JPH0810684B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0810684B2 JPH0810684B2 JP3739889A JP3739889A JPH0810684B2 JP H0810684 B2 JPH0810684 B2 JP H0810684B2 JP 3739889 A JP3739889 A JP 3739889A JP 3739889 A JP3739889 A JP 3739889A JP H0810684 B2 JPH0810684 B2 JP H0810684B2
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- JP
- Japan
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- specific gravity
- etching
- calculating
- phosphoric acid
- displacement
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造装置に関し、特に窒化膜
ウェットエッチングを主とする半導体装置の製造装置に
関する。
ウェットエッチングを主とする半導体装置の製造装置に
関する。
〔従来の技術〕 従来の熱リン酸を用いるシリコン窒化膜のウェットエ
ッチング装置を図面を参照して説明する。
ッチング装置を図面を参照して説明する。
第2図は従来のシリコン窒化膜ウェットエッチング装
置の一例の断面模式図である。
置の一例の断面模式図である。
リン酸を用いるシリコン窒化膜ウェットエッチング装
置は、エッチング槽9にリン酸を入れ、リン酸をヒータ
10にて100℃以上に加熱し熱リン酸6として用いるが、
熱リン酸中の水分が蒸発し、半導体ウェーハ8に形成さ
れているシリコン窒化膜のエッチング速度が減少するた
め、常時蒸発する水分量に相当する常温の純水流量を流
量計12にて設定し、純水供給管11から適当量供給する構
造となっている。
置は、エッチング槽9にリン酸を入れ、リン酸をヒータ
10にて100℃以上に加熱し熱リン酸6として用いるが、
熱リン酸中の水分が蒸発し、半導体ウェーハ8に形成さ
れているシリコン窒化膜のエッチング速度が減少するた
め、常時蒸発する水分量に相当する常温の純水流量を流
量計12にて設定し、純水供給管11から適当量供給する構
造となっている。
上記した従来のシリコン窒化膜ウェットエッチング装
置は、熱リン酸のシリコン酸化膜のエッチング速度の安
定化のため、常時常温の純水を適当量供給していたが、
この際、リン酸の濃度管理が行なわれていないため、熱
リン酸の組成比の変動もしくは熱に酸の劣化によりエッ
チング速度は、経時とともに減少するという欠点があ
る。
置は、熱リン酸のシリコン酸化膜のエッチング速度の安
定化のため、常時常温の純水を適当量供給していたが、
この際、リン酸の濃度管理が行なわれていないため、熱
リン酸の組成比の変動もしくは熱に酸の劣化によりエッ
チング速度は、経時とともに減少するという欠点があ
る。
また、100℃以上の熱リン酸を用いるため、供給した
常温の純水の一部が蒸発し気化熱を奪い、エッチング液
温が10〜20℃も低下してしまい、エッチング速度は1/2
以下に低下してしまうという欠点がある。
常温の純水の一部が蒸発し気化熱を奪い、エッチング液
温が10〜20℃も低下してしまい、エッチング速度は1/2
以下に低下してしまうという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造装置は、エッチング液を入
れるエッチング層と、前記エッチング液の比重を測定す
る比重措定装置と、前記測定された比重の変位を算出す
る比重変位算出装置と、前記比重変位算出値から蒸発水
分量を算出する蒸発水分算出装置と、前記蒸発水分算出
値から補給すべき水蒸気を供給制御する水蒸気供給制御
装置と、前記エッチング槽に水蒸気を供給する水蒸気供
給管とを含んで構成される。
れるエッチング層と、前記エッチング液の比重を測定す
る比重措定装置と、前記測定された比重の変位を算出す
る比重変位算出装置と、前記比重変位算出値から蒸発水
分量を算出する蒸発水分算出装置と、前記蒸発水分算出
値から補給すべき水蒸気を供給制御する水蒸気供給制御
装置と、前記エッチング槽に水蒸気を供給する水蒸気供
給管とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例の断面模式図である。
エッチング槽9の中のヒーター10にて150℃に加熱さ
れた熱リン酸6の比重を比重測定装置5にて測定し、そ
の変位を比重変位算出装置4にて算出する。その変位か
ら蒸発する水分量を蒸発水分量算出装置3にて算出し、
最後に蒸発する水分量を水蒸気供給制御装置2に伝送す
ることにより、水蒸気供給管1から常時100℃の水蒸気
をおよそ1/分の流量で自動供給する。
れた熱リン酸6の比重を比重測定装置5にて測定し、そ
の変位を比重変位算出装置4にて算出する。その変位か
ら蒸発する水分量を蒸発水分量算出装置3にて算出し、
最後に蒸発する水分量を水蒸気供給制御装置2に伝送す
ることにより、水蒸気供給管1から常時100℃の水蒸気
をおよそ1/分の流量で自動供給する。
この構成にすると、従来装置に比較し、液温設定値15
0℃に対するエッチング液温の低下が見られず、約2倍
のエッチング速度が確保できた。また、エッチング速度
の減少も従来装置に比較し、1/2に抑制することが可能
となった。更に、熱リン酸の液温設定値を変更する場合
でも、水蒸気の温度及び流量を制御することにより、エ
ッチング液温を低下させずに、エッチング速度を安定に
保持することができた。
0℃に対するエッチング液温の低下が見られず、約2倍
のエッチング速度が確保できた。また、エッチング速度
の減少も従来装置に比較し、1/2に抑制することが可能
となった。更に、熱リン酸の液温設定値を変更する場合
でも、水蒸気の温度及び流量を制御することにより、エ
ッチング液温を低下させずに、エッチング速度を安定に
保持することができた。
以上説明した様に、本発明は、熱リン酸中から蒸発す
る水分量に相当する水蒸気を常時、自動供給することに
より、エッチング速度を自由に制御し、かつ、安定に保
持できる効果がある。
る水分量に相当する水蒸気を常時、自動供給することに
より、エッチング速度を自由に制御し、かつ、安定に保
持できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例の断面模式図、第2図は従来
のシリコン窒化膜ウェットエッチング装置の一例の断面
模式図である。 1……水蒸気供給管、2……水蒸気供給制御装置、3…
…蒸発水分量算出装置、4……比重変位算出装置、5…
…比重測定装置、6……熱リン酸、7……キャリア、8
……半導体ウェーハ、9……エッチング槽、10……ヒー
タ、11……純水供給管、12……流量計。
のシリコン窒化膜ウェットエッチング装置の一例の断面
模式図である。 1……水蒸気供給管、2……水蒸気供給制御装置、3…
…蒸発水分量算出装置、4……比重変位算出装置、5…
…比重測定装置、6……熱リン酸、7……キャリア、8
……半導体ウェーハ、9……エッチング槽、10……ヒー
タ、11……純水供給管、12……流量計。
Claims (1)
- 【請求項1】エッチング液を入れるエッチング層と、前
記エッチング液の比重を測定する比重測定装置と、前記
測定された比重の変位を算出する比重変位算出装置と、
前記比重変位算出値から蒸発水分量を算出する蒸発水分
算出装置と、前記蒸発水分算出値から補給すべき水蒸気
を供給制御する水蒸気供給制御装置と、前記エッチング
槽に水蒸気を供給する水蒸気供給管とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3739889A JPH0810684B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3739889A JPH0810684B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02216826A JPH02216826A (ja) | 1990-08-29 |
JPH0810684B2 true JPH0810684B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=12496424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3739889A Expired - Fee Related JPH0810684B2 (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0810684B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007207786A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-16 | Ses Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理システム |
US20120248061A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Limited | Increasing masking layer etch rate and selectivity |
JP6693846B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2020-05-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP3739889A patent/JPH0810684B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02216826A (ja) | 1990-08-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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