JP2000033346A - スピンナー洗浄装置及びダイシング装置 - Google Patents
スピンナー洗浄装置及びダイシング装置Info
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- JP2000033346A JP2000033346A JP20483098A JP20483098A JP2000033346A JP 2000033346 A JP2000033346 A JP 2000033346A JP 20483098 A JP20483098 A JP 20483098A JP 20483098 A JP20483098 A JP 20483098A JP 2000033346 A JP2000033346 A JP 2000033346A
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 29
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回転可能なスピンナーテーブルに保持された
被洗浄物に対して洗浄水を噴射することにより被洗浄物
を洗浄するスピンナー洗浄装置において、洗浄時に静電
気が発生するのを防止することにより被洗浄物に静電気
が帯電するのを防止する。 【解決手段】 被加工物を保持し回転可能なスピンナー
テーブルと、該スピンナーテーブルに保持された被洗浄
物に洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段とから少なくとも
構成されるスピンナー洗浄装置において、洗浄水噴射手
段をアースに接続して静電気をアースに逃がすようにす
る。
被洗浄物に対して洗浄水を噴射することにより被洗浄物
を洗浄するスピンナー洗浄装置において、洗浄時に静電
気が発生するのを防止することにより被洗浄物に静電気
が帯電するのを防止する。 【解決手段】 被加工物を保持し回転可能なスピンナー
テーブルと、該スピンナーテーブルに保持された被洗浄
物に洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段とから少なくとも
構成されるスピンナー洗浄装置において、洗浄水噴射手
段をアースに接続して静電気をアースに逃がすようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回転可能なスピン
ナーテーブルに保持された被洗浄物に対して洗浄水を噴
射することにより被洗浄物を洗浄するスピンナー洗浄装
置に関するものである。
ナーテーブルに保持された被洗浄物に対して洗浄水を噴
射することにより被洗浄物を洗浄するスピンナー洗浄装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のスピンナー洗浄装置は、例え
ば、半導体ウェーハをダイシングするダイシング装置に
搭載され、ダイシング後の半導体ウェーハに付着した切
削屑を除去する等のために用いられる。
ば、半導体ウェーハをダイシングするダイシング装置に
搭載され、ダイシング後の半導体ウェーハに付着した切
削屑を除去する等のために用いられる。
【０００３】そして、洗浄の際には被洗浄物を保持した
スピンナーテーブルが回転すると共に洗浄水が半導体ウ
ェーハに対して噴射されることにより、付着した切削屑
が取り除かれる。
スピンナーテーブルが回転すると共に洗浄水が半導体ウ
ェーハに対して噴射されることにより、付着した切削屑
が取り除かれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、洗浄水
の流通経路、特に噴射口付近において洗浄水と流通経路
の内壁との間の摩擦によって静電気が発生すると、その
静電気を帯びた洗浄水が半導体ウェーハに噴射されるこ
とにより半導体ウェーハにも静電気が帯電し、半導体ウ
ェーハの品質を低下させることがある。特に、洗浄水と
して純水を用いた場合にはこの現象が発生しやすい。ま
た、このような現象は、半導体ウェーハを洗浄する場合
だけでなく、他の被洗浄物に対しても同様に起こりう
る。
の流通経路、特に噴射口付近において洗浄水と流通経路
の内壁との間の摩擦によって静電気が発生すると、その
静電気を帯びた洗浄水が半導体ウェーハに噴射されるこ
とにより半導体ウェーハにも静電気が帯電し、半導体ウ
ェーハの品質を低下させることがある。特に、洗浄水と
して純水を用いた場合にはこの現象が発生しやすい。ま
た、このような現象は、半導体ウェーハを洗浄する場合
だけでなく、他の被洗浄物に対しても同様に起こりう
る。
【０００５】従って、被洗浄物に対して洗浄水を噴出し
て洗浄を行う場合においては、静電気の発生を防止する
ことにより被洗浄物に静電気が帯電するのを防止するこ
とに解決すべき課題を有している。
て洗浄を行う場合においては、静電気の発生を防止する
ことにより被洗浄物に静電気が帯電するのを防止するこ
とに解決すべき課題を有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持し回転可
能なスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保
持された被洗浄物に洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段と
から少なくとも構成されるスピンナー洗浄装置であっ
て、洗浄水噴射手段はアースに接続されているスピンナ
ー洗浄装置を提供する。
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持し回転可
能なスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保
持された被洗浄物に洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段と
から少なくとも構成されるスピンナー洗浄装置であっ
て、洗浄水噴射手段はアースに接続されているスピンナ
ー洗浄装置を提供する。
【０００７】そして、被洗浄物を保持したスピンナーテ
ーブルが所要速度で回転し、スピンナーテーブルの回転
に伴って回転する被洗浄物に対して洗浄水噴射手段が揺
動しながら洗浄水を噴射すること、洗浄水噴射手段は、
洗浄が終了した後に洗浄水の噴射を止め、スピンナーテ
ーブルは高速回転してその遠心力によって被洗浄物に付
着している洗浄水を飛ばしてスピン乾燥すること、洗浄
水噴射手段の所要位置には気体噴射手段が配設されてお
り、スピン乾燥の際は気体噴射手段から気体を噴射する
こと、被洗浄物は半導体ウェーハであり、洗浄水は純水
であることを付加的要件とするものである。
ーブルが所要速度で回転し、スピンナーテーブルの回転
に伴って回転する被洗浄物に対して洗浄水噴射手段が揺
動しながら洗浄水を噴射すること、洗浄水噴射手段は、
洗浄が終了した後に洗浄水の噴射を止め、スピンナーテ
ーブルは高速回転してその遠心力によって被洗浄物に付
着している洗浄水を飛ばしてスピン乾燥すること、洗浄
水噴射手段の所要位置には気体噴射手段が配設されてお
り、スピン乾燥の際は気体噴射手段から気体を噴射する
こと、被洗浄物は半導体ウェーハであり、洗浄水は純水
であることを付加的要件とするものである。
【０００８】このように構成されるスピンナー洗浄装置
においては、洗浄水噴射手段がアースに接続されてお
り、洗浄水噴射手段とそこを流通する洗浄水との摩擦に
よって静電気が発生したとしてもその静電気をアースへ
逃がすことができるため、噴射される洗浄水に帯電する
静電気が大幅に低減され、被洗浄物に静電気がほとんど
帯電しない。
においては、洗浄水噴射手段がアースに接続されてお
り、洗浄水噴射手段とそこを流通する洗浄水との摩擦に
よって静電気が発生したとしてもその静電気をアースへ
逃がすことができるため、噴射される洗浄水に帯電する
静電気が大幅に低減され、被洗浄物に静電気がほとんど
帯電しない。
【０００９】また、本発明は、半導体ウェーハをダイシ
ングするダイシング装置であって、上記のスピンナー洗
浄装置を搭載し、該スピンナー洗浄装置によってダイシ
ング後の半導体ウェーハを洗浄するダイシング装置をも
提供する。
ングするダイシング装置であって、上記のスピンナー洗
浄装置を搭載し、該スピンナー洗浄装置によってダイシ
ング後の半導体ウェーハを洗浄するダイシング装置をも
提供する。
【００１０】このようなダイシング装置によれば、洗浄
水に帯電する静電気が大幅に低減されて、半導体ウェー
ハに静電気がほとんど帯電しない。
水に帯電する静電気が大幅に低減されて、半導体ウェー
ハに静電気がほとんど帯電しない。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に係るスピンナー洗浄装置
は、例えば図１に示すダイシング装置１０に搭載されて
半導体ウェーハの洗浄を行う。
は、例えば図１に示すダイシング装置１０に搭載されて
半導体ウェーハの洗浄を行う。
【００１２】まず、図１のダイシング装置１０の構成及
び動作について説明する。このダイシング装置１０を用
いて半導体ウェーハＷを切削するときは、半導体ウェー
ハＷは保持テープＴを介してフレームＦに保持されてカ
セット１１に複数段に重ねて収納される。
び動作について説明する。このダイシング装置１０を用
いて半導体ウェーハＷを切削するときは、半導体ウェー
ハＷは保持テープＴを介してフレームＦに保持されてカ
セット１１に複数段に重ねて収納される。
【００１３】フレームＦに保持された半導体ウェーハＷ
は、搬出入手段１２によってカセット１１から搬出さ
れ、仮置き領域１３に載置され、第一の搬送手段１４に
吸着されて第一の搬送手段１４が旋回動することにより
チャックテーブル１５に搬送されて載置され、吸引保持
される。
は、搬出入手段１２によってカセット１１から搬出さ
れ、仮置き領域１３に載置され、第一の搬送手段１４に
吸着されて第一の搬送手段１４が旋回動することにより
チャックテーブル１５に搬送されて載置され、吸引保持
される。
【００１４】半導体ウェーハＷがチャックテーブル１５
に吸引保持されると、チャックテーブル１５がＸ軸方向
に移動してアライメント手段１６の直下に位置付けら
れ、パターンマッチング等の処理によって切削領域が検
出され、切削領域と回転ブレード１７とのＹ軸方向の位
置合わせが行われる。こうして位置合わせがなされる
と、更にチャックテーブル１５がＸ軸方向に移動し、回
転ブレード１７の作用を受けて切削が行われる。
に吸引保持されると、チャックテーブル１５がＸ軸方向
に移動してアライメント手段１６の直下に位置付けら
れ、パターンマッチング等の処理によって切削領域が検
出され、切削領域と回転ブレード１７とのＹ軸方向の位
置合わせが行われる。こうして位置合わせがなされる
と、更にチャックテーブル１５がＸ軸方向に移動し、回
転ブレード１７の作用を受けて切削が行われる。
【００１５】切削後は、付着した切削屑等を除去するた
めに、第二の搬送手段１８の吸着部１９がフレームＦを
吸着してスピンナー洗浄装置２０の直上へ移動させ、保
持部２１が下降して吸着状態を解除することによりフレ
ームＦに保持された半導体ウェーハＷがスピンナー洗浄
装置２０に搬送される。
めに、第二の搬送手段１８の吸着部１９がフレームＦを
吸着してスピンナー洗浄装置２０の直上へ移動させ、保
持部２１が下降して吸着状態を解除することによりフレ
ームＦに保持された半導体ウェーハＷがスピンナー洗浄
装置２０に搬送される。
【００１６】スピンナー洗浄装置２０は、図２に示すよ
うに、被洗浄物が載置されるスピンナーテーブル２１
と、被洗浄物である半導体ウェーハＷに対して洗浄水を
噴射する洗浄水噴射手段２２とから概ね構成される。
うに、被洗浄物が載置されるスピンナーテーブル２１
と、被洗浄物である半導体ウェーハＷに対して洗浄水を
噴射する洗浄水噴射手段２２とから概ね構成される。
【００１７】スピンナーテーブル２１は、基台２３に回
転可能に支持されており、下部に設けられた連結部２４
によってモーター２５に接続され、回転する構成となっ
ている。また、スピンナーテーブル２１の表面は、例え
ば同心円状の複数の吸引溝と、それと交差する放射状の
吸引溝とで形成され、図示しない吸引源に連通して半導
体ウェーハＷを吸引保持することができる。
転可能に支持されており、下部に設けられた連結部２４
によってモーター２５に接続され、回転する構成となっ
ている。また、スピンナーテーブル２１の表面は、例え
ば同心円状の複数の吸引溝と、それと交差する放射状の
吸引溝とで形成され、図示しない吸引源に連通して半導
体ウェーハＷを吸引保持することができる。
【００１８】洗浄水噴射手段２２を図３に拡大して示
す。洗浄水噴射手段２２の先端には洗浄水が噴射される
洗浄水吐出部２６が下向きに配設され、ここから半導体
ウェーハＷに対して洗浄水が噴射される。洗浄水吐出部
２６から噴射される洗浄水は、洗浄水供給源（図示せ
ず）からノズルアーム２７を通って供給される。
す。洗浄水噴射手段２２の先端には洗浄水が噴射される
洗浄水吐出部２６が下向きに配設され、ここから半導体
ウェーハＷに対して洗浄水が噴射される。洗浄水吐出部
２６から噴射される洗浄水は、洗浄水供給源（図示せ
ず）からノズルアーム２７を通って供給される。
【００１９】洗浄水吐出部２６及びノズルアーム２７
は、共に導電性の高い材質により形成されている。ノズ
ルアーム２７は例えば金属により形成され、図２に示し
たように切削装置１０が備えている先端が接地されたア
ース線２８に接続されている。また、洗浄水吐出部２６
は、例えばコバルトを５〜７％含有した焼結ダイヤモン
ドによって形成され、洗浄水との間の摩擦に耐え得る充
分な耐摩耗性を有すると共に、高い導電性を確保してい
る。
は、共に導電性の高い材質により形成されている。ノズ
ルアーム２７は例えば金属により形成され、図２に示し
たように切削装置１０が備えている先端が接地されたア
ース線２８に接続されている。また、洗浄水吐出部２６
は、例えばコバルトを５〜７％含有した焼結ダイヤモン
ドによって形成され、洗浄水との間の摩擦に耐え得る充
分な耐摩耗性を有すると共に、高い導電性を確保してい
る。
【００２０】ノズルアーム２７は、アース線２８に接続
されているため、アースされている。また、ノズルアー
ム２７は、駆動源２９に駆動されて待避位置への旋回動
及び揺動可能であり、ノズルアーム２７の揺動に伴って
洗浄水吐出部２６が揺動する。
されているため、アースされている。また、ノズルアー
ム２７は、駆動源２９に駆動されて待避位置への旋回動
及び揺動可能であり、ノズルアーム２７の揺動に伴って
洗浄水吐出部２６が揺動する。
【００２１】図３に示したように洗浄水吐出部２６の近
傍には気体噴射手段３０が配設されており、ここからは
被洗浄物に向けてエアーを噴出することができる。
傍には気体噴射手段３０が配設されており、ここからは
被洗浄物に向けてエアーを噴出することができる。
【００２２】このように構成されるスピンナー洗浄装置
２０を用いて切削後の半導体ウェーハＷを洗浄するとき
は、半導体ウェーハＷをスピンナーテーブル２１に載置
する。このとき吸引源から供給される吸引力によって半
導体ウェーハＷは吸引保持される。
２０を用いて切削後の半導体ウェーハＷを洗浄するとき
は、半導体ウェーハＷをスピンナーテーブル２１に載置
する。このとき吸引源から供給される吸引力によって半
導体ウェーハＷは吸引保持される。
【００２３】そして、スピンナーテーブル２１が比較的
低速回転すると共に、洗浄水吐出部２６から洗浄水、例
えば純水が噴射されて半導体ウェーハＷの表面が洗浄さ
れる。またこのとき、必要に応じてノズルアーム２７を
左回り、右回り、左回り、・・・・と交互に所要角度回
転させることによって洗浄水噴射手段２２全体を揺動さ
せて半導体ウェーハＷの表面全体に均等に洗浄水を噴射
するようにすることができる。
低速回転すると共に、洗浄水吐出部２６から洗浄水、例
えば純水が噴射されて半導体ウェーハＷの表面が洗浄さ
れる。またこのとき、必要に応じてノズルアーム２７を
左回り、右回り、左回り、・・・・と交互に所要角度回
転させることによって洗浄水噴射手段２２全体を揺動さ
せて半導体ウェーハＷの表面全体に均等に洗浄水を噴射
するようにすることができる。
【００２４】洗浄水がノズルアーム２７を通過する際、
または洗浄水吐出部２６を通過する際に洗浄水とノズル
アーム２７または洗浄水吐出部２６の内壁との間の摩擦
によって静電気が発生することがある。こうして静電気
が発生すると、その静電気は洗浄水に帯電し、その洗浄
水が半導体ウェーハＷに噴射されると、ひいては半導体
ウェーハＷにも静電気が帯電して個々のチップの品質を
低下させることになる。
または洗浄水吐出部２６を通過する際に洗浄水とノズル
アーム２７または洗浄水吐出部２６の内壁との間の摩擦
によって静電気が発生することがある。こうして静電気
が発生すると、その静電気は洗浄水に帯電し、その洗浄
水が半導体ウェーハＷに噴射されると、ひいては半導体
ウェーハＷにも静電気が帯電して個々のチップの品質を
低下させることになる。
【００２５】しかし、本発明においてはノズルアーム２
７及び洗浄水吐出部２６が導電性の高い部材により形成
されていると共に、ノズルアーム２７がアース線に接続
されており、洗浄水吐出部２６もアースに接続されるこ
とになるので、たとえ静電気が発生したとしてもその大
半をアースに逃がすことができる。従って、半導体ウェ
ーハＷに静電気が帯電することがほとんどなく、個々の
チップの品質を低下させるという問題もほとんど発生し
ない。
７及び洗浄水吐出部２６が導電性の高い部材により形成
されていると共に、ノズルアーム２７がアース線に接続
されており、洗浄水吐出部２６もアースに接続されるこ
とになるので、たとえ静電気が発生したとしてもその大
半をアースに逃がすことができる。従って、半導体ウェ
ーハＷに静電気が帯電することがほとんどなく、個々の
チップの品質を低下させるという問題もほとんど発生し
ない。
【００２６】ノズルアーム２７をアースに接続しなかっ
た場合と本実施の形態のようにノズルアーム２７をアー
スに接続した場合について、洗浄水を純水、吐出圧を１
００［ｋｇｆ／ｃｍ2］としてそれぞれ洗浄水吐出部２
６における静電気を５回ずつ測定したところ、アースに
接続しなかった場合の静電気は平均で３．８５［ｋＶ］
となり、アースに接続した場合は平均で０．３３［ｋ
Ｖ］となった。この測定結果より、ノズルアーム２７を
アースに接続することによって、洗浄水吐出部２６にお
ける静電気が十分の一以下に低減されたことがわかる。
た場合と本実施の形態のようにノズルアーム２７をアー
スに接続した場合について、洗浄水を純水、吐出圧を１
００［ｋｇｆ／ｃｍ2］としてそれぞれ洗浄水吐出部２
６における静電気を５回ずつ測定したところ、アースに
接続しなかった場合の静電気は平均で３．８５［ｋＶ］
となり、アースに接続した場合は平均で０．３３［ｋ
Ｖ］となった。この測定結果より、ノズルアーム２７を
アースに接続することによって、洗浄水吐出部２６にお
ける静電気が十分の一以下に低減されたことがわかる。
【００２７】なお、本実施の形態においてはノズルアー
ム２７をアースに接続する構成としたが、必ずしもこれ
に限定されるものではなく、洗浄水噴射手段２２の任意
の一部がアースに接続されていればよい。
ム２７をアースに接続する構成としたが、必ずしもこれ
に限定されるものではなく、洗浄水噴射手段２２の任意
の一部がアースに接続されていればよい。
【００２８】このようにして洗浄水の噴射により半導体
ウェーハＷに付着した切削屑が除去された後は、洗浄水
の噴射を止め、スピンナーテーブル２１を高速回転させ
ると、その回転による遠心力によって切削屑及び洗浄水
が飛ばされてスピン乾燥される。このとき必要に応じ
て、気体噴射手段３０からエアーを吹き付けることによ
り、より効果的にスピン乾燥を行うことができる。
ウェーハＷに付着した切削屑が除去された後は、洗浄水
の噴射を止め、スピンナーテーブル２１を高速回転させ
ると、その回転による遠心力によって切削屑及び洗浄水
が飛ばされてスピン乾燥される。このとき必要に応じ
て、気体噴射手段３０からエアーを吹き付けることによ
り、より効果的にスピン乾燥を行うことができる。
【００２９】スピンナー洗浄装置２０による洗浄の終了
後は、フレームＦが第一の搬送手段１４に吸着されて仮
置き領域１３に搬送され、搬出入手段１２によってカセ
ット１１の収納される。
後は、フレームＦが第一の搬送手段１４に吸着されて仮
置き領域１３に搬送され、搬出入手段１２によってカセ
ット１１の収納される。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るスピ
ンナー洗浄装置においては、洗浄水噴射手段がアースに
接続されており、洗浄水噴射手段とそこを流通する洗浄
水との摩擦によって静電気が発生したとしてもその静電
気をアースへ逃がすことができる。従って、噴射される
洗浄水に帯電する静電気が大幅に低減され、被洗浄物に
静電気がほとんど帯電しないため、被洗浄物の品質の低
下を招くことがなくなる。
ンナー洗浄装置においては、洗浄水噴射手段がアースに
接続されており、洗浄水噴射手段とそこを流通する洗浄
水との摩擦によって静電気が発生したとしてもその静電
気をアースへ逃がすことができる。従って、噴射される
洗浄水に帯電する静電気が大幅に低減され、被洗浄物に
静電気がほとんど帯電しないため、被洗浄物の品質の低
下を招くことがなくなる。
【００３１】また、本発明に係るダイシング装置によれ
ば、洗浄水に帯電する静電気が大幅に低減されて、半導
体ウェーハに静電気がほとんど帯電しないため、品質の
良好な半導体チップを製造することができる。
ば、洗浄水に帯電する静電気が大幅に低減されて、半導
体ウェーハに静電気がほとんど帯電しないため、品質の
良好な半導体チップを製造することができる。
【図１】本発明に係るダイシング装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明に係るスピンナー洗浄装置を示す斜視図
である。
である。
【図３】同スピンナー洗浄装置を構成する洗浄水噴射手
段を拡大して示した斜視図である。
段を拡大して示した斜視図である。
１０……ダイシング装置 １１……カセット １２……
搬出入手段 １３……仮置き領域 １４……第一の搬送手段 １５…
…チャックテーブル １６……アライメント手段 １７……回転ブレード １
８……第二の搬送手段 １９……吸着部 ２０……スピンナー洗浄装置 ２１…
…スピンナーテーブル ２２……洗浄水噴射手段 ２３……基台 ２４……連結
部 ２５……モーター ２６……洗浄水吐出部 ２７……ノズルアーム ２８…
…アース線 ２９……駆動源 ３０……気体噴射手段 Ｗ……半導体ウェーハ Ｔ……保持テープ Ｆ……フレ
ーム
搬出入手段 １３……仮置き領域 １４……第一の搬送手段 １５…
…チャックテーブル １６……アライメント手段 １７……回転ブレード １
８……第二の搬送手段 １９……吸着部 ２０……スピンナー洗浄装置 ２１…
…スピンナーテーブル ２２……洗浄水噴射手段 ２３……基台 ２４……連結
部 ２５……モーター ２６……洗浄水吐出部 ２７……ノズルアーム ２８…
…アース線 ２９……駆動源 ３０……気体噴射手段 Ｗ……半導体ウェーハ Ｔ……保持テープ Ｆ……フレ
ーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｐ
Claims (6)
- 【請求項１】 被加工物を保持し回転可能なスピンナー
テーブルと、該スピンナーテーブルに保持された被洗浄
物に洗浄水を噴射する洗浄水噴射手段とから少なくとも
構成されるスピンナー洗浄装置であって、 該洗浄水噴射手段はアースに接続されているスピンナー
洗浄装置。 - 【請求項２】 被洗浄物を保持したスピンナーテーブル
が所要速度で回転し、該スピンナーテーブルの回転に伴
って回転する被洗浄物に対して該洗浄水噴射手段が揺動
しながら洗浄水を噴射する請求項１に記載のスピンナー
洗浄装置。 - 【請求項３】 洗浄水噴射手段は、洗浄が終了した後に
洗浄水の噴射を止め、スピンナーテーブルは高速回転し
てその遠心力によって被洗浄物に付着している洗浄水を
飛ばしてスピン乾燥する請求項１または２に記載のスピ
ンナー洗浄装置。 - 【請求項４】 洗浄水噴射手段の所要位置には気体噴射
手段が配設されており、スピン乾燥の際は該気体噴射手
段から気体を噴射する請求項３に記載のスピンナー洗浄
装置。 - 【請求項５】 被洗浄物は半導体ウェーハであり、洗浄
水は純水である請求項１乃至４に記載のスピンナー洗浄
装置。 - 【請求項６】 半導体ウェーハをダイシングするダイシ
ング装置であって、請求項１乃至５に記載のスピンナー
洗浄装置を搭載し、該スピンナー洗浄装置によってダイ
シング後の半導体ウェーハを洗浄するダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20483098A JP2000033346A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | スピンナー洗浄装置及びダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20483098A JP2000033346A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | スピンナー洗浄装置及びダイシング装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000033346A true JP2000033346A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16497099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20483098A Withdrawn JP2000033346A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | スピンナー洗浄装置及びダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000033346A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1998-07-21 JP JP20483098A patent/JP2000033346A/ja not_active Withdrawn
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