KR100904350B1 - 이류체 노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

이류체 노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

기판처리장치는, 기판에 처리액인 순수의 액적을 분출하는 이류체 노즐(3)을 갖추고, 노즐(3)은 내통부재(32) 및 외통부재(33)를 갖춘다. 가스는 기체유로인 내통부재(32)안을 흐르고, 처리액은 내통부재(32)과 외통부재(33)와에 의해 구성되는 처리액유로를 아랫쪽으로 흐른다. 내통부재(32)의 하단부(321)의 아래쪽은 혼합영역(302)이 되고 있어, 혼합영역(302)에서 가스와 처리액이 혼합되어 미세한 액적이 생성되어, 외통부재(33)의 하단의 분출구(31)로부터 분출된다. 기체유로 내에는 제1전극(61)이 설치되고, 처리액유로 내에는 제2전극(62)이 설치되며, 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이에 전위차가 부여되는 것에 의해 처리액에 전하가 유도되어, 대전한 액적이 생성된다. 노즐(3)에서는 간단한 구조로 제1전극(61)을 처리액으로 격리하면서 액적을 효율적으로 대전시킬 수 있다.
기판처리방법, 처리액유로

Description

이류체 노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법{TWO-FLUID NOZZLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 액적을 분출하는 이류체 노즐에 관한 것이고, 특히, 처리액의 액적을 기판에 분사해서 처리할 때에 사용되는 이류체 노즐 및 이류체 노즐을 사용해서 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다.
종래부터, 반도체기판(이하, 간단히 「기판」이라고 한다)의 제조공정에 있어서, 기판에 처리액을 분사해서 여러가지 처리가 행해져 있다. 예를 들면, 기판의 세정처리에서는, 기판에 대하여 순수 등의 세정액을 분사하는 것에 의해, 기판의 표면에 부착된 파티클 등이 제거된다.
그런데, 이러한 세정처리에서는, 표면에 절연막이 형성된 기판과 비저항이 높은 순수의 접촉에 의해, 기판의 표면 전체가 대전하는 것이 알려져 있다. 예를 들면, 기판표면에 산화막이 형성되어 있을 경우에는 기판은 마이너스로 대전하고, 기판표면에 레지스트막이 형성되어 있을 경우에는 플러스로 대전한다. 그래서, 기판의 대전량이 커지면, 세정 중이나 세정 후에 있어서의 파티클의 재부착이나 방전에 의한 배선(配線)의 손상 등이 발생할 우려가 있다. 그래서, 기판처리장치에 있 어서 기판의 대전을 억제하는 여러가지 기술이 제안되어 있다.
예를 들면, 일본국 특허공개 2002-184660호 공보(문헌1)에서는, 회전하는 기판 위로 세정액을 공급하여 세정하는 세정장치에 있어서, 이온화한 질소가스를 기판상의 처리공간에 퍼지한 상태로 세정을 행함으로써, 기판표면의 대전을 억제하는 기술이 개시되어 있다. 또한, 일본국 특허공개 2005-183791호 공보(문헌2)에서는, 세정액이 저류(貯溜)된 처리조에 기판을 침지하여 세정하는 세정장치에 있어서, 세정액의 교환시에 기판에 분사하는 액체를, 순수에 탄산가스를 용해시킨 탄산가스 용해수로 하는 것에 의해, 기판표면의 대전을 억제하는 기술이 개시되어 있다.
일본국 특허공개 평10-149893호 공보(문헌3)에서는, 순수를 노즐로부터 고속으로 분출하여 노즐과의 유동마찰(流動摩擦)에 의해 대전한 순수의 미소액적을 생성하고, 해당액적을 대전한 물질과 접촉시키는 것에 의해, 대전물질의 정전기를 제거하는 제전장치(除電裝置)가 개시되고 있으며, 그 제전장치의 적용대상으로서, 세정 후의 대전한 반도체기판이 거론되고 있다.
한편, 아사노 카즈아키, 시모카와 히로후미에 의한 「물분류(水噴流)와 실리콘웨이퍼의 충돌에 의한 대전무(帶電霧)」 (정전기학회강연 논문집’00(2000.3), 정전기학회, 2000년3월,pp.25-26）（"Charged Fog Generated from Collision between Water Jet and Silicon Wafer”by Kazuaki ASANO and Hirofumi SHIMOKAWA (IEJ (The lnstitute of Electrostatics Japan)transactions’00(March 2000), IEJ, Mar. 2000, pp.25 -26))에서는, 노즐로부터 분출된 순수의 제트가 실리콘웨이퍼에 충돌했을 때에 발생하는 대전무의 발생기구에 관한 실험에 대하여 기재되어 있다. 그 실험에 이용되는 장치로는, 순수의 분출경로에 유도전극을 배치해서 제트의 대전량을 제어하는 것에 의해, 대전무의 대전량이 변경된다.
그런데, 문헌1과 같이 이온화한 가스 분위기에 있어서의 세정처리에서는, 기판표면에 대하여 이온화 가스를 계속해서 효율좋게 공급하는 것이 어렵고, 세정처리 중의 기판의 대전 억제에 한계가 있다. 한편, 문헌2 및 문헌3의 장치로는, 세정처리 중에 있어서의 기판의 대전을 억제할 수는 없다.
본 발명은, 처리대상을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노즐에 적합한 것이며, 처리액의 액적을 효율좋게 대전시키는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명에 관한 이류체 노즐은, 처리액이 흐르는 처리액유로(處理液流路)와, 기체가 흐르는 기체유로(氣體流路)와, 처리액유로로의 처리액과 기체유로로의 기체를 혼합해서 액적을 생성하고, 액적을 기체와 함께 소정의 분출방향으로 분출하는 액적생성부(液滴生成部)와, 액적생성부 근방에서 기체유로 내에 설치된 제1전극과, 처리액유로 또는 액적생성부 내에서 처리액에 접하고, 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극을 구비한다. 본 발명에 따르면, 간단한 구조로 제1전극을 처리액으로 격리하면서 처리액의 액적을 효율적으로 대전시킬 수 있다. 이로써, 이류체 노즐로부터 처리액의 액적을 기판에 분사해서 기판을 처리할 때에, 처리중에 있어서의 기판의 대전을 억제할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 형태에서는, 액적생성부가, 처리액과 기체와의 혼합영역을 덮는 동시에 분출구를 가지는 커버를 구비하고, 제2전극이 커버 내에 설치된다. 그리고, 하나의 특징으로는, 기체유로로부터 혼합영역의 중앙을 향해서 기체가 분출되고, 혼합영역에 있어서 기체의 흐름의 주위에 처리액유로로부터의 처리액이 공급되어, 제2전극이, 기체의 흐름을 둘러싸는 환상(環狀)인 것에 의해, 액적전체의 전하의 불균일을 저감할 수 있다. 또한, 다른 특징으로는, 커버 및 제2전극이, 일체적으로 형성된 도전성의 부재인 것에 의해, 노즐의 구조를 간소화할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 제2전극이, 도전성 수지 또는 도전성 카본에 의해 형성되어 있는 것에 의해, 처리액의 오염을 방지할 수 있다.
본 발명은, 기판을 처리하는 기판처리장치에도 적합하고, 처리중에 있어서의 기판의 대전을 억제하는 것도 목적으로 하고 있다.
본 발명에 관한 기판처리장치는, 기판을 지지하는 지지부와, 기판의 주면(主面)을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체(二流體) 노즐과, 이류체 노즐에 접속되는 전원을 구비하고, 이류체 노즐이, 처리액이 흐르는 처리액유로와, 기체가 흐르는 기체유로와, 처리액유로로부터의 처리액과 기체유로로부터의 기체를 혼합해서 액적을 생성하여, 액적을 기체와 함께 소정의 분출방향으로 분출하는 액적생성부와, 액적생성부 근방에서 기체유로 내에 설치된 제1전극과, 처리액유로 또는 액적생성부 내에서 처리액에 접하여, 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극을 구비하고, 전원이 제1전극과 제2전극과의 사이에 전위차를 부여한다. 본 발명 에 따르면, 처리중에 있어서의 기판의 대전을 억제할 수 있다.
더 바람직한 기판처리장치는, 기판의 주면에 있어서의 전위를 측정하는 표면전위계(表面電位計)와, 이류체 노즐로부터의 액적의 분출과 병행하여 표면전위계로부터의 출력에 근거해서 제1전극과 제2전극과의 사이의 전위차를 제어하는 제어부를 더욱 갖춘다. 이로써, 대전을 효율적으로 억제할 수 있다.
본 발명은, 또 기판을 처리하는 기판처리방법에도 적합하다.
상술의 목적 및 다른 목적, 특징, 태양 및 이점은, 첨부한 도면을 참조해서 이하에 행하는 이 발명의 상세한 설명에 의해 밝혀진다.
본 발명은, 처리대상을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노즐에 적합하며, 본 발명에 의하면, 처리액의 액적을 효율좋게 대전시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1의 실시의 형태에 관한 기판처리장치(1)를 나타내는 도이다. 기판처리장치(1)는, 표면에 절연막인 산화막이 형성된 반도체기판(9)(이하, 간단히 「기판(9)」이라고 한다)에 비도전성의 순수(이하, 「처리액」이라고 한다)를 공급하여 세정처리를 행함으로써, 기판(9)의 표면에 부착된 파티클 등 이물을 제거하는 기판세정장치이다.
도 1에 나타내는 것 같이, 기판처리장치(1)는, 처리대상인 기판(9)을 아래쪽으로부터 지지하는 기판지지부(2), 기판(9)의 윗쪽에 배치되어 위쪽의 주면(主面)(이하, 「상면」이라고 말한다)에 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노 즐(이하, 「노즐」이라고 한다)(3), 노즐(3)에 처리액공급관(41)을 통하여 처리액을 공급하는 처리액공급원(42), 처리액공급원(42)과 별도로 노즐(3)에 가스공급관(51)을 통하여 캐리어가스인 질소가스나 공기 등을 이끄는 가스공급원(52), 노즐(3)안의 후술하는 전극에 전위를 주는 전원(6), 및 노즐(3)을 기판(9)의 표면에 평행하게 기판(9)에 대하여 상대적으로 이동하는 노즐이동기구(7)를 갖춘다. 도 1에서는, 도시의 형편상, 기판지지부(2)의 일부를 단면으로 나타내고 있다.
기판지지부(2)는, 대략 원판상(圓板狀)의 기판(9)을 아래쪽 및 바깥둘레측에서 지지하는 척(21), 기판(9)을 회전하는 회전기구(22), 및 척(21)의 바깥둘레를 덮는 처리 컵(23)을 구비한다. 회전기구(22)는 척(21)의 아래쪽에 접속되는 샤프트(221), 및 샤프트(221)를 회전하는 모터(222)를 구비하고, 모터(222)가 구동되는 것에 의해, 샤프트(221) 및 척(21)과 함께 기판(9)이 회전한다. 처리 컵(23)은, 척(21)의 바깥둘레에 배치되어 기판(9)위로 공급된 처리액의 주위로의 비산을 방지하는 측벽(側壁)(231), 및 처리 컵(23)의 하부에 설치되어 기판(9)위로 공급된 처리액을 배출하는 배출구(232)를 구비한다.
노즐이동기구(7)는, 선단에 노즐(3)이 고정되는 암(71), 및 암(71)을 요동(搖動)하는 모터(72)를 구비한다. 기판처리장치(1)에서는, 모터(72)가 구동되는 것에 의해, 노즐(3)이 암(71)과 함께 기판(9)의 표면에 평행하게 직선에 가까운 원호상(圓弧狀)으로 왕복 이동한다.
도 2는, 노즐(3)의 세로단면도이다. 노즐(3)은 내부혼합형의 이류체 노즐이며, 노즐(3)의 중심축(30)(분출구(31)의 중심축이기도 하다)을 중심으로 하는 통형 상의 내통부재(內筒部材)(32) 및 외통부재(外筒部材)(33)를 갖춘다. 내통부재(32)는 불소계의 수지로 형성되고, 외통부재(33)는 석영으로 형성되지만, 이것들의 부재는 다른 재료로 형성되어도 좋다. 내통부재(32)의 상단은 가스공급관(51)에 접속되고, 하단으로부터 가스가 분출된다. 다시 말해, 가스공급관(51) 및 내통부재(32)가 노즐(3)에 있어서 기체가 흐르는 기체유로를 구성한다. 내통부재(32)의 하단근방의 부위(이하, 「하단부(321)」라고 한다)는 가스가 기세 좋게 분출되도록 직경이 작아져 있다.
또한, 내통부재(32)의 내벽면에는, 도금에 의해 도전층인 제1전극(61)이 형성되고 있으며, 제1전극(61)은 노즐(3)의 이외에 설치된 전원(6)의 마이너스극에 접속된다. 한편, 후술하는 것 같이 내통부재(32)의 하단부(321) 아래에서 가스와 처리액과의 혼합이 행해지게 되어 있으며, 이 처리액이 제1전극(61)에 부착되는 것을 방지하기 위해서, 제1전극(61)은 내통부재(32)의 하단의 개구로부터 근소하게 윗쪽의 위치 또는 더 윗쪽에 설치된다.
외통부재(33)는, 상부에 있어서 내통부재(32)와 접하고 있으며, 내통부재(32)의 하단부(321)의 바깥둘레와의 사이에 환상의 간극(間隙)(301)이 형성된다. 그리고, 하단부(321)의 아래쪽으로 직경이 감소하고, 하단이 분출구(31)가 되어 있다. 간극(301)의 상부에는 측방으로부터 처리액공급관(41)이 접속되어, 처리액공급원(42)(도 1참조)로부터의 처리액이 간극(301)에 공급되어 아랫쪽으로 흐른다. 이렇게, 노즐(3)에서는, 처리액공급관(41) 및 간극(301)을 형성하는 내통부재(32) 및 외통부재(33)가, 처리액이 흐르는 처리액유로를 구성한다. 하단부(321)의 아래쪽의 혼합영역(302)에서는, 기체유로로부터 혼합영역(302)의 중앙을 향해서 가스가 분출되고, 이 기체의 흐름의 주위에 처리액유로로부터의 처리액이 공급되는 것에 의해, 처리액과 가스가 혼합되어 미세한 액적이 생성된다. 외통부재(33)의 일부는 이 혼합영역(302)을 덮는 동시에 분출구(31)를 가지는 커버(331)로 되어 있음으로써, 생성된 액적은 가스와 함께 분출구(31)로부터 중심축(30)을 따라 아래쪽인 분출방향으로 기세 좋게 분출된다. 이하의 설명에서는, 액적을 생성하는 동시에 분출방향을 결정하는 하단부(321) 및 그 주위의 커버(331)를 「액적생성부(303)」라고 부른다.
커버(331)안에는 중심축(30)을 중심으로 하는 환상의 제2전극(62)이 끼워넣어져 있으며, 제2전극(62)은 접지된다. 이로써, 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이에 전원(6)에 의한 전위차가 부여된다. 제2전극(62)은 처리액에 접함으로써, 이 전위차에 의해 처리액이 플러스로 대전하고, 분출구(31)로부터는 플러스로 대전한 미세한 액적이 분출되는 것이 된다. 바꾸어 말하면, 노즐(3)에서는, 내부의 제1전극(61)이 처리액에 전하를 유도하는 유도전극으로서의 역할을 다하고 있다. 한편, 제2전극(62)은 처리액유로 또는 액적생성부(303)안에서 처리액에 접하는 다른 위치에 설치되어도 좋다.
제2전극(62)은 비결정성 카본이나 그래쉬카본 등의 유리상의 도전성 카본에 의해 형성된다. 유리상 카본은, 균질하면서 치밀한 구조를 가지는 경질한 탄소재료로서, 도전성이나 내약품성, 내열성 등이 뛰어나다. 제2전극(62)은 도전성 수지 (예를 들면, 도전성 PEEK(폴리에테르 에테르케톤(polyether etherketone))이나 도전성 PTFE(폴리테트라 플루오로에틸렌(polytetra fluoroethylene))에 의해 형성되 어도 좋다.
다음으로, 기판처리장치(1)에 의한 기판(9)의 세정에 대해서 설명한다. 도 3은, 기판(9)의 세정의 흐름을 나타내는 도이다. 도 1에 나타내는 기판처리장치(1)에서는, 우선, 기판(9)이 기판지지부(2)의 척(21)에 의해 지지된 후, 회전기구(22)의 모터(222)가 구동되어 기판(9)의 회전이 개시된다(스텝S11, S12). 계속해서, 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이에 전위차가 부여된다(스텝S13). 본 실시의 형태에서는, 제1전극(61)에 대하여 약 (-1000)V의 전위가 주어진다.
다음으로, 노즐이동기구(7)가 구동되어 노즐(3)의 이동 (즉, 요동)이 개시되어(스텝S14), 처리액공급원(42)로부터의 처리액의 공급 및 가스공급원(52)으로부터의 가스의 공급이 개시되는 것에 의해, 액적생성부(303)에서 처리액과 가스가 혼합되어 미소한 액적이 생성되어, 액적이 기판(9)의 표면을 향해서 분출된다(스텝S15). 그리고, 기술한 바와 같이 , 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이에 전위차가 부여되는 것에 의해, 액적생성부(303)에서 액적화되기 직전의 처리액에 플러스의 전하가 유도되어, 액적이 플러스로 대전한다.
노즐(3)은, 회전하는 기판(9)의 표면을 향해서 액적을 분출하는 사이에 기판(9)의 표면에 평행하게 기판(9)의 중심과 주변부와의 사이에 있어서 직선에 가까운 원호상에 일정 속도에서 왕복 이동을 되풀이하고, 이로써, 기판(9)의 표면 전체에 대하여 처리액인 순수의 액적이 분사되어, 표면에 부착되고 있는 파티클 등의 이물이 제거된다. 기판처리장치(1)에서는, 기판(9)에 대한 액적의 분출이 행해지 는 동안, 노즐(3)안의 처리액으로의 전하의 유도가 병행되어 계속적으로 행하여진 다.
기판(9)으로의 분사가 소정시간 계속되어 표면 전체가 세정되면, 노즐(3)로부터의 액적의 분출 및 노즐(3)의 기판(9)에 대한 상대이동이 정지되어, 제1전극(61)과 제2전극과의 사이에의 전위차의 부여(즉, 노즐(3)안의 처리액으로의 전하의 유도)도 정지된다(스텝S16). 그 후, 기판(9)의 회전을 계속해서 기판(9)을 건조시킨 후에 기판(9)의 회전이 정지되고(스텝S17), 기판(9)이 기판처리장치(1)로부터 반출되어 기판(9)에 대한 세정처리가 종료한다(스텝S18).
기판처리장치(1)에서는, 기판(9)의 표면에 처리액의 미소한 액적을 고속으로 충돌시키는 것에 의해, 표면에 형성된 미세한 패턴을 손상하지 않으면서, 표면에 부착되고 있는 유기물 등의 미소한 파티클을 효율좋게 제거할 수 있다. 또한, 기판처리장치(1)에서는, 노즐(3)로서 이류체 노즐을 이용하는 것에 의해, 처리액의 액적을 용이하게 생성할 수 있는 동시에, 액적의 생성 및 분출에 관한 기구를 소형화할 수도 있다.
또한, 기판처리장치(1)에서는, 만일 처리액인 순수에 전하를 유도하지 않고 세정을 행할 경우에 기판(9)이 대전하는 극성과는 반대극성(逆極性)의 전하(즉, 플러스의 전하)를 액적화 직전의 처리액으로 유도하고, 대전한 액적을 써서 기판(9)을 세정하는 것에 의해, 세정 중 및 세정 후에 있어서의 기판(9)의 대전을 억제할 수 있다.
기판처리장치(1)에서는, 또한, 기판(9)에 대한 세정이 행해지는 동안, 노즐(3)에 대한 전하의 유도가 계속적으로 행해지는 것에 의해, 기판(9)의 대전을 더 한층 억제할 수 있다. 또한, 제2전극(62)이 혼합영역(302)의 중심에 향하는 가스의 흐름을 둘러싸는 환상으로 되어 있는 것에 의해, 액적전체의 전하의 불균일(nonunifomity)을 저감할 수 있다. 그 결과, 기판(9)의 둘레방향에 관해서 기판(9)의 대전을 거의 균등하게 억제할 수 있다.
그래서, 도 2에 나타내는 것 같이, 노즐(3)에서는 제1전극(61)이 기체유로의 일부인 내통부재(32)안에 설치되고, 제2전극(62)이 처리액유로의 일부인 외통부재(33)의 처리액에 접하는 개소에 설치되어지기 위해서, 특별한 연구 (예를 들면, 제1전극(61)을 유전체로 덮는 등)를 행하지 않으면서 간단한 구조로 제1전극(61)을 처리액으로부터 격리할 수 있고, 또한, 제2전극(62)을 확실하게 처리액에 접촉시킬 수 있다. 그 결과, 간단한 구조로 처리액에 전하를 유도할 수 있다. 또한, 내통부재(32)의 하단부(321)는 액적생성부(303)에 지극히 가깝기 때문에, 처리액으로의 전하의 유도를 지극히 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 제2전극(62)이 도전성 수지 또는 도전성 카본에 의해 형성됨으로써, 금속으로 형성될 경우와 달리, 접액부(接液部)에 있어서의 도전성을 확보하면서, 처리액으로의 금속분(金屬粉) 등의 혼입이나 금속의 용출에 의한 처리액의 오염을 방지할 수 있다. 이로써, 기판(9)의 처리의 질을 향상할 수 있다. 한편, 효율적으로 전하를 액적에 부여한다는 관점에서는, 도 2와 같이 혼합영역(302)을 덮는 커버(331) 안에 제2전극(62)이 배치되는 것이 가장 바람직하다.
도 4는 노즐(3)의 다른 예를 나타내는 도이며, 도 4의 노즐(3)에서는 제1전극(61) 및 제2전극(62)의 배치가 도 2의 노즐(3)로부터 변경되어 있다. 도 4의 노 즐(3)에서는, 가스공급관(51)이 내통부재(32)의 내부에 깊이 들어가고, 가스공급관(51)의 안쪽면에 환상의 제1전극(61)이 끼워넣어진다. 또한, 제2전극(62)은 처리액공급관(41)안의 외통부재(33)의 근방에 설치된다. 이렇게, 제1전극(61)은 액적생성부(303)근방에서 기체유로 내에 설치되는 것이라면 여러가지 태양에서 설치되어 도 좋고, 이로써, 처리액의 액적을 효율적으로 대전시킬 수 있다. 제2전극(62)도 반드시 노즐(3)을 구성하는 부재로 설치될 필요는 없으며, 실질적으로 노즐(3)의 일부로 간주할 수 있는 다른 부위에 설치되어도 좋다.
또한, 제1전극(61) 및 제2전극(62)은 액적생성부(303)안의 혼합영역(302)에 가까울수록 전하의 유도 효율은 향상하지만, 설계의 형편에 의해 제1전극(61)이 내통부재(32)의 하단부(321) 안에 배치할 수 없을 경우라도, 혼합영역(302)과 제1전극(61)과의 사이의 거리는 5cm 이하로 하는 것이 바람직하다.
도 5는 노즐(3)의 또 다른 예를 나타내는 도이다. 도 5의 노즐(3)에서는, 외통부재(33)가 도전성 수지 또는 도전성 카본으로 형성되어 접지되어, 제2전극(62)이 생략된다고 하는 점에서 도 2에 나타내는 것과 다르다. 이렇게, 혼합영역(302)의 커버로서의 역할을 다하는 외통부재(33)와 도 2에 나타내는 제2전극(62)과는 일체적으로 형성된 도전성의 부재로서 설치되어도 좋고, 이로써, 노즐(3)의 구조를 간소화할 수 있다.
도 6은, 도 2에 나타내는 노즐(3)과 같은 기능을 가지는 외부혼합형의 이류체 노즐(3a)을 나타내는 도이다. 노즐(3a)도 중심축(30)을 중심으로 하는 내통부재(34) 및 외통부재(35)를 가지지만, 내통부재(34)는 처리액공급관(41)에 접속되 어, 외통부재(35)가 가스공급관(51)에 접속된다. 처리액공급관(41)으로부터의 처리액은 내통부재(34)를 통하여 아래쪽의 토출구(31a)로부터 토출된다. 내통부재(34)과 외통부재(35)과의 사이에는 중심축(30)을 중심으로 하는 환상의 간극(301)이 형성되고, 가스공급관(51)으로부터 공급된 가스는 간극(301)을 통해 아랫쪽으로 진행하여, 아래쪽의 환상의 분출구(31b)로부터 중심축(30)을 향해서 경사하는 방향으로 분출된다. 이처럼, 노즐(3a)에서는 처리액공급관(41) 및 내통부재(34)가 처리액이 흐르는 처리액유로를 구성하고, 가스공급관(51), 외통부재(35) 및 내통부재(34)가 기체가 흐르는 기체유로를 구성한다.
토출구(31a)로부터 토출된 처리액은, 토출 직후에 분출구(31b)로부터의 가스와 충돌하여, 미세한 액적이 되어 중심축(30)을 따르는 분출방향으로 분출된다. 다시 말해, 내통부재(34)의 하부와 외통부재(35)의 하부가 처리액과 가스를 혼합해서 액적을 생성하고, 액적을 가스와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부가 되고 있으며, 토출구(31a)의 아래쪽이 혼합영역(302)이 된다.
외통부재(35)의 안쪽면의 하부에는 제1전극(61)이 끼워넣어지고, 내통부재(34)의 안쪽면의 하부에는 제2전극(62)이 끼워넣어진다. 제1전극(61)은 전원(6)에 접속되고, 제2전극(62)은 접지된다. 노즐(3a)에서는 도 2의 노즐(3)과 같이, 제1전극(61)이 기체유로 내에 설치되는 것으로써, 제1전극(61)에 처리액이 부착되어버리는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 또한, 제2전극(62)이 처리액유로 내에 설치됨으로써 처리액에 용이하게 접촉시킬 수 있고, 또한, 제1전극(61)이 도 2의 경우와 같이 기체유로의 개구단(開口端) 근방(즉, 액적생성부 근방)에 설치되는 것에 의해, 간단한 구조로 제1전극(61)을 처리액으로 격리하면서 효율적으로 액적을 대전시킬 수 있다. 노즐(3a)에 있어서도 제1전극(61)은 중심축(30)을 중심으로 하는 환상으로 되어, 이로써, 액적전체의 전하의 분포를 둘레방향에 있어서 균일화할 수 있다.
그 다음에, 본 발명의 제2의 실시의 형태에 관한 기판처리장치(1a)에 대해서 도 7을 참조해서 설명한다. 기판처리장치(1a)에서는, 도 1에 나타내는 기판처리장치(1)의 구성에 더해서, 기판(9)의 상면의 전위를 측정하는 표면전위계(73), 및 제1전극(61)에 주어지는 전위(즉, 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이의 전위차)을 제어하는 제어부(63)를 더 갖춘다. 표면전위계(73)는 도시를 생략한 노즐이동기구(도 1의 부호7참조)에 설치되어, 기판(9) 위의 액적이 분사되는 영역근방의 전위를 측정한다. 한편, 표면전위계(73)의 위치는 고정되어도 좋고, 이 경우, 표면전위계(73)의 측정결과는 기판(9)의 대전의 정도를 나타내는 값으로서 참조된다. 기판처리장치(1a)의 다른 구성은 도 1 및 도 2과 같으며, 이하의 설명에 있어서 동일한 부호를 붙인다.
도 8은, 기판처리장치(1a)에 의한 기판(9)의 세정의 흐름의 일부를 나타내는 도이다.
기판처리장치(1a)에서는, 도 3 중에서 스텝S15에 대신해서 도 8 중의 스텝S15a가 행해지고, 스텝S15a의 전후의 동작은 각각, 도 3 중의 스텝S11∼S14, 및 스텝S16∼S18과 같다.
기판처리장치(1a)에 의해 기판(9)의 세정이 행해지는 때에는, 제1의 실시의 형태와 같이, 기판(9)이 기판지지부(2)에 지지된 후, 기판(9)의 회전이 개시된다(도 3: 스텝S11, S12). 계속해서, 제1전극(61)(도 2참조)과 제2전극(62)의 사이에 전위차가 부여되어(스텝S13), 노즐(3)의 요동이 개시되고(스텝S14), 처리액공급관(41) 및 가스공급관(51)으로부터의 처리액 및 가스의 공급에 의해 노즐(3)로부터 처리액의 미소한 액적이 기판(9)의 표면을 향해서 분출된다. 이때, 제1전극(61) 및 제2전극(62)에 의해 처리액에 전하가 유도되어, 대전한 액적이 생성된다.
기판처리장치(1a)에서는, 전위차의 부여 및 노즐(3)로부터의 액적의 분출과 병행하여, 표면전위계(73)에 의해 기판(9)의 표면에 있어서의 전위가 측정되고, 표면전위계(73)로부터의 출력(즉, 표면전위계(73)에 의해 측정된 전위로서, 이하, 「측정전위」라고 한다)에 따라서 전원(6)으로부터의 출력이 제어부(63)에 의해 제어되는 것에 의해, 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이의 전위차가 제어되어, 액적에 부여되는 전하량이 조정된다(스텝S15a).
제어부(63)에 의한 전위차의 제어에는, 비례제어(比例制御)나 PID제어 등이 이용되고, 기판(9)의 표면에 있어서의 대전량이 커짐(즉, 측정전위의 절대치가 커진다)에 따라서 상기 전위차를 크게 하는 것에 의해, 처리액에 유도되는 전하량을 크게 해서 기판(9)의 대전이 효율좋게 억제된다. 또한, 과잉한 전하유도에 의해 기판(9)을 반대전위로 대전시켜버리는 것도 방지된다. 기판(9)에 대한 세정이 종료하면, 기판(9)의 건조후에 회전이 정지되어, 기판처리장치(1a)로부터 기판(9)이 반출된다(스텝S16∼S18).
도 9는, 본 발명의 제3의 실시의 형태에 관한 기판처리장치(1b)의 구성을 나 타내는 도이다. 제3의 실시의 형태에서는, 순수 이외의 처리액을 사용해서 세정이 가능한 기판(9)에 대하여 세정이 행해지고, 구체적으로는, 탄산가스(CO2)를 용해시킨 탄산가스 용해수를 처리액으로 쓸 수 있다. 한편, 도 9에서는 노즐(3)을 기판(9)의 표면에 평행하게 기판(9)에 대하여 상대적으로 이동하는 노즐이동기구(도 1의 부호7 참조)의 도시를 생략하고 있다.
기판처리장치(1b)의 구성은, 도 1의 처리액공급원(42)에 대신해서 처리액공급부(42a)가 설치되고, 처리액공급부(42a)는, 기액혼합기(氣液混合器)(421), 순수공급원(422) 및 탄산가스공급원(423)을 구비한다. 기액혼합기(421)는 순수공급원(422) 및 탄산가스공급원(423)에 각각 접속되고, 기액혼합기(421)의 내부에는, 중공사분리막(中空絲分離膜)(hollow fiber membrane)등에 의해 형성된 기체투과성 및 액체불투과성의 가스용해막(gas-dissolving membrane)이 설치된다. 기액혼합기(421) 내부에서는, 가스용해막에 의해 떨어져 있는 2개의 공급실에 순수 및 탄산가스가 각각 개별로 공급되어, 탄산가스의 압력이 순수의 압력보다도 높아지는 것에 의해, 탄산가스가 가스용해막을 투과하여 순수 중에 용해되어 탄산가스 용해수가 생성된다. 그리고, 탄산가스 용해수는, 처리액공급관(41)을 통하여 처리액으로서 노즐(3)에 공급된다. 한편, 순수 중에 용해된 불필요한 가스는, 도시가 생략된 진공 펌프에 의해 탈기(脫氣)된다.
기액혼합기(421)에서는, 탄산가스 용해수의 비저항이 소정의 값이 되도록 탄산가스나 순수의 공급압(供給壓)등이 제어된다. 탄산가스 용해수의 비저항은, 바람 직하게는, 1×102Ωm 이상 4×103Ωm 이하(기액혼합기(421)의 간소화 등의 관점에서는, 더 바람직하게는, 5×102Ωm 이상 4×103Ωm 이하)로 하고, 본 실시의 형태에서는, 약 1×103Ωm으로 한다.
기판처리장치(1b)에서는, 제1의 실시의 형태와 같이, 노즐(3)에 처리액공급부(42a)로부터 처리액이 공급되어, 가스공급원(52)로부터 캐리어가스가 공급되는 것에 의해, 노즐(3)내부에서 처리액의 액적이 생성되어 분출구(31)로부터 기판(9)의 상면을 향해서 분출된다. 이때, 전원(6)에 의해 노즐(3)안의 제1전극(61)(도 2참조)과 제2전극(62)의 사이에 전위차가 부여되는 것에 의해, 대전한 액적이 기판(9)에 분사된다. 기판처리장치(1b)의 전체동작은 도 3과 같아서, 액적이 기판(9)을 향해서 분사되는 사이에 기판(9)이 기판지지부(2)에 의해 회전하는 동시에 노즐(3)이 요동하는 것에 의해, 기판(9)의 전체가 세정된다. 또한, 액적의 분출이 행해지는 사이, 노즐(3)안에 있어서의 처리액으로의 전하의 유도가 계속적으로 행해진다.
기판처리장치(1b)에서는, 순수에 비해서 비저항이 낮은 탄산가스 용해수를 처리액으로서, 또한, 전위차를 부여하지 않고 세정했을 경우의 세정 후의 기판전위와는 반대극성의 전하(즉, 플러스의 전하)가 유도된 처리액의 액적에 의해 기판(9)을 세정하는 것에 의해, 제1의 실시의 형태보다 더욱 효율적으로 세정처리에 의한 기판(9)의 대전을 억제할 수 있다. 세정액에 용해되어 있는 탄산가스는, 세정 후의 건조공정에 있어서 기판(9) 위에서 제거되기 때문에, 기판(9)의 린스처리가 불필요 해지고, 기판(9)의 세정처리를 간소화할 수 있다.
기판처리장치(1b)에서는, 탄산가스 용해수를 대신하여, 제논(Xe) 등의 희(希) 가스나 메탄가스 등의 가스를 순수에 용해시킨 액체가 처리액으로서 사용되어도 좋다. 이 경우도, 처리액의 비저항은 순수에 비해서 낮아져, 전하가 유도된 해당처리액의 액적에 의해 기판(9)을 세정하는 것에 의해, 세정처리에 의한 기판(9)의 대전을 억제할 수 있다. 또한, 처리액에 용해하고 있는 가스는, 세정 후의 건조공정에 있어서 기판(9) 상으로부터 제거되기 때문에, 기판(9)의 린스처리가 불필요해지고, 기판(9)의 세정처리를 간소화할 수 있다.
또한, 처리액은 액체끼리 혼합하는 것에 의해 생성되어도 좋다. 이 경우, 기액혼합기(421)에 대신해서 믹싱 밸브가 설치되어, 탄산가스공급원(423)에 대신해서 약액공급원이 설치된다. 약액공급원으로부터는, 예를 들면, 희염산(diluted hydrochloric acid)이 믹싱밸브로 공급되어, 믹싱밸브에 있어서 순수에 대하여 미량의 희염산이 혼합되는 것에 의해, 순수에 비해서 비저항이 낮은 처리액이 생성되어 처리액공급관(41)을 통하여 노즐(3)에 공급된다. 처리액의 비저항은 1×102Ωm 이상 4×103Ωm 이하(보다 바람직하게는, 5×102Ωm 이상 4×103Ωm 이하)로 한다.
처리액의 비저항이 1×102Ωm 이상(바람직하게는, 5×102Ωm 이상)으로 하는 것에 의해, 처리액의 산성이 과잉으로 강해지는 것을 방지하고, 처리액과의 접촉에 의한 기판(9)의 배선의 손상 등의 영향을 방지할 수 있다. 또한, 처리액의 비저항 을 4×103Ωm 이하로 하는 것에 의해, 기판(9)의 대전을 더 한층 억제할 수 있다. 기판처리장치(1b)에서는, 희염산에 대신하여, 암모니아 수용액(ammoniasolution)이나 과산화 수소물(hydrogenperoxidesolution) 등의 약액을 순수에 미량 혼합한 수용액이 처리액으로서 이용되어도 좋다.
이상과 같이, 기판처리장치(1b)는, 비도전성의 처리액 이외의 처리액이 사용가능한 기판(9)의 처리에 적합한 장치로 되어 있다.
이상, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 설명해 왔지만, 본 발명은 상기 실시의 형태에 한정되는 것이 아니고, 여러가지 변경이 가능하다.
예를 들면, 기판처리장치로는, 복수의 기판(9)에 대하여 상기의 세정처리가 연속적으로 행해져도 좋다. 이 경우, 기판(9)의 반출입시에 있어서, 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이의 전위차는 유지되어도 좋다. 또한, 전위차의 부여는, 예를 들면, 제1전극(61)을 접지해서 제2전극(62)을 전원(6)에 접속하는 것에 의해 행해져도 좋고, 전원(6)의 양극을 각각, 제1전극(61) 및 제2전극(62)에 접속하는 것에 의해 행해져도 좋다. 단, 기판처리장치 및 노즐(3)의 구조의 간소화의 관점에서는, 제1전극(61) 및 제2전극(62)의 어느 한편이 접지되는 것이 바람직하다.
상기 실시의 형태에 관한 기판처리장치로는, 세정에 의해 생기는 기판의 전위의 극성 및 대전량은, 기판의 종류(예를 들면, 반도체기판의 표면에 있어서의 절연막의 종류나 배선 금속의 종류, 및 그것들의 조합)에 의해 다르기 때문에, 기판처리장치에 있어서 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이에 부여되는 전위차는, 기판 의 종류에 맞춰서 다양하게 변경된다. 예를 들면, 기판 위로 레지스트막이 형성되어 있을 경우, 세정에 의해 기판의 표면이 플러스로 대전하기 때문에, 제1전극(61)에는 제2전극(62)에 대하여 플러스가 되는 전압이 주어져, 처리액에 마이너스의 전하가 유도된다.
제1 및 제2의 실시의 형태에서는, 비도전성의 처리액으로서 순수 이외의 액체가 이용되어도 좋고, 예를 들면, 불소계 세정액인 일본제온주식회사(ZEON Corporation)의 제오로라(ZEORORA) (등록상표)이나, 쓰리엠사(3M Company)의 노벡(Novec)(등록상표)HFE가 세정액으로서 이용되어도 좋다.
제1의 실시의 형태에서는 제1전극(61)은 도금에 의해 형성되어 있지만, 제1전극(61)은 금속의 압입이나 보충에 의해 설치되어도 좋다. 또한, 제1전극(61)은 도전성 수지나 도전성 카본에 의해 형성되어도 좋고, 처리액이 금속 등과 접해도 좋을 경우는, 제2전극(62)이나 도 5의 외통부재(33)는 금속이나 다른 도전성부재로 형성되어도 좋다. 또한, 제1전극(61) 및 제2전극(62)은 중심축(30)을 중심으로 하는 환상으로 하지 않아도 좋다.
제3의 실시의 형태에 관한 기판처리장치(1b)에서는, 처리액을 생성하는 기액혼합기(421)이나 믹싱 밸브는 반드시 설치될 필요는 없고, 다른 장치에서 생성된 처리액이 노즐(3)에 공급되어도 좋다. 또한, 제3의 실시의 형태에 있어서도 제2의 실시의 형태와 같이 기판(9)의 표면전위가 측정되어 제1전극(61)과 제2전극(62)의 사이의 전위차가 제어되어도 좋다.
상기 실시의 형태에 관한 기판처리장치는, 기판의 세정 이외의 여러가지 처 리에 이용되어도 좋고, 예를 들면, 약액세정된 후의 기판의 린스처리에 이용되어도 좋다. 이 경우, 순수 등의 린스액이 기판으로 공급되는 처리액으로서 사용할 수 있다. 또한, 기판처리장치에 있어서의 처리대상은, 프린트배선기판이나 플랫패널 표시장치에 사용되는 유리기판 등, 반도체기판 이외의 여러가지 것이라도 좋다.
이 발명을 상세하게 묘사해서 설명했지만, 기술의 설명은 예시적이며 한정적인 것이 아니다. 따라서, 이 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 태양이 가능한 것으로 이해된다.
도 1은, 제1의 실시의 형태에 관한 기판처리장치를 나타내는 도이다.
도 2는, 노즐의 세로단면도이다.
도 3는, 기판의 세정의 흐름을 나타내는 도이다.
도 4는, 노즐의 다른 예를 나타내는 도이다.
도 5는, 노즐의 또 다른 예를 나타내는 도이다.
도 6은, 노즐의 또 다른 예를 나타내는 도이다.
도 7은, 제2의 실시의 형태에 관한 기판처리장치를 나타내는 도이다.
도 8은, 기판의 세정의 흐름의 일부를 나타내는 도이다.
도 9는, 제3의 실시의 형태에 관한 기판처리장치를 나타내는 도이다.

Claims (44)

  1. 처리대상을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체(二流體) 노즐로서,
    처리액이 흐르는 처리액유로(處理液流路)와,
    기체가 흐르는 기체유로(氣體流路)와,
    상기 처리액유로로부터의 상기 처리액과 상기 기체유로로부터의 상기 기체를 혼합해서 액적을 생성하고, 상기 액적을 상기 기체와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부(液生成滴部)와,
    상기 액적생성부 근방에서 상기 기체유로 내에 설치된 제1전극과,
    상기 처리액유로 또는 상기 액적생성부 내에서 상기 처리액에 접하고, 상기 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극
    을 구비하며,
    플러스 또는 마이너스의 한 쪽으로 대전한 액적을 분출하는 이류체 노즐.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2전극이, 도전성 수지 또는 도전성 카본에 의해 형성되어 있는 이류체 노즐.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역과 상기 제1전극과의 사이의 거리가 5cm 이하인 이류체 노즐.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극의 어느 한쪽이 접지된 이류체 노즐.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 처리액이 순수에 탄산가스를 용해시킨 액체인 이류체 노즐.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 처리액의 비저항이 1×102Ωm 이상 4×103Ωm 이하인 이류체 노즐.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 처리액이 비도전성인 이류체 노즐.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액적생성부가, 상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역을 덮음과 아울러 분출구를 가지는 커버를 구비하고,
    상기 제2전극이 상기 커버 내에 설치된 이류체 노즐.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 기체유로로부터 상기 혼합영역의 중앙을 향해서 상기 기체가 분출되고,
    상기 혼합영역에 있어서 상기 기체의 흐름의 주위에 상기 처리액유로로부터의 상기 처리액이 공급되며,
    상기 제2전극이, 상기 기체의 상기 흐름을 둘러싸는 환상(環狀)인 이류체 노즐.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 커버 및 상기 제2전극이, 일체적으로 형성된 도전성의 부재인 이류체 노즐.
  11. 기판을 처리하는 기판처리장치로서,
    기판을 지지하는 지지부와,
    상기 기판의 주면(主面)을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노즐과,
    상기 이류체 노즐에 접속되는 전원,
    을 구비하고,
    상기 이류체 노즐이,
    처리액이 흐르는 처리액유로와,
    기체가 흐르는 기체유로와,
    상기 처리액유로로부터의 상기 처리액과 상기 기체유로로부터의 상기 기체를 혼합해서 액적을 생성하고, 상기 액적을 상기 기체와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부와,
    상기 액적생성부 근방에서 상기 기체유로 내에 설치된 제1전극과,
    상기 처리액유로 또는 상기 액적생성부 내에서 상기 처리액에 접하며, 상기 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극
    을 구비하고,
    상기 전원이 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이에 전위차를 부여하며, 상기 이류체 노즐이 플러스 또는 마이너스의 한 쪽으로 대전한 액적을 분출하는 기판처리장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 기판의 상기 주면에 있어서의 전위를 측정하는 표면전위계(表面電位計)와,
    상기 이류체 노즐로부터의 상기 액적의 분출과 병행하여 상기 표면전위계로부터의 출력에 근거해서 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이의 전위차를 제어하는 제어부를 더 갖춘 기판처리장치.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 제2전극이, 도전성 수지 또는 도전성 카본에 의해 형성되어 있는 기판처리장치.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역과 상기 제1전극과의 사이의 거리가 5cm 이하인 기판처리장치.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극의 어느 한쪽이 접지된 기판처리장치.
  16. 제 11항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액적생성부가, 상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역을 덮는 동시에 분출구를 가지는 커버를 구비하고,
    상기 제2전극이 상기 커버 내에 설치된 기판처리장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 기체유로로부터 상기 혼합영역의 중앙을 향해서 상기 기체가 분출되고,
    상기 혼합영역에 있어서 상기 기체의 흐름의 주위에 상기 처리액유로로부터의 상기 처리액이 공급되며,
    상기 제2전극이, 상기 기체의 상기 흐름을 둘러싸는 환상(環狀)인 기판처리장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 커버 및 상기 제2전극이, 일체적으로 형성된 도전성의 부재인 기판처리 장치.
  19. 기판을 처리하는 기판처리방법으로서,
    a ) 처리액이 흐르는 처리액유로와, 기체가 흐르는 기체유로와, 상기 처리액유로로부터의 상기 처리액과 상기 기체유로로부터의 상기 기체를 혼합해서 액적을 생성하고, 상기 액적을 상기 기체와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부를 구비하는 이류체 노즐로부터 기판의 주면을 향해서 상기 처리액의 액적을 분출하는 공정과,
    b ) 상기 액적생성부 근방에서 상기 기체유로 내에 설치된 제1전극과, 상기 처리액유로 또는 상기 액적생성부 내에서 상기 처리액에 접하는 제2전극과의 사이에 전위차를 부여하는 것에 의해, 상기 a)공정과 병행하여 상기 액적에 전하를 유도하는 공정
    을 구비하며,
    상기 이류체 노즐로부터 플러스 또는 마이너스의 한 쪽으로 대전한 액적이 분출되는 기판처리방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 a)공정 및 상기 b)공정과 병행하여,
    c ) 상기 기판의 상기 주면에 있어서의 전위를 측정하고, 상기 전위에 근거하여 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이의 전위차를 제어하는 공정을 더 구비한 기판처리방법.
  21. 제 19항 또는 제 20항에 있어서,
    상기 a)공정이 행해지는 사이, 상기 b)공정이 계속적으로 행해지는 기판처리방법.
  22. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전위차를 부여하지 않는 경우에 상기 처리대상이 대전하는 극성과는 반대 극성의 전하가, 상기 전위차의 부여에 의해 액적화 직전의 처리액으로 유도되는 이류체 노즐.
  23. 제 11항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전위차를 부여하지 않는 경우에 상기 기판이 대전하는 극성과는 반대 극성의 전하가, 상기 전위차의 부여에 의해 액적화 직전의 처리액으로 유도되는 기판처리장치.
  24. 제 19항 또는 제 20항에 있어서,
    상기 전위차를 부여하지 않는 경우에 상기 기판이 대전하는 극성과는 반대 극성의 전하가, 상기 전위차의 부여에 의해 액적화 직전의 처리액으로 유도되는 기판처리방법.
  25. 처리대상을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노즐로서,
    중심축을 중심으로 하는 내통부재(內筒部材) 및 상기 내통부재에 접속되는 기체공급관에 의해 형성되는 기체유로와,
    상기 내통부재, 상기 중심축을 중심으로 함과 아울러 상기 내통부재와의 사이에 간극(間隙)을 형성하는 외통부재(外筒部材), 및 상기 간극에 접속되는 처리액공급관에 의해 형성되는 처리액유로와,
    상기 처리액유로로부터의 처리액과 상기 기체유로로부터의 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 상기 액적을 상기 기체와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부와,
    상기 액적생성부 근방에서 상기 기체유로 안에 설치된 제1전극과,
    상기 처리액유로 또는 상기 액적생성부 안에서 상기 처리액에 접하고, 상기 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극
    을 구비하며,
    상기 제1전극이 상기 내통부재에 의해 상기 처리액으로부터 격리되는 이류체 노즐.
  26. 처리대상을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노즐로서,
    중심축을 중심으로 하는 내통부재 및 상기 내통부재에 접속되는 처리액공급관에 의해 형성되는 처리액유로와,
    상기 내통부재, 상기 중심축을 중심으로 함과 아울러 상기 내통부재와의 사이에 간극을 형성하는 외통부재, 및 상기 외통부재에 접속되는 기체공급관에 의해 형성되는 기체유로와,
    상기 처리액유로로부터의 처리액과 상기 기체유로로부터의 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 상기 액적을 상기 기체와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부와,
    상기 액적생성부 근방에서 상기 기체유로 안에 설치된 제1전극과,
    상기 처리액유로 안에서 상기 처리액에 접하고, 상기 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극
    을 구비하며,
    상기 제1전극이 상기 내통부재에 의해 상기 처리액으로부터 격리되는 이류체 노즐.
  27. 제 25항 또는 제 26항에 있어서,
    상기 제2전극이, 도전성 수지 또는 도전성 카본에 의해 형성되어 있는 이류체 노즐.
  28. 제 25항 또는 제 26항에 있어서,
    상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역과 상기 제1전극과의 사이의 거리가 5cm 이하인 이류체 노즐.
  29. 제 25항 또는 제 26항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극의 어느 한쪽이 접지된 이류체 노즐.
  30. 제 25항 또는 제 26항에 있어서,
    상기 처리액이 순수에 탄산가스를 용해시킨 액체인 이류체 노즐.
  31. 제 25항 또는 제 26항에 있어서,
    상기 처리액의 비저항이 1×102Ωm 이상 4×103Ωm 이하인 이류체 노즐.
  32. 제 25항 또는 제 26항에 있어서,
    상기 처리액이 비도전성인 이류체 노즐.
  33. 제 25항에 있어서,
    상기 액적생성부가, 상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역을 덮음과 아울러 분출구를 가지는 커버를 구비하고,
    상기 제2전극이 상기 커버 내에 설치된 이류체 노즐.
  34. 제 33항에 있어서,
    상기 기체유로로부터 상기 혼합영역의 중앙을 향해서 상기 기체가 분출되고,
    상기 혼합영역에 있어서 상기 기체의 흐름의 주위에 상기 처리액유로로부터의 상기 처리액이 공급되며,
    상기 제2전극이, 상기 기체의 상기 흐름을 둘러싸는 환상(環狀)인 이류체 노즐.
  35. 제 33항 또는 제 34항에 있어서,
    상기 커버 및 상기 제2전극이, 일체적으로 형성된 도전성의 부재인 이류체 노즐.
  36. 기판을 처리하는 기판처리장치로서,
    기판을 지지하는 지지부와,
    상기 기판의 주면(主面)을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노즐과,
    상기 이류체 노즐에 접속되는 전원
    을 구비하고,
    상기 이류체 노즐이,
    중심축을 중심으로 하는 내통부재 및 상기 내통부재에 접속되는 기체공급관에 의해 형성되는 기체유로와,
    상기 내통부재, 상기 중심축을 중심으로 함과 아울러 상기 내통부재와의 사이에 간극을 형성하는 외통부재, 및 상기 간극에 접속되는 처리액공급관에 의해 형성되는 처리액유로와,
    상기 처리액유로로부터의 처리액과 상기 기체유로로부터의 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 상기 액적을 상기 기체와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부와,
    상기 액적생성부 근방에서 상기 기체유로 안에 설치된 제1전극과,
    상기 처리액유로 또는 상기 액적생성부 안에서 상기 처리액에 접하고, 상기 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극
    을 구비하며,
    상기 제1전극이 상기 내통부재에 의해 상기 처리액으로부터 격리되고, 상기 전원이 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이에 전위차를 부여하는 기판처리장치.
  37. 기판을 처리하는 기판처리장치로서,
    기판을 지지하는 지지부와,
    상기 기판의 주면(主面)을 향해서 처리액의 액적을 분출하는 이류체 노즐과,
    상기 이류체 노즐에 접속되는 전원
    을 구비하고,
    상기 이류체 노즐이,
    중심축을 중심으로 하는 내통부재 및 상기 내통부재에 접속되는 처리액공급관에 의해 형성되는 처리액유로와,
    상기 내통부재, 상기 중심축을 중심으로 함과 아울러 상기 내통부재와의 사이에 간극을 형성하는 외통부재, 및 상기 외통부재에 접속되는 기체공급관에 의해 형성되는 기체유로와,
    상기 처리액유로로부터의 처리액과 상기 기체유로로부터의 기체를 혼합하여 액적을 생성하고, 상기 액적을 상기 기체와 함께 분출방향으로 분출하는 액적생성부와,
    상기 액적생성부 근방에서 상기 기체유로 안에 설치된 제1전극과,
    상기 처리액유로 안에서 상기 처리액에 접하고, 상기 제1전극과의 사이에서 전위차가 부여되는 제2전극
    을 구비하며,
    상기 제1전극이 상기 내통부재에 의해 상기 처리액으로부터 격리되고, 상기 전원이 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이에 전위차를 부여하는 기판처리장치.
  38. 제 36항 또는 제 37항에 있어서,
    상기 기판의 상기 주면에 있어서의 전위를 측정하는 표면전위계와,
    상기 이류체 노즐로부터의 상기 액적의 분출과 병행하여 상기 표면전위계로부터의 출력에 근거해서 상기 제1전극과 상기 제2전극과의 사이의 전위차를 제어하는 제어부를 더 구비한 기판처리장치.
  39. 제 36항 또는 제 37항에 있어서,
    상기 제2전극이, 도전성 수지 또는 도전성 카본에 의해 형성되어 있는 기판처리장치.
  40. 제 36항 또는 제 37항에 있어서,
    상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역과 상기 제1전극과의 사이의 거리가 5cm 이하인 기판처리장치.
  41. 제 36항 또는 제 37항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극의 어느 한쪽이 접지된 기판처리장치.
  42. 제 36항에 있어서,
    상기 액적생성부가, 상기 처리액과 상기 기체와의 혼합영역을 덮는 동시에 분출구를 가지는 커버를 구비하고,
    상기 제2전극이 상기 커버 내에 설치된 기판처리장치.
  43. 제 42항에 있어서,
    상기 기체유로로부터 상기 혼합영역의 중앙을 향해서 상기 기체가 분출되고,
    상기 혼합영역에 있어서 상기 기체의 흐름의 주위에 상기 처리액유로로부터의 상기 처리액이 공급되며,
    상기 제2전극이, 상기 기체의 상기 흐름을 둘러싸는 환상(環狀)인 기판처리장치.
  44. 제 42항 또는 제 43항에 있어서,
    상기 커버 및 상기 제2전극이, 일체적으로 형성된 도전성의 부재인 기판처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170126399A (ko) * 2016-05-09 2017-11-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101602032B (zh) * 2009-07-09 2012-08-08 湖州银轴输送机械制造有限公司 雾化喷嘴
WO2011033864A1 (ja) * 2009-09-17 2011-03-24 シャープ株式会社 塗布装置および塗布方法
FR2950545B1 (fr) * 2009-09-29 2012-11-30 Centre Nat Rech Scient Dispositif et procede de projection electrostatique d'un liquide, injecteur de carburant incorporant ce dispositif et utilisations de ce dernier
JP5893823B2 (ja) * 2009-10-16 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN101850343A (zh) * 2010-06-10 2010-10-06 中国电子科技集团公司第四十五研究所 晶片双流体清洗装置
KR101310031B1 (ko) * 2010-12-28 2013-09-24 주식회사 포스코 에어로졸 공급장치
CN102592965A (zh) * 2011-01-10 2012-07-18 联华电子股份有限公司 半导体工艺中的清洗方法
JP2012160709A (ja) * 2011-01-13 2012-08-23 Univ Of Yamanashi 太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法
CN102161022A (zh) * 2011-03-29 2011-08-24 浙江明泉工业涂装有限公司 一种铝型材立式自动化涂装生产线
EP2520509B1 (en) * 2011-05-06 2017-10-04 Airbus Defence and Space GmbH Apparatus for dispensing liquid droplets into a gas flow
JP5866227B2 (ja) * 2012-02-23 2016-02-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
JP5894021B2 (ja) * 2012-06-26 2016-03-23 旭サナック株式会社 噴霧液滴の電荷量測定方法、電荷量測定装置及びそれらを用いた噴霧液滴の電荷量制御装置
CN104069968B (zh) * 2013-03-28 2017-01-04 株式会社Enjet 喷雾嘴和使用该喷雾嘴的涂敷系统
JP2014192499A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Toppan Printing Co Ltd 洗浄装置及び洗浄方法
US10994311B2 (en) 2013-05-31 2021-05-04 Michel Bourdat Specific device for cleaning electronic components and/or circuits
FR3006209B1 (fr) * 2013-05-31 2016-05-06 Michel Bourdat Dispositif et procede de nettoyage d'objets en forme de plaque
US9951646B2 (en) * 2013-07-01 2018-04-24 General Electric Company Gas turbine on-line water wash system and method
TWI462148B (zh) * 2013-07-10 2014-11-21 Fluid nozzle and fluid nozzle device
CN104415930B (zh) * 2013-09-03 2016-06-29 亿力鑫系统科技股份有限公司 应用清洗基板方法的流体喷头及流体喷头装置
DK3046676T3 (en) * 2013-09-20 2018-10-08 Spraying Systems Co ELECTROSTATIC SPRAY NOZZLE DEVICE
US20150107619A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Wafer particle removal
US10090189B2 (en) 2013-11-19 2018-10-02 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle
JP6483348B2 (ja) * 2014-03-28 2019-03-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6600470B2 (ja) 2014-04-01 2019-10-30 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び洗浄方法
KR101505167B1 (ko) * 2014-07-03 2015-03-23 (주)다솔이엔지 글라스 세척노즐장치
JP6797526B2 (ja) * 2014-11-11 2020-12-09 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
CN104607420B (zh) * 2015-01-15 2016-08-17 山东大学 小尺寸kdp晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺
TWI593472B (zh) * 2015-01-27 2017-08-01 陳柏頴 可尖端釋放負電荷之清潔裝置
JP6112130B2 (ja) * 2015-03-25 2017-04-12 トヨタ自動車株式会社 静電ノズル、吐出装置及び半導体モジュールの製造方法
JP6496171B2 (ja) * 2015-03-30 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102432858B1 (ko) * 2015-09-01 2022-08-16 삼성전자주식회사 약액 공급 장치 및 이를 구비하는 반도체 처리 장치
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6612176B2 (ja) * 2016-05-09 2019-11-27 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP2017204495A (ja) * 2016-05-09 2017-11-16 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
TW201811640A (zh) * 2016-08-25 2018-04-01 美商康寧公司 用於清潔玻璃基板之方法及設備
JP6764288B2 (ja) * 2016-09-12 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102604406B1 (ko) * 2017-01-11 2023-11-22 주식회사 케이씨텍 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102465540B1 (ko) * 2017-05-18 2022-11-11 삼성전자주식회사 약액 공급 장치 및 이를 구비하는 반도체 처리 장치
CN107684986A (zh) * 2017-08-10 2018-02-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种新型双流体喷嘴装置
KR20190019229A (ko) * 2017-08-16 2019-02-27 세메스 주식회사 세정액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 세정액 공급 방법
US11056358B2 (en) 2017-11-14 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method
JP7034743B2 (ja) * 2018-01-29 2022-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102404528B1 (ko) * 2019-09-02 2022-06-02 세메스 주식회사 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021048336A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 三菱電機株式会社 処理液生成方法、処理液生成機構、半導体製造装置及び半導体製造方法
DE112020006287T5 (de) * 2019-12-23 2022-09-29 Kawasaki Motors, Ltd. Mischvorrichtung für beschichtungsflüssigkeiten und verfahren zum mischen von beschichtungsflüssigkeiten
EP4378592A2 (en) * 2020-02-03 2024-06-05 National Institute Of Advanced Industrial Science and Technology Spray ionization device
CN111521665B (zh) * 2020-04-09 2021-12-21 电子科技大学 一种调控液滴带电量和带电性质的方法
JP7475945B2 (ja) * 2020-04-20 2024-04-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102584515B1 (ko) * 2020-07-06 2023-10-05 세메스 주식회사 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102279100B1 (ko) * 2021-01-27 2021-07-19 홍광락 집합건물용 oh 라디칼수 공급장치
KR102486133B1 (ko) * 2021-03-23 2023-01-09 주식회사 프로텍 튜브형 내부 전극을 구비하는 전기수력학적 펌프 헤드 조립체
KR102424736B1 (ko) * 2021-03-23 2022-07-25 주식회사 프로텍 기체 유로를 구비하는 전기수력학적 펌프 헤드 조립체
KR102486132B1 (ko) * 2021-03-23 2023-01-09 주식회사 프로텍 높이 조절형 전기수력학적 펌프 헤드 조립체
KR102500430B1 (ko) * 2021-03-23 2023-02-16 주식회사 프로텍 튜브형 외부 전극을 구비하는 전기수력학적 펌프 헤드 조립체
CN115475794A (zh) * 2022-10-10 2022-12-16 安徽光智科技有限公司 镜头的清洗方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345797A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ２流体噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴流洗浄方法
KR20010078078A (ko) * 2000-01-28 2001-08-20 안강호 분무입자의 유도가 가능한 전기수력학적 분사장치
JP2004202316A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Mitsubishi Chemicals Corp 洗浄用２流体ノズル及び洗浄方法
JP2005294819A (ja) 2004-03-09 2005-10-20 Renesas Technology Corp 基板洗浄用２流体ノズル及び基板洗浄装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5196171A (en) * 1991-03-11 1993-03-23 In-Vironmental Integrity, Inc. Electrostatic vapor/aerosol/air ion generator
US5409162A (en) * 1993-08-09 1995-04-25 Sickles; James E. Induction spray charging apparatus
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US20060118132A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-08 Bergman Eric J Cleaning with electrically charged aerosols
DE10250406B4 (de) * 2001-10-30 2007-10-25 Hitachi, Ltd. Reaktionsvorrichtung und Mischsystem
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
JP3748559B2 (ja) * 2003-06-30 2006-02-22 キヤノン株式会社 ステージ装置、露光装置、荷電ビーム描画装置、デバイス製造方法、基板電位測定方法及び静電チャック
US7080897B2 (en) * 2003-10-31 2006-07-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System for delivering material onto a substrate
JP2005183791A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
TWI251857B (en) * 2004-03-09 2006-03-21 Tokyo Electron Ltd Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device
TW200703482A (en) * 2005-03-31 2007-01-16 Toshiba Kk Method and apparatus for cleaning electronic device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345797A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ２流体噴出ノズル及びこれを使用した２流体噴流洗浄装置並びに２流体噴流洗浄方法
KR20010078078A (ko) * 2000-01-28 2001-08-20 안강호 분무입자의 유도가 가능한 전기수력학적 분사장치
JP2004202316A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Mitsubishi Chemicals Corp 洗浄用２流体ノズル及び洗浄方法
JP2005294819A (ja) 2004-03-09 2005-10-20 Renesas Technology Corp 基板洗浄用２流体ノズル及び基板洗浄装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170126399A (ko) * 2016-05-09 2017-11-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치
KR102338647B1 (ko) * 2016-05-09 2021-12-13 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치

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