JPH11345797A - ２流体噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴流洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 気体使用量を削減でき、半導体ウェーハ基板
の表面に付着した汚染物質を帯電することなく除去でき
る２流体噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄
装置並びに２流体噴流洗浄方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ１の表面にプラズマ／洗
浄液２流体噴流を噴射する２流体噴出ノズル１０を設
け、この２流体噴出ノズル１０に気体供給手段を接続さ
せる供給口１１および気体を流出させる噴出口１３を備
えた流路１２を設け、この流路１２に電圧を供給する電
極部１４、１５を設けてプラズマ電源と接続し、洗浄液
供給手段から洗浄液供給口１６を介して供給口１１また
は噴出口１３のいずれかに選択的に洗浄液を供給する洗
浄液流路１６ａ、１６ｂを備えるとともに、電極部１
４、１５に冷却水を循環させて冷却する冷却水供給口１
８ａおよび冷却水排水口１８ｃを備えた冷却流路１８ｂ
を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、２流体噴出ノズル
及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴
流洗浄方法に係り、より詳細には半導体ウェーハの基板
上に付着している汚染物質を除去する２流体噴出ノズル
及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴
流洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造工程では、半導体ウェ
ーハ上にＣＶＤ法またはスパッタ法により膜を形成する
と、その表面に微粒子状の汚染物質が付着する。また、
半導体ウェーハの表面には、レジストの残渣が付着する
ことがある。これらの汚染物質を除去する方法として、
気体／洗浄液２流体噴流を半導体ウェーハの表面に向け
て噴出する洗浄方法が提案されている。このような技術
としては、例えば、特開平８−３１８１８１号公報、及
び特開平７一２４５２８２号公報等に開示されている。

【０００３】図９は、このような気体／洗浄液による従
来の２流体噴流洗浄装置を示す概念図である。図９に示
すように、従来の２流体噴流洗浄装置は、液滴を半導体
ウェーハ１００上に向けて噴出する噴出ノズル１１０を
備えている。噴出ノズル１１０には、この噴出ノズル１
１０内に洗浄液（純水等）を供給する洗浄液供給手段１
２０が接続されている。また、噴出ノズル１１０には、
噴出ノズル１１０内に気体を供給する気体供給手段１３
０が接続されている。

【０００４】ここで、洗浄液供給手段１２０には、加圧
タンクやレギュレータ等が設けられており（図示せず）
噴出ノズル１１０に供給する洗浄液の供給圧力及び供給
量が制御されている。また、気体供給手段１３０におい
ても図示しないが、レギュレータ等が設けられており、
気体の供給圧力と供給量とが制御されている。また、噴
出ノズル１１０の下部には、半導体ウェーハ１００を保
持して回転するウェーハステージ１０２が設けてある。

【０００５】このような構成による従来の２流体噴流洗
浄装置を使用する場合、まず、半導体ウェーハ１００を
ウェーハステージ１０２の上部に保持させて回転させ
る。次に、気体供給手段１３０及び洗浄液供給手段１２
０から噴出ノズル１１０に気体と洗浄液とを供給する。
気体と洗浄液とが噴出ノズル１１０に供給されると、噴
出ノズル１１０内で気体と洗浄液とが混合され、洗浄液
は粒状の液滴に変化し、気体の流れとともに噴出ノズル
１１０の先端から噴出される。この際、噴出ノズル１１
０内では、洗浄液の液滴が気体の流れによって加速され
噴出される。

【０００６】ここで、気体及び洗浄液が噴出ノズル１１
０から噴出される速度は、気体及び洗浄液の供給圧力
（供給量）によって制御される。洗浄液の供給量を少な
くし、気体の供給量を多くすると、液滴の粒径は小さく
なる。一方、洗浄液を多く、気体を少なく供給すると、
液滴の粒子は大きくなる。上述のように、液滴の噴出速
度と、粒径を変化させることによって、洗浄効果（除去
率）と、デバイスに与えるダメージ量を制御することが
可能となる。従って、除去すべき汚染物質の大きさによ
って、液滴の粒径を自在に制御することで、効果的な洗
浄効果を得ることができる。

【０００７】このように、従来の２流体噴流洗浄装置で
は、気体及び洗浄液を使用して噴出ノズル１１０への供
給量を変化させて半導体ウェーハ１００上に噴出させる
ことで、効果的に洗浄を行っていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の２
流体噴流洗浄装置では、装置を作動する場合に多量の気
体を便用するため、ランニングコストが高く、また大容
量の気体供給設備が必要になるという不具合があった。
また、噴出される洗浄液は、半導体ウェーハの表面に衡
突して静電気が発生するため、この静電気により半導体
ウェーハ表面に形成されている半導体素子に電気的損傷
を与えるとともに、この静電気は半導体ウェーハ洗浄の
みならず、液晶基板、フォトマスク等の基板洗浄におい
ても電気的損傷を与えてしまう不具合があった。本発明
はこのような課題を解決し、気体使用量を削減でき、半
導体ウェーハ基板の表面に付着した汚染物質を帯電する
ことなく除去できる２流体噴出ノズル及びこれを使用し
た２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴流洗浄方法を提供
することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、被洗浄物の表面に付着している汚染物を
除去する噴出ノズルは、気体を供給する供給口及び気体
を噴出する噴出口とを有する気体供給流路と、この気体
供給流路の供給口と噴出口との間に設けられて直流電圧
または交流電圧のいずれかを印加して気体をプラズマ化
する電極部と、気体供給流路の供給口または噴出口のい
ずれかに洗浄液を供給する洗浄液供給流路と、電極部を
冷却する冷却手段とを備え、電極部により気体をプラズ
マ化して体積を膨張させて洗浄液供給流路により供給し
た洗浄液を気体供給流路の噴出口からプラズマ／洗浄液
２流体噴流として噴出させる。ここで、洗浄液供給流路
は、気体供給流路の供給口に洗浄液を供給して気体と混
合させるか、または気体供給流路の噴出口に洗浄液を供
給して電極部により気体がプラズマ化したプラズマ噴流
に混合させるか、或いは気体供給流路の供給口または噴
出口のいずれかに洗浄液を選択的に供給して気体または
プラズマ噴流のいずれかと混合させることが好ましい。
また、冷却手段は電極部に冷却水を循環させ、洗浄液は
純水または薬液のいずれかを使用することが好ましい。

【００１０】また、洗浄液を噴出させて被洗浄物の表面
に付着している汚染物を除去する洗浄装置は、洗浄液と
気体とを各々供給する供給流路及び気体をプラズマ化す
る電極部を設けるとともに電極部を冷却する冷却手段を
備えて気体をプラズマ化させて体積を膨張させてプラズ
マ／洗浄液２流体噴流を噴出させる２流体噴出ノズル
と、２流体噴出ノズルの供給流路に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、２流体噴出ノズルの供給流路に気体を
供給する気体供給手段と、２流体噴出ノズルの電極部に
直流電圧または交流電圧のいずれかを印加するプラズマ
電源とを備える。ここで、２流体噴出ノズルは複数個設
けてお互いに交差しないように配置するとともに、プラ
ズマ／洗浄液２流体噴流を被洗浄物に噴出させる噴出角
度を１５°〜９０°の範囲に調節できるように設け、被
洗浄物の半径上部を移動できるように設けることが好ま
しい。また、洗浄液供給手段と気体供給手段とは供給圧
力を制御する手段を更に備え、プラズマ電源は電極部に
印加される電圧または電流のいずれかを制御する手段を
更に備えることが好ましい。

【００１１】また、洗浄装置の他の実施の形態は、被洗
浄物の表面に向けて薬液を噴出させる薬液噴出ノズル
と、洗浄液と気体とを各々供給する供給流路及び気体を
プラズマ化する電極部を設けるとともに電極部を冷却す
る冷却手段を備えて気体をプラズマ化させて体積を膨張
させてプラズマ／洗浄液２流体噴流を噴出させる２流体
噴出ノズルと、薬液噴出ノズルにバルブを介して薬液を
供給する薬液供給手段と、２流体噴出ノズルの供給流路
にバルブを介して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
２流体噴出ノズルの供給流路にバルブを介して気体を供
給する気体供給手段と、２流体噴出ノズルの電極部に直
流電圧または交流電圧のいずれかを印加するプラズマ電
源とを備える。

【００１２】また、更なる洗浄装置の他の実施の形態
は、洗浄液と気体とを各々供給する供給流路及び気体を
プラズマ化する電極部を設けるとともに電極部を冷却す
る冷却手段を備えて気体をプラズマ化させて体積を膨張
させることでプラズマ／洗浄液２流体噴流を噴出させる
２流体噴出ノズルと、この２流体噴出ノズルの供給流路
にバルブを介して気体を供給する気体供給手段と、２流
体噴出ノズルの洗浄液を供給する供給流路に分岐する２
つの供給ラインを設けて供給ラインの一方に第一のバル
ブを介して純水を供給する純粋供給手段と他方に第二の
バルブを介して薬液を供給する薬液供給手段とを各々接
続した洗浄液供給手段と、２流体噴出ノズルの電極部に
直流電圧または交流電圧のいずれかを印加するプラズマ
電源とを備える。

【００１３】更に、被洗浄物の表面に洗浄液を噴出させ
て付着している汚染物を除去する洗浄方法は、２流体噴
出ノズルの供給口に気体を供給する気体供給工程と、２
流体噴出ノズル内に設けた電極部に直流電圧または交流
電圧のいずれかを供給することにより前記気体をプラズ
マ化させてプラズマ噴流を発生させる電圧供給工程と、
２流体噴出ノズルの噴出口に洗浄液を供給して前記電極
部により発生したプラズマ噴流と混合させる混合工程
と、混合工程で供給した洗浄液がプラズマ噴流により前
記２流体噴出ノズルからプラズマ／洗浄液２流体噴流と
して噴出させて前記被洗浄物の表面を洗浄する噴出洗浄
工程とを備える。

【００１４】また、洗浄方法の他の実施の形態は、２流
体噴出ノズルの供給口に洗浄液及び気体を供給して混合
させる混合工程と、２流体噴出ノズル内に設けた電極部
に直流電圧または交流電圧のいずれかを供給することに
より混合工程で洗浄液と混合させた気体がプラズマ化さ
れてプラズマ噴流を発生させる電圧供給工程と、電圧供
給工程で発生させたプラズマ噴流により混合工程で混合
させた洗浄液が２流体噴出ノズルからプラズマ／洗浄液
２流体噴流として噴出させて被洗浄物の表面を洗浄する
噴出洗浄工程とを備える。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による２流体噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流
洗浄装置並びに２流体噴流洗浄方法の実施の形態を詳細
に説明する。図１は、本発明による２流体噴流洗浄装置
の第１の実施の形態を示す概念図である。また、図２
は、図１に示した２流体噴出ノズル１０の断面を示す断
面図である。

【００１６】図１に示すように、本発明による２流体噴
流洗浄装置の第１の実施の形態は、半導体ウェーハ１の
表面に付着している汚染物質を除去するためにプラズマ
／洗浄液２流体噴流を噴出する２流体噴出ノズル１０を
備えている。この２流体噴出ノズル１０には、２流体噴
出ノズル１０内に洗浄液を供給する洗浄液供給手段２０
が接続されている。また、２流体噴出ノズル１０には、
２流体噴出ノズル１０内に気体を供給する気体供給手段
３０が接続されている。更に、２流体噴出ノズル１０に
は、直流電圧または交流電圧のいずれかを印加するプラ
ズマ電源４０が接続されている。また、２流体噴出ノズ
ル１０の下部には、半導体ウェーハ１を保持して回転す
るウェーハステージ２が設けられている。

【００１７】図２に示すように、２流体噴出ノズル１０
は、洗浄液供給手段２０に接続される洗浄液供給口１６
と、気体供給手段３０に接続される供給口１１と、プラ
ズマ電源４０に電気的に接続される電極部１５、１４と
を備えている。

【００１８】供給口１１は、２流体噴出ノズル１０の内
部に延長する流路１２を介して噴出口１３と接続されて
いる。また、２流体噴出ノズル１０の流路１２には、電
極部１４、１５が形成されている。この電極部１４、１
５には、内部に冷却水を循環させる冷却流路１８ｂが配
設されている。この冷却流路１８ｂは、一端が冷却水供
給口１８ａと、他端が冷却水排出口１８ｃとに各々接続
されている。従って、冷却水供給口１８ａから供給され
た冷却水は、冷却流路１８ｂを循環して冷却水排出口１
８ｃに排出され、高温状態の電極部１４、１５を冷却す
る。

【００１９】また、洗浄液供給口１６は、２流体噴出ノ
ズル１０の内部に延在して、この内部で２つに分岐する
洗浄液流路１６ａ、１６ｂを備えている。この洗浄液流
路１６ａ、１６ｂは、一方の洗浄液流路１６ａが供給口
１１に、他方の洗浄液流路１６ｂが噴出口１３に各々接
続されている。この洗浄液流路１６ａと洗浄液流路１６
ｂとには、洗浄液の流れを制御するバルブ１７ａ、１７
ｂが各々装着されている。従って、洗浄液供給手段２０
から洗浄液供給口１６に供給される洗浄液は、バルブ１
７ａ、１７ｂを開閉することで、洗浄液流路１６ａまた
は洗浄液流路１６ｂのいずれかに選択的に流出させるこ
とができる。

【００２０】このように構成された第１の実施の形態に
より半導体ウェーハの表面を洗浄する場合、２つの方法
がある。まず、第１の洗浄方法として、半導体ウェーハ
１をウェーハステージ２の上部に保持させて回転させ
る。次に、２流体噴出ノズル１０の供給口１１に気体供
給手段３０から気体を供給する。このとき気体は、２流
体噴出ノズル１０の供給口１１より供給され、流路１２
を介して流出する。また、流路１２には、電極１４、１
５が設けられており、この電極１４、１５に直流電圧ま
たは交流電圧のいずれかを印加する。ここで、電極１
４、１５は、外部のプラズマ電源４０（図１参照）に接
続されており、このプラズマ電源４０により直流電圧ま
たは交流電圧のいずれかを印加する。

【００２１】また、２流体噴出ノズル１０の電極１４、
１５は、直流電圧または交流電圧のいずれかが印加され
ると高温状態になるため、冷却水供給口１８ａから冷却
水を供給して冷却している。この冷却水供給口１８ａか
ら供給された冷却水は、電極１４、１５の近傍に延在す
る冷却流路１８ｂを循環し、冷却水排水口１８ｃから排
出されることにより、電極１４、１５を冷却水により常
に冷却された状態に維持する。電極１４、１５が冷却水
により冷却されると、２流体噴出ノズル１０の内部に気
体供給手段３０から気体を供給して電極１４、１５に気
体の放電しきい値以上の電圧を印加する。これにより２
流体噴出ノズル１０の内部では、放電が起こり気体がプ
ラズマ化する。このプラズマ化した気体は、急速に膨張
し、噴出口１３から高速のプラズマ噴流として噴出され
る。

【００２２】そして、２流体噴出ノズル１０には、プラ
ズマ噴流に洗浄液供給口１６から洗浄液を供給して混合
する。この際、バルブ１７ａ、１７ｂは、洗浄液流路１
６ａ側のバルブ１７ａを閉じ、洗浄液流路１６ｂ側のバ
ルブ１７ｂを開けた状態にする。これにより、洗浄液
は、洗浄液流路１６ｂから供給され、噴出口１３内でプ
ラズマ噴流と混合して噴出する。従って、２流体噴出ノ
ズル１０の噴出口１３からは、プラズマ／洗浄液２流体
噴流が噴出する。噴出口３５から噴出されたプラズマ／
洗浄液２流体噴流は、図１に示したウェーハステージ２
の上部で回転する半導体ウェーハ１の表面に放出され、
表面に付着した汚染物質を除去する。この際、２流体噴
出ノズル１０は、半導体ウェーハ１の表面に付着した汚
染物質を効果的に除去するため、半導体ウェーハ１の半
径方向に移動させて除去する。

【００２３】ここで、２流体噴出ノズル１０は、洗浄液
供給口１６から分岐した２つの洗浄液流路１６ａ、１６
ｂを設けているが、洗浄液流路１６ｂだけを設けても同
じ効果が得られる。図３は、洗浄液流路を噴出口側のみ
に設けた２流体噴出ノズルの他の実施の形態を示す断面
図である。図３に示すように、洗浄液流路を噴出口側の
みに設けた２流体噴出ノズル７０は、洗浄液供給手段
（図示せず）から洗浄液を供給する洗浄液供給口７６を
側面に設てある。また２流体噴出ノズル７０は、図２に
示した２流体噴出ノズル１０とは異なり、洗浄液供給口
７６から内部に延在した洗浄液流路７６ｂは２つに分岐
せずに噴出口７３に接続している。このように２流体噴
出ノズル７０は、前述した第１の洗浄方法と同様に気体
をプラズマ化したプラズマ噴流に洗浄液を混合させて噴
出することができる。

【００２４】次に、第１の実施の形態により半導体ウェ
ーハの表面を洗浄する第２の洗浄方法を説明する。ま
ず、半導体ウェーハ１をウェーハステージ２の上部に保
持して回転させる。次に、２流体噴出ノズル１０の供給
口１１に気体供給手段３０から気体を供給する。これと
同時に、２流体噴出ノズル１０の供給口１１には、洗浄
液供給口１６の洗浄液流路１６ｂを介して洗浄液を供給
する。この際、バルブ１７ａ、１７ｂは、洗浄液流路１
６ａ側のバルブ１７ａを開けた状態にし、洗浄液流路１
６ｂ側のバルブ１７ｂを閉じた状態にする。このように
２流体噴出ノズル１０の供給口１１では、洗浄液流路１
６ｂから供給した洗浄液と、供給口１１に供給した気体
とが混合する。この供給口１１で混合した流体は、２流
体噴出ノズル１０の流路１２を介して流出する。

【００２５】ここで流路１２には、電極１４、１５が設
けられており、この電極１４、１５には、気体の放電し
きい値以上の直流電圧または交流電圧のいずれかを印加
する。この際、電極１４、１５は、電圧が印加されると
高温状態になるため、冷却水供給口１８ａより冷却水を
供給する。電極１４、１５が冷却されると、直流電圧ま
たは交流電圧のいずれかが印加され、２流体噴出ノズル
１０の内部で放電が起こり洗浄液と混合した気体がプラ
ズマ化する。このプラズマ化した気体は、急速に膨張
し、噴出口１３から高速のプラズマ噴流として噴出す
る。これにより、気体と混合した洗浄液は、プラズマ噴
流により２流体噴出ノズル１０の噴出口１３からプラズ
マ／洗浄液２流体噴流として噴出する。この噴出口１３
から噴出されたプラズマ／洗浄液２流体噴流は、ウェー
ハステージ２の上部で回転する半導体ウェーハ１の表面
に放出され、表面に付着した汚染物質を除去する。

【００２６】ここで、２流体噴出ノズル１０は、洗浄液
供給口１６に分岐する２つの洗浄液流路１６ａ、１６ｂ
を設けているが、洗浄液流路１６ａだけを設けても同じ
効果が得られる。図４は、洗浄液流路を供給口側のみに
設けた２流体噴出ノズルの更なる他の実施の形態を示す
断面図である。図４に示すように、洗浄液流路を供給口
側のみに設けた２流体噴出ノズル８０は、洗浄液供給手
段（図示させず）から洗浄液を供給する洗浄液供給口８
６を気体を供給する供給口８１の近傍に設け、この洗浄
液供給口８６を供給口８１と洗浄液流路８６ａを介して
接続する。これにより２流体噴出ノズル８０は、前述し
た第２の洗浄方法と同様に気体と洗浄液とが供給口８１
で混合され、この混合した流体の気体がプラズマ化して
プラズマ／洗浄液２流体噴流を噴出することができる。

【００２７】以上、説明したように第１の実施の形態
は、気体をプラズマ化したプラズマ噴流と洗浄液とを混
合して噴出する方法と、気体と洗浄液とを混合させた後
に気体をプラズマ化して噴出する方法との２つの方法が
実行できる。ここで、プラズマは、荷電粒子を含んでい
るが、巨視的にみれば電気的に中性である。仮に、何ら
かの原因で電気的な中性が乱されると、ブラズマ内に電
界が生じて、荷電粒子に引力または斥力が働き、電気的
中性を回復しようとするプラズマ振動といわれる現象が
認められている。このように本実施の形態では、プラズ
マを用いることにより、プラズマ／洗浄液２流体噴流を
噴出させる洗浄装置であり、半導体ウェーハが帯電する
という不具合を解決することができる。

【００２８】従って、第１の実施の形態によれば、噴出
ノズル２内に供給された気体をプラズマ化してプラズマ
／洗浄液２流体噴流を発生させているため、従来技術の
気体／洗浄液２流体噴流に比ベて、少ない気体供給量で
同じ速度の噴流が得られる。また、プラズマ／洗浄液２
流体噴流は、プラズマの電気的中和作用により、被洗浄
物である半導体ウェーハの帯電を防ぐことができる。

【００２９】次に、図５を参照して本発明による２流体
噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並び
に２流体噴流洗浄方法の第２の実施の形態を詳細に説明
する。図５は、本発明による２流体噴流洗浄装置の第２
の実施の形態を示す概念図である。ここで第２の実施の
形態は、第１の実施の形態に薬液を供給する薬液噴出ノ
ズル５０を備えたものであり、同じ構成要素には同一符
号を記載するとともに、重複する説明は省略する。図５
に示すように、本発明による２流体噴流洗浄装置の第２
の実施の形態は、第１の実施の形態と同様のプラズマ／
純水２流体噴流を噴出するための２流体噴出ノズル１０
を備える。

【００３０】この２流体噴出ノズル１０には、第１の実
施の形態とは異なり、バルブ２２を介して洗浄液（純
水）を供給する洗浄液供給手段２０と、バルブ３２を介
して気体を供給する気体供給手段３０とを接続してい
る。また、２流体噴出ノズル１０には、第１の実施の形
態と同様に２流体噴出ノズル１０内に直流電圧または交
流電圧のいずれかを印加するためのプラズマ電源４０が
接続されている。この２流体噴出ノズル１０は、図５に
示した矢印方向に移動可能に設けられている。

【００３１】また２流体噴出ノズル１０の近傍には、第
１の実施の形態とは異なり、薬液（純水以外の酸、アル
カリ系薬液）を噴出するための薬液噴出ノズル５０を備
えている。この薬液噴出ノズル５０は、薬液供給ライン
により薬液を貯蔵する薬液槽６０と接続されている。こ
の薬液供給ラインには、バルブ６１が装着されている。
また、薬液噴出ノズル５０は、図５に示した矢印方向に
移動可能に設けられている。また、薬液槽６０には、薬
液を加圧するための気体ラインを接続しており、この気
体ラインにはバルブ６２が装着されている。また、２流
体噴出ノズル１０および薬液噴出ノズル５０の下部に
は、半導体ウエーハを保持して回転すウエーハステージ
１２が設けられている。

【００３２】このような構成からなる第２の実施の形態
により洗浄工程を実行する場合、まず、被洗浄物の半導
体ウェーハ１をウェーハステージ２の上部に載置させて
保持する。半導体ウェーハ１がウェーハステージ２の上
部に保持されると、バルブ６１、６２を開けることで薬
液槽６０に気体が供給されて加圧し、薬液噴出ノズル５
０からウェーハステージ２上部に保持された半導体ウェ
ーハ１の表面に薬液を噴出させる。この際、ウェーハス
テージ２は、薬液が均一に半導体ウェーハ１の表面に供
給されるように回転させる。また、薬液噴出ノズル５０
は、半導体ウェーハ１の半径方向（図５に示した矢印方
向）に掃引する。

【００３３】このような処理により、半導体ウェーハ１
の表面に付着した汚染物質は、薬液噴出ノズル５０から
噴出する薬液により付着力が緩和される。その後、第１
の実施の形態と同様に、第１の洗浄方法または第２の洗
浄方法により２流体噴出ノズル１０からプラズマ／純水
２流体墳流を半導体ウェーハ１の表面に噴出させて汚染
物質を除去する。

【００３４】このように、第２の実施の形態によれば、
プラズマ／純水２流体噴流により半導体ウェーハの表面
を洗浄するため、第１の実施の形態と同様の効果を得る
ことができる。また、第２の実施の形態によれば、半導
体ウェーハは薬液を噴出して表面に付着した汚染物質の
付着力を緩和させた後、プラズマ／純水２流体噴流を半
導体ウェーハの表面に噴出するため、基板上の汚染物質
が効果的に除去することができる。更に、第２の実施の
形態によれば、半導体ウェーハ表面の汚染物質の付着力
を薬液により付着力を緩和させるため、洗浄時間の短縮
が可能となる。

【００３５】次に、図６を参照して本発明による２流体
噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並び
に２流体噴流洗浄方法の第３の実施の形態を詳細に説明
する。図６は、本発明による２流体噴流洗浄装置の第３
の実施の形態を示す概念図である。ここで第３の実施の
形態は、第２の実施の形態での薬液槽６０を２流体噴出
ノズル１０に接続したものであり、同じ構成要素には同
一符号を記載するとともに重複する説明は省略する。

【００３６】図６に示すように、本発明による２流体噴
流洗浄装置の第３の実施の形態は、第１の実施の形態と
同様にプラズマ／洗浄液２流体噴流を半導体ウェーハ１
の表面に向けて噴出するための２流体噴出ノズル１０を
備えている。この２流体噴出ノズル１０は、図６に示し
た矢印方向に移動可能に設けられている。

【００３７】ここで、２流体噴出ノズル１０には、バル
ブ２２を介して洗浄液を供給する洗浄液供給手段２０が
接続されている。この洗浄液供給手段２０の供給ライン
には、第２の実施の形態と異なりバルブ６１を介して薬
液を供給する薬液槽６０が接続されている。この薬液槽
６０には、バルブ６２を介して液薬を加圧する気体の供
給ラインが接続されている。

【００３８】また、２流体噴出ノズル１０には、第２の
実施の形態と同様にバルブ３２を介して気体を供給する
気体供給手段３０が接続されている。更に、２流体噴出
ノズル１０には、第１の実施の形態と同様に、内部に設
けた電極（図示せず）に直流電圧または交流電圧のいず
れかを印加するためのプラズマ電源４０が接続されてい
る。また、２流体噴出ノズル１０の下部には、被洗浄物
の半導体ウェーハ１を保持して回転するウェーハステー
ジ１２が設けられている。

【００３９】このように構成された第３の実施の形態に
より洗浄工程を実行する場合、まず、被洗浄物である半
導体ウェーハ１をウェーハステージ２の上部に載置させ
て保持する。次に、バルブ３２を開けて２流体噴出ノズ
ル１０に気体を供給する。２流体噴出ノズル１０に気体
を供給すると、２流体噴出ノズル１０内に設けた電極部
（図示せず）にプラズマ電源４０から直流電圧または交
流電圧にいずれかを印加する。これにより２流体噴出ノ
ズル１０の内部では、供給された気体がプラズマ化さ
れ、プラズマ噴流が発生する。

【００４０】２流体噴出ノズル１０の内部でプラズマ噴
流が発生すると、バルプ３２を閉じてバルブ６１、６２
を開けて薬液を加圧する。これにより２流体噴出ノズル
１０の内部には、薬液が供給され、この薬液がプラズマ
噴流と混合することによりプラズマ／薬液２流体噴流を
噴出させる。この２流体噴出ノズル１０から噴出するプ
ラズマ／薬液２流体噴流は、半導体ウェーハ１の表面に
噴出されて表面に付着した汚染物質の付着力を緩和させ
る。

【００４１】この際、ウェーハステージ２は、薬液が均
一に半導体ウェーハ１の表面に供給されるように回転さ
せるとともに、２流体噴出ノズル１０は半導体ウェーハ
１の半径方向（図６に示した矢印方法）に掃引する。そ
の後、２流体噴出ノズル１０には、バルブ６１、６２を
閉じるとともにバルブ２２を開けることで洗浄液を供給
する。これにより２流体噴出ノズル１０は、第１の実施
の形態と同様に、第１の洗浄方法または第２の洗浄方法
によりプラズマ／洗浄液２流体噴流を半導体ウェーハ１
の表面に噴出させて汚染物質を除去する。

【００４２】このように、第３の実施の形態によれば、
プラズマ／洗浄液２流体噴流により半導体ウェーハの表
面を洗浄するため、第１の実施の形態と同様の効果を得
ることができる。また、第３の実施の形態によれば、２
流体噴出ノズル１０に第一のバルブ２２を介して洗浄液
を供給する洗浄液供給手段と、第二のバルブ６１を介し
て薬液を供給する薬液供給手段とを設けてあるため、バ
ルブを切り換えることによって、プラズマ／薬液２流体
噴流またはプラズマ／洗浄液２流体噴流のいずれかを選
択的に噴出することができる。更に、第３の実施の形態
によれば、プラズマ／薬液２流体噴流により半導体ウェ
ーハ１の表面に付着した汚染物質の付着力を緩和するた
め、薬液を加圧により噴出する第２の実施の形態に比べ
て、より効果的に洗浄を実行することができ、洗浄時間
の短縮することができる。

【００４３】次に、図７を参照して本発明による２流体
噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並び
に２流体噴流洗浄方法の第４の実施の形態を詳細に説明
する。図７は、本発明による２流体噴流洗浄装置の第４
の実施の形態を示す概念図である。ここで第４の実施の
形態では、第１の実施の形態での２流体噴出ノズル１０
を２箇所設けたものであり、同一構成要素には同じ符号
を記載するとともに、重複する説明は省略する。

【００４４】図７に示すように、本発明による２流体噴
流洗浄装置の第４の実施の形態は、第１の実施の形態と
同様にプラズマ／洗浄液２流体噴流を半導体ウェーハ１
の表面に向けて噴出するための２流体噴出ノズル１０を
２個設けてある。この２つの２流体噴出ノズル１０−
１、１０−２は、同時に所定の間隔を保ちながら、半導
体ウェーハ１の半径に沿って、図７に示した矢印方向に
移動できるように設けてある。また、２つの２流体噴出
ノズル１０−１、１０−２は、互いに交差しないように
配置されている。

【００４５】ここで、２流体噴出ノズル１０−１、１０
−２は、一方の２流体噴出ノズル１０−１が半導体ウェ
ーハ１の周辺部にプラズマ／洗浄液２流体噴流を噴出す
るように配置されており、他方の２流体噴出ノズル１０
−２は半導体ウェーハ１の中央部にプラズマ／洗浄液２
流体噴流を噴出するように配置されている。この際、２
流体噴出ノズル１０−１、１０−２の下部には、ウェー
ハステージ２が設けてあり、洗浄液が均一に半導体ウェ
ーハ１の表面に供給されるように回転させている。

【００４６】また、２流体噴出ノズル１０−１、１０−
２には、洗浄液供給手段２０−１、２０−２、気体供給
手段３０−１、３０−２、及びプラズマ電源４０−１、
４０−２が各々接続されている。ここで、洗浄液供給手
段２０−１、２０−２、及び気体供給手段３０−１、３
０−２は、２流体噴出ノズル１０−１、１０−２と接続
する供給ラインにバルブ２２−１、２２−２、３２−
１、３２−２を各々装着している。

【００４７】このように構成された第４の実施の形態に
より洗浄工程を実行する場合、まず、被洗浄物である半
導体ウェーハ１をウェーハステージ２の上部に載置させ
て保持する。半導体ウェーハ１がウェーハステージ２の
上部に保持されると、第１の実施の形態と同様に、２つ
の２流体噴出ノズル１０−１、１０−２が同時に、プラ
ズマ／洗浄液２流体墳流をウェーハステージ２に保持さ
れて回転する半導体ウェーハ１の表面に噴出して汚染物
質を除去する。この際、２流体噴出ノズル１０−１、１
０−２は、プラズマ／洗浄液２流体噴流を半導体ウェー
ハ１に均一に噴出するため、所定の間隔を保ちながら半
導体ウェーハ１の半径方向に掃引させて汚染物質を除去
する。

【００４８】このように、第４の実施の形態によれば、
プラズマ／純水２流体噴流により半導体ウェーハの表面
を洗浄するため、第１の実施の形態と同様の効果を得る
ことができる。また、第４の実施の形態によれば、１つ
の２流体噴出ノズルを使用した第１の実施の形態に比べ
て、２流体噴出ノズルを２箇所設けているため、半導体
ウェーハの表面に付着した汚染物質を均一に除去すると
ともに、短時間で除去することができる。

【００４９】次に、図８を参照して本発明による２流体
噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並び
に２流体噴流洗浄方法の第５の実施の形態を詳細に説明
する。図８は、本発明による２流体噴流洗浄装置の第５
の実施の形態を示す概念図である。ここで第５の実施の
形態は、第４の実施の形態で２箇所設けた噴出ノズルの
角度を変更できるようにしたものであり、同一構成要素
には同じ符号を記載するとともに、重複する説明は省略
する。

【００５０】図８に示すように、本発明による２流体噴
流洗浄装置の第５の実施の形態は、第４の実施の形態と
同様に、２流体噴出ノズル１０−１、１０−２を２箇所
備えている。この２流体噴出ノズル１０−１、１０−２
は、第４の実施の形態とは異なり、プラズマ／洗浄液２
流体噴流を噴出する際に噴出角度を１５°〜９０°の範
囲で調節できるように設けられている。

【００５１】このよに構成された第５の実施により洗浄
工程を実行する場合、第４の実施の形態と同様に、ま
ず、被洗浄物である半導体ウェーハ１をウェーハステー
ジ２の上部に載置させて保持する。そして、２つの２流
体噴出ノズル１０−１、１０−２は、同時にプラズマ／
洗浄液２流体墳流を半導体ウェーハ１の表面に噴出して
汚染物質を除去する。この際、２つの２流体噴出ノズル
１０−１、１０−２は、プラズマ／洗浄液２流体噴流を
半導体ウェーハ１に均一に噴出させるために図８に示し
た矢印方向に掃引するとともに、効果的に表面に付着し
た汚染物質を除去するためにプラズマ／洗浄液２流体噴
流を噴出する噴出角度を調節して洗浄工程を実行する。

【００５２】このように、第５の実施の形態によれば、
２つの２流体噴出ノズル１０−１、１０−２からプラズ
マ／純水２流体噴流を噴出して半導体ウェーハ１の表面
を洗浄するため、第４の実施の形態と同様の効果を得る
ことができる。また、第５の実施の形態によれば、２流
体噴出ノズル１０−１、１０−２が各々プラズマ／洗浄
液２流体噴流を噴出する噴出角度を変えることができる
ため、半導体ウェーハ１の表面に付着した汚染物質を第
４の実施の形態に比べて効果的に除去することができ
る。

【００５３】以上、本発明による２流体噴出ノズル及び
これを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴流洗
浄方法の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述
の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で変更可能である。例えば、第４及び第５
の実施の形態において、２つの２流体噴出ノズル１０−
１、１０−２を設けた実施の形態を説明したが、２流体
噴出ノズルを２箇所設けることに限定されるものではな
く、複数箇所に２流体噴出ノズルを配置して洗浄するこ
とで洗浄効果を向上させてもよい。

【００５４】

【発明の効果】このように本発明による２流体噴出ノズ
ル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体
噴流洗浄方法によれば、２流体噴出ノズル内に供給した
気体をプラズマ化してプラズマ／洗浄液２流体噴流を噴
出させるため、従来技術の気体／洗浄液２流体噴流に比
ベて、少ない気体供給量で同じ速度の噴流が得られる。
また、プラズマ化による電気的中和作用により、被洗浄
物である半導体ウェーハの帯電を防ぐことができる。ま
た、半導体ウェーハを薬液またはプラズマ／薬液２流体
噴流により表面に付着した汚染物質の付着力を緩和させ
た後、プラズマ／洗浄液２流体噴流により表面を洗浄す
るため、半導体ウェーハ上の汚染物質が効果的に除去す
ることができ、洗浄時間の短縮が可能となる。更に、噴
出ノズルに第一のバルブと第二のバルブとを備え、この
バルブを切り換えることによって、プラズマ／薬液２流
体噴流またはプラズマ／洗浄液２流体噴流のいずれかを
選択的に噴出することができるため、より効果的に洗浄
を実行することができ、洗浄時間の短縮を可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による２流体噴流洗浄装置の第１の実施
の形態を示す概念図。

【図２】図１に示した噴出ノズルの断面を示す断面図。

【図３】洗浄液流路を噴出口側のみに設けた図１に示し
た２流体噴出ノズルの他の実施の形態を示す断面図。

【図４】洗浄液流路を供給口側のみに設けた図１に示し
た２流体噴出ノズルの更なる他の実施の形態を示す断面
図。

【図５】本発明による２流体噴流洗浄装置の第２の実施
の形態を示す概念図。

【図６】本発明による２流体噴流洗浄装置の第３の実施
の形態を示す概念図。

【図７】本発明による２流体噴流洗浄装置の第４の実施
の形態を示す概念図。

【図８】本発明による２流体噴流洗浄装置の第５の実施
の形態を示す概念図。

【図９】従来の２流体噴流洗浄装置を示す概念図。

【符号の説明】

１ 半導体ウェーハ ２ ウェーハステージ １０ ２流体噴出ノズル １１ 供給口 １２ 流路 １３ 噴出口 １４ 電極部 １５ 電極部 １６ 洗浄液供給口 １６ａ 洗浄液流路 １６ｂ 洗浄液流路 １７ａ バルブ １７ｂ バルブ １８ａ 冷却水供給口 １８ｂ 冷却流路 １８ｃ 冷却水排出口 ２０ 洗浄液供給手段 ３０ 気体供給手段 ４０ プラズマ電源

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被洗浄物の表面に付着している汚染物を
   除去する噴出ノズルにおいて、 気体を供給する供給口と、この気体を噴出する噴出口と
   を有する気体供給流路と、 前記気体供給流路の供給口と噴出口との間に設けられ、
   直流電圧または交流電圧のいずれかを印加して前記気体
   をプラズマ化する電極部と、 前記気体供給流路の供給口または噴出口のいずれかに洗
   浄液を供給する洗浄液供給流路と、 前記電極部を冷却する冷却手段とを備え、 前記電極部により前記気体をプラズマ化して体積を膨張
   させ、前記洗浄液供給流路により供給した洗浄液を前記
   気体供給流路の噴出口からプラズマ／洗浄液２流体噴流
   として噴出させることを特徴とする２流体噴出ノズル。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の２流体噴出ノズルにお
   いて、 前記洗浄液供給流路は、前記気体供給流路の供給口に洗
   浄液を供給して前記気体と混合させることを特徴とする
   ２流体噴出ノズル。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の２流体噴出ノズルにお
   いて、 前記洗浄液供給流路は、前記気体供給流路の噴出口に前
   記洗浄液を供給して前記電極部により気体がプラズマ化
   したプラズマ噴流に混合させることを特徴とする２流体
   噴出ノズル。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の２流体噴出ノズルにお
   いて、 前記洗浄液供給流路は、前記気体供給流路の供給口また
   は噴出口のいずれかに前記洗浄液を選択的に供給して気
   体またはプラズマ噴流のいずれかと混合させることを特
   徴とする２流体噴出ノズル。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の２流体噴出ノズルにお
   いて、 前記冷却手段は、前記電極部に冷却水を循環させること
   により冷却することを特徴とする２流体噴出ノズル。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の２流体噴出ノズルにお
   いて、 前記洗浄液は、純水または薬液のいずれかを使用するこ
   とを特徴とする２流体噴出ノズル。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の２流体噴出ノズルにお
   いて、 前記被洗浄物は、半導体ウェーハの基板であることを特
   徴とする２流体噴出ノズル。
8. 【請求項８】 洗浄液を噴出させて被洗浄物の表面に付
   着している汚染物を除去する洗浄装置において、 前記洗浄液と気体とを各々供給する供給流路及び前記気
   体をプラズマ化する電極部を設けるとともに前記電極部
   を冷却する冷却手段を備え、前記気体をプラズマ化させ
   て体積を膨張させてプラズマ／洗浄液２流体噴流を噴出
   させる２流体噴出ノズルと、 前記２流体噴出ノズルの供給流路に洗浄液を供給する洗
   浄液供給手段と、 前記２流体噴出ノズルの供給流路に気体を供給する気体
   供給手段と、 前記２流体噴出ノズルの電極部に直流電圧または交流電
   圧のいずれかを印加するプラズマ電源とを備えたことを
   特徴とする２流体噴流洗浄装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の２流体噴流洗浄装置に
   おいて、 前記２流体噴出ノズルは、複数個設けられ、お互いに交
   差しないように配置されていることを特徴とする２流体
   噴流洗浄装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の２流体噴流洗浄装置
    において、 前記２流体噴出ノズルを、前記プラズマ／洗浄液２流体
    噴流を前記被洗浄物に噴出させる噴出角度を１５°〜９
    ０°の範囲に調節できるように設けたことを特徴とする
    ２流体噴流洗浄装置。
11. 【請求項１１】 請求項８に記載の２流体噴流洗浄装置
    において、 前記２流体噴出ノズルを、前記被洗浄物の半径上部を移
    動できるように設けたことを特徴とする２流体噴流洗浄
    装置。
12. 【請求項１２】 請求項８に記載の２流体噴流洗浄装置
    において、 前記洗浄液供給手段と気体供給手段とは、供給圧力を制
    御する手段を更に備えていることを特徴とする２流体噴
    流洗浄装置。
13. 【請求項１３】 請求項８に記載の２流体噴流洗浄装置
    において、 前記プラズマ電源は、前記電極部に印加される電圧また
    は電流のいずれかを制御する手段を更に備えていること
    を特徴とする２流体噴流洗浄装置。
14. 【請求項１４】 請求項８に記載の２流体噴流洗浄装置
    において、 前記洗浄液は、純水であることを特徴とする２流体噴流
    洗浄装置。
15. 【請求項１５】 請求項８に記載の２流体噴流洗浄装置
    において、 前記被洗浄物は、前記２流体噴出ノズルの下部に回転可
    能に枢支されたウェーハステージに保持されることを特
    徴とする２流体噴流洗浄装置。
16. 【請求項１６】 請求項８に記載の２流体噴流洗浄装置
    において、 前記被洗浄物は、半導体ウェーハ基板であることを特徴
    とする２流体噴流洗浄装置。
17. 【請求項１７】 洗浄液を噴出させて被洗浄物の表面に
    付着している汚染物を除去する洗浄装置において、 前記被洗浄物の表面に向けて薬液を噴出させる薬液噴出
    ノズルと、 前記洗浄液と気体とを各々供給する供給流路及び前記気
    体をプラズマ化する電極部を設けるとともに前記電極部
    を冷却する冷却手段を備え、前記気体をプラズマ化させ
    て体積を膨張さてプラズマ／洗浄液２流体噴流を噴出さ
    せる２流体噴出ノズルと、 前記薬液噴出ノズルにバルブを介して薬液を供給する薬
    液供給手段と、 前記２流体噴出ノズルの供給流路にバルブを介して洗浄
    液を供給する洗浄液供給手段と、 前記２流体噴出ノズルの供給流路にバルブを介して気体
    を供給する気体供給手段と、 前記２流体噴出ノズルの電極部に直流電圧または交流電
    圧のいずれかを印加するプラズマ電源とを備えたことを
    特徴とする２流体噴流洗浄装置。
18. 【請求項１８】 請求項１７に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記薬液噴出ノズル及び２流体噴出ノズルを、前記被洗
    浄物の半径上部を移動できるように設けたことを特徴と
    する２流体噴流洗浄装置。
19. 【請求項１９】 請求項１７に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記洗浄液供給手段と気体供給手段とは、供給圧力を制
    御する手段を更に備えていることを特徴とする２流体噴
    流洗浄装置。
20. 【請求項２０】 請求項１７に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記プラズマ電源は、前記電極部に印加される電圧また
    は電流のいずれかを制御する手段を更に備えていること
    を特徴とする２流体噴流洗浄装置。
21. 【請求項２１】 請求項１７に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記被洗浄物は、前記２流体噴出ノズルの下部に回転可
    能に枢支されたウェーハステージに保持されることを特
    徴とする２流体噴流洗浄装置。
22. 【請求項２２】 請求項１７に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記洗浄液は、純水であることを特徴とする２流体噴流
    洗浄装置。
23. 【請求項２３】 被洗浄物の表面に洗浄液を噴出させて
    付着している汚染物を除去する洗浄装置において、 前記洗浄液と気体とを各々供給する供給流路及び前記気
    体をプラズマ化する電極部を設けるとともに前記電極部
    を冷却する冷却手段を備え、前記気体をプラズマ化させ
    て体積を膨張させることでプラズマ／洗浄液２流体噴流
    を噴出させる２流体噴出ノズルと、 前記２流体噴出ノズルの供給流路にバルブを介して気体
    を供給する気体供給手段と、 前記２流体噴出ノズルの洗浄液を供給する供給流路に分
    岐する２つの供給ラインを設け、この供給ラインの一方
    に第一のバルブを介して純水を供給する純粋供給手段
    と、他方に第二のバルブを介して薬液を供給する薬液供
    給手段とを各々接続した洗浄液供給手段と、 前記２流体噴出ノズルの電極部に直流電圧または交流電
    圧のいずれかを印加するプラズマ電源とを備えたことを
    特徴とする２流体噴流洗浄装置。
24. 【請求項２４】 請求項２３に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記薬液噴出ノズルを、前記被洗浄物の半径上部を移動
    できるように設けたことを特徴とする２流体噴流洗浄装
    置。
25. 【請求項２５】 請求項２３に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記洗浄液供給手段と気体供給手段とは、供給圧力を制
    御する手段を更に備えていることを特徴とする２流体噴
    流洗浄装置。
26. 【請求項２６】 請求項２３に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記プラズマ電源は、前記電極部に印加される電圧また
    は電流のいずれかを制御する手段を更に備えていること
    を特徴とする２流体噴流洗浄装置。
27. 【請求項２７】 請求項２３に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記被洗浄物は、前記２流体噴出ノズルの下部に回転可
    能に枢支されたウェーハステージに保持されることを特
    徴とする２流体噴流洗浄装置。
28. 【請求項２８】 請求項２３に記載の２流体噴流洗浄装
    置において、 前記洗浄液は、純水であることを特徴とする２流体噴流
    洗浄装置。
29. 【請求項２９】 被洗浄物の表面に洗浄液を噴出させて
    付着している汚染物を除去する洗浄方法において、 ２流体噴出ノズルの供給口に気体を供給する気体供給工
    程と、 前記２流体噴出ノズル内に設けた電極部に直流電圧また
    は交流電圧のいずれかを供給することにより前記気体を
    プラズマ化させてプラズマ噴流を発生させる電圧供給工
    程と、 前記２流体噴出ノズルの噴出口に洗浄液を供給して前記
    電極部により発生したプラズマ噴流と混合させる混合工
    程と、 前記混合工程で供給した洗浄液がプラズマ噴流により前
    記２流体噴出ノズルからプラズマ／洗浄液２流体噴流と
    して噴出させて前記被洗浄物の表面を洗浄する噴出洗浄
    工程とを備えたことを特徴とする２流体噴流洗浄方法。
30. 【請求項３０】 請求項２９に記載の２流体噴流洗浄方
    法において、 前記気体供給工程と混合工程とは、前記２流体噴出ノズ
    ルに供給する洗浄液及び気体の供給圧力を制御して各々
    供給していることを特徴とする２流体噴流洗浄装置。
31. 【請求項３１】 被洗浄物の表面に洗浄液を噴出させて
    付着している汚染物を除去する洗浄方法において、 ２流体噴出ノズルの供給口に洗浄液及び気体を供給して
    混合させる混合工程と、 前記２流体噴出ノズル内に設けた電極部に直流電圧また
    は交流電圧のいずれかを供給することにより前記混合工
    程で洗浄液と混合させた気体がプラズマ化されてプラズ
    マ噴流を発生させる電圧供給工程と、 前記電圧供給工程で発生したプラズマ噴流により前記混
    合工程で混合させた洗浄液が前記２流体噴出ノズルから
    プラズマ／洗浄液２流体噴流として噴出させて前記被洗
    浄物の表面を洗浄する噴出洗浄工程とを備えたことを特
    徴とする２流体噴流洗浄方法。
32. 【請求項３２】 請求項３１に記載の２流体噴流洗浄方
    法において、 前記混合工程は、前記２流体噴出ノズルの供給口に供給
    する洗浄液及び気体の供給圧力を制御して供給している
    ことを特徴とする２流体噴流洗浄装置。
33. 【請求項３３】 請求項３１及び請求項２０のいずれか
    に記載の２流体噴流洗浄方法において、 前記噴出洗浄工程は、前記２流体噴出ノズルから薬液に
    よる洗浄液を噴出した後、純水による洗浄液を噴出さて
    洗浄を行うことを特徴とする２流体噴流洗浄方法。
34. 【請求項３４】 請求項２８及び請求項３１のいずれか
    に記載の２流体噴流洗浄方法において、 前記噴出洗浄工程では、薬液噴出ノズルを更に設け、こ
    の薬液噴出ノズルにより薬液を噴出した後、前記２流体
    噴出ノズルにより純水を噴出させて前記被洗浄物の表面
    を洗浄することを特徴とする２流体噴流洗浄方法。
35. 【請求項３５】 請求項２８及び請求項３１のいずれか
    に記載の２流体噴流洗浄方法において、 前記噴出洗浄工程は、複数の２流体噴出ノズルを用いて
    洗浄を行うことを特徴とする２流体噴流洗浄方法。
36. 【請求項３６】 請求項３５に記載の２流体噴流洗浄方
    法において、 前記噴出洗浄工程は、２流体噴出ノズルの噴出角度を調
    節することにより洗浄を行うことを特徴とする２流体噴
    流洗浄方法。