JP2007012887A - 基板処理方法、基板処理装置および周囲部材の除電方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、基板保持位置の周囲に配置される周囲部材の除電を達成する。
【解決手段】スピンチャック1には、ウエハWの裏面(下面)中央に近接する位置に吐出口を有する導電性液体供給管7が挿通されている。この導電性液体供給管7には、導電性液体バルブ8を介して、導電性液体が供給されるようになっている。ウエハWの搬入に先立って、スピンベース5が回転されながら、導電性液体供給管7の吐出口から導電性液体が吐出されることにより、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電を達成することができる。
【選択図】 図3

Description

この発明は、基板を処理するための基板処理方法および基板処理装置、ならびにその基板処理装置に備えられる周囲部材を除電する方法に関する。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に純水を供給して、その基板の表面を純水で洗浄する処理などが行われる。
たとえば、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の洗浄処理を実施する装置は、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面に純水を供給するためのノズルとを備えている。処理時には、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その基板の表面の回転中心付近にノズルから純水が供給される。基板の表面上に供給された純水は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これにより、基板の表面の全域に純水が行き渡り、基板の表面に対する純水による洗浄処理が達成される。
ところが、回転状態の基板に純水が供給されると、基板の表面に電荷が発生し、基板が帯電する。また、スピンチャックのチャックピンなどが帯電していると、基板がスピンチャックに保持された段階で帯電する。基板が帯電すると、その電荷の放電が生じたときに、基板の表面に形成されるデバイスの破壊を生じるおそれがある。
そこで、スピンチャックの上方にコロナ放電式イオナイザを配置し、このコロナ放電式イオナイザから発生されるイオンにより基板の除電を行うことが提案されている。また、X線(軟X線)を照射するX線照射装置を設けて、基板の周囲の雰囲気に向けてX線を照射して、その雰囲気中に発生するイオンにより基板の除電を行うことが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
特開2005−72559号公報
しかし、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を設けると、基板処理装置のコストが高くなってしまう。とくに、コロナ放電式イオナイザは、対向電極間に高電圧を印加したときに生じる放電によってイオンを発生させる方式であるため、引火性薬液を含む雰囲気中で使用することはできない。また、コロナ放電式イオナイザをスピンチャックの上方に配置すると、そのコロナ放電式イオナイザから発生するパーティクルによる基板汚染の問題を生じるおそれもある。
そこで、この発明の目的は、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、基板保持位置の周囲に配置される周囲部材の除電を達成することができ、処理時における基板の帯電量を低減することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、基板保持位置の周囲に配置される周囲部材の除電を達成することができる周囲部材の除電方法を提供することである。
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板保持手段(1)に基板(W)を搬入する基板搬入工程と、前記基板保持手段によって所定の基板保持位置に保持された基板の表面に処理液を供給して、当該基板を処理する基板処理工程と、前記基板保持位置の周囲に配置される周囲部材(3,5,6)に導電性液体を供給して、前記周囲部材に帯電している電荷を除去する周囲部材除電工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この方法によれば、基板保持位置の周囲に配置される周囲部材に導電性液体が供給されて、その周囲部材に帯電している電荷が除去される。そのため、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、周囲部材の除電を達成することができる。周囲部材を除電することによって、周囲部材の帯電に起因する基板の帯電を防止することができるので、処理時における基板の帯電量を低減することができる。
請求項2記載の発明は、前記周囲部材除電工程は、前記基板搬入工程に先立って行われることを特徴とする、請求項1記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板保持手段に基板が搬入される前に、周囲部材の除電が行われるので、基板保持手段による基板の保持の直後から、周囲部材の帯電に起因する基板の帯電を防止することができる。
請求項3記載の発明は、前記基板処理工程と並行して、前記基板保持位置に保持された基板の裏面に導電性液体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板の表面に処理液が供給されつつ、基板の裏面に導電性液体が供給される。これにより、基板の表面に処理液が供給されることに起因して、基板の表面に電荷が発生しても、その電荷を基板の裏面から導電性液体を介して除去することができる。すなわち、基板に対する処理中に、その基板の除電を達成することができる。そのため、処理時における基板の帯電量をより低減することができる。
請求項4記載の発明は、前記基板搬入工程の後であり、前記基板処理工程に先立って、前記基板保持位置に保持された基板の裏面に導電性液体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板保持手段に基板が搬入された後、処理液の基板の表面への供給開始に先立って、基板の裏面に導電性液体が供給される。これにより、搬入された基板が帯電している場合でも、その電荷を基板の裏面から導電性液体を介して除去することができる。そのため、処理を開始する前にその基板の除電を達成することができる。
請求項5記載の発明は、基板(W)を所定の基板保持位置で保持する基板保持手段(1)と、前記基板保持位置の周囲に配置される周囲部材(3,5,6)と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に、その表面を処理するための処理液を供給する処理液供給手段(2)と、前記周囲部材に帯電している電荷を除去するために、前記周囲部材に導電性液体を供給する導電性液体供給手段(7;15)とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
この構成によれば、基板保持位置の周囲に配置される周囲部材に導電性液体が供給されることにより、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、その周囲部材の除電を達成することができる。周囲部材を除電することによって、周囲部材の帯電に起因する基板の帯電を防止することができるので、処理時における基板の帯電量を低減することができる。
請求項6記載の発明は、前記基板保持手段による基板の保持に先立って、前記導電性液体供給手段から前記周囲部材に導電性液体を供給させる供給制御手段(14)をさらに含むことを特徴とする、請求項5記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板保持手段に基板が搬入される前に、周囲部材の除電が行われるので、基板保持手段による基板の保持の直後から、周囲部材の帯電に起因する基板の帯電を防止することができる。
請求項7記載の発明は、前記導電性液体供給手段は、導電性を有する樹脂材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管(7;16)を備えており、前記導電性液体供給管を接地するためのアース線(9;17)をさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置である。
この構成では、導電性液体供給管から周囲部材まで導電性液体が連続状に供給されていれば、周囲部材に帯電する電荷を、導電性液体、導電性液体供給管およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、周囲部材の除電を達成することができる。
請求項8記載の発明は、前記導電性液体供給手段は、絶縁性を有する材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管(7;16)を備えており、前記導電性液体供給管の周面を貫通して設けられる炭素電極(19)と、前記炭素電極を接地するためのアース線(20)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置である。
この構成では、導電性液体供給管から周囲部材まで導電性液体が連続状に供給されていれば、周囲部材に帯電する電荷を、導電性液体、炭素電極およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、周囲部材の除電を達成することができる。
請求項9記載の発明は、導電性液体供給手段は、絶縁性を有する材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管(7;16)と、導電性液体供給管の一端に接続され、前記導電性液体を貯留する貯留槽(21)とを備えており、前記貯留槽に貯留された導電性液体に接触するように設けられた炭素電極(22)と、前記炭素電極を接地するためのアース線(23)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置である。
この構成では、導電性液体を貯留する貯留槽から周囲部材まで導電性液体が連続状に供給されていれば、周囲部材に帯電する電荷を、導電性液体、炭素電極およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、周囲部材の除電を達成することができる。
請求項10記載の発明は、前記周囲部材は、前記基板保持手段を収容し、前記処理液供給手段から供給される処理液および前記導電性液体供給手段から吐出される導電性液体を受け取るためのカップ(3)を備えており、導電性を有する樹脂材料を用いて形成され、前記カップに受け取られた処理液および導電性液体を排出するための排出管(12)と、前記排出管を接地するためのアース線(13)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成では、カップに帯電する電荷を、カップに受け取られた導電性液体、排出管を流通する導電性液体、排出管およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、カップの除電を達成することができる。
請求項11記載の発明は、前記周囲部材は、前記基板保持手段を収容し、前記処理液供給手段から供給される処理液および前記導電性液体供給手段から吐出される導電性液体を受け取るためのカップ(3)を備えており、絶縁性を有する材料を用いて形成され、前記カップに受け取られた処理液および導電性液体を排出するための排出管(12)と、前記排出管の周面を貫通して設けられる炭素電極(19)と、前記炭素電極を接地するためのアース線(20)とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成では、カップに帯電する電荷を、カップに受け取られた導電性液体、排出管を流通する導電性液体、炭素電極およびアース線を介してアースに逃がすことができる。これにより、カップの除電を達成することができる。
請求項12記載の発明は、基板(W)を所定の基板保持位置で保持する基板保持手段(1)と、前記基板保持位置の周囲に配置される周囲部材(3,5,6)とを備える基板処理装置において、前記周囲部材を除電する方法であって、前記周囲部材に導電性液体を供給して、前記周囲部材に帯電している電荷を除去することを特徴とする、周囲部材の除電方法である。
この方法によれば、基板保持位置の周囲に配置される周囲部材に導電性液体が供給されて、その周囲部材に帯電している電荷が除去される。そのため、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、周囲部材の除電を達成することができる。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)の表面を純水で洗浄する処理を行うための枚葉型の装置である。この基板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面に純水を供給するためのノズル2と、ウエハWから流下または飛散する純水などを受け取るためのカップ3とを備えている。
スピンチャック1は、モータ4と、このモータ4の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース5と、スピンベース5の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハWをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材6とを備えている。これにより、スピンチャック1は、複数個の挟持部材6によってウエハWを挟持した状態で、モータ4の回転駆動力によってスピンベース5を回転させることにより、そのウエハWを、所定の基板保持位置(図1に示す位置)においてほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース5とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。
モータ4の回転軸は、中空軸とされていて、その内部には、導電性液体供給管7が挿通されている。導電性液体供給管7には、導電性液体バルブ8を介して、図示しない導電性液体供給源からの導電性液体(導電性を有する薬液)が供給されるようになっている。そして、導電性液体供給管7は、スピンチャック1に保持されたウエハWの裏面(下面)中央に近接する位置に吐出口を有しており、この吐出口からウエハWの裏面中央部に向けて導電性液体を吐出する中心軸ノズルの形態を有している。また、導電性液体供給管7は、導電性を有する樹脂材料(たとえば、導電性PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、導電性PTFE(四フッ化エチレン樹脂)など)からなり、アース線9を介して接地されている。
なお、導電性液体としては、たとえば、炭酸水、微量アンモニア添加水、IPA(イソプロピルアルコール)、フッ酸、BHF(Buffered hydrofluoric acid:希フッ酸)、APM(ammonia−hydrogen peroxide mixture:アンモニア過酸化水素水)などを例示することができる。
ノズル2は、スピンチャック1の上方に配置されている。このノズル2には、純水バルブ10を介して、図示しない純水供給源からの純水が供給されるようになっている。
カップ3は、スピンチャック1を収容する有底円筒形状に形成され、このカップ3内におけるスピンチャック1の周囲は、ウエハWから流下または飛散する純水や導電性液体を集めるための集液溝11とされている。集液溝11には、たとえば、排出管12が接続されており、集液溝11に集められた純水および導電性液体は、排出管12を通して、図示しない廃液ラインに排出される。排出管12は、導電性を有する樹脂材料(たとえば、導電性PEEK、導電性PTFEなど)からなり、アース線13を介して接地されている。
また、この基板処理装置には、マイクロコンピュータを含む制御部14が備えられている。制御部14は、予め定められたプログラムに従って、モータ4の駆動を制御するとともに、導電性液体バルブ8および純水バルブ10の開閉を制御する。
図2は、洗浄処理の流れを説明するための工程図である。この基板処理装置では、洗浄処理の対象となるウエハWの搬入に先立って、モータ4が駆動されて、スピンベース5が所定の回転速度(たとえば、1000rpm)で回転される。そして、その一方で、導電性液体バルブ8が開かれて、導電性液体供給管7の吐出口から導電性液体が吐出される。
導電性液体は、図3に示すように、その吐出口から鉛直上向きに吐出され、重力によりスピンベース5上に戻される。そして、スピンベース5の回転による遠心力を受けて、スピンベース5上を周縁に向けて流れる。これにより、スピンベース5の上面は、導電性液体で覆われた状態となり、スピンベース5および挟持部材6は、そのスピンベース5上の導電性液体および導電性液体供給管7内の導電性液体を介して、導電性液体供給管7と電気的に導通される。そのため、スピンベース5および挟持部材6が帯電している場合、そのスピンベース5および挟持部材6に帯電している電荷が、導電性液体、導電性液体供給管7およびアース線9を介してアースに逃がされる。その結果、スピンベース5および挟持部材6の除電が達成される。
また、スピンベース5の周縁に達した導電性液体は、スピンベース5の周縁から流下および飛散する。スピンベース5の周縁から流下する導電性液体は、カップ3の底部の集液溝11に受け取られる。一方、スピンベース5の周縁から飛散する導電性液体は、カップ3の内面に受け取られ、そのカップ3の側壁の内面を伝って、集液溝11に向けて流下する。これにより、カップ3の側壁の内面は、その内面を伝って流下する導電性液体、集液溝11に溜まった導電性液体および排出管12を流通する導電性液体を介して、排出管12と電気的に導通される。そのため、カップ3が帯電している場合、そのカップ3に帯電している電荷が、導電性液体、排出管12およびアース線13を介してアースに逃がされる。その結果、カップ3の除電が達成される。
導電性液体供給管7からの導電性液体の吐出が所定の時間(たとえば、15秒間)にわたって続けられると、導電性液体バルブ8が閉じられるとともに、モータ4の駆動が停止される。そして、スピンベース5が静止した後、図示しない搬送ロボットによって、ウエハWが搬入されてくる。
搬送ロボットからスピンチャック1にウエハWが受け渡されると、モータ4が再び駆動されて、スピンベース5とともにウエハWが所定の回転速度(たとえば、1000rpm)で回転される。そして、純水バルブ10が開かれて、ノズル2から回転中のウエハWの表面の中央部に純水が供給される。ウエハWの表面上に供給された純水は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上を周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの表面の全域に純水が行き渡り、ウエハWの表面が純水によって洗浄されていく。
また、純水バルブ10を開くとともに、導電性液体バルブ8が再び開かれることにより、ウエハWに対する純水の供給と並行して、ウエハWの裏面の中央部への導電性液体の供給が行われる。このとき、導電性液体供給管7の吐出口から吐出される導電性液体は、柱状をなして、ウエハWの裏面の中央部に供給され、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの裏面を伝って、その中央部から周縁に向けて拡がる。これにより、ウエハWは、ウエハWの裏面上の導電性液体、導電性液体供給管7の吐出口とウエハWの裏面との間で柱状をなす導電性液体および導電性液体供給管7内の導電性液体を介して、導電性液体供給管7と電気的に導通される。そのため、たとえウエハWの表面への純水の供給に起因して、ウエハWが帯電しても、その電荷は、ウエハWの裏面から導電性液体、導電性液体供給管7およびアース線9を介してアースに逃がされる。
ウエハWの表面に対する純水の供給が予め定める時間にわたって続けられると、導電性液体バルブ8および純水バルブ10が閉じられる。そして、モータ4の回転数が上げられて、ウエハWが高速回転されて、ウエハWに付着している純水を振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。このスピンドライ処理が終了すると、モータ4の駆動が停止されて、スピンベース5が静止した後、図示しない搬送ロボットによって、ウエハWが搬出される。
以上のように、ウエハWの搬入に先立って、スピンベース5が回転されながら、導電性液体供給管7の吐出口から導電性液体が吐出されることにより、コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いることなく、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電を達成することができる。カップ3、スピンベース5および挟持部材6を除電することによって、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の帯電に起因するウエハWの帯電を防止することができるので、処理時におけるウエハWの帯電量を低減することができる。コロナ放電式イオナイザやX線照射装置を用いないので、基板処理装置のコストアップを生じることがなく、また、ウエハWの周囲の雰囲気の発火やパーティクルによるウエハWの汚染の問題を生じるおそれもない。
また、ウエハWの搬入に先立って、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電が行われるので、スピンチャック1によるウエハWの保持の直後から、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の帯電に起因するウエハWの帯電を防止することができる。
さらに、ウエハWの表面に対する純水の供給と並行して、ウエハWの裏面に導電性液体が供給されるので、ウエハWの表面に純水が供給されることに起因して、ウエハWの表面に電荷が発生しても、その電荷をウエハWの裏面から導電性液体を介して除去することができる。よって、処理時におけるウエハWの帯電量をより低減することができる。
なお、この実施形態では、導電性液体供給管7から吐出される導電性液体によりスピンベース5および挟持部材6の除電が達成される場合を例にとったが、図4に示すように、スピンチャック1の上方に、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面(スピンベース5の上面)に向けて導電性液体を吐出するノズル15が設けられる場合には、スピンチャック1に対するウエハWの搬入に先立って、そのノズル15から回転中のスピンベース5の上面に導電性液体が供給されてもよい。ノズル15から吐出される導電性液体は、柱状をなして、スピンベース5の上面に供給され、スピンベース5の上面を周縁に向けて流れる。そのため、導電性を有する樹脂材料(たとえば、導電性PEEK、導電性PTFEなど)を用いて、ノズル15に導電性液体を供給するための導電性液体供給管16を作成し、この導電性液体供給管16をアース線17を介して接地しておくことにより、スピンベース5および挟持部材6に帯電する電荷を、スピンベース5上の導電性液体、ノズル15とスピンベース5の上面との間で柱状をなす導電性液体および導電性液体供給管16内の導電性液体、導電性液体供給管16およびアース線17を介してアースに逃がすことができる。このように、スピンベース5の上方から導電性液体を供給する構成であっても、スピンベース5および挟持部材6の除電を達成することができる。なお、ノズル15からの導電性液体の吐出/停止は、導電性液体供給管16の途中部に介装された導電性液体バルブ18の開閉により達成することができる。導電性液体バルブ18の開閉は、制御部14によって制御される。
また、導電性液体供給管7、排出管12および導電性液体供給管16の材料としては、導電性を有する樹脂材料に限らず、絶縁性を有する樹脂材料などが用いられてもよい。この場合、図5に示すように、たとえば、棒状の炭素電極19が導電性液体供給管7、排出管12および導電性液体供給管16の周面を貫通して設け、その炭素電極19の各管外の部分をアース線20を介して接地しておけば、カップ3、スピンベース5および挟持部材6に帯電する電荷を、導電性液体、炭素電極19およびアース線20を介してアースに逃がすことができ、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電を達成することができる。なお、炭素電極19は、導電性液体供給管7および導電性液体供給管16の周囲を貫通して設ける以外にも、図6に示すように、導電性液体バルブ8、18にポンプ24を介して接続されている導電性液体供給源としての貯留槽21に貯留された導電性液体に、炭素電極22の一端を接触させるように設け、炭素電極の他端をアース線23に接続して接地する構成としてもよい。
さらにまた、スピンチャック1としては、たとえば、ウエハWの裏面(非デバイス面)を真空吸着することにより、ウエハWを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。
また、ウエハWに対する処理は、純水を用いた洗浄処理に限らず、薬液を用いた薬液処理工程と純水などの水を含む液体を用いるリンス処理工程とを含む一連の処理であってもよい。たとえば、ウエハWの表面にエッチング液を供給して、その表面に形成されている不要な薄膜を除去するためのエッチング処理工程、ウエハWの表面に形成されているレジスト膜に現像液を供給して、その表面にレジストパターンを形成する現像処理工程、ウエハWの表面にレジスト剥離液を供給して、その表面に形成されている不要なレジスト膜(レジストパターン)を剥離するためのレジスト剥離処理工程、または、レジスト剥離処理後に、ウエハWの表面にポリマ除去液を供給して、その表面にポリマとなって残留するレジスト残渣を除去するポリマ除去処理工程と、各薬液処理工程後のウエハWの表面に純水などを供給して、その表面に付着した薬液を洗い流すリンス処理工程とを含む一連の処理であってもよい。この場合、各薬液処理工程に先立って、カップ3、スピンベース5および挟持部材6の除電を行い、リンス処理工程において、ウエハWの裏面に導電性液体を供給すれば、ウエハWの表面に純水が供給されることに起因して、ウエハWの表面に電荷が発生しても、その電荷をウエハWの裏面から導電性液体を介して除去することができる。
なお、薬液を用いた各薬液処理工程において、ウエハWの裏面に導電性液体を供給してもよく、ウエハWの表面に薬液が供給されることに起因するウエハWの帯電を防止することができる。また、導電性液体としては、各薬液処理工程で用いられる薬液と同種の薬液を用いることが好ましい。たとえば、ウエハWに対してAPMを用いたポリマ除去処理が行われる場合、導電性液体として、そのAPMが用いられることが好ましい。ウエハWの処理に用いられる薬液と導電性液体とが同種の薬液であれば、異種の薬液の混合による不具合の発生(たとえば、発熱など)を防止することができる。
また、前述の実施形態では、ウエハWの表面への処理液の供給と並行して、ウエハWの裏面への導電性液体の供給が行われるが、ウエハW表面への処理液の供給の開始に先立って、ウエハWの裏面への導電性液体の供給を行ってもよい。これにより、スピンチェック1に搬入されたウエハW自体が帯電している場合であっても、ウエハWの裏面に導電性液体を供給することによって、ウエハWを除電することができる。
また、処理の対象となる基板は、ウエハWに限らず、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。 図1に示す基板処理装置における洗浄処理の流れを説明するための工程図である。 導電性液体による除電時の様子を図解的に示す断面図である。 スピンチャックの上方に導電性液体を吐出するノズルが配置された構成を図解的に示す断面図である。 導電性液体を接地するための他の構成を図解的に示す断面図である。 導電性液体を接地するための他の変形例を図解的に示す断面図である。
符号の説明
1 スピンチャック
2 ノズル
3 カップ
5 スピンベース
6 挟持部材
7 導電性液体供給管
9 アース線
12 排出管
13 アース線
14 制御部
15 ノズル
16 導電性液体供給管
17 アース線
19 炭素電極
20 アース線
21 貯留槽
22 炭素電極
23 アース線
24 ポンプ
W ウエハ

Claims (12)

  1. 基板保持手段に基板を搬入する基板搬入工程と、
    前記基板保持手段によって所定の基板保持位置に保持された基板の表面に処理液を供給して、当該基板を処理する基板処理工程と、
    前記基板保持位置の周囲に配置される周囲部材に導電性液体を供給して、前記周囲部材に帯電している電荷を除去する周囲部材除電工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
  2. 前記周囲部材除電工程は、前記基板搬入工程に先立って行われることを特徴とする、請求項1記載の基板処理方法。
  3. 前記基板処理工程と並行して、前記基板保持位置に保持された基板の裏面に導電性液体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2記載の基板処理方法。
  4. 前記基板搬入工程の後であり、前記基板処理工程に先立って、前記基板保持位置に保持された基板の裏側に導電性液体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理方法。
  5. 基板を所定の基板保持位置で保持する基板保持手段と、
    前記基板保持位置の周囲に配置される周囲部材と、
    前記基板保持手段に保持された基板の表面に、その表面を処理するための処理液を供給する処理液供給手段と、
    前記周囲部材に帯電している電荷を除去するために、前記周囲部材に導電性液体を供給する導電性液体供給手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
  6. 前記基板保持手段による基板の保持に先立って、前記導電性液体供給手段から前記周囲部材に導電性液体を供給させる供給制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
  7. 前記導電性液体供給手段は、導電性を有する樹脂材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管を備えており、
    前記導電性液体供給管を接地するためのアース線をさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置。
  8. 前記導電性液体供給手段は、絶縁性を有する材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管を備えており、
    前記導電性液体供給管の周面を貫通して設けられる炭素電極と、
    前記炭素電極を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置。
  9. 前記導電性液体供給手段は、絶縁性を有する材料を用いて形成され、導電性液体が流通する導電性液体供給管と、前記導電性液体供給管の一端に接続され、前記導電性液体を貯留する貯留槽とを備えており、
    前記貯留槽に貯留された導電性液体に接触するように設けられた炭素電極と、
    前記炭素電極を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5または6記載の基板処理装置。
  10. 前記周囲部材は、前記基板保持手段を収容し、前記処理液供給手段から供給される処理液および前記導電性液体供給手段から吐出される導電性液体を受け取るためのカップを備えており、
    導電性を有する樹脂材料を用いて形成され、前記カップに受け取られた処理液および導電性液体を排出するための排出管と、
    前記排出管を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置。
  11. 前記周囲部材は、前記基板保持手段を収容し、前記処理液供給手段から供給される処理液および前記導電性液体供給手段から吐出される導電性液体を受け取るためのカップを備えており、
    絶縁性を有する材料を用いて形成され、前記カップに受け取られた処理液および導電性液体を排出するための排出管と、
    前記排出管の周面を貫通して設けられる炭素電極と、
    前記炭素電極を接地するためのアース線とをさらに含むことを特徴とする、請求項5ないし9のいずれかに記載の基板処理装置。
  12. 基板を所定の基板保持位置で保持する基板保持手段と、前記基板保持位置の周囲に配置される周囲部材とを備える基板処理装置において、前記周囲部材を除電する方法であって、
    前記周囲部材に導電性液体を供給して、前記周囲部材に帯電している電荷を除去することを特徴とする、周囲部材の除電方法。
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