KR102403789B1 - 바울의 제조 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 제공되는 바울을 제조하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 바울 제조 방법은, 바울을 준비하는 단계와; 상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계를 포함한다.

Description

바울의 제조 방법 및 기판 처리 장치{METHOD FOR MANUFACTURING BOWL AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 제공되는 바울을 제조하는 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 및 디스플레이 제조 설비에는 반도체 및 디스플레이 제조를 위한 기판의 처리, 예를 들어 세정을 위한 기판 처리 장치가 적용되는데, 이러한 기판 처리 장치는 기판이 올려지는 지지 부재와, 지지 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재와, 처리액 공급 부재에서 지지 부재 상의 기판으로 공급되었다가 기판으로부터 이탈되는 처리액을 수용하는 바울을 포함한다.
종래의 바울에 의하면, 기판 처리 장치의 작동에 따라 바울에 정전기가 발생되었고, 바울이 수지 재질로 이루어지기 때문에, 정전기를 제거하기 어려운 문제가 있었으며, 발생된 정전기로 인해 웨이퍼 등의 기판이 영향을 받아서 불량이 발생되고, 먼지 등의 이물질이 바울에 들러붙는 문제가 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
정전기 발생이 저감되는 바울을 제조하는 방법 및 정전기 발생이 저감되는 바울을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치에 제공되는 바울을 제조하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 바울 제조 방법은, 바울을 준비하는 단계와; 상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울은 수지 소재로 제공되는 것일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울은 내산성이 높은 수지 계열의 소재로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울은 폴리프로필렌 또는 테플론을 포함하는 소재로 제공 될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 이온빔의 이온 밀도는 1016 내지 1017 ions/cm2일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 이온빔의 가속 에너지는 20keV 내지 100keV일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 이온빔을 조사는 단계는 10분 이상 상기 바울의 열변형이 발생되기 전까지 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계는 10-5Torr 이하의 분위기에서 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계는 상온 분위기에서 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계는 상기 바울을 회전시키면서 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 이온빔의 소스는 희가스 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 이온빔의 소스는 질소(N), 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 크세논(Xe) 중 어느 하나 이상으로 제공되는 것 일 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 피처리 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 부재와; 상기 기판 지지 부재를 둘러싸도록 제공되며, 표면에 이온빔을 소정 시간 조사하여 표면이 개질된 수지 소재의 바울과; 상기 기판 지지 부재에 지지된 피처리 기판에 대하여 처리액을 공급하는 액 공급 부재를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 처리액은 감광액 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울은 폴리프로필렌 또는 테플론을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울의 표면 저항은 108Ω/
Figure 112020023964358-pat00001
이하일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 이온빔의 소스는 희가스 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 이온빔의 소스는 질소(N), 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 크세논(Xe) 중 어느 하나 이상으로 제공되는 것 일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 바울은 대전방지제를 포함하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 바울 제조 방법에 의하면, 정전기 발생이 저감되는 바울을 얻을 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 일 사용 상태를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 사용에 따라 바울의 표면에 처리액이 잔존하는 모습을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울의 제조 방법을 나타낸 플로우 차트이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울에 대한 이온빔 조사 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예의 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 처리액을 도포하는데 사용될 수 있다. 일 예로 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액, 순수 또는 솔벤트와 같은 린스액 또는 현상액으로 제공되는 것으로서, 장치는 기판에 대해 도포 공정, 세정 공정 또는 현상 공정을 수행하는데 사용될 수 있다. 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 1을 통해 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 부재(830), 액 공급 부재(840), 바울(860), 승강 유닛(870) 그리고 제어기(890)을 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 통으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 바울(860) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 바울(860)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 부재(830)는 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(830)는 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 부재(830)은 지지 플레이트(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 지지 플레이트(832)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(832)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(832)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 선택적으로, 지지 플레이트(832)는 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. 회전축(834)은 지지 플레이트(832)의 아래에서 지지 플레이트(832)를 지지한다. 회전축(834)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 모터일 수 있다.
액 공급 부재(840)는 기판(W) 상에 린스액 또는 처리액을 공급한다. 액 공급 부재(840)는 린스 노즐(842) 및 처리 노즐(844)을 포함할 수 있다. 린스 노즐(842)은 린스액 공급 라인(843)으로부터 린스액을 공급받고, 처리 노즐(844)은 처리액 공급 라인(845)으로부터 처리액을 공급받는다. 린스 노즐(842)은 기판(W) 상에 린스액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 린스액은 처리액을 희석시키는 액일 수 있다. 린스액은 솔벤트와 같은 용제이고, 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 린스 노즐(842)은 중앙 위치 및 가장자리 위치에서 린스액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 중앙 위치에서 처리액을 공급한다. 여기서 중앙 위치는 린스 노즐(842) 또는 처리 노즐(844)이 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치이고, 가장자리 위치는 린스 노즐(842)이 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 위치이다.
바울(860)은 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 바울(860)은 내부에 처리 공간을 제공한다. 바울(860)은 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 바울(860)은 기판 지지 부재(830)을 감싸도록 제공되며, 회수 공간(868)을 형성한다. 회수 공간(868)은 액 도포 공정에 사용된 처리액이 회수되는 공간으로 제공된다. 바울(860)은 하부 파트(861), 내부 파트(862), 중간 파트(863), 상부 파트(864)를 포함한다.
하부 파트(861)는 벽부(861a)와 바닥부(861b)를 포함한다. 하부 파트(861)는 컵 형상으로 제공된다. 바닥부(861b)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다. 바닥부(861b)에는 회수 라인(855)이 형성된다. 회수 라인(855)은 회수 공간(868)을 통해 회수된 처리액 및 린스액을 외부의 액 재생 시스템(미도시)으로 제공한다. 벽부(861a)는 중공을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 벽부(861a)는 바닥부(861b)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 벽부(861a)는 바닥부(861b)로부터 위로 연장된다. 하부 파트(861)는 내산성이 높은 수지 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 하부 파트(861)는 폴리프로필렌(PP; polypropylene), 테프론(Teflon) 등의 소재로 제공될 수 있다.
내부 파트(862)는 처리액이 회수 라인(855)으로 회수되도록 처리액의 회수 방향을 안내한다. 내부 파트(862)는 회수되는 처리액이 내측 배기구(814)에 유입되는 것을 방지한다. 내측 링(862)은 회전축을 감싸는 중공의 원판 형상으로 제공된다. 내부 파트(862)의 상면은 라운드지게 제공된다. 내부 파트(862)의 상면은 내측 영역과 외측 영역 각각이 서로 상이한 경사각을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내부 파트(862)의 상면 외측 영역은 회전축으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되고, 상면 내측 영역은 회전축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 내부 파트(862)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판의 측단부와 상하로 대응될 수 있다. 따라서 내부 파트(862)의 외측 영역은 액 도포 공정에 사용된 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. 내부 파트(862)는 내산성이 높은 수지 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 내부 파트(862)는 폴리프로필렌(PP; polypropylene), 테프론(Teflon) 등의 소재로 제공될 수 있다.
중간 파트(863)는 벽부(863a)와 경사부(863b)를 포함한다. 중간 파트(863)의 벽부(863a)의 하단이 하부 파트(861)의 벽부(861a)의 상단과 결합된다. 경사부(863a)는 중간 파트(863)의 벽부(863a)의 내벽으로부터 상향 경사진 방향을 향하도록 연장된다. 경사부(863a)는 위로 갈수록 기판 지지 부재(830)에 가까워진다. 경사부(863a)의 상단은 기판 지지 부재에 놓인 기판보다 높게 위치된다. 중간 파트(863)의 경사부(863a)는 내부 파트(862)의 위에 위치된다. 상술한 회수 공간(868)은 중간 파트(863)의 경사부(863a)의 저면과 내부 파트(862)의 상면 외측 영역에 의해 형성된다. 중간 파트(863)의 경사부(863b)에는 복수의 유입홀들(866)이 형성된다. 유입홀들(866)은 중간 파트(863)의 원주 방향을 따라 배열된다. 유입홀들(866)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 형성된다. 따라서 상부 파트(864)와 중간 파트(863) 간에 사이 공간(859)으로 유입된 기류는 유입홀(866)을 통해 내측 배기구(814)로 배기된다. 중간 파트(863)는 내산성이 높은 수지 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 중간 파트(863)는 폴리프로필렌(PP; polypropylene), 테프론(Teflon) 등의 소재로 제공될 수 있다.
상부 파트(864)는 하단이 중간 파트(863)의 벽부(863a)의 상단과 결합된다. 상부 파트(864)는 상향 경사진 방향을 향하도록 연장된다. 상부 파트(864)는 기판 지지 부재(830)에 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향한다. 상부 파트(864)의 상단은 기판 지지 부재(830)에 놓인 기판(W)보다 높게 위치된다. 상부 파트(864)와 중간 파트(863) 간에 사이 공간(859)은 하강 기류가 유입되는 공간으로 제공된다. 상부 파트(864)는 내산성이 높은 수지 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 상부 파트(864)는 폴리프로필렌(PP; polypropylene), 테프론(Teflon) 등의 소재로 제공될 수 있다.
상술하여 바울(860)을 이루는 구성인 하부 파트(861), 내부 파트(862), 중간 파트(863), 상부 파트(864)는 그 표면에 이온빔이 소정 시간 조사되여 표면이 개질된 것이다. 바울(860)의 표면에 대한 이온빔의 조사 방법은 후술하여 상세하게 설명한다. 표면이 개질된 바울(860)의 표면 저항은 108Ω/
Figure 112020023964358-pat00002
이하이다. 본 발명의 실시 예에 있어서, 바울(860)은 대전방지제로 표면처리 되지 않는다. 대전방지제로 표면 처리를 하는 경우 대전방지제가 처리액에 의해 박리됨에 따라 대전방지효과가 유한할 뿐만 아니라, 박리로 인해 떨어진 불순물이 기판 및 설비에 오염을 유발할 수 있기 때문이다. 바울이 대전 방지제로 처리되는 사항과 관련하여서는 한국공개특허 제10-2011-0081686호에 상세하게 기재된다.
승강 유닛(890)은 기판 지지 부재(830)와 바울(860) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(890)은 바울(860)을 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 브라켓(872), 이동축(874), 그리고 구동 부재(876)를 포함한다. 브라켓(872)은 외측 컵(852)의 측면부(856)에 고정 결합된다. 이동축(874)은 브라켓(872)을 지지한다. 이동축(874)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 구동 부재(876)는 이동축(874)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 따라 브라켓(872)과 바울(860)는 상하 방향으로 이동 가능하다.
도 2를 참조하여, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 기판 처리 단계에서는 기판(W) 상에 처리액을 도포한다. 처리액은 신나와 감광액을 포함한다. 기판(W)을 회전시키며 처리액을 기판(W) 상에 공급함에 따라, 처리액은 기판의 측단부에서 비산된다. 비산되는 처리액은 바울(860)의 표면과 접촉한다. 종래의 바울에 의하면, 처리액과 바울의 표면이 접촉할수록 표면에는 다량의 정전기가 쌓인다. 정전기가 띠는 극성은 감광액의 종류에 따라 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 바울의 표면에 양전하가 쌓일 수 있다. 쌓인 정전기의 대전량은 적어도 500kV를 넘어서고, 많은 경우 2kV/inch를 초과한다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울(860)의 표면은 이온빔에 노출시켜 표면이 개질되었음에 따라 종래와 비교하여 축적되는 정전기가 유의미하게 적다. 본 발명의 일 예에 의하면, 공정이 진행되어 바울(860)에 쌓이는 정전기의 대전량은 20V/inch 내지 230V/inch 사이로 계측된다.
도 3을 참조한다. 다수매의 기판을 처리하면, 바울(860)의 표면에는 감광액이 잔존하게 된다. 감광액은 높은 점성을 가짐에 따라 바울(860)에 쉽게 달라 붙는다. 종래의 바울에 달라붙은 감광액에 의해 바울에는 더 많은 정전기가 축적되게 된다. 일 예에 의하면, 감광액 찌꺼기가 잔존하는 환경에서 바울의 대전량을 측정한 결과 깨끗한 환경에서 바울의 대전량보다 높게 측정되었다. 감광액 찌꺼기가 잔존하는 환경에서 바울의 정전기 대전량은 3.5kV/inch를 상회하였다. 정전기는 아킹(arcing)을 일으킬 수 있음에 따라 기판에 형성된 소자를 파괴하기에 이를 수 있다. 반면, 본 발명자들이 중점도(~1000cp) 감광액으로 기판 100매를 처리함으로써 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울(860)을 오염시킨 뒤 정전기 대전량을 측정해본 결과, 오염되지 않은 상태와 비교하여 유의미한 대전량 차이가 발견되지 않았다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울을 제조하는 방법을 나타낸 플로우 차트이다. 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울에 대한 이온빔 조사 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 바울을 제조하는 방법을 설명한다.
먼저 바울을 이온빔을 조사하는 이온 빔 조사 장치에 준비한다(S110). 이온빔 조사 장치에 바울(860)이 준비되면, 바울의 표면에 이온빔을 조사한다(S120).
이온빔을 조사하는 장치는 이온 가속기를 적용한 장치, 챔버 내에서 플라즈마를 발생시키고 이온을 가속시키는 장치 등으로 제공될 수 있다. 도 5는 이온 빔을 조사하는 장치의 일 예로 이온 가속기(10)를 적용한 장치를 도시한다. 도 5에서는 준비되는 바울(860)의 일 예로 상부 파트(864)를 도시한다.
장치 내부의 분위기는 10-5Torr이하의 압력이고, 상온 조건이다. 상부 파트(864)는 저속으로 회전하도록 한다. 공정 가스가 공정 가스 공급원(20)으로부터 공급되어 이온 가속기(10)를 통과하면, 공정 가스는 해리되어 이온이 생성되고 생성된 이온은 이온빔(8)의 형태로 준비된 상부 파트(864)와 충돌한다.
일 예에 있어서, 이온빔(8)의 소스가 되는 공정 가스는 희가스이다. 일예로, 이온빔(8)의 소스가 되는 공정 가스는 질소(N), 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 크세논(Xe) 중 어느 하나 이상이다. 수소(H)가 이용될 수도 있으나, 폭발의 위험성으로 인해 권장되지 않는다. 이온빔(8)의 밀도는 1016 내지 1017 ions/cm2이다. 이온빔의 가속에너지(이온빔의 세기)는 20keV 내지 100keV이다. 이온빔(8)의 일부 영역에서는 플라즈마(P)가 발생할 수 있다.
이온빔을 조사하는 단계(S120)는 10분 이상 준비된 상부 파트(864)의 열변형이 발생되기 전까지 이온빔(8)을 상부 파트(864)에 조사한다.
바울(860)을 구성하는 부품에 있어서, 정전기가 발생 가능한 모든 영역에 대하여 이온빔 조사 처리를 한다. 도시하지 않았으나, 바울(860)은 하부 파트(861), 내부 파트(862), 중간 파트(863)에 대해서도 이온빔을 조사하여 표면을 개질시키고, 이들을 상호 결합함으로써 바울(860)을 완성한다.
본 발명의 발명자들은 상술한 방법에 따라 제조된 바울은 표면에 정전기가 축적되는 것을 방지하는 효과도 있지만, 내화학성 및 내부식성에 있어서도 아무 처리하지 않은 소재와 비교하여 성능이 높아지는 것을 확인하였다. 또한, 표면 박리 문제로부터 자유로워 바울의 박리로 인한 기판 또는 설비의 오염이 저감될 수 있음을 확인하였다.
본 실시예의 기판 처리 장치는 처리액으로서 감광액을 공급하는 감광액 도포 공정을 수행하는 장치로 설명하였다. 그러나 본 실시예의 기판 처리 장치는 이에 한정되지 않으며, 액을 사용하고, 사용된 액을 회수하는 바울(860)이 적용된 것이라면 다양하게 적용 가능하다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (19)

  1. 기판 처리 장치에 제공되는 바울을 제조하는 방법에 있어서,
    바울을 준비하는 단계와;
    상기 바울에 이온빔을 조사하여 상기 바울의 표면을 개질하는 단계를 포함하는 바울의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 바울은 수지 소재로 제공되는 것인 바울의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 바울은 폴리프로필렌 또는 테플론을 포함하는 소재로 제공되는 바울의 제조 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 이온빔의 이온 밀도는 1016 내지 1017 ions/cm2인 바울의 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 이온빔의 가속 에너지는 20keV 내지 100keV인 바울의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계는 10-5Torr 이하의 분위기에서 이루어지는 바울의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계는 상온 분위기에서 이루어지는 바울의 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 바울에 이온빔을 조사하는 단계는 상기 바울을 회전시키면서 이루어지는 바울의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 이온빔의 소스는 질소(N), 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 크세논(Xe) 중 어느 하나 이상으로 제공되는 것인 바울의 제조 방법.
  13. 피처리 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 부재와;
    상기 기판 지지 부재를 둘러싸도록 제공되며, 표면에 이온빔을 소정 시간 조사하여 표면이 개질된 수지 소재의 바울과;
    상기 기판 지지 부재에 지지된 피처리 기판에 대하여 처리액을 공급하는 액 공급 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 처리액은 감광액인 기판 처리 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 바울은 폴리프로필렌 또는 테플론을 포함하는 소재로 제공되는 기판 처리 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 바울의 표면 저항은 108ohm/sq이하인 기판 처리 장치.
  17. 삭제
  18. 제13 항에 있어서,
    상기 이온빔의 소스는 질소(N), 헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 크세논(Xe) 중 어느 하나 이상으로 제공되는 것인 기판 처리 장치.
  19. 제13 항에 있어서,
    상기 바울은 대전방지제를 포함하지 않는 기판 처리 장치.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005072559A (ja) 2003-08-05 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007012887A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法、基板処理装置および周囲部材の除電方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3309207B2 (ja) * 1997-03-07 2002-07-29 東京エレクトロン株式会社 処理装置
TW504734B (en) * 2000-04-03 2002-10-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device
KR20070034653A (ko) * 2005-09-26 2007-03-29 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조장비에서의 보울 정전기 제거방법 및 그에따른 정전기 제거장치
KR20110081686A (ko) * 2010-01-08 2011-07-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005072559A (ja) 2003-08-05 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007012887A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法、基板処理装置および周囲部材の除電方法

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