JP2004533716A - 角度付きスピン・リンス・ドライモジュール、ならびに同モジュールを作成および実現するための方法 - Google Patents
角度付きスピン・リンス・ドライモジュール、ならびに同モジュールを作成および実現するための方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ウエハ処理モジュールが提供される。ウエハ処理モジュールは、ウエハ拘束ローラを収容する筐体を備える。ウエハ拘束ローラは、一角度に方向付けられ、且つ処理時においてウエハを一角度で回転させるように設計される。
【選択図】図1
Description
【0001】
本発明は、一般に、半導体ウエハの処理に関し、特に、空間効率およびプロセス効率に優れたスピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールを使用した半導体基板の洗浄および乾燥に関する。
【背景技術】
【0002】
ウエハの処理動作および洗浄動作は、半導体デバイスを製造するにあたって実施される。基板の処理中に分散して繰り返される共通のウエハ処理動作の1つが、スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールを使用したスピン・リンス・ドライ動作である。スピン・リンス・ドライ動作は、SRDハウジングに搭載されたボウルの中で実施される。SRDハウジングは、スピンドルに固定されている。スピンドル、スピンドルに搭載されたチャック、そしてチャックに取り付けられたスピンドルフィンガによって保持されたウエハは、モータによって回転させられるのが通常である。スピンドルフィンガは、一般に、処理するべきウエハを受け取るために、ボウルの中を上向きに移動し、ウエハの処理面を超えてボウルの外まで達する。このとき、処理するべきウエハは、エンドエフェクタによってスピンドルフィンガに引き渡される。ウエハが受け取られると、スピンドルフィンガおよびそれに取り付けられたウエハは、下降してボウルの中に戻る。ウエハは、こうしてウエハ処理面の高さに配置される。
【0003】
ウエハのすすぎは、一般に、ウエハを高毎分回転数(RPMs)で回転させつつその表面にスピゴットを通して脱イオン水(DI)を供給することによって行われる。すすぎの動作が完了すると、脱イオン水の供給は、スピゴットを締めることによって停止される。そして、ウエハは、そのまま高RPMsで回転し続けることによって乾燥される。乾燥の動作が完了するとすぐに、チャック、スピンドルフィンガ、およびウエハは、再びウエハ処理面を超えてボウルの外まで移動する。このとき、ウエハは、エンドエフェクタによってSRDモジュールから取り除かれる。
【0004】
従来のSRDモジュールには、いくつかの制約がともなう。第1の制約は、通常のSRDモジュールではウエハが水平方向に処理される点にある。したがって、ウエハの表面から汚染物質を取り除くためには、ウエハを高RPMsで長時間に渡って回転させなければならず、これは、ウエハ毎のスピン・リンス・ドライサイクルを増大させる。その結果、SRDモジュール全体のスループットも低減される。
【0005】
第2の制約は、重くて大きいチャックアセンブリと、そのチャックアセンブリを駆動するために必要な大きなモータとが、SRDモジュールの中に配置されるという点にある。第3の制約は、ウエハを高RPMsで長時間にわたって回転させることによって形成される様々な力に順応するために、巨大なフレーム構造が使用されるという点にある。これら2つの制約が組み合わさった結果、従来のSRDモジュールは、非常に大きい構造およびフレーム構造を有することになり、貴重なクリーンルーム空間を無駄に大きく占めてしまう。
【0006】
また、チャックアセンブリは、貴重な空間を無駄に占めるうえに、極めて複雑な設計を要する。チャックアセンブリは、例えば、ボウルの中の回転運動および上下運動によってウエハを受け取ったり引き渡したりするように設計される。したがって、ボウルの中でのチャックアセンブリの運動は、チャックを正しく校正された状態に維持することによって、チャックを厳密な処理レベルに落ち着かせる必要がある。チャックが正しく位置合わせされていないときは、チャックアセンブリは、再度の位置合わせを必要とする。これは、非常に時間を要する手間のかかるプロセスであり、SRDモジュールを長時間に渡ってラインから外す必要があるので、スループットを低減させる結果となる。
【0007】
また、チャックアセンブリは、絶えず位置合わせしなおす必要があるうえに、スピンドルフィンガに対してウエハをロードおよびアンロードするために無駄な動きを必要とする。例えば、従来のSRDモジュールモジュールでは、スピンドルフィンガへのウエハのロードは4段階を経る。先ず、チャックおよびスピンドルが、ウエハを受け取るためにボウルの外まで移動する。その結果、スピンドルは、ウエハ処理面の上方に配置される。したがって、ウエハを保持しているエンドエフェクタは、先ず、(既に上昇位置にある)スピンドルフィンガの水平面より高い位置で水平方向にボウルの上方を移動することによって、未処理のウエハをスピンドルフィンガの端まで運ぶ。その後、エンドエフェクタは、スピンドルフィンガによるウエハの拘束が可能な高さにウエハが達するまで(ボウルの上方を)下向きに移動しなければならない。スピンドルフィンガがウエハを拘束すると、エンドエフェクタはウエハを開放する。こうして、スピンドルフィンガへの未処理ウエハの物理的搬送が行われる。最後に、エンドエフェクタは、先ず若干下向きに移動してウエハから遠ざかり、次に水平方向に撤退してボウルの上方から遠ざかる。エンドエフェクタの各上下運動は、かなりの低速であるエンドエフェクタの「Z」速度を使用して行われる。したがって、それぞれのスピン・リンス・ドライサイクルでは、ウエハをロードおよびアンロードするためだけに相当に長い時間が費やされる。ウエハ毎のSRDサイクルの増大は、SRDモジュール全体のスループットの低減に繋がる。
【0008】
以上からわかるように、当該分野においては、基板の表面に施されるスピン・リンス・ドライ動作を効率良く向上させるとともに、より小さいクリーンルーム空間と、より高いスループットとを達成することができる、スピン・リンス・ドライモジュールが必要とされている。
【発明の開示】
【0009】
本発明は、概して、基板の表面に施されるスピン・リンス・ドライ動作を効率良く最適化するスピン・リンス・ドライ(SRD)モジュール、および同モジュールを実現するための方法によって、上記のニーズを満たす。本発明によるSRDモジュールは、占有するクリーンルーム空間が小さいうえに、高いスループットを達成することができる。本発明によるSRDモジュールは、スピン・リンス・ドライ動作時に基板を拘束できるように、1対の駆動ローラと1つの拘束ローラとを装備していることが好ましい。これらの駆動ローラ対および拘束ローラは、これらのローラがスピン・リンス・ドライ動作時に基板を拘束したときに、処理面として規定された基板を含む平面が水平面との間に処理角度を成すように、SRDモジュールの内部に配置される。好ましい実施例では、駆動ローラは、拘束された基板を回転させるように構成され、拘束ローラは、基板をロードおよびアンロードするための経路を開くことができるように引き込み式に構成される。
【0010】
なお、本発明は、プロセス、装置、システム、デバイス、または方法を含む様々なかたちで実現することが可能である。以下では、本発明による実施形態をいくつか取り上げる。
【0011】
一実施形態では、スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールの中で基板を処理するための方法が開示される。この方法は、処理するべき基板を用意し、SRDモジュールを基板受け取り位置に配置し、処理するべき基板の方向を一角度で設けられた挿入位置に合わせることを含む。この方法は、さらに、基板を上記角度でSRDモジュールに挿入し、SRDモジュールを処理位置に配置することを含む。この方法は、また、基板を上記角度で回転させ、回転している基板をすすぎ、乾燥させることを含む。
【0012】
別の一実施形態では、スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールの中でウエハを処理するための方法が開示される。この方法は、処理面においてウエハを拘束し、そのウエハを処理面において回転させることを含む。処理面は、SRDモジュールの性能を最適化するように構成された処理角度を水平面との間に成すように構成される。この方法は、さらに、処理面においてウエハを回転させつつそのウエハの上面および底面を洗浄することを含む。
【0013】
さらに別の一実施形態では、スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールの中でウエハを処理するための方法が開示される。この方法は、処理面においてウエハを拘束し、そのウエハを処理面において回転させ、そのウエハを処理面において回転させつつそのウエハの上面および底面を洗浄することを含む。処理面は、SRDモジュールの性能を最適化するように設計された処理角度を水平面との間に成すように構成される。ウエハの上面および底面の洗浄は、ウエハを処理面において回転させつつそのウエハの上面および底面を脱イオン水ですすぐことを含むように設計される。ウエハの上面および底面の洗浄は、さらに、ウエハを処理面で回転させつつそのウエハの上面および底面にメガソニックフロー(megasonic flow)を供給することを含むように設計される。
【0014】
さらに別の一実施形態では、スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールの中でウエハを処理するための方法が提供される。この方法は、処理面においてウエハを拘束し、そのウエハを回転させることを含む。処理面は、ウエハの乾燥を最適化するように設計された処理角度を水平面との間に成すように構成される。この方法は、さらに、処理面においてウエハを回転させつつそのウエハの上面および底面を洗浄し、乾燥させることを含む。
【0015】
さらに別の一実施形態では、ウエハ処理モジュールが開示される。ウエハ処理モジュールは、ウエハ拘束ローラを収容する筐体を含む。ウエハ拘束ローラは、一角度に方向を合わせられ、処理時においてウエハを一角度で回転させるように設計される。
【0016】
さらに別の一実施形態では、スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールが開示される。SRDモジュールは、筐体と、駆動ローラ対と、拘束ローラとを含む。筐体は、窓を含む外壁を有する。外壁に窓を設けるのは、水平面との間に処理角度を成すためである。駆動ローラ対は、筐体の中に設けられ、処理するべき基板を拘束しつつその基板を回転させるように構成される。拘束ローラは、筐体の中に設けられ、処理するべき基板を拘束するように構成される。拘束ローラおよび駆動ローラ対は、処理するべき基板が水平面との間に処理角度にほぼ等しい角度を成すように、その基板を拘束するように構成される。
【0017】
本発明は、数多くの利点をもたらす。最も注目に値する利点は、本発明による角度付きのSRDモジュールが、従来のSRDモジュールと異なり、処理するべき基板に基板表面の乾燥を最適化するように構成された処理/挿入角度で拘束して同基板を回転させるローラを装備していることにある。このように、ウエハをロードまたはアンロードするために必要とされる運動の回数が減少すると、それぞれのスピン・リンス・ドライサイクル毎に必要とされる時間が短縮され、スループットが増大する。さらなる利点は、スピンドルフィンガやチャックではなくローラが装備される点にある。つまり、本発明による角度付きSRDモジュールは、ウエハを拘束するローラを装備することによって、ウエハの全体を、すなわちウエハの上面および底面の両方を確実に洗浄することができる。さらなる利点は、ウエハが一角度で拘束されることから、ウエハの処理に必要とされる機械的運動の回数が少なくてすみ、したがって、非破壊的な低PRMsから高RPMsまでの範囲でウエハを処理できる点にある。
【0018】
本発明によるさらなる利点は、チャックやスピンドルフィンガではなくローラを使用することによって、本発明による角度付きSRDモジュール100が従来のSRDモジュールよりも小型化され、したがって占有されるクリーンルーム空間が小さくてすむことにある。本発明によるさらなる利点は、改良された乾燥方法が利用される点にある。つまり、本発明による乾燥動作は、乾燥補助のメカニズムと、一角度でのウエハの処理と、高蒸発性の溶媒を使用したウエハの洗浄とを組み合わせた効果によって、著しく強化される。本発明は、例えば、ウエハの端の清浄度を確保しつつ効率良くウエハを乾燥させる。その結果、SRDモジュールの乾燥サイクルが短縮され、スループットが増大される。角度付きのSRDモジュールは、最終的には、より乾燥したウエハを非破壊的な低RPMsで得ることができる。
【0019】
本発明のその他の態様および利点は、本発明の原理を例示した添付の図面と併せて行われる以下の詳細な説明から明らかになる。
【0020】
本発明は、添付の図面と併せて行われる以下の詳細な説明によって、容易に理解することが可能である。図中、類似の構成要素は同一の参照符号で示される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0021】
基板表面の処理を最適化するスピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールの実施形態が説明される。このSRDモジュールは、傾斜した処理面において基板を拘束するために、1対の駆動ローラと1つの拘束ローラとを装備することによって、SRDモジュールの動作を最適化することが好ましい。好ましい実施形態において、駆動ローラ対は、処理されている基板を回転によって駆動できるように構成される。好ましい一実施例では、駆動ローラ対が、スピン・リンス・ドライ動作の間ずっと基板を回転させながら自身の位置にとどまるのに対し、拘束ローラは、出入りが可能な引き込み式に構成される。このようにして、基板をロードおよびアンロードするための空間距離がそれぞれに提供される。
【0022】
以下の説明では、本発明が十分に理解されるように、数々の詳細が具体的に設定されている。しかしながら、当業者ならば明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細の一部または全部を設定しなくても実施され得る。また、本発明が不必要に不明瞭化される事態を回避するため、周知のプロセス動作の詳細な説明は省略した。
【0023】
図1は、代表的な角度付きSRDモジュールの概略を、本発明による一実施形態にしたがって示した断面図である。角度付きSRDモジュールは、後ほど詳述される理由で内蔵型に設計されている筐体102を有する。図に示すように、この角度付きSRDモジュールは、さらに、第1の駆動ローラ120aと、第2の駆動ローラ120a’(この図では不図示)と、拘束ローラ120bとを含み、これらは全て、スピン・リンス・ドライ動作時にウエハ122を拘束するように構成される。図に示すように、第1の駆動ローラ120a、拘束ローラ120b、およびウエハ122は、拘束されたウエハ122を含む平面の延長と水平面とが処理角度θを成すように、筐体102の中に配置される。このように、ウエハ122を処理角度θに方向付ける特徴は、洗浄液を処理されているウエハ122から流れ落ちるように方向付けることによってウエハ122の乾燥を最適化するように構成される。好ましい実施形態では、角度θは、約0度から約90度までの範囲である。
【0024】
図に示すように、第1の駆動ローラ120aは、筐体102の穴116aに挿入されたローラ駆動軸116に結合されている。第1の駆動ローラ120aは、ローラ駆動シャフト116の回転方向106への回転にともなって回転するように構成される。このような実現形態では、ローラ駆動シャフト116ひいては第1の駆動ローラ120aは、後ほど詳述される理由で筐体102の外側に配置されている駆動モータ104によって駆動される。図に示すように、駆動モータ104に結合されたモータ駆動軸110は、回転方向106に回転することによって、駆動プーリ114a,114bに搭載された駆動ベルト112を回転させる。駆動プーリ114bの回転は、ローラ駆動シャフト116、駆動ローラ120a、およびウエハ122を回転させる。
【0025】
なお、ウエハ122は、第1の駆動ローラ120aおよび第2の駆動ローラ120bによって処理面において拘束されるので、第2の駆動ローラ120a’は、第1の駆動ローラ120aとの間に120度の角度を成すように設けられる。第1の駆動ローラ120aと同様に、第2の駆動ローラ120a’も、第1の駆動ローラ120aと同様な駆動モータによって駆動されるように設計される。しかしながら、一実施形態では、第1および第2の駆動ローラ120a,120bが1つの駆動モータによって駆動されるようにしても良い。また、第1の駆動ローラ120aおよび第2の駆動ローラ120a’は、回転中でもそのままの位置にとどまるように構成される。以下では、図2A〜2Cの説明との関連において、角度付きSRDモジュール100の中での第1の駆動ローラ120a、第2の駆動ローラ120a’、および拘束ローラ120bの方向性に関するさらなる詳細が明らかにされる。
【0026】
第1の駆動ローラ120aおよび第2の駆動ローラ120a’が、ウエハ122を回転させるように設計されるのに対し、拘束ローラ122bは、ただ単に、ウエハ122の処理時にウエハ122を拘束するように設計される。また、第1の駆動ローラ120aおよび第2の駆動ローラ120a’が、そのままの位置にとどまるように設計されるのに対し、拘束ローラ120bは、引き込み式に設計される。つまり、拘束ローラ120bは、前進したり後退したりすることによって、ウエハ122をロードおよびアンロードするための十分な空間距離を提供するように設計される。一実施形態では、拘束ローラ120bは、後ほど詳述される理由で筐体102の外側に配置されているエアシリンダ140を使用して後退させられる。図に示すように、拘束ローラ120bは、エアシリンダ140のピストン142に取り付けられたアーム146に結合されている。ピストン142は、穴142aを通って筐体102に挿入されている。ピストン142は、運動方向144への運動にともなって拘束ローラ120aを前進させたり後退させたりする。例えば、ピストン142の変位は、拘束ローラ120を引っ張り、エンドエフェクタによるウエハ122のロードおよびアンロードに適した空間距離を提供できる位置まで拘束ローラ120bを後退させるように設計される。ウエハのロードおよびアンロードに続くピストン142の一行程は、拘束ローラ120bを初期位置まで押し戻すように構成される。
【0027】
さらに、図1に示すように、角度付きSRDモジュール100は、さらに、トップディスペンサ126aおよびボトムディスペンサ126bを有する洗浄剤ディスペンサ126を含む。トップディスペンサ126aおよびボトムディスペンサ126bは、複数のオリフィスをそれぞれに含んだ対応面126a−1,126b−1をそれぞれに有する。複数のオリフィス128は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bに洗浄液を送るように構成される。図に示すように、本実施形態では、トップディスペンサ126aの表面126a−1は、ウエハ122の上面122aに面するように筐体102の内部に配置される。さらに、図に示すように、ボトムディスペンサ126bの表面126b−1は、ウエハ122の底面122bに面するように筐体102の内部に配置される。しかしながら、別の一実現形態では、洗浄剤ディスペンサ126は、ウエハ122の一セクタにほぼ均一に洗浄液を塗布できさえすれば、筐体102の内部において上記以外の方向に配置されても良い。
【0028】
ウエハ122の上面122aおよび底面122bは、複数のオリフィス128を通して流体ジェットストリーム134を供給することによって、ウエハ122の少なくとも一セクタが常に洗浄されている状態にすることが好ましい。このように、洗浄液ディスペンサ126は、ウエハの中心から縁までのウエハ122の一部の実質全域を覆うように、ほぼ均一に洗浄液を供給することができる。一実施形態では、処理されているウエハ122の上面122aおよび底面122bにほぼ均一に流体ジェットストリーム134を供給することによって、ウエハ122の上面122aおよび底面122bのほぼ半分が洗浄液で覆われるようにする。
【0029】
洗浄剤ディスペンサ126は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bから粒子状汚染物、残留物、および化学物質の除去し、ほぐし、分離するように設計される。例えば、粒子状汚染物は、微粒子と金属であって良く、このうちの微粒子は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bに存在している微量の材料であって良い(例えば、粉塵、シリカ(SiO2)、スラリ残留物、高分子残留物、金属片、風塵、プラスチック微粒子、シリケート微粒子等々)。
【0030】
汚染物の除去、ほぐし、分離のためには、洗浄剤ディスペンサ126は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bに全く残留物を残さないように構成された高蒸発性の洗浄液を供給するように設計されることが好ましい。しかしながら、本発明による洗浄剤ディスペンサ126は、残留物を残さない急速に蒸発するものであれば、あらゆる適切な流動媒体を、ウエハ122の表面を洗浄するために供給して良い(例えば、脱イオン水、フッ化水素酸(HF)、水酸化アンモニウム(NH4OH)、アンモニア、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)、クエン酸、塩酸、過酸化水素、MCC3000、MCC2500、イソプロピルアルコール(IPA)、これらの混合物、任意の洗浄剤、および任意の溶媒等々)。さらに、本発明による一実施形態にしたがうと、洗浄剤ディスペンサ126は、傾斜した処理面に沿ってウエハの上面122aおよび底面122bの上方を運動方向139’に(すなわちウエハ122の半径rの上方を)往復運動するように設計される。
【0031】
さらに、一実施例では、角度付きSRDモジュールの中でウエハ122に対して実施される洗浄動作が、さらに、ウエハ122の上面122aおよび底面122bを処理面において(すなわち一角度で)スクラブすることを含んで良い。例えば、一実施形態では、角度付きSRDモジュールは、筐体102の中にトップブラシローラおよびボトムブラシローラを設けられて良い。トップブラシローラおよびボトムブラシローラのそれぞれは、方向付けられた通りに、ウエハ122の上面122aおよび底面122bをそれぞれ洗浄するように構成される。
【0032】
図に示すように、角度付きSRDモジュールの中でウエハ122に対して実施される洗浄動作は、メガソニックスプレーアセンブリ136を装備し、それを通してメガソニックを供給することによって向上される。図に示すように、メガソニックスプレーアセンブリ136は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bをそれぞれに洗浄するように構成されたトップメガソニックスプレー136aおよびボトムメガソニックスプレー136bを含む。図に示すように、トップメガソニックスプレー136aは、トップメガソニックスプレーノズル138aに取り付けられたトップメガソニックアーム137aを含む。トップメガソニックスプレーノズル138aは、メガソニック周波数(megasonic frequency)の音波を用いて加振された液体をウエハ122の上面122aに吹き付けるように構成される。同様に、ボトムメガソニックスプレー136aのメガソニックアーム137bに固定されたボトムメガソニックスプレーノズル138bは、メガソニック周波数の音波を用いて加振された液体をウエハ122の底面122bに円錐状に吹き付ける。液体は、トップメガソニックアーム137aおよびボトムメガソニックアーム137bのそれぞれを貫く対応するチューブまたは他の中空の通路を通って、トップメガソニックスプレーノズル138aおよびボトムメガソニックスプレーノズル138bのそれぞれに送られる。
【0033】
この実施形態では、トップメガソニックスプレーノズル138aおよびボトムメガソニックスプレーノズル138はそれぞれ回転するように構成される。別の実施例では、トップメガソニックスプレーノズル138aおよびボトムメガソニックスプレー136bのそれぞれは、回転するだけでなく、ウエハ122の上面122aおよび底面122bの上方を、傾斜した処理面に沿ってメガソニック運動方向139に往復運動するように構成される。すなわち、トップメガソニックスプレーノズル138aおよびボトムメガソニックスプレーノズル138は、ウエハ122の中心からウエハ122の縁へと移動し、次いでウエハ122の縁からウエハ122の中心に戻る(すなわちウエハ122の半径rの上方を往復運動する)ように構成される。したがって、メガソニックスプレーアセンブリ136は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bに残留する細かい粒子状汚染物、残留物、および化学物質をほぐしたり、柔らかくしたり、取り除いたり、除去したりすることによって、ウエハ122の洗浄に続く洗浄剤ディスペンサ126による洗浄を向上させる。
【0034】
当業者ならば明らかなように、別の実施形態において、メガソニックスプレーアセンブリ136は、メガソニック周波数の音波を用いて加振された液体をウエハ122の上面および底面に吹き付けられさえすれば、異なる構成要素を有していても良い。さらに、メガソニックスプレーアセンブリ136は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bに任意の適切な液体を吹き付けても良い(例えば脱イオン水等)。また、円錐状に吹き付けられるメガソニックの継続時間と強さは、予め設定されたプロセス−データ要求事項に依存する。
【0035】
引き続き図1の実施形態に関して、角度付きSRDモジュール100の乾燥動作は、ガス分配メカニズムおよび分散型ガスフローメカニズムの2つの個々の要素を実施する乾燥補助プロセスによって向上される。ガス分配メカニズムに関しては、角度付きSRDモジュールは、穴124a−1,124a−1’,125b−1を通って筐体102に挿入された複数のノズル124a,124a’(不図示),124bを含む。図に示すように、各ノズル124a,124a’,124bは、各ノズルを経て分配されたガスが第1の駆動ローラ120a、第2の駆動ローラ120a’、拘束ローラ120bにそれぞれ供給されるように、筐体102の内部に配置される。このように、ノズル124a,124a’,124bを経て分配されたガスは、第1および第2の駆動ローラ120a,120a’ならびに拘束ローラ120bのそれぞれに残留するあらゆる液体を吹き飛ばし、これらのローラおよび処理されているウエハ122の縁を乾燥させる。ノズル124a,124a’,124bを通して行われるガスの分配は、ウエハ122の上面122aおよび底面122bから液体を吹き飛ばすことによって、これらの表面の洗浄をさらに向上させる。したがって、このようなガス分配メカニズムは、ウエハの縁および表面の乾燥を向上させると同時にローラを乾燥させることもできる。
【0036】
例えば、この実施形態では、ガスを噴出させるノズル124a,124a’,124bは、第1および第2のローラ120a,120a’ならびに拘束ローラ120bに加熱窒素を分配するように構成される。しかしながら、別の実施形態では、駆動ローラ120a,120a’および拘束ローラ120b、ウエハ122の縁、ならびにウエハ122の上面122aおよび底面122bの乾燥を促進するために、あらゆる適切なガスを使用することができる(例えばCO2、クリーンドライエア(CDA)、窒素等)。
【0037】
ウエハの乾燥は、分散型ガスフローメカニズムを用いることによって、さらに改善される。図に示すように、筐体102の内壁102aには、筐体102へのガスの流入を可能にする複数のガス送り穴130が設けられる。複数のガス送り穴130は、ガスの流入方向132をウエハ122の上面122aおよび底面122bに向けて方向付けるように構成される。このように、ガスを筐体102の中で一様に分散させることによって、ウエハ122の上面122aおよび底面122bの実質均一な乾燥が促進される。
【0038】
筐体102を通って分散されるガスは、ULPAフィルタを通されることが好ましい。また、好ましい実施形態では、空気または窒素のいずれかのガスが使用される。しかしながら、別の実施例では、ウエハ122の上面122aおよび底面122bの一様な乾燥を促進するために、あらゆる適切なガスを利用して良い。一実施例にしたがうと、ウエハ122の上面122aおよび底面122bには、後ほど詳述されるダクテッドエアフロー(ducted airflow)が排出される。
【0039】
引き続き図1の実施形態を参照すると、角度付きSRDモジュール100の筐体102は、さらに、筐体102の外側に配置されている排気管150に結合された排気孔150aを含む。排気孔150aは、筐体102の中のガスフローおよび流体フローを受け取って、それらを排気管150aを用いて筐体102の外に出すように構成される。筐体102の中の環境は、このように、モジュールのスピン・リンス・ドライ動作の間じゅう清浄に維持される。
【0040】
また、本発明による角度付きSRDモジュール100は、排気孔150を装備するだけでなく、SRD筐体102の外側に駆動モータ104,104’およびエアシリンダ140をも設けることによって、筐体102の中に粒子状汚染物がさらに侵入することを防いでいる。さらに、ローラ駆動軸116,116’およびピストン142は、それぞれがシール対118,148にぴたりと嵌るように構成される。シール118,148は、筐体102の穴116a−1,116a−2,142a−1に近接して設けられる。シール118,148は、このように、ローラ駆動軸116およびピストン142にそれぞれの位置できちんと拘束することによって、余分な粒子状汚染物が筐体102に侵入するのを防ぐことができる。
【0041】
角度付きSRDモジュール100は、さらに、二重障壁型の筐体を採用している。つまり、SRDモジュール100は、筐体102に加えて、筐体102を取り囲むように構成された外部筐体102’(不図示)をも装備している。このように、外部筐体102’は、筐体102からのあらゆる液体漏れまたはガス漏れを封じ込めるように構成される。漏出が生じた際は、外部筐体102’と筐体102との間に設けられたドレインが、2つの筐体102,102’の間に捕らわれた廃棄物を処分するように構成される。
【0042】
したがって、本発明による角度付きSRDモジュール100は、ウエハ122の上面122a、底面122b、および縁を、徹底的に、迅速に、且つ効率的に洗浄し、乾燥させることができる。さらに、角度付きSRDモジュール100は、チャックやスピンドルフィンガの代わりに駆動ローラを利用してウエハを回転させるので、筐体102は、現行のSRDモジュールと比べて大幅に小さく、したがって、占有するクリーンルーム空間も小さい。また、角度付きSRDモジュール100による乾燥動作は、乾燥補助のメカニズムと、一角度でのウエハの処理と、高蒸発性の溶媒を使用したウエハの洗浄とを組み合わせた効果によって、さらに向上される。例えば、角度付きSRDモジュール100は、乾燥ウエハを得るために、約100RPMsの速度を採用することが好ましい。したがって、本発明による角度付きSRDモジュール100は、低RPMを採用して乾燥ウエハを得ることができるので、巨大なフレームを使用して支持する必要がない。したがって、本発明によるSRDモジュール100は、乾燥度および清浄度の高い処理済みウエハを、破壊度の低い速度を利用して効率良く得られるうえに、占有する空間も小さい。
【0043】
次に、図2Aを参照する。図2Aは、第1および第2の駆動ローラ120a,120a’と、ウエハを保持する拘束ローラ120bとを、本発明による一実施形態にしたがって示した透視図である。図に示すように、第1および第2の駆動ローラ120a,120bならびに拘束ローラ120bは、ウエハ122の縁の周りにおいて、各ローラが他のローラとの間にそれぞれ120度の角度を成すように配置される。つまり、第1の駆動ローラ120aと第2の駆動ローラ120a’とが成す角度αと、第1の駆動ローラ120aと拘束ローラ120bとが成す角度βと、拘束ローラ120bと第2の駆動ローラ120a’とが成す角度δは、120度に等しくなるように構成される。さらに、図に示すように、拘束ローラ120bは、運動方向121に往復運動するように設計される。
【0044】
なお、当業者ならば明らかなように、第1および第2の駆動ローラ120a,120bならびに拘束ローラ120bは、ウエハ122の周りにおいて、角度α、β、δが等しくならないように配置しても良い。また、別の実施形態では、スピン・リンス・ドライ動作時にウエハを回転させるために、1つまたは2つ以上の駆動ローラを装備しても良い。
【0045】
エンドエフェクタによるウエハ122のロード時における拘束ローラ120bの運動は、本発明による一実施形態にしたがった図2Bおよび図2Cを参照にして、さらに理解することができる。図2Bに示すように、複数の吸盤152a’を有するエンドエフェクタ152に取り付けられたブレード154が、ウエハ122をロードする目的で運動方向153aに進むにつれて、拘束ローラ120bは、運動方向121aに引き離される。このように、エンドエフェクタ152は、第1および第2の駆動ローラ120a,120a’にウエハ122を引き渡すために十分な空間距離を有する。その後、図2Cに示すように、SRDモジュールへのウエハのロードに続いて、エンドエフェクタアーム152が運動方向153bに後退し、拘束ローラ120bの進路から外れると、拘束ローラ120bは、解放されて元の位置に戻る。したがって、図4A〜4Dおよび図5に関連して後ほど詳述されるように、本発明による角度付きSRDモジュール100では、ウエハをロードおよびアンロードするために必要な動作の数が低減される。
【0046】
図3Aおよび図3Bを参照にすると、第1および第2の駆動ローラならびに拘束ローラによるウエハ122の拘束、そして駆動ローラおよび拘束ローラの構造が、さらに理解される。図3Aは、ウエハ122を固定する第1の駆動ローラ120aおよび第2の駆動ローラ120a’の概略を、本発明による一実施形態にしたがって示した側面図である。図に示すように、第1の駆動ローラ120aは、下部車輪120a−1と、上部車輪120a−2と、処理するべきウエハ122を拘束するためのグリップ止め輪対120a−3とを有する。同様に、第2の駆動ローラ120a’は、下部車輪120a’−1と、上部車輪120a’−2と、ウエハ122を拘束するためのグリップ止め輪対120a’−3とを含むように構成される。
【0047】
第1の駆動ローラ120aの分解図である図3Bに詳しく示されるように、グリップ止め輪対120a−3は、下部グリップ止め輪120a−3aと、上部グリップ止め輪120a−3bと、V字形の溝120a−3cとを有する。V字形の溝120a−3cは、スピン・リンス・ドライ動作時にウエハ122が回転されている間、そのウエハを拘束して同ウエハを固定するように構成される。一実現形態において、第1および第2の駆動ローラ120a,120a’ならびに拘束ローラ120bは、ウエハの固定および拘束のために、V字形の溝の中にポリウレタン製のパッドを装備していることが好ましい。しかしながら、別の実施例では、第1および第2の駆動ローラ120a,120bならびに拘束ローラ120bは、V字形の溝を有するポリウレタン製の切削ローラである。
【0048】
SRDモジュール100に対するウエハのロードおよびアンロード、ならびにロードステーション164の入力カセット168から出力カセット158へのウエハの移送は、図4A〜4Dとの関連においてさらに理解される。図4Aの実施形態の側面図に示されるように、ロボット156は、エンドエフェクタ152およびブレード156が水平方向にあるときに、エンドエフェクタ152を使用して入力カセット168からウエハ122を抜き出す。
【0049】
続いて、図4Bに示すように、ロボット156は、SRDモジュール100の高さまで伸長される。図に示すように、ブレード154は、エンドエフェクタ152を、ひいてはウエハ122を移動させ、ウエハ122を処理面の角度方向に配置する。このようにして、ウエハのロード時における不要なステップが排除され、角度付きSRDモジュールの効率が向上される。
【0050】
図4Cに示すように、SRDモジュール100がウエハ122の処理を終了すると、エンドエフェクタ152は、ウエハ122を角度方向のままSRDモジュールから抜き出す。こうして、ウエハ122のアンロード時における不要なステップも排除される。その後、ブレード156は、清浄なウエハ122を出力ステーションに移送するために、エンドエフェクタ152とウエハ122とを移動させて水平方向に並ばせる。図4Cに示すように、一実現形態において、エンドエフェクタ152は、出力棚162の上に設けられたベース160の上に配置されている出力カセット158にウエハ122を取り出す。図に示すように、出力カセット158は、多数の清浄なウエハ122を保持するように構成される。別の実施形態では、図5に関連して後述されるように、出力カセット158の代わりに標準メカニカルインターフェース(SMIF)ポッドが使用されても良い。
【0051】
ウエハ122が挿入/処理角度でSRDモジュール100に挿入される様子が、本発明による一実施形態にしたがって図4Dに示されている。図に示すように、筐体102の側壁102bには角度方向を有する窓102cが設けられており、これは、エンドエフェクタ52がウエハ122を挿入/処理角度で効率良くSRDモジュールに挿入することを可能にしている。処理するべきウエハ122をエンドエフェクタ152によって挿入するための経路を開くために、窓102cは、エンドエフェクタがSRDモジュールに近づくにつれて押し下げられる。窓102cを角度方向に設けると、ウエハ122をロードおよびアンロードするためにエンドエフェクタ152が必要とする動作の数は減少する。具体的に言うと、各窓102cが存在することによって、挿入されるウエハ122およびエンドエフェクタ152は、ウエハ処理面と水平面との間に形成される角度に実質的に等しい角度(すなわち処理角度θ)を水平面との間に成すことが可能である。
【0052】
これらの実施形態では、ローラに対してウエハ122をロード/アンロードするためにエンドエフェクタが使用されたが、当業者ならば明らかなように、第1および第2の駆動ローラ120a,120bに対してウエハをロードおよびアンロードする機能を達成できさえすれば、他の同等なメカニズムを使用することも可能である。
【0053】
図5に示すように、代表的な一実施形態において、エンドエフェクタ152は、清浄なウエハ122を標準メカニカルインターフェース(SMIF)ポッド159に取り出すように構成される。図に示すように、SMIFポッド159は、出力棚162’の上に設けられたベース160’の上に配置されている出力カセット158’を含む。したがって、SMIFポッド159が清浄なウエハ122で満杯になると、出力棚162’は下降し、SMIFポッド159にカバーを取り付けられるので、清浄なウエハ122を清浄な環境に維持することができる。
【0054】
次に、角度付きSRDモジュールにおいてウエハを処理する際に実施される方法動作を、本発明による一実現形態にしたがって示した、図6のフローチャート600が参照される。この方法は、角度付きSRDモジュールの中で処理するべきウエハが識別される動作602からスタートする。次に、動作604では、識別されたウエハがエンドエフェクタを使用して取り出される。続いて、動作606では、SRDモジュールがウエハ受け取り位置に配置される。例えば、一実施形態では、SRDモジュールの側壁に一角度で設けられた窓が引き下げられ、エンドエフェクタを挿入するための経路が形成される。また、窓が開かれるのに加えて、SRDモジュールの中の処理面に設けられた引き込み式の拘束ローラがエンドエフェクタの経路から引き離される。
【0055】
動作608に続いて、エンドエフェクタは、取り出したウエハを移動させて挿入角度を取らせる。挿入角度は、処理角度に実質的に等しい角度を採ることによって、エンドエフェクタがウエハを挿入するために必要とする動作の数を減少させることが好ましい。その後、動作610では、処理するべきウエハが挿入角度でSRDモジュールに挿入される。最後に、動作612では、SRDモジュールが処理位置に配置される。つまり、ウエハをロードするための空間距離を提供するために初期位置から離れていた拘束ローラが、解放されて初期位置に戻る。
【0056】
次に、角度付きSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法動作を、本発明による一実現形態にしたがって示した、図7のフローチャート700が参照される。この方法700は、ウエハが一角度で回転される動作702からスタートし、次に、ウエハの上面および底面が洗浄される動作704に続く。図1に関連して詳述されたように、ウエハの洗浄は、回転されているウエハの上面および底面の両方に洗浄液を供給するように構成された洗浄液ディスペンサを使用して実施される。洗浄動作は、ウエハの上面および底面に残留する粒子状汚染物、残留物、および化学物質を取り除き、ほぐし、そして除去するように構成されることが好ましい。
【0057】
続いて、動作706では、ウエハの上面および底面に対して一度目のすすぎが行われる。その後、方法は、ウエハの上面および底面にメガソニックが供給される動作708に続く。メガソニックは、ウエハの上面および底面に残留する細かい粒子状汚染物、残留物、および化学物質を取り除き、ほぐし、そして除去するように供給されることが好ましい。次に、動作710では、ウエハの上面および底面に対して二度目のすすぎが行われる。最後に、動作712では、ウエハが一角度で回転されることによって乾燥される。好ましい実施形態では、図1に関連して詳述された乾燥補助メカニズムによる補助によって、ウエハの乾燥が促進される。
【0058】
本発明による一実施形態にしたがった、ウエハを洗浄する際の方法動作が、図8のフローチャート800に示されている。図に示すように、方法800は、ウエハが一角度で回転される動作802からスタートし、次いで、ウエハの上面および底面がフッ化水素酸(HF)と脱イオン水との混合物の供給によって洗浄される動作804に続く。フッ化水素酸(HF)と脱イオン水との混合物におけるHFの濃度は、約1%から約2%の範囲であることが好ましい。
【0059】
続く動作806では、ウエハの上面および底面にメガソニックが供給される。続いて、動作808では、ウエハの上面および底面に、イソプロピルアルコールと脱イオン水との混合物が供給される。最後に、動作810では、ウエハが一角度で回転され乾燥される。
【0060】
図9のフローチャート900は、角度付きスピン・ドライ・リンスモジュールにおいてウエハを洗浄するための方法動作を、本発明による別の一実施形態にしたがって示している。この洗浄方法900は、ウエハが一角度で回転される動作902からスタートし、次に、ウエハの上面および底面に脱イオン水が供給される動作904に続く。続いて、動作906では、イソプロピルアルコールと脱イオン水との混合物の供給によって、ウエハの上面および底面がすすがれる。最後に、動作908では、ウエハが一角度で回転され乾燥される。
【0061】
本発明によるさらに別の一実施形態にしたがった、ウエハを洗浄する際の方法動作が、図10のフローチャート1000に示されている。方法1000は、ウエハが一角度で回転される動作1002からスタートし、次いで、ウエハの上面および底面がフッ化水素酸(HF)と脱イオン水との混合物の供給によってすすがれる動作1004に続く。続いて、動作1006では、イソプロピルアルコールと脱イオン水との混合物の供給によって、ウエハの上面および底面がすすがれる。最後に、動作1008では、ウエハが一角度で回転され乾燥される。
【0062】
方法動作600〜1000に示されるように、ローラによってウエハを拘束し、そのウエハを一角度で回転させると同時にスピン・リンス・ドライさせる特徴は、ウエハをロードおよびアンロードするために必要とされるエンドエフェクタ動作の数が減少するという点で有益である。また、ウエハの乾燥は、非破壊的なかなり小さいRPMsを使用して促進される。さらに、ローラを使用してウエハを拘束すると、ウエハの上面および底面が確実に洗浄されるうえに、SRDモジュールの大きさも大幅に低減される。
【0063】
以上の説明では、発明の明瞭な理解を促す目的で一部の項目を特定したが、添付した特許請求の範囲の範囲内ならば、一定の変更および修正を加えられることは明らかである。例えば、本明細書で説明された実施形態は、主としてウエハのスピン・スピン・ドライ(SRD)に関するものであったが、本発明による角度付きSRDモジュールは、あらゆる種類の基板をスピン・リンスするのに適している。さらに、本発明による角度付きSRDモジュールは、必要に応じて、ハードディスク等のあらゆる大きさのウエハまたは基板をスピン・リンスするのにも適している。また、本発明による実施形態は、駆動ローラを回転させるためにモータを、そして拘束ローラを移動させるためにエアシリンダを装備しているが、当業者ならば明らかなように、これらの機能を実施できさえすれば、あらゆる適切なデバイスが使用可能である。したがって、上述した実施形態は、例示的なものであって限定的なものではなく、本発明は、上述した詳細に限定されることなく、添付した特許請求の範囲およびその同等物の範囲内で変更を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0064】
【図1】代表的な角度付きスピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールの概略を、本発明による一実施形態にしたがって示した断面図である。
【図2A】第1および第2の駆動ローラと、ウエハを拘束する拘束ローラとを、本発明による一実施形態にしたがって示した透視図である。
【図2B】、エンドエフェクタによるウエハのロード時に拘束ローラが移動する様子を、本発明による別の一実施形態にしたがって示した上面図である。
【図2C】エンドエフェクタによるウエハのロードに続いて拘束ローラが最初の位置に戻る様子を、本発明によるさらに別の一実施形態にしたがって示した上面図である。
【図3A】ウエハを固定する第1および第2の駆動ローラの概略を、本発明による一実施形態にしたがって示した側面図である。
【図3B】本発明によるさらに別の一実施形態にしたがって駆動ローラを示した分解図である。
【図4A】エンドエフェクタが入力カセットからウエハを取り出す様子の概略を、本発明によるさらに別の一実施形態にしたがって示した側面図である。
【図4B】エンドエフェクタがウエハを処理面の角度方向に平行になるように位置合わせしなおす様子の概略を、本発明による一実施形態にしたがって示した側面図である。
【図4C】角度付きSRDモジュールからの処理済みウエハのアンロードに続いてそのウエハが再度位置合わせされる様子と、そのウエハが出力カセットに移される様子との概略を、本発明による一実施形態にしたがって示した側面図である。
【図4D】ウエハが角度付きSRDモジュールに挿入/処理角度で挿入される様子を、本発明による一実施形態にしたがって示した図である。
【図5】エンドエフェクタが標準メカニカルインターフェース(SMIF)ポッドに処理済みのウエハを移す様子を、本発明による一実施形態にしたがって示した図である。
【図6】角度付きSRDモジュールにおいてウエハを処理する際に実施される方法動作を、本発明による一実施形態にしたがって示したフローチャートである。
【図7】角度付きSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法動作を、本発明によるさらに別の一態様にしたがって示したフローチャートである。
【図8】角度付きSRDモジュールにおいてウエハを洗浄する際に実施される方法動作を、本発明による別の一態様にしたがって示したフローチャートである。
【図9】角度付きスピン・ドライ・リンスモジュールにおいてウエハを洗浄するための方法動作を、本発明によるさらに別の一態様にしたがって示したフローチャートである。
【図10】角度付きSRDモジュールにおいてウエハを洗浄する際に実施される方法動作を、本発明によるさらに別の一態様にしたがって示したフローチャートである。
【符号の説明】
【0065】
100…角度付きSRDモジュール
102…筐体
102’…外部筐体
102a…筐体の内壁
102b…筐体の側壁
102c…窓
104…駆動モータ
106…回転方向
110…モータ駆動軸
112…駆動ベルト
114a…駆動プーリ
114b…駆動プーリ
116…ローラ駆動シャフト
116a…穴
116a−1…穴
116a−2…穴
118…シール対
120a…第1の駆動ローラ
120a’…第2の駆動ローラ
120a−1…下部車輪
120a−1’…下部車輪
120a−2…上部車輪
120a−2’…上部車輪
120a−3…グリップ止め輪対
120a−3’…グリップ止め輪対
120a−3a…下部グリップ止め輪
120a−3b…上部グリップ止め輪
120a−3c…V字形の溝
120b…拘束ローラ
122…ウエハ
122a…ウエハの上面
122b…ウエハの底面
124a−1,124a−1’,124b−1…穴
124a,124a’,124b…ノズル
126…洗浄剤ディスペンサ
126a…トップディスペンサ
126b…ボトムディスペンサ
126a−1…トップディスペンサの対応面
126b−1…ボトムディスペンサの対応面
128…オリフィス
130…ガス送り穴
132…ガス流入方向
134…流体ジェットストリーム
136…メガソニックスプレーアセンブリ
136a…トップメガソニックスプレー
136b…ボトムメガソニックスプレー
137a…トップメガソニックアーム
137b…ボトムメガソニックアーム
138a…トップメガソニックスプレーノズル
138b…ボトムメガソニックスプレーノズル
139’…運動方向
140…エアシリンダ
142…ピストン
142a…穴
142a−1…穴
144…運動方向
146…アーム
148…シール対
150…排気管
150a…排気孔
152…エンドエフェクタ
152a’…吸盤
153a…運動方向
153b…運動方向
154…ブレード
156…ロボット
158…出力カセット
158…出力カセット
159…SMIFポッド
160…ベース
160’…ベース
162…出力棚
162’…出力棚
164…ロードステーション
168…入力カセット
Claims (24)
- スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
水平面との間に前記SRDモジュールの性能を最適化するような処理角度をなすように構成された処理面においてウエハを拘束する工程と、
前記処理面において前記ウエハを回転させる工程と、
前記処理面において前記ウエハを回転させつつ前記ウエハの上面および底面を洗浄する工程と、
を備える処理方法。 - 請求項1に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
前記洗浄のステップは、スクラブ、すすぎ、およびメガソニック流体の供給のいずれか1つを含む、処理方法。 - 請求項1に記載のSRDモジュールにおいて基板を処理するための方法であって、
前記処理面において前記ウエハを拘束する工程は、
前記SRDモジュールを、基盤の受け取り位置に位置決めする工程と、
処理対象となる前記基盤の方向を、挿入角度によって規定された挿入位置に合わせる工程と、
前記基盤を、前記挿入角度で前記SRDモジュールに挿入する工程と、
前記SRDモジュールを、処理位置に配置する工程と、
を含む、処理方法。 - 請求項3に記載のSRDモジュールにおいて基板を処理するための方法であって、
前記SRDモジュールを基板の受け取り位置に配置する工程は、前記SRDモジュールの側壁に設けられた窓を開く工程を含む、処理方法。 - 請求項3に記載のSRDモジュールにおいて基板を処理するための方法であって、
処理対象となる前記基板の方向を前記挿入位置に合わせる工程は、前記基板を移動させて、前記基板と水平面との間に前記挿入角度を形成させる工程を含む、処理方法。 - 請求項3に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
前記処理面において前記ウエハを拘束する工程は、
前記ウエハを挿入するためのクリアランスを確保しつつ、拘束ローラを第1の位置から第2の位置へと移動させる工程、
処理対象となる前記ウエハを、前記挿入角度で挿入する工程と、
駆動ローラ対を使用して、処理対象となる前記ウエハを拘束する工程と、
前記拘束ローラを解放して前記第1の位置に戻らせる工程と、
前記拘束ローラを使用して処理対象となる前記ウエハを拘束する工程と、
を含む、処理方法。 - 請求項6に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
前記挿入角度は、前記処理角度に実質的に等しくなるように構成されている、処理方法。 - 請求項1に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
前記処理面において前記ウエハを回転させる工程は、駆動ローラ対を使用して前記ウエハを回転させる工程を含む、処理方法。 - 請求項1に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
前記ウエハを前記処理面において回転させつつ前記ウエハの前記上面および前記底面を洗浄する工程は、
前記基板の前記上面に洗浄液を供給する工程であって、前記供給が前記ウエハの前記上面の一セクタ上において、前記洗浄液からなる実質的に均一な層を形成するように構成された工程と、
前記基板の前記底面に前記洗浄液を供給する工程であって、前記供給が前記ウエハの前記底面の一セクタ上において、前記洗浄液からなる実質的に均一な層を形成するように構成された工程と、
を含む、処理方法。 - 請求項2に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
前記メガソニック流体の供給は、
前記基板の前記上面にメガソニック流体を供給する工程であって、前記供給が前記ウエハの前記上面の一セクタ上に、前記メガソニック流体からなる実質的に均一な層を形成するように構成された工程と、
前記基板の前記底面に前記メガソニック流体を供給する工程であって、前記供給が前記ウエハの前記底面の一セクタ上に、前記メガソニック流体からなる実質的に均一な層を形成するように構成された工程と、
を含む、処理方法。 - 請求項1に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、さらに、
前記処理中のウエハの縁に、第1のガスを供給する工程と、
前記処理中のウエハの前記上面および前記底面に第2のガスを供給する工程であって、前記第2のガスが前記SRDモジュールの内壁に分散配置された供給孔を通じて導入される工程と、
を備える、処理方法。 - スピン・リンス・ドライ(SRD)モジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、
処理面においてウエハを拘束する工程あって、前記処理面が前記水平面との間に処理角度を成すように構成され、前記処理角度が前記ウエハの乾燥を最適化するように構成された工程と、
前記処理面において前記ウエハを回転させる工程と、
前記処理面において前記ウエハを回転させつつ前記ウエハの上面および底面を洗浄する工程と、
前記処理面において前記ウエハを回転させつつ前記ウエハの前記上面および前記底面を乾燥させる工程と、
を備える、処理方法。 - 請求項12に記載のSRDモジュールにおいてウエハを処理するための方法であって、さらに、
前記処理面において前記ウエハを回転させつつ前記ウエハの前記上面および前記底面にメガソニックフローを供給する工程を備える、処理方法。 - ウエハ処理モジュールであって、
ウエハ拘束ローラを収容する筐体を備え、
前記ウエハ拘束ローラは、1つの角度に方向付けられるとともに、処理中にウエハを一角度で回転させるように設計されている、ウエハ処理モジュール。 - 請求項14に記載のウエハ処理モジュールであって、
前記処理は、すすぎ、洗浄、乾燥、スクラブ、およびメガソニック流体の供給のいずれか1つを含む、ウエハ処理モジュール。 - 請求項14に記載のウエハ処理モジュールであって、さらに、
前記処理の少なくとも一部の最中において、前記ウエハの表面に流体を供給するように構成された少なくとも1つの洗浄剤ディスペンサを備える、ウエハ処理モジュール。 - 請求項14に記載のウエハ処理モジュールであって、さらに、
ウエハ拘束ローラの少なくとも1つに向けてガスフローを供給するように構成されたノズルを備える、ウエハ処理モジュール。 - 請求項14に記載のウエハ処理モジュールであって、さらに、
前記ウエハの表面にメガソニックスプレーを供給するためのメガソニックスプレーアセンブリを備えるウエハ処理モジュール。 - 請求項14に記載のウエハ処理モジュールであって、
前記ウエハ拘束ローラの少なくとも1つは駆動ローラである、ウエハ処理モジュール。 - スピン・リンス・ドライモジュールであって、
外壁を有する筐体であって、前記外壁が窓を含むように構成されており、前記窓が水平面との間に処理角度を成すように前記外壁に設けられている筐体と、
前記筐体の中に設けられた駆動ローラ対であって、処理対象となる基板を拘束した状態でその基板を回転させるように構成された駆動ローラ対と、
前記筐体の内部に設けられ、処理対象となる前記基板を拘束するように構成された拘束ローラと、
を備え、
前記拘束ローラおよび前記駆動ローラ対は、処理対象となる前記基板が前記水平面との間に前記処理角度に実質的に等しい角度を成すように、処理対象となる前記基板を拘束するように構成されている、スピン・リンス・ドライモジュール。 - 請求項20に記載のスピン・リンス・ドライモジュールであって、さらに、
前記筐体の中に設けられた洗浄剤ディスペンサであって、処理対象となる前記基板の上面および底面を洗浄するように構成された洗浄剤ディスペンサを備えるスピン・リンス・ドライモジュール。 - 請求項20に記載のスピン・リンス・ドライモジュールであって、さらに、
前記筐体の中に設けられたメガソニックアセンブリあって、処理対象となる前記基板の上面および底面に供給されるように構成されたメガソニックアセンブリを備える、スピン・リンス・ドライモジュール。 - 請求項20に記載のスピン・リンス・ドライモジュールであって、さらに、
前記筐体の内壁に設けられた複数のガスブローノズルを備え、
前記複数のガスブローノズルは、少なくとも1つのエアブローノズルが前記駆動ローラおよび前記拘束ローラのそれぞれに第1のガスを供給するように構成されている、スピン・リンス・ドライモジュール。 - 請求項20に記載のスピン・リンス・ドライモジュールであって、さらに、
前記筐体に第2のガスを導入できるように、前記筐体の内壁に設けられた複数の穴を備え、
前記複数の穴は、前記第2のガスが処理対象となる前記基板の上面および底面を実質的に均一に乾燥させるように構成されている、スピン・リンス・ドライモジュール。
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---|---|---|---|
US09/823,813 US6748961B2 (en) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022036416A (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持回転機構、基板処理装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6392334B1 (en) * | 1998-10-13 | 2002-05-21 | Micron Technology, Inc. | Flat panel display including capacitor for alignment of baseplate and faceplate |
JP4011900B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6992023B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-01-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for drying semiconductor wafers in a spin coating process |
US7077916B2 (en) * | 2002-03-11 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate cleaning method and cleaning apparatus |
WO2004074931A2 (en) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for megasonic cleaning of patterned substrates |
US7040330B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-05-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for megasonic cleaning of patterned substrates |
CN1933759B (zh) * | 2004-03-31 | 2010-12-15 | 兰姆研究有限公司 | 利用相容化学品的基板刷子擦洗和接近清洗干燥程序、接近基板制备程序和实施前述程序的方法、设备和系统 |
US20060157095A1 (en) * | 2005-01-19 | 2006-07-20 | Pham Xuyen N | Systems and methods for spinning semiconductor wafers |
US10179351B2 (en) | 2005-02-07 | 2019-01-15 | Planar Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for cleaning flat objects with pulsed liquid jet |
US9799536B2 (en) * | 2005-02-07 | 2017-10-24 | Planar Semiconductor, Inc. | Apparatus and method for cleaning flat objects in a vertical orientation with pulsed liquid jet |
US8327861B2 (en) * | 2006-12-19 | 2012-12-11 | Lam Research Corporation | Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts |
US20080155852A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Olgado Donald J K | Multiple substrate vapor drying systems and methods |
US20090217953A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Hui Chen | Drive roller for a cleaning system |
US8465423B2 (en) * | 2008-10-27 | 2013-06-18 | William M. Hasbun | Portable diagnostic instrument and a method for its use |
JP2012178458A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法 |
WO2017052642A1 (en) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | Sri Ranga Sai Boyapati | Electronic assembly that includes void free holes |
US10957529B2 (en) * | 2016-11-28 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for drying wafer with gaseous fluid |
US11551942B2 (en) | 2020-09-15 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning a substrate after processing |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1915714C3 (de) * | 1969-03-27 | 1975-07-10 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zum Xtzen von Halbleiterscheiben mit einem mit Ätzflüssigkeit gefüllten Gefäß und einem in die Ätzflüssigkeit eingetauchten, mit waagrechter Achse rotierenden Ätzkorb |
US4021278A (en) | 1975-12-12 | 1977-05-03 | International Business Machines Corporation | Reduced meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers |
US4325394A (en) * | 1980-08-25 | 1982-04-20 | Micro Air Systems, Inc. | Submersible motor chemical processing apparatus |
FR2516408B1 (fr) * | 1981-11-19 | 1985-07-26 | Dassault Electronique | Machine a laver les circuits electroniques |
JPH0673352B2 (ja) * | 1984-05-18 | 1994-09-14 | 松下電器産業株式会社 | 高圧ジェット洗浄方法 |
JPS6156292A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-20 | Toshiba Corp | 電鋳装置 |
JPS6325627A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示装置 |
JPS63190678A (ja) | 1987-01-30 | 1988-08-08 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 塗布装置 |
JPS63253627A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH0795540B2 (ja) * | 1988-04-11 | 1995-10-11 | 株式会社日立製作所 | 超音波洗浄スプレイノズルを用いた基板両面の洗浄方法及び洗浄装置 |
JPH0212819A (ja) | 1988-06-29 | 1990-01-17 | Nec Corp | 半導体ウェハーの遠心脱水方法 |
JPH02253620A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の洗浄装置 |
JPH03257826A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄方法 |
JPH053184A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Sony Corp | ウエハの洗浄方法 |
JPH0532471A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-09 | Inax Corp | 施釉装置 |
JPH06196465A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウエハの洗浄装置 |
JPH0714811A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Hitachi Ltd | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 |
JPH07283185A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Casio Comput Co Ltd | 基板洗浄装置 |
US6447232B1 (en) * | 1994-04-28 | 2002-09-10 | Semitool, Inc. | Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system |
JP3118142B2 (ja) * | 1994-06-03 | 2000-12-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US5762084A (en) * | 1994-07-15 | 1998-06-09 | Ontrak Systems, Inc. | Megasonic bath |
JPH08238463A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JPH08254695A (ja) | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | 液晶パネル用カラーフィルタの製造方法および製造装置 |
US5597460A (en) * | 1995-11-13 | 1997-01-28 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Plating cell having laminar flow sparger |
JPH09162150A (ja) | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Nec Kansai Ltd | 分割されたウェーハの洗浄装置 |
US5927305A (en) | 1996-02-20 | 1999-07-27 | Pre-Tech Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
JP2793554B2 (ja) * | 1996-04-25 | 1998-09-03 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3050524B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2000-06-12 | スピードファムクリーンシステム株式会社 | ワーク搬送用キャリヤ装置 |
JP3624054B2 (ja) * | 1996-06-18 | 2005-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
JPH10242110A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 回転処理方法および回転処理装置 |
JP3549141B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2004-08-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板保持装置 |
JPH1124282A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト現像装置及び現像方法 |
US5884640A (en) * | 1997-08-07 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for drying substrates |
US6213853B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-04-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces |
US5933902A (en) * | 1997-11-18 | 1999-08-10 | Frey; Bernhard M. | Wafer cleaning system |
JP3333733B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2002-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
US6286524B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wafer drying apparatus and method with residual particle removability enhancement |
JP3925580B2 (ja) | 1998-03-05 | 2007-06-06 | スピードファム株式会社 | ウェーハ加工装置および加工方法 |
JPH11354480A (ja) | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ウエハ洗浄方法及びウエハ洗浄装置 |
US6220259B1 (en) * | 1998-11-11 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Tank design for sonic wafer cleaning |
US6311702B1 (en) * | 1998-11-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Megasonic cleaner |
JP3556110B2 (ja) | 1998-12-22 | 2004-08-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
DE19904548C2 (de) * | 1999-02-04 | 2001-07-05 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten |
US6248009B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-06-19 | Ebara Corporation | Apparatus for cleaning substrate |
US6575177B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-06-10 | Applied Materials Inc. | Semiconductor substrate cleaning system |
JP4481394B2 (ja) | 1999-08-13 | 2010-06-16 | 株式会社荏原製作所 | 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法 |
US6192600B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-02-27 | Semitool, Inc. | Thermocapillary dryer |
US6457199B1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-10-01 | Lam Research Corporation | Substrate processing in an immersion, scrub and dry system |
JP3432796B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2003-08-04 | 株式会社石井表記 | 基板スピン装置 |
-
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Cited By (2)
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