキャリア2個分のウエハ、例え
ば50枚ずつを搬送する搬送装置と、この搬送装置によ
って搬送されるウエハを一括して洗浄するように配列さ
れたユニットとしての洗浄装置を複数備え、さらに各洗
浄装置の処理槽によって洗浄されたウエハをアンロード
するアンローダとを備えた、ウェットステーションと呼
ばれる洗浄システムに組み込まれて多く使用されてい
る。
洗浄プロセスは、アンモニア処理、フッ酸処理、硫酸処
理、塩酸処理などの各種薬液処理と、純水などによる水
洗処理とが交互に行われるようになっているが、前記ウ
ェットステーションに組み込まれた従来の洗浄装置は、
その処理槽において1種類の薬液による薬液処理のみを
行うように構成されていた。
薬液処理のみを行うように構成された洗浄装置では、種
類の異なった薬液を用いたシリアル処理を行うウェット
ステーションに組み込んだ場合、薬液槽と水洗槽とを交
互に設ける必要があり、その結果、極めて大きい装置ス
ペースを必要とする。
(複数)の薬液と洗浄水とを1つの処理槽内に交互に供
給し、排出する構成をもった、いわゆる一槽多薬液型の
ワンバス(One-Bath)・タイプの洗浄装置が提案されて
いる。
多薬液型のワンバス・タイプの洗浄装置では、次のよう
な問題が生ずる。まず処理槽や処理槽内に設けられたウ
エハ保持具に滲み込んだ薬液を水洗によって完全に除去
するのは困難であるため、1番目の薬液処理と2番目の
薬液処理との間に洗浄水による水洗プロセスを入れて
も、1番目の薬液と2番目の薬液とが反応して塩などの
クロスコンタミネーションが発生し、ウエハを汚染する
おそれがある。また槽内の液体を排出する排液経路に
も、残留薬液によって同様な問題が生ずる。後者の問題
を解消する目的で排液経路を薬液毎に独立させるのは、
装置が極めて複雑化、肥大化してしまうので実際上は不
可能である。
ンに組み込まれている1種類の薬液処理のみを専用に行
うように構成された洗浄装置では、使用した薬液を循環
させて適宜濾過することにより、薬液の清浄度の維持と
再使用が図れたが、前記一槽多薬液型では、フィルタや
ポンプ等を有する循環濾過ラインに多量の薬液が残留す
るために、クロスコンタミネーションが発生し、循環濾
過ができなかった。そのため前記したような循環機構を
用いた再使用ができず、多量の薬液使用によるランニン
グコストの高騰を招いてしまっていた。しかも薬液の供
給→洗浄→薬液の排出→洗浄水の供給→洗浄水の排出
を、異なった薬液を使用する度に連続して繰り返さなけ
ればならないため、スループットが極めて低いものとな
らざるを得なかった。
であり、1つの処理槽で1種類の薬液処理と、その後の
洗浄水による水洗処理とが行える洗浄装置を提供して前
記問題の解決を図ることをその目的とする。さらに本発
明では、工場内で設置されている排液ラインの効率のよ
い運用を可能とし、またワンバス・タイプの洗浄装置で
問題となっていた比抵抗計の腐食を防止することも目的
とする。
め、請求項1によれば、被処理基板を処理槽内で薬液に
浸漬して当該被処理基板を処理する如く構成された装置
において、1種類の薬液を前記処理槽に供給する供給経
路と、当該薬液洗浄後の水洗洗浄に供する洗浄水を前記
処理槽に供給する供給経路と、前記処理槽内の液体を排
液ラインへと排出する排液経路とを備えたことを特徴と
する、洗浄装置が提供される。
薬液+水洗型のワンバス・タイプとして構成されてお
り、1種類の薬液のみによる薬液処理の後は洗浄水によ
る水洗処理のみを行うので、既述した異なった薬液使用
に起因する塩などのクロスコンタミネーションの問題は
起こらず、もちろん排液経路においてもクロスコンタミ
ネーションが発生することはない。また1種類の薬液だ
けを使用するので、薬液を循環濾過させて清浄度の維持
と再使用を図ることも可能である。もちろん水洗洗浄処
理も可能であるから、同一処理槽で薬液処理と、水洗処
理とを連続して行うことが可能である。
のみならず、例えばアンモニア(NH4OH)+過酸化
水素水(H2O2)+純水(H2O)の混合液など、複数
の異なった薬液を混合した混合薬液を含む概念である。
また排液ラインとは、公害等に鑑みて他の下水とは区別
されて排液される例えば工場等で設けられている排液専
用の管路等を指称する。
したように、排液経路に薬液の濃度を検出する濃度セン
サを設けると共に、この濃度センサからの信号に基づい
て下流側の排液経路を、濃厚系排液ライン又は希薄系排
液ラインに切り換える制御装置とを備えた装置構成とし
てもよい。濃度センサとしては、例えばpH計やフッ酸
濃度検出計や、比抵抗計、導電率計等が挙げられる。ま
た濃厚系排液ラインとは、前記排液ラインのうちで、相
対的に高い濃度の排液を流すものをいい、希薄系排液ラ
インとは、相対的に低い濃度の排液を流すものをいう。
このように排液ラインを2つに分けるのは、排液の濃度
によって事後処理の内容、程度を分けることで、排液ラ
インの設備機器の効率的運用を図って、コストを低減さ
せるためである(一般的に濃厚系排液ラインを通しての
排液は希薄系排液ラインよりも排液コストが高くな
る)。
ンサからの信号、例えば予め定めた濃度のしきい値に基
づいて下流側の排液経路を、制御装置によって濃厚系排
液ライン又は希薄系排液ラインに切り換えることができ
るので、排液に伴うコストを低減させ、希薄系排液ライ
ンに濃度の高い排液が流入することを防止することがで
きる。
洗浄装置において、処理槽と排液ラインとを結ぶ流路
(排液経路であってもよい)に、比抵抗計と、この流路
を開閉するバルブを備え、このバルブの上流側にドレン
抜き用の排出口が設けられたことを特徴としている。
排出口からのドレンを前記処理槽のオーバーフロー分を
受容する外槽に排出するように構成してもよい。この外
槽は、通常処理槽の周囲に位置する槽であり、処理槽の
上端やその近傍から出たオーバーフロー分を受容して、
排液系に流したり、循環系に流したりすることを主たる
目的とするものである。なお本願において処理槽と排液
経路とを結ぶ流路は、直接処理槽と接続される流路だけ
ではなく、前記の外槽を経由して結ぶ流路も含むもので
ある。即ち外槽からの流路であってもよい。
純水中の比抵抗を測定して水洗終了の判断の基準とする
ために用いられているが、薬液や薬液濃度の高い水に触
れると、腐食するおそれがある。そのため、従来はバル
ブを上流側に介装していたが、バルブを開放した際に流
路内の残留薬液が比抵抗計に一時的に流れるおそれがあ
るため、誤計測があったり、腐食防止が完全ではなかっ
た。
にドレン抜き用の排出口を設けているため、残留薬液を
事前に排出することが可能である。そして請求項3の場
合には、排出口の下方に適宜ドレンパンを設置して、排
出口からの残留薬液を受容するようにすればよい。一方
請求項4の場合には、当該排出口からのドレンが、処理
槽のオーバーフロー分を受容する外槽に流入するので、
そのようなドレンパンや別途専用の排液経路を設ける必
要はない。
洗浄装置において、処理槽と排液経路とを結ぶ流路に、
比抵抗計、及びこの流路を開閉するバルブを備え、この
バルブの上流側にドレン弁を設けたことを特徴としてい
る。
2の洗浄装置において、処理槽と排液経路とを結ぶ流路
に、比抵抗計、及びこの流路を開閉するバルブを備え、
このバルブをドレン抜き機能を備えた集積バルブ(例え
ば三方弁)としたことを特徴としている。
も、比抵抗計の上流側の残留薬液を事前に排出すること
が可能であり、比抵抗計の腐食防止効果を高め、誤計測
を防止することができる。
洗浄装置において、処理槽と排液経路とを結ぶ流路に、
比抵抗計、及びこの比抵抗計を迂回する迂回経路を備
え、前記流路において、前記比抵抗計を経由する通路
と、前記比抵抗計を経由しない通路とが切り換え自在で
あることを特徴としている。
比抵抗計と接触することが好ましくない状態の液体(例
えば薬液濃度が高い液体)が流路を流れる場合には当該
液体を迂回経路に流すことができ、比抵抗計が腐食する
ことを防止することができる。この場合、迂回経路を流
れる液体をそのまま濃厚系排液ラインに流すようにして
もよい。
項7の洗浄装置において、流路を流れる薬液濃度に基づ
いて迂回経路との切り換えを行うようになっているの
で、切り換えの基準として極めて適切であり、効率のよ
い切り換え操作に基づく比抵抗計の腐食防止を図ること
ができる。
7の洗浄装置において、時間に基づいて迂回経路との切
り換えを行うようになっているので、例えば所定時間経
過後切り換えることで、濃度の検出を不要とすることが
できる。例えば処理槽内の薬液中に洗浄水を連続して供
給して薬液を洗浄水に置換する場合には、予め時間と濃
度変化の関係を調べておくことにより、所定時間経過後
に比抵抗計側に切り換えることで、濃度検出を不要とし
た切り換え操作に基づく比抵抗計の腐食防止を図ること
ができる。
て説明すると、本実施形態はキャリア単位でのウエハの
搬入、洗浄、乾燥、キャリア単位での搬出までを一貫し
て行うように構成されたを洗浄システムにおける洗浄装
置として構成されたものであり、図1はかかる洗浄シス
テム1の概観を示しており、図2はこの洗浄システム1
の平面からみた構成の概略を示している。
キャリア単位で搬入して洗浄に付するまでの動作を行う
搬入・ロード部2と、この搬入・ロード部2からロード
されたウエハを洗浄、乾燥する洗浄処理部3と、この洗
浄処理部3で洗浄、乾燥されたウエハをキャリア単位で
搬出するための搬出・アンロード部4の、3つシステム
構成に大別することができる。
例えば25枚収納されたキャリアCを搬入して載置させ
る搬入部5と、この搬入部5の所定位置に送られたキャ
リアCを、隣接するローダ6へ、一度に適宜数(例えば
2個)ずつ移送するための移送装置7が設けられてい
る。
ける手前側)に、2つの搬送装置11、12が配列され
ており、これら各搬送装置11、12は、それぞれ所定
の距離分、洗浄システム1の長手方向に沿ってスライド
自在である。各搬送装置11、12には、それぞれ対応
するウエハチャック13、14が装備されており、例え
ば搬送装置11についていうと、この搬送装置11のウ
エハチャック13は、ローダ6に整列されたキャリアC
の2つ分のウエハ(例えば50枚)を一括して保持する
ことができ、その状態で搬送装置11が移動すること
で、洗浄処理部3に配列されている所定の洗浄ユニット
まで搬送することが可能である。
ダ6と同一構成のアンローダ8と、搬入部5と同一構成
の搬出部9、及び移送装置7と同一構成の移送装置(図
示せず)が各々設けられている。
搬送装置11のウエハチャック13を洗浄、乾燥するた
めのチャック洗浄・乾燥処理ユニット21、ウエハに付
着している不純物質に対して薬液による除去、当該除去
後の水洗洗浄を行う第1薬液・水洗処理ユニット22、
第1薬液・水洗処理ユニット22で使用された薬液とは
異なった薬液によってウエハに付着している不純物を除
去し、その後水洗する第2薬液・水洗処理ユニット2
4、さらに異なった薬液で処理して水洗を行う第3薬液
・水洗処理ユニット26、及び前記各ユニットで不純物
が除去されたウエハを、例えばIPA(イソプロピルア
ルコール)蒸気を用いて乾燥させるための乾燥ユニット
28が各々配列されている。
は、ウエハに対する処理、洗浄の種類によって任意に組
み合わせることができる。例えばあるユニットを減じた
り、逆にさらに他のユニットを付加してもよい。例えば
前記各第1薬液・水洗処理ユニット22、第2薬液・水
洗処理ユニット24、第3薬液・水洗処理ユニット26
での処理が終わった後に、水洗洗浄のみを行う適宜の水
洗ユニットを、これら各薬液・水洗処理ユニットの次に
設置してもよい。
は、前記第2薬液・水洗処理ユニット24として具体化
されている。この第2薬液・水洗処理ユニット24は図
3に示したように、上面が開口した略箱型のケーシング
30の中に、薬液が供給される処理槽31、及びこの処
理槽31の周囲に位置して処理槽31からのオーバーフ
ロー分を受容する外槽32とを有している。
ク14が処理槽31内に下降した際に、ウエハWを受け
取って保持するためのウエハボート33が設けられてい
る。そしてこのウエハボート33の下方には整流板34
が設置され、さらにこの整流板34の下方、即ち処理槽
31の底部には、供給口35a、35b及び排出口36
が形成されている。処理槽31の上方には、スプレーノ
ズル37が処理槽31に向けて配置され、さらにこのス
プレーノズル37の上方には、ケーシング30の上面開
口部を閉鎖自在な蓋体38が設けられている。またこの
蓋体38の上方には、フィルタ39を介してファンフィ
ルタユニットやファンユニットなどの空調機40が設置
されており、清浄化された空気のダウンフローが処理槽
31と外槽32に向けて形成される。
における供給系、排液系、並びに循環系について図4に
基づいて説明する。この第2薬液・水洗処理ユニット2
4は、アンモニア(NH4OH)、過酸化水素水(H2O
2)、純水(H2O)との混合液による処理(APM処
理)を行うように構成されている。前記液体のうちアン
モニアと過酸化水素水は、薬液供給装置40から供給さ
れ、所定の薬液タンク41、42にそれぞれ所定量貯蔵
されており、循環系の循環路Rに供給される。この循環
路Rには、調合タンク43が組み入れられており、純水
供給源44から供給される純水と調合タンク43で混合
されて、前記所定の混合液、即ち薬液が生成される。
ンプ45によってヒータ46、フィルタ47を介して再
び調合タンク43に戻され、その間にヒータ46によっ
て所定の温度調整がされ、フィルタ47によって濾過さ
れる。フィルタ47と調合タンク43との間の管路に
は、処理槽31の供給口35a、35bに通ずる供給管
48がバルブV1を介して接続されている。またこの供
給管48には、純水供給源49からの純水(DIW)が
バルブV2を介して供給自在であり、さらにこの供給管
48は、バルブV3を介して排液経路Eと接続されてい
る。
外槽32からの液は、バルブV4を介して前記循環路R
に流入自在であり、またバルブV5を介して排液経路E
へも排出自在である。処理槽31の底部の排出口36
は、バルブV6を介して供給排出管51によって調合タ
ンク43と接続されている。そしてこの調合タンク43
及び前記供給排出管51はそれぞれバルブV7、V8を介
して各々排液経路Eに通じている。また排液経路Eに
は、その他に、フィルタ47を経た循環路Rからの液体
がバルブV9を介して流れるようになっている。
ば純水を貯えた純水タンク52からの純水が、バルブV
10、急速供給路53を介して流入自在となっている。な
おこの純水タンク52及び前記した循環路R、調合タン
ク43等は、図2に示したように、循環ユニット54内
に収容されている。また装置内のスペースに収容しても
よい。
薬液の濃度を検出する濃度センサ61が設けられてお
り、この濃度センサ61からの濃度検出信号は、制御装
置62へと入力され、例えば前記特定薬液の濃度が予め
定めたしきい値を越えた場合には、濃厚系排液ラインA
Hに通ずるバルブV11を開放し、前記しきい値を越えな
い場合には、希薄系排液ラインALに通ずるバルブV12
を開放するようになっている。これにより、排液経路E
を流れる排液を、その濃度によって濃厚系排液ラインA
H又は希薄系排液ラインALに流すことが可能になって
いる。
抗計71を装備したセル72に通ずる排出管73が接続
されている。このセル72の下流側は、希薄系排液ライ
ンALに通ずる排液管74が接続されている。またこの
排出管73においては、セル72の上流側にバルブV21
が設けられており、さらにこのバルブV21の上流側に
は、排液経路Eに通ずる排液管75が設けられている。
なおこの排液管75にはバルブV22が介装されており、
ドレン弁として機能している。この場合、バルブV21自
体にドレン弁としての機能を持たせて、排液管75への
切換も可能とした集積バルブとして構成すれば、バルブ
V22は不要である。なお排液管75の排液先は、直接濃
厚系排液ラインAHとしてもよい。
閉と共に制御装置76によってコントロールされるよう
になっており、例えば排出管73に液が流れ始めてしば
らくは、バルブV21が閉、バルブV22が開の状態になっ
ており、所定時間経過後は、その逆にバルブV21が開、
バルブV22が閉に切り替わるようになっている。制御装
置76はこのような時間制御のみならず、排出管73に
設けた濃度センサ(図示せず)からの信号に基づいて、
所定濃度を越えている場合にはバルブV21を閉、バルブ
V22を開とし、この所定濃度を下回ったときに、バルブ
V21を開、バルブV22を閉に切り替える濃度制御を採用
することができる。
ニット24によれば、まず薬液タンク41、42に貯え
られたアンモニア(NH4OH)、過酸化水素水(H2O
2)が調合タンク43に供給されると共に、純水供給源
44から純水(H2O)がこの調合タンク43に供給さ
れる。そしてこれらの液(薬液)は循環路Rを循環して
混合され、その間にヒータ46によって所定の温度に加
熱されて、バルブV1の開放によって供給口35a、3
5bから処理槽31内に供給される。
置12のウエハチャック15が処理槽31内に下降し、
このウエハWを処理槽31内のウエハボート33に受け
渡し、ウエハWは薬液に浸漬されて薬液処理に付され
る。
理が終了すると、処理槽31内の薬液は、バルブV6の
開放によって供給排出管51を介して再び調合タンク4
3へと戻される。次いでスプレーノズル37から純水が
ウエハボート33に保持されているウエハWに向けて散
布されつつ、同時に純水タンク52から急速供給路53
を通じて外槽32に純水が急速給水される。これによっ
てウエハW及び処理槽31内は一旦純水で満たされる。
ると、今度は純水供給源49からの純水が、供給管48
を介して、処理槽31の底部の供給口35a、35bか
ら処理槽31内に供給され、処理槽31内にあった前記
純水(薬液も混ざっている)を押し上げてアップブロー
し、薬液が混ざっている前記純水洗浄プロセス後の純水
を外槽32へと溢れさせて新しい純水と置換させる。こ
の後も継続して処理槽31の底部の供給口35a、35
bから純水が供給され、オーバーフロー分は外槽32へ
と流され、バルブV5が開放して排液経路Eに流れ、オ
ーバーフロー分の純水の比抵抗が所定値以下になるま
で、かかる純水洗浄が実施される。
抗の測定は、セル72の比抵抗計71が行うが、最初の
オーバーフロー分は薬液が多く混ざっている。したがっ
て、この薬液が多く混ざっているオーバーフロー分を、
そのまま比抵抗計71の方へ流してしまうと、比抵抗計
71が腐食してしまう。
洗処理ユニット24においては、比抵抗を測定するため
の流路は排出管73に別途形成されると共に、さらに比
抵抗計71の上流側にバルブV21、及びバルブV22を介
して排液管75が設けられている。そのため、最初のフ
ロー分は、バルブV22を介して排液管75の方へと流
し、その後薬液濃度が減少して支障ない程度まで下がっ
た時点で、バルブV22を閉鎖すると共に、バルブV21を
開放して比抵抗計71の設置されているセル72の方へ
流すことが可能である。それゆえ比抵抗計71が腐食す
るおそれはない。また従来、バルブV21の直前に滞留し
ていた残液も、前記したように一旦バルブV22の方から
排液管75へと排液されるので、残液による比抵抗計7
1の腐食の問題も生じない。
比抵抗計71を腐食させるおそれのあるほど薬液濃度が
高いものであるが、この濃度の高い液は、排液管75を
通じて排液経路Eへと流される。一方バルブが切り替わ
って比抵抗計71へと流れる液は、逆に薬液濃度が低い
ものであり、これは排液管74を通じて希薄系ラインA
Lへと流される。従って、工場などの排液ラインの設備
を効率よく利用でき、排液コストも低減される。また希
薄系ラインALに濃度の高い排液が流入することを未然
に防止することができる。
が所定の値以下に減少した時点で、純水による所定の水
洗洗浄を終了し、搬送装置12のウエハチャック15に
よってウエハWは次処理を行うユニットへと搬送され
る。一方水洗洗浄に付された処理槽31内の純水は、バ
ルブV6、V8の開放によって供給排出管51を介して排
液経路Eへと排出される。次いで処理槽31内には、再
び調合タンク43内の薬液が供給され、次のウエハWの
薬液処理が再び実施される。
薬液・水洗処理ユニット24においては、処理槽31内
に薬液を供給する管路、即ち供給管48には、一種類の
薬液(アンモニア+過酸化水素水+純水)と純水のみが
流れるので、処理槽31内や管路内にはクロスコンタミ
ネーションが発生することはない。もちろん排液経路E
にも前記一種類の薬液、並びに当該薬液が混合された水
のみが流れるので、該排液経路Eにおいては、異なった
薬液流入による腐食のおそれはないものである。
槽31に供給し、排出する構成であるから、薬液の循環
使用が容易に可能になっている。即ち前記第2薬液・水
洗処理ユニット24においては、調合タンク43との間
で循環路Rが形成されており、例えば既述したプロセス
において、処理槽31内に純水供給、オーバーフローに
よるウエハWの純水洗浄を実施している間、前記循環路
Rは、バルブV1によってこの純水供給系(純水供給源
49→供給管48→処理槽31)とは独立した系になっ
ている。従って、前記純水供給系の下でウエハWが純水
洗浄されている間、調合タンク43で回収した薬液をこ
の循環路Rで循環させて、フィルタ47で薬液を濾過
し、再使用に供することができる。しかもその間ヒータ
46によって必要温度を維持することができ、前記純水
排液後、直ちに処理槽31に所定温度の薬液を供給する
ことができる。従って、スループットの向上が図れる。
られており、この濃度センサ61によって監視される濃
度に基づいて、濃厚系排液ラインAHに通ずるバルブ6
3又は希薄系排液ラインALに通ずるバルブ64の切替
動作が行われるようになっているので、排液経路Eを流
れる排液を、その濃度によって濃厚系排液ラインAH又
は希薄系排液ラインALに流すことが可能である。従っ
て、排液ラインの効率のよい運営が図れ、排液コストを
低減したり、希薄系ラインに濃度の高い排液が流入する
ことを未然に防止することができる。
処理ユニット24においては、比抵抗計71の腐食防止
のための構成として、排出管73におけるバルブV21の
上流側に濃厚系排液ラインに通ずる排液管75を設けて
いたが、これに代えて図5に示したように、外槽32に
向けて開口した排出口76を排出管73に形成してもよ
い。この場合には、別途配管することなく、排出管73
に滞留した残液を、外槽32に流すことができ、排出管
73に流れ始めてしばらくの間は、バルブV21を閉鎖し
ておき、一定時間経過後にバルブV21を開放して比抵抗
計71側に流すことで、高い薬液濃度の排液が比抵抗計
71に流れることを防止できる。
一薬液+水洗型のワンバス・タイプとして構成されてい
るので、クロスコンタミネーションが発生することはな
い。また1種類の薬液のみを使用するので、循環濾過さ
せて清浄度の維持を図ったり、再使用に供することがで
きる。そして薬液処理とそれに続く水洗処理だけを行う
ので、スループットについては従来の一槽多薬液型の洗
浄装置よりも向上している。もちろん薬液処理と水洗処
理が行えるので、既述したウェットステーションに組み
込んだ場合、処理槽の数を減らして必要スペースを小さ
くすることができ、従来多かった気液界面通過回数(液
体と気体との境界面が被処理基板表面を通過する回数)
を低減させることが可能である。
排液の濃度によって下流側の排液経路を濃厚系排液ライ
ン又は希薄系排液ラインに切り換えることができるか
ら、排液設備を効率よく使用することができ、また希薄
系排液ラインに濃度の高い排液が流入することを防止す
ることができる。
比抵抗計の誤計測や腐食防止を図ることができる。特に
請求項3の洗浄装置では、残留薬液をそのまま外部に排
出したり、請求項4の洗浄装置では、排出口からのドレ
ンを処理槽のオーバーフロー分を受容する外槽に排出さ
せる構成も可能であるから、別途専用の配管は不要であ
る。また請求項5の洗浄装置ではドレン弁を設けるとい
う簡単な構成をもって比抵抗計の腐食防止を実現でき
る。請求項6では、集積バルブ構成により、部材数の低
減が図れる。請求項7〜9の洗浄装置によれば、排液系
を円滑にかつ連続して運転しつつ比抵抗計の腐食防止を
図ることができ、特に請求項8の洗浄装置では、流路を
流れる薬液濃度に基づいて迂回経路との切り換えを行う
ので、極めて適切な切り換え操作に基づく比抵抗計の腐
食防止を図ることができ、請求項9の洗浄装置では、逐
次濃度の検出をしなくとも比抵抗計の腐食防止を図るこ
とができる。
ニットを組み込んだ洗浄システムの外観を示す斜視図で
ある。
ユニットを組み込んだ洗浄システムの平面からの説明図
である。
ユニットの側面からの説明図である。
ユニットの配管系統を示す説明図である。
図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 被処理基板を処理槽内で薬液に浸漬して
当該被処理基板を処理する装置において、1種類の薬液
を前記処理槽に供給する供給経路と、当該薬液処理後の
水洗処理に供する洗浄水を前記処理槽に供給する供給経
路と、前記処理槽内の液体を排液ラインへと排出する排
液経路とを備えたことを特徴とする、洗浄装置。 - 【請求項2】 排液経路又は処理槽内に薬液の濃度を検
出する濃度センサを備え、さらにこの濃度センサからの
信号に基づいて下流側の排液経路を、濃厚系排液ライン
又は希薄系排液ラインに切り換える制御装置とを備えた
ことを特徴とする、請求項1に記載の洗浄装置。 - 【請求項3】 処理槽と排液ラインとを結ぶ流路に、こ
の流路を開閉自在なバルブと、このバルブの下流側に比
抵抗計を備え、前記バルブの上流側にドレン抜き用の排
出口が設けられたことを特徴とする、請求項1又は2に
記載の洗浄装置。 - 【請求項4】 排出口からのドレンは前記処理槽のオー
バーフロー分を受容する外槽に排出されるように構成さ
れたことを特徴とする、請求項3に記載の洗浄装置。 - 【請求項5】 処理槽と排液ラインとを結ぶ流路に、こ
の流路を開閉自在なバルブと、このバルブの下流側に比
抵抗計を備え、このバルブの上流側にドレン弁が設けら
れたことを特徴とする、請求項1又は2に記載の洗浄装
置。 - 【請求項6】 処理槽と排液ラインとを結ぶ流路に、こ
の流路を開閉自在なバルブと、このバルブの下流側に比
抵抗計を備え、さらにこのバルブはドレン抜き機能を備
えた集積バルブであることを特徴とする、請求項1又は
2に記載の洗浄装置。 - 【請求項7】 処理槽と排液ラインとを結ぶ流路に、比
抵抗計とこの比抵抗計を迂回する迂回経路を備え、前記
流路において前記比抵抗計側とこの迂回経路側とが切り
換え自在であることを特徴とする、請求項1又は2に記
載の洗浄装置。 - 【請求項8】 処理槽又は流路における比抵抗計側と迂
回経路側とが、当該流路を流れる薬液濃度に基づいて切
り換えられることを特徴とする、請求項7に記載の洗浄
装置。 - 【請求項9】 流路における比抵抗計側と迂回経路側と
が、時間に基づいて切り換えられることを特徴とする、
請求項7に記載の洗浄装置。
Priority Applications (4)
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---|---|---|---|
JP4538096A JP3582680B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 洗浄装置 |
US08/761,752 US5845660A (en) | 1995-12-07 | 1996-12-05 | Substrate washing and drying apparatus, substrate washing method, and substrate washing apparatus |
TW085115014A TW322605B (ja) | 1995-12-07 | 1996-12-05 | |
KR1019960062257A KR100390545B1 (ko) | 1995-12-07 | 1996-12-06 | 기판세정건조장치,기판세정방법및기판세정장치 |
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JP4538096A JP3582680B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 洗浄装置 |
Publications (2)
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JPH09219386A true JPH09219386A (ja) | 1997-08-19 |
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ID=12717670
Family Applications (1)
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JP4538096A Expired - Lifetime JP3582680B2 (ja) | 1995-12-07 | 1996-02-07 | 洗浄装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3582680B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000049644A1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-08-24 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten |
KR100489652B1 (ko) * | 1998-07-18 | 2005-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치 |
JP2009099981A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Semes Co Ltd | 処理液感知器を有するバルブ、これを利用する基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2013234991A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-11-21 | Horiba Ltd | 製造処理プロセスで用いられる濃度測定装置 |
JP2015046443A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体 |
KR20190138777A (ko) * | 2017-04-14 | 2019-12-16 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 세정수 공급 장치 |
WO2024051134A1 (zh) * | 2022-09-08 | 2024-03-14 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 | 一种改善外延层错的洗净方法 |
-
1996
- 1996-02-07 JP JP4538096A patent/JP3582680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100489652B1 (ko) * | 1998-07-18 | 2005-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치 |
WO2000049644A1 (de) * | 1999-02-18 | 2000-08-24 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten |
JP2009099981A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Semes Co Ltd | 処理液感知器を有するバルブ、これを利用する基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2013234991A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-11-21 | Horiba Ltd | 製造処理プロセスで用いられる濃度測定装置 |
JP2015046443A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、濃度補正方法及び記憶媒体 |
KR20190138777A (ko) * | 2017-04-14 | 2019-12-16 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 세정수 공급 장치 |
WO2024051134A1 (zh) * | 2022-09-08 | 2024-03-14 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 | 一种改善外延层错的洗净方法 |
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---|---|
JP3582680B2 (ja) | 2004-10-27 |
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