JP2013545319A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. 基板からシリコン窒化物をシリコン酸化物に対して選択的に除去する方法であって：
   a)表面上にシリコン窒化物を有する基板を供する工程、
   b)150℃よりも高い温度で、前記基板表面上にリン酸と硫酸を含む、流れている混合酸性液体流と、水蒸気流を供給する工程；及び、
   前記流れている混合酸性液体流を用いて、前記水蒸気の存在する中で前記シリコン酸化物に対して前記シリコン窒化物を選択的にエッチングする工程；
   を有する方法。
2. 前記工程b)の前に、HFを含む前処理用液体によって前記基板を処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
3. 前記水蒸気が過熱流を含む、請求項1に記載の方法。
4. 前記混合酸性溶液流が180℃よりも高い温度で供給される、請求項1に記載の方法。
5. 前記混合酸性溶液流が200℃よりも高い温度で供給される、請求項1に記載の方法。
6. 前記混合酸性溶液流が190℃乃至240℃の温度で供給される、請求項1に記載の方法。
7. 前記混合酸性溶液流が150℃乃至180℃の温度で供給される、請求項1に記載の方法。
8. 前記水蒸気と交差させた後の前記混合酸性溶液流の含水量が10wt%乃至20wt%である、請求項1に記載の方法。
9. 前記水蒸気と交差させた後の前記混合酸性溶液流の含水量が11wt%乃至15wt%である、請求項1に記載の方法。
10. 前記混合酸性液体流が、少なくとも80wt%のリン酸であるリン酸溶液と、少なくとも90wt%の硫酸溶液とを、リン酸と硫酸との割合を体積比にして3:1乃至1:6で混合させることによって準備される、請求項1に記載の方法。
11. 前記リン酸溶液が85wt%のリン酸で、かつ、前記硫酸溶液は98wt%の硫酸である、請求項10に記載の方法。
12. 硫酸に対するリン酸の体積比が1:2乃至1:4である、請求項10に記載の方法。
13. 前記硫酸溶液の水/硫酸のモル比が5:1を超えない、請求項10に記載の方法。
14. 前記水蒸気が80℃乃至110℃の温度で供される、請求項1に記載の方法。
15. 前記水蒸気が100℃の温度で供される、請求項1に記載の方法。
16. 前記基板が前記混合酸性溶液流の供給中に回転する、請求項1に記載の方法。
17. 前記水蒸気と交差させた後の前記混合酸性溶液流が、連続流の状態で前記基板と衝突する、請求項1に記載の方法。
18. 水が加えられた前記混合酸性溶液流が、エアロゾル液滴の状態で前記基板と衝突する、請求項1に記載の方法。
19. 前記リン酸と前記硫酸が、混合酸性液体流としてノズルから供給される前に、貯蔵用容器内で混合される、請求項1に記載の方法。
20. 前記リン酸と前記硫酸が、混合酸性液体流として前記ノズルの上流の位置で処理中に混合されることで、混合酸性液体流を生成する、請求項19に記載の方法。
21. 前記リン酸と前記硫酸が、混合酸性液体流として前記ノズルから排出される前に、ノズル集合体内で混合される、請求項1に記載の方法。
22. 前記リン酸と前記硫酸が、前記ノズル集合体の別個のオリフィスから流れる別個の溶液として供給され、
    前記の供給された別個の溶液は、前記基板表面と接触する前に、互いに衝突し、前記ノズルの外部の前記混合酸性液体流を生成する、
    請求項1に記載の方法。
23. 前記リン酸と前記硫酸が前記基板表面上に噴霧される、請求項1に記載の方法。
24. 前記リン酸と前記硫酸が前記基板表面へ向かうように流される、請求項1に記載の方法。
25. 基板からシリコン窒化物を選択的に除去する方法であって：
    a)表面上にシリコン窒化物を有する基板を供する工程；
    b)水蒸気と、リン酸と、硫酸を別個の流れとして供給する工程；
    c)前記水蒸気と、リン酸と、硫酸の別個の流れを衝突させることで、前記基板表面と接する前に混合酸性液体流を生成する工程；及び、
    前記混合酸性液体流を前記基板表面と接触させる工程；
    を有する方法。
26. 前記水蒸気と、前記の供給された流れている混合酸性液体流が、前記基板表面に衝突する前に供給されて、かつ、交差する、請求項1に記載の方法。