JPH0810684B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH0810684B2
JPH0810684B2 JP3739889A JP3739889A JPH0810684B2 JP H0810684 B2 JPH0810684 B2 JP H0810684B2 JP 3739889 A JP3739889 A JP 3739889A JP 3739889 A JP3739889 A JP 3739889A JP H0810684 B2 JPH0810684 B2 JP H0810684B2
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亮一 渡邉
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山形日本電気株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造装置に関し、特に窒化膜
ウェットエッチングを主とする半導体装置の製造装置に
関する。
〔従来の技術〕 従来の熱リン酸を用いるシリコン窒化膜のウェットエ
ッチング装置を図面を参照して説明する。
第2図は従来のシリコン窒化膜ウェットエッチング装
置の一例の断面模式図である。
リン酸を用いるシリコン窒化膜ウェットエッチング装
置は、エッチング槽9にリン酸を入れ、リン酸をヒータ
10にて100℃以上に加熱し熱リン酸6として用いるが、
熱リン酸中の水分が蒸発し、半導体ウェーハ8に形成さ
れているシリコン窒化膜のエッチング速度が減少するた
め、常時蒸発する水分量に相当する常温の純水流量を流
量計12にて設定し、純水供給管11から適当量供給する構
造となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記した従来のシリコン窒化膜ウェットエッチング装
置は、熱リン酸のシリコン酸化膜のエッチング速度の安
定化のため、常時常温の純水を適当量供給していたが、
この際、リン酸の濃度管理が行なわれていないため、熱
リン酸の組成比の変動もしくは熱に酸の劣化によりエッ
チング速度は、経時とともに減少するという欠点があ
る。
また、100℃以上の熱リン酸を用いるため、供給した
常温の純水の一部が蒸発し気化熱を奪い、エッチング液
温が10〜20℃も低下してしまい、エッチング速度は1/2
以下に低下してしまうという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造装置は、エッチング液を入
れるエッチング層と、前記エッチング液の比重を測定す
る比重措定装置と、前記測定された比重の変位を算出す
る比重変位算出装置と、前記比重変位算出値から蒸発水
分量を算出する蒸発水分算出装置と、前記蒸発水分算出
値から補給すべき水蒸気を供給制御する水蒸気供給制御
装置と、前記エッチング槽に水蒸気を供給する水蒸気供
給管とを含んで構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の断面模式図である。
エッチング槽9の中のヒーター10にて150℃に加熱さ
れた熱リン酸6の比重を比重測定装置5にて測定し、そ
の変位を比重変位算出装置4にて算出する。その変位か
ら蒸発する水分量を蒸発水分量算出装置3にて算出し、
最後に蒸発する水分量を水蒸気供給制御装置2に伝送す
ることにより、水蒸気供給管1から常時100℃の水蒸気
をおよそ1/分の流量で自動供給する。
この構成にすると、従来装置に比較し、液温設定値15
0℃に対するエッチング液温の低下が見られず、約2倍
のエッチング速度が確保できた。また、エッチング速度
の減少も従来装置に比較し、1/2に抑制することが可能
となった。更に、熱リン酸の液温設定値を変更する場合
でも、水蒸気の温度及び流量を制御することにより、エ
ッチング液温を低下させずに、エッチング速度を安定に
保持することができた。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明は、熱リン酸中から蒸発す
る水分量に相当する水蒸気を常時、自動供給することに
より、エッチング速度を自由に制御し、かつ、安定に保
持できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面模式図、第2図は従来
のシリコン窒化膜ウェットエッチング装置の一例の断面
模式図である。 1……水蒸気供給管、2……水蒸気供給制御装置、3…
…蒸発水分量算出装置、4……比重変位算出装置、5…
…比重測定装置、6……熱リン酸、7……キャリア、8
……半導体ウェーハ、9……エッチング槽、10……ヒー
タ、11……純水供給管、12……流量計。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エッチング液を入れるエッチング層と、前
    記エッチング液の比重を測定する比重測定装置と、前記
    測定された比重の変位を算出する比重変位算出装置と、
    前記比重変位算出値から蒸発水分量を算出する蒸発水分
    算出装置と、前記蒸発水分算出値から補給すべき水蒸気
    を供給制御する水蒸気供給制御装置と、前記エッチング
    槽に水蒸気を供給する水蒸気供給管とを含むことを特徴
    とする半導体装置の製造装置。
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