JP2008028365A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバー1と、チャンバー内に設けられ、被処理物2を保持する保持手段3と、チャンバー内に活性原子を供給する活性原子供給手段4と、チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段5とを有し、被処理物の表面に対し、活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を行なう。
【選択図】 図1
Description
2 被処理物
3 保持手段
4 活性原子供給手段
5 薬液供給手段
Claims (22)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、被処理物を保持する保持手段と、
前記チャンバー内に活性原子を供給する活性原子供給手段と、
前記チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段とを有し、
前記被処理物の表面に対し、前記活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び前記薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を行なうことを特徴とする処理装置。 - 前記活性原子供給手段は、大気圧下で前記活性原子を前記チャンバー内に供給することを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記保持手段は、保持した被処理物を回転可能であり、
前記活性原子供給手段の供給口は、前記被処理物の表面に対向するように配置され、前記被処理物の回転中心から半径方向に移動可能に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の処理装置。 - 前記活性原子供給手段の供給口と前記薬液供給手段の供給口とが一体化されていることを特徴とする請求項3に記載の処理装置。
- 前記活性原子供給手段の供給口は、前記被処理物の表面に対向し、前記被処理物の大きさと同じかそれ以上の面積であることを特徴とする請求項1又は2に記載の処理装置。
- 前記保持手段は、複数の前記被処理物を保持可能に設けられ、前記薬液中に複数の前記被処理物を浸漬可能に設けられたことを特徴とする請求項1又は2に記載の処理装置。
- 前記薬液は硫酸を含み、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記薬液は水酸化アンモニウム、塩化水素酸、硫酸又は弗化水素酸を含み、前記活性原子は酸素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記被処理物は処理表面に半導体を含み、前記活性原子は水素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記薬液はリン酸を含み、前記活性原子はフッ素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記被処理物は処理表面にレジスト膜を有し、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含み、前記被処理物のレジスト膜を除去することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の処理装置。
- 前記活性原子供給手段は、誘導結合プラズマ法又はマイクロ波プラズマ法を用いて前記活性原子を生成することを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の処理装置。
- チャンバー内に保持された被処理物の表面に対し、活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を同時に又は連続して行なうことを特徴とする処理方法。
- 前記ドライ処理は、大気圧下で行なわれることを特徴とする請求項13に記載の処理方法。
- 前記被処理物の表面の全体に、前記薬液供給手段から供給される薬液を供給しつつ、前記被処理物の表面の一部に対し前記活性原子供給手段から供給される活性原子を供給することを特徴とする請求項13又は14に記載の処理方法。
- 前記被処理物を回転させながら、前記活性原子供給手段の供給口を前記被処理物の回転中心から半径方向に移動させつつ前記活性原子を供給することを特徴とする請求項13乃至15の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記チャンバー内において前記被処理物を前記薬液供給手段から供給される薬液に浸漬させ、
前記薬液を排出しつつ、前記チャンバー内の雰囲気中に前記活性原子を供給することを特徴とする請求項13又は14に記載の処理方法。 - 前記薬液は硫酸を含み、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含むことを特徴とする請求項13乃至17の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記薬液は水酸化アンモニウム、塩化水素酸、硫酸又は弗化水素酸を含み、前記活性原子は酸素原子を含むことを特徴とする請求項13乃至17の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記被処理物は処理表面に半導体を含み、前記活性原子は水素原子を含むことを特徴とする請求項13乃至17の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記薬液はリン酸を含み、前記活性原子はフッ素原子を含むことを特徴とする請求項13乃至17の何れか1項に記載の処理方法。
- 前記被処理物は処理表面にレジスト膜を有し、前記活性原子は水素原子または酸素原子を含み、前記被処理物のレジスト膜を除去することを特徴とする請求項13乃至17の何れか1項に記載の処理方法。
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