JP5122426B2 - 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 285
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 19
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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Description
本発明は、被処理体を回転させるとともに、当該被処理体の保持部側の面に洗浄液を供給して処理する液処理方法と、このような液処理方法を実施する液処理装置と、液処理装置にこのような液処理方法を実施させる記憶媒体に関する。
従来から、基板（被処理体）を回転させて基板に薬液を供給して薬液処理を行った後、洗浄水（リンス液）を供給して水洗処理を行う基板処理装置であって、基板の外周端部を複数箇所保持する基板保持手段（保持部）と、基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手段（回転駆動部）と、基板保持手段に保持された基板の裏面の中心付近に向けて薬液を供給する薬液供給手段と、基板保持手段に保持された基板の裏面の中心付近に向けて洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、を備えた基板処理装置が知られている（特許文献１参照）。
特開平９−３３０９０４号公報
従来の方法では、基板の裏面に供給された薬液が、基板の裏面側に位置するベース部材（保持プレート）に飛び散って付着し、このようにベース部材に付着した薬液が乾燥処理を施した後の基板に付着したり、次回以降に処理される基板に悪影響を及ぼしたりする。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、保持プレートといった被処理体の保持部側に位置する部材をリンス液で洗い流すことによって、このような部材に付着した薬液が乾燥処理を施した後の被処理体に付着したり、このような薬液が原因で被処理体に悪影響が生じること（被処理体が汚染されること）を防止する液処理方法と、このような液処理方法を実施する液処理装置と、液処理装置にこのような液処理方法を実施させる記憶媒体を提供することを目的とする。
本発明による液処理方法は、
保持部によって被処理体を保持する保持工程と、
回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転工程と、
薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、ガス供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給するとともに、リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給することによって、リンス液滴を生成し、該リンス液滴を前記被処理体の前記保持部側の面に供給するリンス液滴供給工程と、
前記リンス液滴供給工程の後で行われ、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給する仕上げリンス液供給工程と、
を備えている。
保持部によって被処理体を保持する保持工程と、
回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転工程と、
薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、ガス供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給するとともに、リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給することによって、リンス液滴を生成し、該リンス液滴を前記被処理体の前記保持部側の面に供給するリンス液滴供給工程と、
前記リンス液滴供給工程の後で行われ、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給する仕上げリンス液供給工程と、
を備えている。
本発明による液処理装置は、
被処理体を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記被処理体に薬液を供給する薬液供給機構と、
前記被処理体にリンス液を供給するリンス液供給機構と、
前記被処理体の前記保持部側の面にガスを供給するガス供給部と、
前記回転駆動部、前記薬液供給機構、前記リンス液供給機構および前記ガス供給部を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置が、
前記回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させ、
前記薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給させ、
その後、前記ガス供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給させるとともに、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給させることによって、リンス液滴を生成させて、該リンス液滴を前記被処理体の前記保持部側の面に供給させ、
その後、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給させる。
被処理体を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記被処理体に薬液を供給する薬液供給機構と、
前記被処理体にリンス液を供給するリンス液供給機構と、
前記被処理体の前記保持部側の面にガスを供給するガス供給部と、
前記回転駆動部、前記薬液供給機構、前記リンス液供給機構および前記ガス供給部を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置が、
前記回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させ、
前記薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給させ、
その後、前記ガス供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給させるとともに、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給させることによって、リンス液滴を生成させて、該リンス液滴を前記被処理体の前記保持部側の面に供給させ、
その後、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給させる。
本発明による記憶媒体は、
液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記液処理方法が、
保持部によって被処理体を保持する保持工程と、
回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転工程と、
薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、ガス供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給するとともに、リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給することによって、リンス液滴を生成し、該リンス液滴を前記被処理体の前記保持部側の面に供給するリンス液滴供給工程と、
前記リンス液滴供給工程の後で行われ、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給する仕上げリンス液供給工程と、
を有する方法からなっている。
液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記液処理方法が、
保持部によって被処理体を保持する保持工程と、
回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転工程と、
薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、ガス供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給するとともに、リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給することによって、リンス液滴を生成し、該リンス液滴を前記被処理体の前記保持部側の面に供給するリンス液滴供給工程と、
前記リンス液滴供給工程の後で行われ、前記リンス液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給する仕上げリンス液供給工程と、
を有する方法からなっている。
本発明によれば、ガス供給部によって被処理体の保持部側の面に向かってガスを供給するとともに、リンス液供給部によって被処理体の保持部側の面に向かってリンス液を供給することによって、リンス液滴を生成するので、保持プレートといった被処理体の保持部側に位置する部材をリンス液で洗い流すことができる。このため、このような部材に付着した薬液が乾燥処理を施した後の被処理体に付着したり、このような薬液が原因で被処理体に悪影響が生じること（被処理体が汚染されること）を防止することができる。
実施の形態
以下、本発明に係る液処理方法、液処理装置および記憶媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図３は本発明の実施の形態を示す図である。
以下、本発明に係る液処理方法、液処理装置および記憶媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図３は本発明の実施の形態を示す図である。
図１に示すように、液処理装置は、被処理体である半導体ウエハＷ（以下、ウエハＷと呼ぶ）を保持部３１で保持する中空形状からなる保持プレート３０と、保持プレート３０に固定連結され中空形状からなる回転軸３５と、回転軸３５を所定の回転方向に回転駆動する回転駆動部６０と、を備えている。
このうち、回転駆動部６０は、図１に示すように、回転軸３５の周縁外方に配置されたプーリ６３と、このプーリ６３に駆動ベルト６２を介して駆動力を付与するモータ６１とを有している。また、回転軸３５の周縁外方にはベアリング６６が配置されている。
また、図１に示すように、保持プレート３０の中空内には、搬入出時にウエハＷを昇降させるリフトピン４１を有するリフトピンプレート４０が配置されている。また、回転軸３５の中空内には、リフトピンプレート４０に固定連結されたリフト軸４５が上下方向に延在している。なお、図１では、一つのリフトピン４１しか示されていないが、複数（例えば３つ）のリフトピン４１が周方向に等間隔で配置されている。
また、図１に示すように、リフト軸４５とリフトピンプレート４０内には、保持プレート３０に保持されたウエハＷの下面（保持部３１側の面）側に洗浄液Ｃ，Ｒ（図２参照）を供給するための洗浄液供給管５（薬液Ｃを供給するときには薬液供給管を構成する）が上下方向に延在している。また、図１に示すように、リフト軸４５とリフトピンプレート４０内には、保持プレート３０に保持されたウエハＷの対向する面（下面）にＮ２やＡｒなどからなる不活性ガスや空気（図２（ｅ）（ｈ）では不活性ガスであるＮ２を示している）を供給するためのガス供給管２５が延在している。なお、このガス供給管２５には、当該ガス供給管２５にガスを供給するガス供給部２０が連結されている。ここで、ウエハＷに供給されるガスは、不活性ガスからなることが好ましい。
ところで、本願で洗浄液Ｃ，Ｒとは、薬液Ｃやリンス液Ｒのことを意味している。そして、薬液Ｃとしては、例えば、濃厚フッ酸、希フッ酸、アンモニア過水(ＳＣ１)、塩酸過水(ＳＣ２)、有機溶剤などを用いることができる。他方、リンス液Ｒとしては、例えば、純水（ＤＩＷ）などを用いることができる。
また、図１に示すように、洗浄液供給管５には、多連バルブ１０を介して薬液Ｃを供給する薬液供給部１６と、同様に多連バルブ１０を介してリンス液Ｒを供給するリンス液供給部１７が連結されている。より具体的には、薬液供給部１６には薬液供給管１ａが連結され、この薬液供給管１ａには多連バルブ１０を介して洗浄液供給管５が連結されている。また、同様に、リンス液供給部１７にはリンス液供給管２ａが連結され、このリンス液供給管２ａには多連バルブ１０を介して洗浄液供給管５が連結されている。なお、本実施の形態では、薬液供給部１６、薬液供給管１ａ、薬液供給バルブ１１ａ（後述する）および洗浄液供給管５によって、薬液供給機構が構成され、リンス液供給部１７、リンス液供給管２ａ、リンス液供給バルブ１２ａ（後述する）および洗浄液供給管５によって、リンス液供給機構が構成されている。
また、図１に示すように、多連バルブ１０には、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内の薬液Ｃを排出するための薬液排出管１ｂと、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内のリンス液Ｒを排出するためのリンス液排出管２ｂが連結されている。このように排出された薬液Ｃやリンス液Ｒは、排液として処理されてもよいし、薬液供給部１６やリンス液供給部１７に戻されて再利用されてもよい。なお、本実施の形態では、排出された薬液Ｃは薬液供給部１６に戻されて再利用され、排出されたリンス液Ｒは排液として処理される態様を用いて説明する。
なお、本願で多連バルブ１０とは、複数のバルブを有し、各バルブが独立して開閉自在となっているものを意味している。そして、本実施の形態では、多連バルブ１０は、薬液供給管１ａと洗浄液供給管５との間に設けられて開閉自在となった薬液供給バルブ１１ａと、リンス液供給管２ａと洗浄液供給管５との間に設けられて開閉自在となったリンス液供給バルブ１２ａと、洗浄液供給管５と薬液排出管１ｂとの間に設けられて開閉自在となった薬液排出バルブ１１ｂと、洗浄液供給管５とリンス液排出管２ｂとの間に設けられて開閉自在となったリンス液排出バルブ１２ｂと、を有している。
また、図１に示すように、リフト軸４５には、リフトピンプレート４０およびリフト軸４５を昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材７０が設けられている。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用効果について述べる。
まず、昇降部材７０によって、リフトピンプレート４０が上方位置（ウエハ搬送ロボット（図示せず）がウエハＷを受け渡す位置）に位置づけられる（第一上方位置づけ工程）。より具体的には、昇降部材７０によってリフト軸４５が上方位置に位置づけられ、このことによって、リフト軸４５に固定連結されたリフトピンプレート４０が上方位置に位置づけられる。
次に、ウエハ搬送ロボット（図示せず）によって、リフトピンプレート４０のリフトピン４１上にウエハＷが載置され（搬入工程）、当該リフトピン４１によってウエハＷの下面が支持される（第一支持工程）。
次に、昇降部材７０によって、リフトピンプレート４０が下方位置（ウエハＷを洗浄液Ｃ，Ｒによって処理する位置）に位置づけられる（下方位置づけ工程）。より具体的には、昇降部材７０によってリフト軸４５が下方位置に位置づけられ、このことによって、リフト軸４５に固定連結されたリフトピンプレート４０が下方位置に位置づけられる。
このようにリフトピンプレート４０が下方位置に位置づけられる途中で、保持プレート３０の保持部３１によって、ウエハＷが保持される（保持工程）（図１参照）。
次に、回転駆動部６０によって回転軸３５が回転駆動されることによって、保持プレート３０で保持されたウエハＷが回転される（回転工程）（図１参照）。なお、このように保持プレート３０に保持されたウエハＷが回転している間に、以下の工程が行われる。
まず、薬液供給部１６によってウエハＷの下面（保持部３１側の面）に薬液Ｃが供給される（薬液供給工程）（図２（ａ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０の薬液供給バルブ１１ａを開状態とし、リンス液供給バルブ１２ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、薬液供給部１６から薬液Ｃが供給される。このため、薬液供給部１６から供給された薬液Ｃは、薬液供給管１ａ、多連バルブ１０および洗浄液供給管５を順次経て、ウエハＷの下面に供給されることとなる。
なお、ウエハＷの下面に供給された薬液Ｃは、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの下面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このことによって、ウエハＷの下面が薬液Ｃによって処理されることとなるが、このとき、当該薬液Ｃが飛び散って、ウエハＷの下面側に位置するリフトピンプレート４０（リフトピン４１を含む）および保持プレート３０に付着する。
次に、薬液供給工程で供給された薬液Ｃが排出される（薬液排出工程）（図２（ｂ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０の薬液排出バルブ１１ｂを開状態とし、かつ、薬液供給バルブ１１ａ、リンス液供給バルブ１２ａおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とすることで、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内の薬液Ｃが薬液排出管１ｂに排出される。なお、本実施の形態では、このようにして排出された薬液Ｃは薬液供給部１６に戻されて再利用される。
次に、リンス液供給部１７によってウエハＷの下面にリンス液Ｒが供給される（プレリンス液供給工程）（図２（ｃ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａを開状態とし、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給される。このため、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒは、リンス液供給管２ａ、多連バルブ１０および洗浄液供給管５を順次経て、ウエハＷの下面に供給されることとなる。
このようにウエハＷの下面に供給されたリンス液Ｒは、やはり、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの下面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このことによって、ウエハＷの下面の薬液Ｃによる反応を迅速に止めることができる。すなわち、本実施の形態では、大量のリンス液ＲをウエハＷの下面に一気に供給するプレリンス液供給工程が、ウエハＷの下面に供給するリンス液Ｒの量が少なくなってしまうバルブリンス工程（後述）の前に行われるので、ウエハＷの下面と薬液Ｃとの反応を迅速に止めることができる。
次に、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａとリンス液排出バルブ１２ｂの両方を開状態とし、薬液供給バルブ１１ａおよび薬液排出バルブ１１ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給される（図２（ｄ）参照）。このため、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒの一部がウエハＷの下面に供給され、他方、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒの残部が多連バルブ１０内でリンス液排出管２ｂに向かって流れることとなる（バルブリンス工程）。
このように、本実施の形態によれば、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒが、多連バルブ１０内をリンス液排出管２ｂに向かって流れるので、多連バルブ１０内をリンス液Ｒで洗い流すことができる。このため、リンス液供給部１７からリンス液Ｒを供給する時間を長くすることなく、多連バルブ１０内に付着した薬液Ｃを確実に除去することができ、ひいては、オーバーエッチングすることなく高いスループットでウエハＷを処理することができる。
すなわち、バルブリンス工程を行わない場合には、多連バルブ１０内に付着した薬液Ｃを除去するために、リンス液供給部１７からリンス液Ｒを供給する時間（プレリンス工程と後述する仕上げリンス工程の時間）を長くする必要があり、ウエハＷを処理するスループットが低下してしまっている。これに対して、本実施の形態によれば、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒを、多連バルブ１０内でリンス液排出管２ｂに向かって流すことができるので、短時間で多連バルブ１０内をリンス液Ｒで確実に洗い流すことができ、ひいては、オーバーエッチングすることなく高いスループットでウエハＷを処理することができる。
なお、バルブリンス工程で、リンス液供給バルブ１２ａを開状態として、ウエハＷの下面にリンス液Ｒを供給し続けるのは、ウエハＷの下面から薬液Ｃが完全に除去されていない段階で当該下面が乾燥することを防止するためである。
上述のようにバルブリンス工程が終了すると、ガス供給部２０によってウエハＷの下面にガス（例えばＮ２）が供給され、かつ、リンス液供給部１７によってウエハＷの下面にリンス液Ｒが供給される。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａを開状態とし、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給され、かつ、ガス供給部２０によってガスが供給される。このことによって、リンス液滴が生成され、当該リンス液滴がウエハＷの下面に供給される（リンス液滴供給工程）（図２（ｅ）参照）。
このように、ウエハＷの保持部３１側の面にリンス液Ｒとガスが同時に供給されるので、ガスがガス供給管２５の上端部から周縁外方に広がろうとする力によって、洗浄液供給管５の上端部から供給されるリンス液Ｒの進む方向が乱されて、当該リンス液Ｒが全方向に液滴となって広がる（図１および図２（ｅ）参照）。
このため、洗浄液供給管５から供給されるリンス液Ｒは、ウエハＷ、リフトピンプレート４０および保持プレート３０上に飛び散り、これらリフトピンプレート４０（リフトピン４１を含む）および保持プレート３０に衝突する。そして、リフトピンプレート４０に付着したリンス液Ｒは、保持プレート３０およびウエハＷが回転することによって発生する旋回流によって保持プレート３０に向かって流され、また、保持プレート３０上のリンス液Ｒは、保持プレート３０に加わる遠心力によって周縁外方に向かって流される。このため、リフトピンプレート４０（リフトピン４１を含む）および保持プレート３０が、リンス液Ｒによって満遍なく洗い流されることとなる。
この結果、後述する第二支持工程でリフトピン４１がウエハＷの下面に当接する際に、リフトピン４１に付着した薬液ＣがウエハＷの下面に付着することを防止することができる。また、保持プレート３０に付着した薬液Ｃが、当該保持プレート３０が回転されることによって、乾燥処理が施されたウエハＷ（後述する乾燥工程を経た後のウエハＷ）に付着したり、リフトピンプレート４０や保持プレート３０に付着した薬液Ｃが次回以降に処理されるウエハＷに悪影響（ウエハＷが汚染されること）を及ぼすことも防止することができる。
上述のようにリンス液滴供給工程が行われると、次に、リンス液供給部１７によってウエハＷの下面にリンス液Ｒが供給される（仕上げリンス液供給工程）（図２（ｆ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液供給バルブ１２ａを開状態とし、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを閉状態とした状態で、リンス液供給部１７からリンス液Ｒが供給される。このため、リンス液供給部１７から供給されたリンス液Ｒは、リンス液供給管２ａ、多連バルブ１０および洗浄液供給管５を順次経て、ウエハＷの下面に供給されることとなる。
このようにウエハＷの下面に供給されたリンス液Ｒは、ウエハＷに加わる遠心力によって、ウエハＷの下面を中心から周縁外方に向かって流れる。そして、このように、バルブリンス工程およびリンス液滴供給工程においてウエハＷの下面に供給される量よりも多い量のリンス液Ｒを、ウエハＷの下面に一気に供給することによって、ウエハＷの下面に付着した薬液Ｃを確実に洗い流すことができる。
ところで、本実施の形態では、バルブリンス工程を行った後に、リンス液滴供給工程および仕上げリンス液供給工程を行っているので、リフトピンプレート４０、保持プレート３０およびウエハＷの下面を効率よくリンス液Ｒで洗浄することができる。すなわち、多連バルブ１０内の薬液Ｃを確実に洗い流した後で、リフトピンプレート４０および保持プレート３０をリンス液Ｒで洗浄し（リンス液滴供給工程）、かつ、ウエハＷの下面を洗浄する（仕上げリンス液供給工程）ので、純度の高いリンス液Ｒでリフトピンプレート４０、保持プレート３０およびウエハＷの下面を洗浄することができる。この結果、リフトピンプレート４０、保持プレート３０およびウエハＷの下面を効率よくリンス液Ｒで洗浄することができる。
上述のように仕上げリンス液供給工程が行われると、仕上げリンス液供給工程で供給されたリンス液Ｒが排出される（リンス液排出工程）（図２（ｇ）参照）。より具体的には、多連バルブ１０のリンス液排出バルブ１２ｂを開状態とし、かつ、薬液供給バルブ１１ａ、リンス液供給バルブ１２ａおよび薬液排出バルブ１１ｂを閉状態とすることで、洗浄液供給管５および多連バルブ１０内のリンス液Ｒがリンス液排出管２ｂに排出される。なお、本実施の形態では、このようにして排出されたリンス液Ｒは排液として処理される。
次に、ガス供給部２０によってウエハＷの下面にガスが供給される（乾燥工程）（図２（ｈ）参照）。そして、所定時間だけガスが供給されると、ガスの供給が停止され、かつ、回転駆動部６０による回転軸３５の回転も停止される。
次に、昇降部材７０によって、リフトピンプレート４０が上方に移動され、リフトピンプレート４０のリフトピン４１によってウエハＷが支持されて持ち上げられる（第二支持工程）。その後、リフトピンプレート４０が上方位置（ウエハ搬送ロボット（図示せず）にウエハＷを受け渡す位置）に位置づけられる（第二上方位置づけ工程）。次に、リフトピン４１上のウエハＷが、ウエハ搬送ロボット（図示せず）によって搬出される（搬出工程）。
ところで、本実施の形態においては、上述した液処理方法の各工程（第一上方位置づけ工程から第二上方位置づけ工程まで）を実行させるためのコンピュータプログラムが記憶媒体５２に格納されている（図１参照）。そして、液処理装置は、記憶媒体５２を受け付けるコンピュータ５５と、当該コンピュータ５５からの信号を受けて、液処理装置自身（少なくとも、回転駆動部６０、多連バルブ１０およびガス供給部２０）を制御する制御装置５０とを備えている。このため、上述した記憶媒体５２をコンピュータ５５に挿入する（または取り付ける）ことで、制御装置５０によって、上述した一連の液処理方法を液処理装置に実行させることができる。なお、本願において記憶媒体５２とは、ＣＤ，ＤＶＤ，ＭＤ，ハードディスク、ＲＡＭなどを意味している。
なお、上記では、一端（図１の左側）から他端（図１の右側）に向かって順に、薬液供給バルブ１１ａ、リンス液供給バルブ１２ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを有する多連バルブ１０を用いて説明したが、これに限られることなく、例えば図３に示すように、一端（図３の左側）から他端（図３の右側）に向かって順に、リンス液供給バルブ１２ａ、薬液供給バルブ１１ａ、薬液排出バルブ１１ｂおよびリンス液排出バルブ１２ｂを有する多連バルブ１０を用いてもよい。
このような多連バルブ１０によれば、バルブリンス工程において、一端に位置する薬液供給バルブ１１ａから多連バルブ１０内に流入したリンス液Ｒを、他端に位置するリンス液排出バルブ１２ｂで排出することができ、多連バルブ１０内をより効率よくリンス液Ｒで洗い流すことができ、ひいては、より高いスループットでウエハＷを処理することができるので好ましい。
また、本実施の形態では、リフト軸４５およびリフトピンプレート４０内で洗浄液供給管５とガス供給管２５が並列に設けられ、ガスがガス供給管２５の上端部から周縁外方に広がろうとする力によって、洗浄液供給管５の上端部から供給されるリンス液Ｒの進む方向が乱されて、当該リンス液Ｒが全方向に液滴となって広がる態様を用いて説明した。
しかしながら、これに限られることなく、例えば、リフト軸４５内またはリフトピンプレート４０内で、洗浄液供給管５とガス供給管２５とが一体となる態様を用いてもよい。この場合には、洗浄液供給管５とガス供給管２５とが一体となった部分でリンス液とガスが混合されて、洗浄液供給管５（またはガス供給管２５）の上端部から周縁外方に広がろうとするガスの力によって、洗浄液供給管５（またはガス供給管２５）の上端部から供給されるリンス液Ｒの進む方向が乱されて、当該リンス液Ｒが全方向に液滴となって広がることとなる。
１ａ 薬液供給管
１ｂ 薬液排出管
２ａ リンス液供給管
２ｂ リンス液排出管
５ 洗浄液供給管
１０ 多連バルブ
１１ａ 薬液供給バルブ
１１ｂ 薬液排出バルブ
１２ａ リンス液供給バルブ
１２ｂ リンス液排出バルブ
１６ 薬液供給部
１７ リンス液供給部
２０ ガス供給部
３０ 保持プレート
３１ 保持部
４０ リフトピンプレート
４１ リフトピン
５０ 制御装置
５２ 記憶媒体
６０ 回転駆動部
Ｃ 薬液
Ｒ リンス液
Ｗ ウエハ（被処理体）
１ｂ 薬液排出管
２ａ リンス液供給管
２ｂ リンス液排出管
５ 洗浄液供給管
１０ 多連バルブ
１１ａ 薬液供給バルブ
１１ｂ 薬液排出バルブ
１２ａ リンス液供給バルブ
１２ｂ リンス液排出バルブ
１６ 薬液供給部
１７ リンス液供給部
２０ ガス供給部
３０ 保持プレート
３１ 保持部
４０ リフトピンプレート
４１ リフトピン
５０ 制御装置
５２ 記憶媒体
６０ 回転駆動部
Ｃ 薬液
Ｒ リンス液
Ｗ ウエハ（被処理体）
Claims (6)
- 保持部によって被処理体を保持する保持工程と、
回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転工程と、
薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、ガス供給部から前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給するとともに、リンス液供給部から前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給することによって、リンス液滴を生成し、該リンス液滴を前記被処理体と前記保持部の間に供給するリンス液滴供給工程と、
前記リンス液滴供給工程の後で行われ、前記リンス液供給部から前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給する仕上げリンス液供給工程と、
を備えたことを特徴とする液処理方法。 - 前記薬液供給機構は、前記被処理体の前記保持部側の面に向かって薬液を案内する薬液供給管を有し、
前記リンス液滴供給工程の前に行われ、前記薬液供給管内の薬液を排出する薬液排出工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の液処理方法。 - 前記リンス液滴供給工程の前に行われ、前記リンス液供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給するプレリンス液供給工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の液処理方法。
- 前記仕上げリンス液供給工程の後で行われ、前記ガス供給部によって前記被処理体の前記保持部側の面にガスを供給する乾燥工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液処理方法。
- 被処理体を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記被処理体に薬液を供給する薬液供給機構と、
前記被処理体にリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記被処理体の前記保持部側の面にガスを供給するガス供給部と、
前記回転駆動部、前記薬液供給機構、前記リンス液供給部および前記ガス供給部を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させ、
前記薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給させ、
その後、前記ガス供給部から前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給させるとともに、前記リンス液供給部から前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給させることによって、リンス液滴を生成させて、該リンス液滴を前記被処理体と前記保持部の間に供給させ、
その後、前記リンス液供給部から前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給させることを特徴とする液処理装置。 - 液処理装置に液処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記液処理方法は、
保持部によって被処理体を保持する保持工程と、
回転駆動部によって前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転工程と、
薬液供給機構によって前記被処理体の前記保持部側の面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の後で行われ、ガス供給部から前記被処理体の前記保持部側の面に向かってガスを供給するとともに、リンス液供給部から前記被処理体の前記保持部側の面に向かってリンス液を供給することによって、リンス液滴を生成し、該リンス液滴を前記被処理体と前記保持部の間に供給するリンス液滴供給工程と、
前記リンス液滴供給工程の後で行われ、前記リンス液供給部から前記被処理体の前記保持部側の面にリンス液を供給する仕上げリンス液供給工程と、
を有する方法であることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008312182A JP5122426B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
| KR1020090113993A KR101317057B1 (ko) | 2008-12-08 | 2009-11-24 | 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체 |
| US12/631,219 US20100139702A1 (en) | 2008-12-08 | 2009-12-04 | Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium |
| TW098141712A TW201023260A (en) | 2008-12-08 | 2009-12-07 | Liquid treatment method, liquid treatment apparatus and storage medium |
| US14/060,956 US9165800B2 (en) | 2008-12-08 | 2013-10-23 | Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008312182A JP5122426B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010135680A JP2010135680A (ja) | 2010-06-17 |
| JP5122426B2 true JP5122426B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=42229692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008312182A Active JP5122426B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20100139702A1 (ja) |
| JP (1) | JP5122426B2 (ja) |
| KR (1) | KR101317057B1 (ja) |
| TW (1) | TW201023260A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018108668A1 (de) | 2018-04-12 | 2019-10-17 | Adp Gauselmann Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Bedienen einer entfernt angeordneten Spielvorrichtung |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5996425B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置を洗浄するための洗浄治具および洗浄方法、および基板処理システム |
| CN104979236B (zh) * | 2014-04-11 | 2017-09-26 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种化学液供给装置及其供给方法 |
| JP6797622B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2020-12-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6779769B2 (ja) * | 2016-12-07 | 2020-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| US10971352B2 (en) | 2018-07-16 | 2021-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Cleaning method and apparatus |
| KR102640172B1 (ko) | 2019-07-03 | 2024-02-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199471A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP3474055B2 (ja) | 1996-06-13 | 2003-12-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| TW357406B (en) * | 1996-10-07 | 1999-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for cleaning and drying a substrate |
| JP3739220B2 (ja) * | 1998-11-19 | 2006-01-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法及びその装置 |
| JP4083682B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2008-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4570008B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| JP4527660B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP4849958B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理ユニットおよび基板処理方法 |
| JP4638402B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2011-02-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
-
2008
- 2008-12-08 JP JP2008312182A patent/JP5122426B2/ja active Active
-
2009
- 2009-11-24 KR KR1020090113993A patent/KR101317057B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-04 US US12/631,219 patent/US20100139702A1/en not_active Abandoned
- 2009-12-07 TW TW098141712A patent/TW201023260A/zh unknown
-
2013
- 2013-10-23 US US14/060,956 patent/US9165800B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018108668A1 (de) | 2018-04-12 | 2019-10-17 | Adp Gauselmann Gmbh | Einrichtung und Verfahren zum Bedienen einer entfernt angeordneten Spielvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010135680A (ja) | 2010-06-17 |
| KR20100066362A (ko) | 2010-06-17 |
| US9165800B2 (en) | 2015-10-20 |
| US20140048109A1 (en) | 2014-02-20 |
| TW201023260A (en) | 2010-06-16 |
| KR101317057B1 (ko) | 2013-10-11 |
| US20100139702A1 (en) | 2010-06-10 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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