JP2001358109A - 枚葉式洗浄装置、及びウェハ洗浄方法。 - Google Patents
枚葉式洗浄装置、及びウェハ洗浄方法。Info
- Publication number
- JP2001358109A JP2001358109A JP2000178878A JP2000178878A JP2001358109A JP 2001358109 A JP2001358109 A JP 2001358109A JP 2000178878 A JP2000178878 A JP 2000178878A JP 2000178878 A JP2000178878 A JP 2000178878A JP 2001358109 A JP2001358109 A JP 2001358109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pure water
- nozzle
- center
- cleaning apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れたウェハの除電効果を有する枚葉式洗浄
装置及びウェハ洗浄方法を実現する。 【解決手段】 回転台２によりウェハ１を支持するとと
もに回転させながら、金属配線５を介して接地された第
２の噴射ノズル４から、ウェハ１の裏面中心付近に比抵
抗値の低い液体の噴射を開始した後、第１の噴射ノズル
３からウェハ１の表面に対して純水を噴射する。
装置及びウェハ洗浄方法を実現する。 【解決手段】 回転台２によりウェハ１を支持するとと
もに回転させながら、金属配線５を介して接地された第
２の噴射ノズル４から、ウェハ１の裏面中心付近に比抵
抗値の低い液体の噴射を開始した後、第１の噴射ノズル
３からウェハ１の表面に対して純水を噴射する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に枚葉式洗浄装置及びウェハ洗浄方法に関す
る。
係り、特に枚葉式洗浄装置及びウェハ洗浄方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体基板または液晶基板の
洗浄装置として、枚葉式洗浄装置やディップ(DIP)式洗
浄装置が用いられている。
洗浄装置として、枚葉式洗浄装置やディップ(DIP)式洗
浄装置が用いられている。
【０００３】図３は、実開昭62-32533号公報に開示され
ている従来の枚葉式洗浄装置を説明するための断面図で
ある。図中の符号１０１はウェハ、１０２はターンテー
ブル、１０３はノズル、１０４は回転軸、１０５は防水
板、１０６はノズルを示している。この洗浄装置では、
ウェハ１０１をターンテーブル１０２に真空吸着し、回
転軸１０４を回転させてウェハ１０１を回転させなが
ら、ウェハ表面に対してノズル１０３から純水を高圧噴
射することによりウェハ１０１を洗浄する。
ている従来の枚葉式洗浄装置を説明するための断面図で
ある。図中の符号１０１はウェハ、１０２はターンテー
ブル、１０３はノズル、１０４は回転軸、１０５は防水
板、１０６はノズルを示している。この洗浄装置では、
ウェハ１０１をターンテーブル１０２に真空吸着し、回
転軸１０４を回転させてウェハ１０１を回転させなが
ら、ウェハ表面に対してノズル１０３から純水を高圧噴
射することによりウェハ１０１を洗浄する。
【０００４】ここで、ノズル１０３は、メタルコンタミ
ネーション（金属汚染）を考慮して金属性の配管ではな
く、テフロン等の樹脂配管が多く用いられている。この
ため、純水をノズル１０３から高圧噴射する際に、純水
が樹脂配管との摩擦によって帯電してしまう。そして、
この帯電した純水がウェハ１０１に噴射された後、ウェ
ハ１０１が除電されなければ、ウェハ上に形成された半
導体素子の絶縁破壊が発生してしまう可能性があった。
ネーション（金属汚染）を考慮して金属性の配管ではな
く、テフロン等の樹脂配管が多く用いられている。この
ため、純水をノズル１０３から高圧噴射する際に、純水
が樹脂配管との摩擦によって帯電してしまう。そして、
この帯電した純水がウェハ１０１に噴射された後、ウェ
ハ１０１が除電されなければ、ウェハ上に形成された半
導体素子の絶縁破壊が発生してしまう可能性があった。
【０００５】その対策として、図３に示すように、ウェ
ハ１０１の裏面側に、導電性の容器状のノズル１０６を
接地して設けた。そして、このノズル１０６に形成され
た複数の開孔１０６ａからウェハ裏面の外周付近に、導
電性を有する純水を噴射した。すなわち、上記導電性を
有する純水及びノズル１０６により導電路を形成し、ウ
ェハ１０１の除電を行っていた。
ハ１０１の裏面側に、導電性の容器状のノズル１０６を
接地して設けた。そして、このノズル１０６に形成され
た複数の開孔１０６ａからウェハ裏面の外周付近に、導
電性を有する純水を噴射した。すなわち、上記導電性を
有する純水及びノズル１０６により導電路を形成し、ウ
ェハ１０１の除電を行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェハ表面
への純水の噴射は、先ずウェハ１０１の中心に対して行
われ、徐々にウェハ外周に移行する。このため、最初に
純水が噴射されるウェハ中心付近の半導体素子が、絶縁
破壊を起こす可能性が高い。しかし、上記従来の枚葉式
洗浄装置では、ウェハ１０１の外周付近の除電効果は高
いが、ウェハ１０１の中心付近の除電効果が低い。従っ
て、ウェハ１０１の中心部において、半導体素子の絶縁
破壊が発生しやすいという可能性があった。
への純水の噴射は、先ずウェハ１０１の中心に対して行
われ、徐々にウェハ外周に移行する。このため、最初に
純水が噴射されるウェハ中心付近の半導体素子が、絶縁
破壊を起こす可能性が高い。しかし、上記従来の枚葉式
洗浄装置では、ウェハ１０１の外周付近の除電効果は高
いが、ウェハ１０１の中心付近の除電効果が低い。従っ
て、ウェハ１０１の中心部において、半導体素子の絶縁
破壊が発生しやすいという可能性があった。
【０００７】また、上記ノズル１０６は、ウェハ１０１
の外周に沿って複数の開孔１０６ａを有するため、部品
サイズが大きくなってしまう。さらに、処理ウェハが大
口径のウェハの場合には、ノズル１０６を大型化する必
要があり、製造コストが高くなってしまう問題もあっ
た。
の外周に沿って複数の開孔１０６ａを有するため、部品
サイズが大きくなってしまう。さらに、処理ウェハが大
口径のウェハの場合には、ノズル１０６を大型化する必
要があり、製造コストが高くなってしまう問題もあっ
た。
【０００８】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、優れたウェハの除電効果を有する枚
葉式洗浄装置及びウェハ洗浄方法を実現することを目的
とする。
になされたもので、優れたウェハの除電効果を有する枚
葉式洗浄装置及びウェハ洗浄方法を実現することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】請求項１の発明にかかる枚
葉式洗浄装置は、ウェハを支持して回転させる回転台
と、前記ウェハの表面に対して純水を噴射する第1の噴
射ノズルと、少なくとも一部が接地された導電性部材に
より構成され、前記ウェハの裏面中心付近に比抵抗値の
低い液体を噴射する第２の噴射ノズルと、を備えること
を特徴とするものである。
葉式洗浄装置は、ウェハを支持して回転させる回転台
と、前記ウェハの表面に対して純水を噴射する第1の噴
射ノズルと、少なくとも一部が接地された導電性部材に
より構成され、前記ウェハの裏面中心付近に比抵抗値の
低い液体を噴射する第２の噴射ノズルと、を備えること
を特徴とするものである。
【００１０】請求項２の発明にかかる枚葉式洗浄装置
は、請求項１に記載の枚葉式洗浄装置において、前記第
１の噴射ノズルは、前記ウェハを回転させながら前記第
２の噴射ノズルから液体の噴射を開始した後、前記ウェ
ハ表面に純水を噴射することを特徴とするものである。
は、請求項１に記載の枚葉式洗浄装置において、前記第
１の噴射ノズルは、前記ウェハを回転させながら前記第
２の噴射ノズルから液体の噴射を開始した後、前記ウェ
ハ表面に純水を噴射することを特徴とするものである。
【００１１】請求項３の発明にかかる枚葉式洗浄装置
は、請求項１または２に記載の枚葉式洗浄装置におい
て、前記第1の噴射ノズルは、前記ウェハ表面の中心付
近に純水を噴射した後、徐々にウェハ外周に向かって純
水を噴射することを特徴とするものである。
は、請求項１または２に記載の枚葉式洗浄装置におい
て、前記第1の噴射ノズルは、前記ウェハ表面の中心付
近に純水を噴射した後、徐々にウェハ外周に向かって純
水を噴射することを特徴とするものである。
【００１２】請求項４の発明にかかる枚葉式洗浄装置
は、請求項１に記載の枚葉式洗浄装置において、前記第
２の噴射ノズルが、前記回転台の中央に形成された開口
上部に設けられたことを特徴とするものである。
は、請求項１に記載の枚葉式洗浄装置において、前記第
２の噴射ノズルが、前記回転台の中央に形成された開口
上部に設けられたことを特徴とするものである。
【００１３】請求項５の発明にかかる枚葉式洗浄装置
は、請求項４に記載の枚葉式洗浄装置において、前記第
２の噴射ノズルが、ＳＵＳ配管であることを特徴とする
ものである。
は、請求項４に記載の枚葉式洗浄装置において、前記第
２の噴射ノズルが、ＳＵＳ配管であることを特徴とする
ものである。
【００１４】請求項６の発明にかかる枚葉式洗浄装置
は、請求項５に記載の枚葉式洗浄装置において、前記Ｓ
ＵＳ配管が、金属配線を介して接地されることを特徴と
するものである。
は、請求項５に記載の枚葉式洗浄装置において、前記Ｓ
ＵＳ配管が、金属配線を介して接地されることを特徴と
するものである。
【００１５】請求項７の発明にかかる枚葉式洗浄装置
は、請求項１に記載の枚葉式洗浄装置において、純水中
にＣＯ2を溶解させることによって、前記第２の噴射ノ
ズルから噴射される液体を生成するＣＯ2溶解ユニット
を更に備えることを特徴とするものである。
は、請求項１に記載の枚葉式洗浄装置において、純水中
にＣＯ2を溶解させることによって、前記第２の噴射ノ
ズルから噴射される液体を生成するＣＯ2溶解ユニット
を更に備えることを特徴とするものである。
【００１６】請求項８の発明にかかるウェハ洗浄方法
は、ウェハを回転させながら、少なくとも一部が接地さ
れた導電性部材によって構成される第２の噴射ノズルか
ら前記ウェハ裏面の中心付近に比抵抗値の低い液体を噴
射することによって、前記ウェハ裏面の洗浄及び前記ウ
ェハの除電を開始した後、第１の噴射ノズルから前記ウ
ェハ表面の中心付近に純水を噴射することによって前記
ウェハ表面を洗浄することを特徴とするものである。
は、ウェハを回転させながら、少なくとも一部が接地さ
れた導電性部材によって構成される第２の噴射ノズルか
ら前記ウェハ裏面の中心付近に比抵抗値の低い液体を噴
射することによって、前記ウェハ裏面の洗浄及び前記ウ
ェハの除電を開始した後、第１の噴射ノズルから前記ウ
ェハ表面の中心付近に純水を噴射することによって前記
ウェハ表面を洗浄することを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による枚葉式洗浄装置の概念を説明するための概略図
である。図１において、１はウェハ、３は第１の噴射ノ
ズル、４は第２の噴射ノズル、５は金属配線、６はＣＯ
2溶解ユニット、７は供給配管、９は薬液噴射ノズルを
示す。
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による枚葉式洗浄装置の概念を説明するための概略図
である。図１において、１はウェハ、３は第１の噴射ノ
ズル、４は第２の噴射ノズル、５は金属配線、６はＣＯ
2溶解ユニット、７は供給配管、９は薬液噴射ノズルを
示す。
【００１８】第１の噴射ノズル３は、ウェハ１の表面に
対して純水を高圧で噴射するためのノズルである。ま
た、第１の噴射ノズル３は、図示しない純水供給源に接
続されている。第１の噴射ノズル３は、第２の噴射ノズ
ル４による噴射が開始した後に、ウェハ表面に対して純
水の噴射を開始する。また、第１の噴射ノズル３は、ウ
ェハ１の表面の中心付近に純水の噴射を開始した後、徐
々にウェハ外周方向に純水を噴射する。
対して純水を高圧で噴射するためのノズルである。ま
た、第１の噴射ノズル３は、図示しない純水供給源に接
続されている。第１の噴射ノズル３は、第２の噴射ノズ
ル４による噴射が開始した後に、ウェハ表面に対して純
水の噴射を開始する。また、第１の噴射ノズル３は、ウ
ェハ１の表面の中心付近に純水の噴射を開始した後、徐
々にウェハ外周方向に純水を噴射する。
【００１９】第２の噴射ノズル４は、ウェハ１の裏面の
中心付近に、比抵抗値の低い液体（後述のＣＯ2溶解水
に対応する）を噴射するためのノズルである。また、第
２の噴射ノズル４は、導電性部材によって構成され、少
なくともその一部が、例えば金属配線５によって接地さ
れている。
中心付近に、比抵抗値の低い液体（後述のＣＯ2溶解水
に対応する）を噴射するためのノズルである。また、第
２の噴射ノズル４は、導電性部材によって構成され、少
なくともその一部が、例えば金属配線５によって接地さ
れている。
【００２０】ＣＯ2溶解ユニット６は、純水にＣＯ2（炭
酸ガス）を溶解させて、純水の比抵抗値を低下させるも
のであり、例えば、ＣＯ2バブリングユニット等であ
る。ＣＯ2溶解ユニット６は、ＣＯ2を溶解させた純水
（以下、ＣＯ2溶解水と称する）を、供給配管７によっ
て第２の噴射ノズル４に供給する。
酸ガス）を溶解させて、純水の比抵抗値を低下させるも
のであり、例えば、ＣＯ2バブリングユニット等であ
る。ＣＯ2溶解ユニット６は、ＣＯ2を溶解させた純水
（以下、ＣＯ2溶解水と称する）を、供給配管７によっ
て第２の噴射ノズル４に供給する。
【００２１】なお、本実施の形態では、上記ＣＯ2溶解
ユニット６によって調整されるＣＯ2溶解水の比抵抗値
を、約０．２ＭΩ・ｃｍに設定した。
ユニット６によって調整されるＣＯ2溶解水の比抵抗値
を、約０．２ＭΩ・ｃｍに設定した。
【００２２】薬液噴射ノズル９は、ウェハ１を純水洗浄
する前に、ウェハ１の表面に対して、例えばポリマー除
去用の薬液を噴射するためのノズルである。また、薬液
噴射ノズル９は、図示しない薬液供給源に接続されてい
る。
する前に、ウェハ１の表面に対して、例えばポリマー除
去用の薬液を噴射するためのノズルである。また、薬液
噴射ノズル９は、図示しない薬液供給源に接続されてい
る。
【００２３】次に、図１を参照して、上記枚葉式洗浄装
置によるウェハ洗浄方法について説明する。先ず、ウェ
ハ１の表面に薬液噴射ノズル９から薬液を噴射した後、
ウェハ１を図示しない回転機構により回転させながら、
ＣＯ2溶解ユニット６によって調整されたＣＯ2溶解水
を、第２の噴射ノズル４からウェハ１の裏面中心付近に
噴射する。
置によるウェハ洗浄方法について説明する。先ず、ウェ
ハ１の表面に薬液噴射ノズル９から薬液を噴射した後、
ウェハ１を図示しない回転機構により回転させながら、
ＣＯ2溶解ユニット６によって調整されたＣＯ2溶解水
を、第２の噴射ノズル４からウェハ１の裏面中心付近に
噴射する。
【００２４】この時、ウェハ１の裏面を洗浄するととも
に、上記ＣＯ2溶解水、第２の噴射ノズル４、及び金属
配線５によって、ウェハ１の中心付近からアースにかけ
ての導電路を形成して、ウェハ１の除電を開始する。ま
た、ウェハ１は回転しているため、上記ウェハ裏面中心
に噴射されたＣＯ2溶解水は、ウェハ１の裏面全体に広
がる。すなわち、ウェハ全体に対して導電路が形成され
る。
に、上記ＣＯ2溶解水、第２の噴射ノズル４、及び金属
配線５によって、ウェハ１の中心付近からアースにかけ
ての導電路を形成して、ウェハ１の除電を開始する。ま
た、ウェハ１は回転しているため、上記ウェハ裏面中心
に噴射されたＣＯ2溶解水は、ウェハ１の裏面全体に広
がる。すなわち、ウェハ全体に対して導電路が形成され
る。
【００２５】次に、第１の噴射ノズル３からウェハ表面
の中心付近に純水を高圧で噴射して、ウェハ１の表面の
純水洗浄を開始する。ここで、上述したように、ウェハ
１からアースにかけて導電路が既に形成されているた
め、帯電した純水がウェハ１の表面に噴射されても、ウ
ェハ１は除電される。
の中心付近に純水を高圧で噴射して、ウェハ１の表面の
純水洗浄を開始する。ここで、上述したように、ウェハ
１からアースにかけて導電路が既に形成されているた
め、帯電した純水がウェハ１の表面に噴射されても、ウ
ェハ１は除電される。
【００２６】続いて、第１の噴射ノズル３は、ウェハ表
面の外周に向かって徐々に純水を噴射する。この場合
も、上記導電路によって、ウェハ１は除電される。
面の外周に向かって徐々に純水を噴射する。この場合
も、上記導電路によって、ウェハ１は除電される。
【００２７】そして、第１の噴射ノズル３からの噴射を
終了した後に、第２の噴射ノズル４からの噴射を終了す
るとともにウェハ１の回転を停止させて、ウェハ１の洗
浄を終了する。
終了した後に、第２の噴射ノズル４からの噴射を終了す
るとともにウェハ１の回転を停止させて、ウェハ１の洗
浄を終了する。
【００２８】次に、実際の枚葉式洗浄装置について詳細
に説明する。図２は、本発明の実施の形態による枚葉式
洗浄装置を説明するための図である。図２において、１
はウェハ、２は回転台、３は第1の噴射ノズル、４は第
２の噴射ノズル、５は金属配線、７は供給配管、８は回
転機構を示す。また、２１はピン、２２,８１は開口を
示す。ここで、図１に示した構成部と同一の構成部に
は、同一の符号を付している。
に説明する。図２は、本発明の実施の形態による枚葉式
洗浄装置を説明するための図である。図２において、１
はウェハ、２は回転台、３は第1の噴射ノズル、４は第
２の噴射ノズル、５は金属配線、７は供給配管、８は回
転機構を示す。また、２１はピン、２２,８１は開口を
示す。ここで、図１に示した構成部と同一の構成部に
は、同一の符号を付している。
【００２９】ウェハ１は、回転台２の上に設けられた複
数のピン２１によって支持されている。また、回転台２
が、例えばモータ等の回転機構８により回転することに
よって、ウェハ１が回転する。
数のピン２１によって支持されている。また、回転台２
が、例えばモータ等の回転機構８により回転することに
よって、ウェハ１が回転する。
【００３０】回転台２の中央には、開口２２が形成され
ており、この開口２２の上部に第２の噴射ノズル４が設
けられている。ここで、噴射ノズル４の上端と、上記支
持されたウェハ１の裏面とは非接触であり、５ｍｍ程度
離れている。
ており、この開口２２の上部に第２の噴射ノズル４が設
けられている。ここで、噴射ノズル４の上端と、上記支
持されたウェハ１の裏面とは非接触であり、５ｍｍ程度
離れている。
【００３１】第１の噴射ノズル３は、例えばテフロン
（登録商標）等の樹脂配管であり、ウェハ１の表面に純
水を高圧で噴射するためのノズルである。また、第１の
噴射ノズル３は、図示しない純水供給源に接続されてい
る。第１の噴射ノズル３は、図示しない制御部の制御に
よって、第２の噴射ノズル４による噴射が開始した後
に、ウェハ表面に対して純水の噴射を開始する。また、
第１の噴射ノズル３は、ウェハ１の表面の中心付近に純
水の噴射を開始した後、徐々にウェハ外周方向に純水を
噴射するためのＳＣＡＮ機能（図示省略；第１の噴射ノ
ズル３の移動位置のみ図示する）を有している。
（登録商標）等の樹脂配管であり、ウェハ１の表面に純
水を高圧で噴射するためのノズルである。また、第１の
噴射ノズル３は、図示しない純水供給源に接続されてい
る。第１の噴射ノズル３は、図示しない制御部の制御に
よって、第２の噴射ノズル４による噴射が開始した後
に、ウェハ表面に対して純水の噴射を開始する。また、
第１の噴射ノズル３は、ウェハ１の表面の中心付近に純
水の噴射を開始した後、徐々にウェハ外周方向に純水を
噴射するためのＳＣＡＮ機能（図示省略；第１の噴射ノ
ズル３の移動位置のみ図示する）を有している。
【００３２】第２の噴射ノズル４は、ウェハ１の裏面の
中心付近に比抵抗値の低い液体（ＣＯ2溶解水）を噴射
するためのノズルであり、回転台２の開口２２の上部に
設けられている。第２の噴射ノズル４の下端は、例えば
テフロン等の樹脂配管により構成される供給配管７に接
続され、この供給配管７は図示しないＣＯ2溶解ユニッ
ト６（図１参照）に接続されている。そして、ＣＯ2溶
解ユニット６から供給配管７を介して第２の噴射ノズル
４に、ＣＯ2溶解水が供給される。
中心付近に比抵抗値の低い液体（ＣＯ2溶解水）を噴射
するためのノズルであり、回転台２の開口２２の上部に
設けられている。第２の噴射ノズル４の下端は、例えば
テフロン等の樹脂配管により構成される供給配管７に接
続され、この供給配管７は図示しないＣＯ2溶解ユニッ
ト６（図１参照）に接続されている。そして、ＣＯ2溶
解ユニット６から供給配管７を介して第２の噴射ノズル
４に、ＣＯ2溶解水が供給される。
【００３３】また、第２の噴射ノズル４としては、ＳＵ
Ｓ配管が用いられる。このＳＵＳ配管は、電気抵抗値
（約９Ｅ−６Ω・ｃｍ）が低い導電性部材である。ま
た、ＳＵＳ配管は、その表面からの金属溶出が少ないた
め、メタルコンタミネーションに対して好適である。ま
た、上記第２の噴射ノズル４としてのＳＵＳ配管の少な
くとも一部は、金属配線５を介して接地されている。
Ｓ配管が用いられる。このＳＵＳ配管は、電気抵抗値
（約９Ｅ−６Ω・ｃｍ）が低い導電性部材である。ま
た、ＳＵＳ配管は、その表面からの金属溶出が少ないた
め、メタルコンタミネーションに対して好適である。ま
た、上記第２の噴射ノズル４としてのＳＵＳ配管の少な
くとも一部は、金属配線５を介して接地されている。
【００３４】金属配線５は、第２の噴射ノズル４を接地
するためのものであり、一端が第２の噴射ノズル４に接
続され、他端がアースされている。また、金属配線５
は、第２の噴射ノズル４及び供給配管７とともに、回転
台２の開口２２及び回転機構８の開口８１に挿入されて
設けられている。
するためのものであり、一端が第２の噴射ノズル４に接
続され、他端がアースされている。また、金属配線５
は、第２の噴射ノズル４及び供給配管７とともに、回転
台２の開口２２及び回転機構８の開口８１に挿入されて
設けられている。
【００３５】回転機構８は、回転台２を回転させるため
の、例えばモータである。また、回転機構８は、その中
央に上記回転台２の開口２２と連なる開口８１を有して
いる。ここで、開口８１には、第２の噴射ノズル４に接
続された金属配線５及び供給配管７が、挿入されてい
る。
の、例えばモータである。また、回転機構８は、その中
央に上記回転台２の開口２２と連なる開口８１を有して
いる。ここで、開口８１には、第２の噴射ノズル４に接
続された金属配線５及び供給配管７が、挿入されてい
る。
【００３６】次に、図２を参照して、上記枚葉式洗浄装
置によるウェハ洗浄方法について説明する。先ず、ウェ
ハ１の表面に、図示しない薬液噴射ノズル９（図１参
照）から薬液を噴射した後、回転機構８により回転台２
を回転させることによってウェハ１を回転させながら、
第２の噴射ノズル４からウェハ１の裏面中心付近にＣＯ
2溶解水を噴射する。ここで、ウェハ裏面を洗浄すると
ともに、上記ＣＯ2溶解水、第２の噴射ノズル４、及び
金属配線５によって、ウェハ１の中心付近からアースに
かけての導電路を形成して、ウェハ１の除電を開始す
る。
置によるウェハ洗浄方法について説明する。先ず、ウェ
ハ１の表面に、図示しない薬液噴射ノズル９（図１参
照）から薬液を噴射した後、回転機構８により回転台２
を回転させることによってウェハ１を回転させながら、
第２の噴射ノズル４からウェハ１の裏面中心付近にＣＯ
2溶解水を噴射する。ここで、ウェハ裏面を洗浄すると
ともに、上記ＣＯ2溶解水、第２の噴射ノズル４、及び
金属配線５によって、ウェハ１の中心付近からアースに
かけての導電路を形成して、ウェハ１の除電を開始す
る。
【００３７】また、上述したように、ウェハ１は回転し
ているため、第２の噴射ノズル４からウェハ裏面中心に
噴射されたＣＯ2溶解水は、ウェハ裏面の全体に広が
る。すなわち、ウェハ全体に対して導電路が形成され
る。
ているため、第２の噴射ノズル４からウェハ裏面中心に
噴射されたＣＯ2溶解水は、ウェハ裏面の全体に広が
る。すなわち、ウェハ全体に対して導電路が形成され
る。
【００３８】次に、第１の噴射ノズル３からウェハ表面
の中心付近に、純水を高圧噴射して、ウェハ１の表面の
純水洗浄を開始する。この時、第１の噴射ノズル３から
帯電した純水が噴射された場合でも、その電荷は、上記
導電路によって除電される。
の中心付近に、純水を高圧噴射して、ウェハ１の表面の
純水洗浄を開始する。この時、第１の噴射ノズル３から
帯電した純水が噴射された場合でも、その電荷は、上記
導電路によって除電される。
【００３９】続いて、第１の噴射ノズル３は、上記ＳＣ
ＡＮ機能によって、ウェハ表面の外周に向かって徐々に
純水を噴射する。
ＡＮ機能によって、ウェハ表面の外周に向かって徐々に
純水を噴射する。
【００４０】そして、第１の噴射ノズル３からの噴射を
終了した後に、第２の噴射ノズル４からの噴射を終了す
るとともにウェハ１の回転を停止させて、ウェハ１の洗
浄を終了する。
終了した後に、第２の噴射ノズル４からの噴射を終了す
るとともにウェハ１の回転を停止させて、ウェハ１の洗
浄を終了する。
【００４１】以上説明したように、本実施の形態による
枚葉式洗浄装置は、回転台２によりウェハ１を支持する
とともに回転させ、第１の噴射ノズル３からウェハ１の
表面に対して純水を噴射する。また、少なくとも一部が
接地された導電性部材により構成される第２の噴射ノズ
ル４から、ウェハの裏面中心付近に比抵抗値の低い液体
を噴射する。また、前記第１の噴射ノズル３は、図示し
ない制御部の制御によって、第２の噴射ノズル４から噴
射を開始して導電路が形成された後、ウェハ１表面に純
水を噴射する。
枚葉式洗浄装置は、回転台２によりウェハ１を支持する
とともに回転させ、第１の噴射ノズル３からウェハ１の
表面に対して純水を噴射する。また、少なくとも一部が
接地された導電性部材により構成される第２の噴射ノズ
ル４から、ウェハの裏面中心付近に比抵抗値の低い液体
を噴射する。また、前記第１の噴射ノズル３は、図示し
ない制御部の制御によって、第２の噴射ノズル４から噴
射を開始して導電路が形成された後、ウェハ１表面に純
水を噴射する。
【００４２】これにより、ウェハ表面の純水洗浄前に、
ウェハ１の中心付近が確実に除電されるため、ウェハ中
心付近に形成された半導体素子の絶縁破壊を防止でき
る。さらに、ウェハ１を回転させて洗浄するため、ウェ
ハ裏面の中心付近に噴射された液体は、ウェハ裏面全体
に広がる。従って、ウェハ表面の純水洗浄前に、ウェハ
全体を確実に除電することができる。このため、ウェハ
上に形成された半導体素子を絶縁破壊させることなくウ
ェハの純水洗浄を行うことができる。
ウェハ１の中心付近が確実に除電されるため、ウェハ中
心付近に形成された半導体素子の絶縁破壊を防止でき
る。さらに、ウェハ１を回転させて洗浄するため、ウェ
ハ裏面の中心付近に噴射された液体は、ウェハ裏面全体
に広がる。従って、ウェハ表面の純水洗浄前に、ウェハ
全体を確実に除電することができる。このため、ウェハ
上に形成された半導体素子を絶縁破壊させることなくウ
ェハの純水洗浄を行うことができる。
【００４３】また、第２の噴射ノズル４は、回転台２の
中央に形成された開口２２の上部に挿入して、簡単に設
けることができる。従って、従来の容器状のノズルを製
造する場合よりも、製造コストを大幅に抑えることがで
きる。また、大口径ウェハ用の枚葉式洗浄装置の場合に
は、さらに有効である。
中央に形成された開口２２の上部に挿入して、簡単に設
けることができる。従って、従来の容器状のノズルを製
造する場合よりも、製造コストを大幅に抑えることがで
きる。また、大口径ウェハ用の枚葉式洗浄装置の場合に
は、さらに有効である。
【００４４】また、第２の噴射ノズル４として、電気抵
抗値の低いＳＵＳ配管を用いることによって、除電効果
が向上する。さらに、ＳＵＳ配管は、金属溶出量が少な
いため、メタルコンタミネーションに対して好適であ
る。また、ＳＵＳ配管は、金属配線を介して確実に接地
される。
抗値の低いＳＵＳ配管を用いることによって、除電効果
が向上する。さらに、ＳＵＳ配管は、金属溶出量が少な
いため、メタルコンタミネーションに対して好適であ
る。また、ＳＵＳ配管は、金属配線を介して確実に接地
される。
【００４５】また、純水中にＣＯ2を溶解させるＣＯ2溶
解ユニット６を備えることによって、所望の比抵抗値で
ＣＯ2溶解水を生成できる。
解ユニット６を備えることによって、所望の比抵抗値で
ＣＯ2溶解水を生成できる。
【００４６】また、本実施の形態によるウェハ洗浄方法
は、ウェハ１を回転させながら、接地された第２の噴射
ノズル４から、ウェハ裏面中心付近に比抵抗値の低いＣ
Ｏ2溶解液を噴射することによって、ウェハ裏面の洗浄
及びウェハ１の除電を開始した後、第1の噴射ノズル３
からウェハ表面中心付近に純水を噴射することによって
ウェハ表面を洗浄する。これにより、ウェハ１の洗浄を
行うとともに、確実にウェハ１を除電できる。従って、
半導体素子を絶縁破壊させることなく、ウェハの純水洗
浄を行うことができる。
は、ウェハ１を回転させながら、接地された第２の噴射
ノズル４から、ウェハ裏面中心付近に比抵抗値の低いＣ
Ｏ2溶解液を噴射することによって、ウェハ裏面の洗浄
及びウェハ１の除電を開始した後、第1の噴射ノズル３
からウェハ表面中心付近に純水を噴射することによって
ウェハ表面を洗浄する。これにより、ウェハ１の洗浄を
行うとともに、確実にウェハ１を除電できる。従って、
半導体素子を絶縁破壊させることなく、ウェハの純水洗
浄を行うことができる。
【００４７】なお、本実施の形態においては、第２の噴
射ノズル４としてＳＵＳ配管を用いているが、金属溶出
が少なく、高い導電性を有する材料で製造されたノズル
であれば第２の噴射ノズル４として用いることができ
る。例えば、主にウェハのキャリア等に用いられるカー
ボンを含有したテフロン管等が考えられる。
射ノズル４としてＳＵＳ配管を用いているが、金属溶出
が少なく、高い導電性を有する材料で製造されたノズル
であれば第２の噴射ノズル４として用いることができ
る。例えば、主にウェハのキャリア等に用いられるカー
ボンを含有したテフロン管等が考えられる。
【００４８】また、第２の噴射ノズル４から噴射される
ＣＯ2溶解水の比抵抗値を約０．２ＭΩ・ｃｍとしてい
るが、ウェハ１を確実に除電するために、上記比抵抗値
を設定すればよい。
ＣＯ2溶解水の比抵抗値を約０．２ＭΩ・ｃｍとしてい
るが、ウェハ１を確実に除電するために、上記比抵抗値
を設定すればよい。
【００４９】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ウェハを洗浄
する際に、確実にウェハを除電でき、特にウェハ中心付
近において優れた除電効果が得られる。
する際に、確実にウェハを除電でき、特にウェハ中心付
近において優れた除電効果が得られる。
【００５０】請求項２の発明によれば、最初にウェハ裏
面への液体噴射をして導電路を形成するため、確実にウ
ェハを除電できる。
面への液体噴射をして導電路を形成するため、確実にウ
ェハを除電できる。
【００５１】請求項３の発明によれば、第1の噴射ノズ
ルから最初にウェハ表面の中心に純水が噴射されても、
ウェハを確実に除電できる。
ルから最初にウェハ表面の中心に純水が噴射されても、
ウェハを確実に除電できる。
【００５２】請求項４の発明によれば、第２の噴射ノズ
ルを簡単に設けることができる。
ルを簡単に設けることができる。
【００５３】請求項５の発明によれば、電気抵抗値の低
いＳＵＳ配管を使用することによって、除電効果が向上
する。
いＳＵＳ配管を使用することによって、除電効果が向上
する。
【００５４】請求項６の発明によれば、金属配線によっ
てＳＵＳ配管を確実に接地できる。
てＳＵＳ配管を確実に接地できる。
【００５５】請求項７の発明によれば、第２の噴射ノズ
ルからウェハ裏面中心に対して噴射する液体の比抵抗値
を調整できる。
ルからウェハ裏面中心に対して噴射する液体の比抵抗値
を調整できる。
【００５６】請求項８の発明によれば、ウェハを洗浄す
るとともに、確実に除電できる。
るとともに、確実に除電できる。
【図１】 本発明の実施の形態による枚葉式洗浄装置の
概念を説明するための概略図である。
概念を説明するための概略図である。
【図２】 本発明の実施の形態による枚葉式洗浄装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３】 従来の枚葉式洗浄装置を説明するための断面
図である。
図である。
１ ウェハ、２ 回転台、３ 第１の噴射ノズル（樹脂
配管）、４ 第２の噴射ノズル（ＳＵＳ配管）、５ 金
属配線、６ ＣＯ2溶解ユニット、７ 供給配管（樹脂
配管）、８ 回転機構（モータ）、９ 薬液噴射ノズ
ル、２１ ピン、２２ 開口、８１ 開口。
配管）、４ 第２の噴射ノズル（ＳＵＳ配管）、５ 金
属配線、６ ＣＯ2溶解ユニット、７ 供給配管（樹脂
配管）、８ 回転機構（モータ）、９ 薬液噴射ノズ
ル、２１ ピン、２２ 開口、８１ 開口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｚ
Claims (8)
- 【請求項１】 ウェハを支持して回転させる回転台と、 前記ウェハの表面に対して純水を噴射する第1の噴射ノ
ズルと、 少なくとも一部が接地された導電性部材により構成さ
れ、前記ウェハの裏面中心付近に比抵抗値の低い液体を
噴射する第２の噴射ノズルと、 を備えることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 - 【請求項２】 前記第１の噴射ノズルは、前記ウェハを
回転させながら前記第２の噴射ノズルから液体の噴射を
開始した後、前記ウェハ表面に純水を噴射することを特
徴とする請求項１に記載の枚葉式洗浄装置。 - 【請求項３】 前記第1の噴射ノズルは、前記ウェハ表
面の中心付近に純水を噴射した後、徐々にウェハ外周に
向かって純水を噴射することを特徴とする請求項１また
は２に記載の枚葉式洗浄装置。 - 【請求項４】 前記第２の噴射ノズルが、前記回転台の
中央に形成された開口上部に設けられたことを特徴とす
る請求項１に記載の枚葉式洗浄装置。 - 【請求項５】 前記第２の噴射ノズルが、ＳＵＳ配管で
あることを特徴とする請求項４に記載の枚葉式洗浄装
置。 - 【請求項６】 前記ＳＵＳ配管が、金属配線を介して接
地されることを特徴とする請求項５に記載の枚葉式洗浄
装置。 - 【請求項７】 純水中にＣＯ2を溶解させることによっ
て、前記第２の噴射ノズルから噴射される液体を生成す
るＣＯ2溶解ユニットを更に備えることを特徴とする請
求項１に記載の枚葉式洗浄装置。 - 【請求項８】 ウェハを回転させながら、少なくとも一
部が接地された導電性部材によって構成される第２の噴
射ノズルから前記ウェハ裏面の中心付近に比抵抗値の低
い液体を噴射することによって、前記ウェハ裏面の洗浄
及び前記ウェハの除電を開始した後、 第1の噴射ノズルから前記ウェハ表面の中心付近に純水
を噴射することによって前記ウェハ表面を洗浄すること
を特徴とするウェハ洗浄方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000178878A JP2001358109A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 枚葉式洗浄装置、及びウェハ洗浄方法。 |
| KR1020010015053A KR20010112058A (ko) | 2000-06-14 | 2001-03-23 | 낱장식 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000178878A JP2001358109A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 枚葉式洗浄装置、及びウェハ洗浄方法。 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358109A true JP2001358109A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18680233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000178878A Pending JP2001358109A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 枚葉式洗浄装置、及びウェハ洗浄方法。 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358109A (ja) |
| KR (1) | KR20010112058A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012887A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法、基板処理装置および周囲部材の除電方法 |
| JP2007011031A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Optrex Corp | 表示パネルの端子洗浄装置 |
| JP2007088262A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法 |
| JP2007227628A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびウェット処理装置 |
| KR100895032B1 (ko) | 2007-08-08 | 2009-04-24 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
| JP2011103438A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| KR20190086003A (ko) | 2016-12-19 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 송액 방법, 및 기판 처리 장치 |
| KR20210036196A (ko) * | 2019-09-25 | 2021-04-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 노즐 유닛 |
| WO2021079724A1 (ja) | 2019-10-23 | 2021-04-29 | ダイキン工業株式会社 | 半導体洗浄装置用部材 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6536454B2 (en) * | 2000-07-07 | 2003-03-25 | Sez Ag | Device for treating a disc-shaped object |
-
2000
- 2000-06-14 JP JP2000178878A patent/JP2001358109A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-23 KR KR1020010015053A patent/KR20010112058A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007011031A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Optrex Corp | 表示パネルの端子洗浄装置 |
| JP2007012887A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法、基板処理装置および周囲部材の除電方法 |
| JP2007088262A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法 |
| US7824504B2 (en) | 2005-09-22 | 2010-11-02 | Panasonic Corporation | Electronic device cleaning equipment and electronic device cleaning method |
| US8377830B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-02-19 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and wet processing apparatus |
| JP2007227628A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびウェット処理装置 |
| KR100895032B1 (ko) | 2007-08-08 | 2009-04-24 | 세메스 주식회사 | 스핀 헤드 |
| JP2011103438A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| KR20190086003A (ko) | 2016-12-19 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법, 송액 방법, 및 기판 처리 장치 |
| KR20210036196A (ko) * | 2019-09-25 | 2021-04-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 노즐 유닛 |
| KR102331650B1 (ko) * | 2019-09-25 | 2021-11-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 노즐 유닛 |
| US11424139B2 (en) | 2019-09-25 | 2022-08-23 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate, and nozzle unit |
| WO2021079724A1 (ja) | 2019-10-23 | 2021-04-29 | ダイキン工業株式会社 | 半導体洗浄装置用部材 |
| KR20220062029A (ko) | 2019-10-23 | 2022-05-13 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 반도체 세정 장치용 부재 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010112058A (ko) | 2001-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001358109A (ja) | 枚葉式洗浄装置、及びウェハ洗浄方法。 | |
| KR20110041996A (ko) | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 | |
| KR100563843B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
| TW200847320A (en) | Substrate support member and apparatus and method for treating substrate with the same | |
| TWI377597B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP4260970B2 (ja) | 半導体ウェーハ洗浄装置 | |
| JP2003503845A (ja) | 化学機械研磨またはプラズマ処理の後にウエハを洗浄するための方法およびシステム | |
| JPH10308374A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| CN111106033B (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
| JPH1187288A (ja) | 基板洗浄方法および該洗浄方法に用いられる洗浄装置 | |
| KR101987711B1 (ko) | 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템 | |
| CN109219865B (zh) | 基板处理方法及基板处理装置 | |
| KR100405449B1 (ko) | 반도체 웨이퍼용 세정장치 | |
| JP3881169B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100718274B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 | |
| JP2538025Y2 (ja) | レジスト剥離装置 | |
| KR100191848B1 (ko) | 기판이면 세정방법 및 장치 | |
| KR20080030203A (ko) | 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판의 세정 방법 | |
| JP2009038084A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
| JP2003017462A (ja) | ガラス基板またはウエハー処理用噴射装置 | |
| JPH10242114A (ja) | ウエットエッチング処理方法およびその処理装置 | |
| JP2001334219A (ja) | スピン処理装置及びスピン処理方法 | |
| KR20100055702A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2023080405A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP2008166346A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040609 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050111 |