JP2013545319A - 基板から窒化物を選択的に除去する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[例1](制御)
85wt%のリン酸が、体積比1:1で98wt%の硫酸と混合され、かつ、1.4L/minの合計流速でLPCVDシリコン窒化物膜を有する基板試料へ噴霧された。制御プロセス用に1分間供給された後に与えられた混合物の合計含水量は〜9.3wt%だった。この含水量は酸溶液中に存在する水を含む。供給中にウエハ上で観測された温度は165℃だった。このプロセスの窒素除去速度は6.36Å/minだった。シリコン酸化物の除去速度は0.22Å/minだった。
[例2]
85wt%のリン酸が、体積比1:1で98wt%の硫酸と混合され、かつ、1.4L/minの合計流速でLPCVDシリコン窒化物膜を有する基板試料へ噴霧された。制御プロセス用に1分間供給された後に与えられた混合物の合計含水量は〜13.2wt%だった。供給中にウエハ上で観測された温度は170℃だった。蒸気を加えたこのプロセスの窒素除去速度は30.94Å/minだった。蒸気を加えることによって窒化物のエッチング速度は5倍に改善された。シリコン酸化物の除去速度は0.33Å/minだった。
[例3](制御)
85wt%のリン酸が、体積比1:1で98wt%の硫酸と混合され、かつ、1.6L/minの合計流速でLPCVDシリコン窒化物膜を有する基板試料へ噴霧された。制御プロセス用に3分間供給された後に与えられた混合物の合計含水量は〜9.3wt%だった。この含水量は酸溶液中に存在する水を含む。供給中にウエハ上で観測された温度は190℃だった。このプロセスの窒素除去速度は65.5Å/minだった。シリコン酸化物の除去速度は1.12Å/minだった。
[例4]
85wt%のリン酸が、体積比1:1で98wt%の硫酸と混合され、かつ、1.6L/minの合計流速でLPCVDシリコン窒化物膜を有する基板試料へ噴霧された。制御プロセス用に3分間供給された後に与えられた混合物の合計含水量は〜13.2wt%だった。供給中にウエハ上で観測された温度は195℃だった。蒸気を加えたこのプロセスの窒素除去速度は98.7Å/minだった(窒化物の合計厚さは296.0Å)。蒸気を加えることによって窒化物のエッチング速度は50.7%に改善された。シリコン酸化物の除去速度は1.73Å/minだった。
Claims (27)
- 基板からシリコン窒化物を選択的に除去する方法であって:
a)表面上にシリコン窒化物を有する基板を供する工程、及び、
b)150℃よりも高い温度で、前記基板表面上にリン酸と硫酸を、混合酸性液体流として供給することによって、前記基板から選択的に除去する工程;
を有し、
前記混合酸性液体流の溶液がノズルを通過する際又はその後、前記混合酸性液体流の溶液には水が追加される、
方法。 - 水が加えられる前記混合酸性液体流の溶液が、リン酸と硫酸の混合物である、請求項1に記載の方法。
- 水が加えられる前記混合酸性液体流の溶液が、リン酸溶液である、請求項1に記載の方法。
- 水が加えられる前記混合酸性液体流の溶液が、硫酸溶液である、請求項1に記載の方法。
- 前記混合酸性溶液流が180℃よりも高い温度で供給される、請求項1に記載の方法。
- 前記混合酸性溶液流が200℃よりも高い温度で供給される、請求項1に記載の方法。
- 前記混合酸性溶液流が190℃乃至240℃の温度で供給される、請求項1に記載の方法。
- 前記混合酸性溶液流が150℃乃至180℃の温度で供給される、請求項1に記載の方法。
- 水を加えた後の前記混合酸性溶液流の含水量が10wt%乃至20wt%である、請求項1に記載の方法。
- 水を加えた後の前記混合酸性溶液流の含水量が11wt%乃至15wt%である、請求項1に記載の方法。
- 前記混合酸性液体流が、少なくとも80wt%のリン酸であるリン酸溶液と、少なくとも90wt%の硫酸溶液とを、リン酸と硫酸との割合を体積比にして3:1乃至1:6で混合させることによって準備される、請求項1に記載の方法。
- 前記リン酸溶液が85wt%のリン酸で、かつ、前記硫酸溶液は98wt%の硫酸である、請求項11に記載の方法。
- 硫酸に対するリン酸の体積比が1:2乃至1:4である、請求項11に記載の方法。
- 前記水が加えられた時点での前記硫酸溶液の水/硫酸のモル比が5:1を超えない、請求項11に記載の方法。
- 前記水が加えられた際の水が水蒸気である、請求項1に記載の方法。
- 前記水蒸気が80℃乃至110℃の温度で供される、請求項15に記載の方法。
- 前記水蒸気が100℃の温度で供される、請求項15に記載の方法。
- 前記基板が前記混合酸性溶液流の供給中に回転する、請求項1に記載の方法。
- 水が加えられた前記混合酸性溶液流が、連続流の状態で前記基板と衝突する、請求項1に記載の方法。
- 水が加えられた前記混合酸性溶液流が、エアロゾル液滴の状態で前記基板と衝突する、請求項1に記載の方法。
- 前記リン酸と前記硫酸が、混合酸性液体流として前記ノズルから供給される前に、貯蔵用容器内で混合される、請求項1に記載の方法。
- 前記リン酸と前記硫酸が、混合酸性液体流として前記ノズルの上流の位置で処理中に混合されることで、混合酸性液体流を生成する、請求項1に記載の方法。
- 前記リン酸と前記硫酸が、混合酸性液体流として前記ノズルから排出される前に、ノズル集合体内で混合される、請求項1に記載の方法。
- 前記リン酸と前記硫酸が、前記ノズル集合体の別個のオリフィスから流れる別個の溶液として供給される、請求項1に記載の方法。
- 前記リン酸と前記硫酸が前記基板表面上に噴霧される、請求項1に記載の方法。
- 前記リン酸と前記硫酸が前記基板表面へ向かうように流される、請求項1に記載の方法。
- 基板からシリコン窒化物を選択的に除去する方法であって:
a)表面上にシリコン窒化物を有する基板を供する工程;
b)リン酸と硫酸を別個の流れとして供給する工程;
c)前記リン酸と硫酸の別個の流れを衝突させることで、前記基板表面と接する前に混合酸性液体流を生成する工程;及び、
前記混合酸性液体流を前記基板表面と接触させる工程;
を有する方法。
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