JP2014510417A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 基板上のマスク層のエッチング速度と選択性を増大させるシステムであって：
前記マスク層とシリコン又はシリコン酸化物の層を含む複数の基板；
前記マスク層をエッチングするための処理液体を含んで前記複数の基板を処理するエッチング処理チャンバ；及び、
前記エッチング処理チャンバと結合して昇圧して蒸気と水蒸気の混合物を供給する沸騰装置；
を有し、
前記蒸気と水蒸気の混合物は、選択された目標エッチング速度と、シリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層の選択された目標エッチング選択比を維持するのに十分な速度で前記エッチング処理チャンバへ導入される、
システム。 - 前記マスク層が、シリコン窒化物、窒化ガリウム、又は窒化アルミニウムのうちの一を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記処理液体がリン酸水溶液である、請求項2に記載のシステム。
- 前記選択されたエッチング選択比が10:1乃至1000:1の範囲内である、請求項2に記載のシステム。
- 前記リン酸水溶液の温度が160℃乃至220℃の範囲内である、請求項3に記載のシステム。
- 前記処理液体が、リン酸、フッ化水素、又はフッ化水素/エチレングリコールのうちの一を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記蒸気と水蒸気の混合物の流速と圧力が、前記処理液体の温度を沸騰温度に変化させ、
前記処理液体の平衡濃度と温度が、前記選択された目標エッチング速度と、前記シリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層の選択された目標エッチング選択比を実現させる、
請求項1に記載のシステム。 - 基板上のマスク層のエッチング速度と選択性を増大させる方法であって：
前記マスク層とシリコン又はシリコン酸化物の層を含む複数の基板を作製する工程；
昇圧して蒸気と水蒸気の混合物を供給する工程；
設定されたエッチング速度及び設定されたエッチング選択比で処理液体を供給して前記シリコン又はシリコン酸化物に対して前記マスク層を選択的にエッチングする工程；
エッチング処理チャンバ内に複数の基板を設ける工程；
前記処理液体と前記蒸気と水蒸気の混合物を混合する工程；及び、
前記の混合された処理液体と蒸気と水蒸気の混合物を前記エッチング処理チャンバへ注入する工程；
を有し、
前記の混合された処理液体と蒸気と水蒸気の混合物の流れは、前記設定されたエッチング速度及び前記設定されたシリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層のエッチング選択比を維持するように調整される、
方法。 - 前記マスク層が、シリコン窒化物を有する、請求項8に記載の方法。
- 前記処理液体がリン酸水溶液である、請求項9に記載の方法。
- 前記選択されたエッチング選択比が10:1乃至1000:1の範囲内である、請求項9に記載の方法。
- 前記リン酸水溶液の温度が160℃乃至180℃の範囲内である、請求項9に記載の方法。
- 前記処理液体が、リン酸、フッ化水素、又はフッ化水素/エチレングリコールのうちの一を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記マスク層が、シリコン窒化物、窒化ガリウム、又は窒化アルミニウムのうちの一を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記蒸気と水蒸気の混合物の流速と圧力が、前記処理液体の温度を沸騰温度に変化させ、
前記処理液体の平衡濃度と温度が、前記選択された目標エッチング速度と、前記シリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層の選択された目標エッチング選択比を実現させる、
請求項14に記載の方法。 - 基板上のマスク層のエッチング速度と選択性を増大させる方法であって：
マスク層とシリコン又はシリコン酸化物の層を含む複数の基板をエッチング処理チャンバ内に設ける工程；
昇圧して処理液体と蒸気と水蒸気の混合物を混合する工程；及び、
前記の混合された処理液体と蒸気と水蒸気の混合物を前記エッチング処理チャンバへ注入する工程；
を有し、
前記の混合された処理液体と蒸気と水蒸気の混合物の流れは、前記設定されたエッチング速度及び前記設定されたシリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層のエッチング選択比を維持するように制御される、
方法。 - 前記処理液体が、リン酸、フッ化水素、又はフッ化水素/エチレングリコールのうちの一を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記蒸気と水蒸気の混合物の流速と圧力が、前記処理液体の温度を沸騰温度に変化させ、
前記処理液体の平衡濃度と温度が、前記選択された目標エッチング速度と、前記シリコン又はシリコン酸化物に対する前記マスク層の選択された目標エッチング選択比を実現させる、
請求項17に記載の方法。
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