JPH0889911A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0889911A JPH0889911A JP24860194A JP24860194A JPH0889911A JP H0889911 A JPH0889911 A JP H0889911A JP 24860194 A JP24860194 A JP 24860194A JP 24860194 A JP24860194 A JP 24860194A JP H0889911 A JPH0889911 A JP H0889911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- liquid
- tank
- pressure
- injection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気の発生が少なく、装置は小型化でき、
微小な汚染異物に対しても除去能力の高い洗浄方法を提
供することを目的とする。 【構成】 液体供給系統(1) からタンク(2) 内に液体を
導入する。ガス供給系統(3a)から加圧ガス用圧力調整弁
(4) を介してタンク(2) 内にガスを供給し、タンク(2)
内の液体を加圧する。タンク(2) 内の液体をガス圧によ
り導出すると共に、液体用バルブ(5) を介して噴射用ノ
ズル(6) に導く。一方、ガス供給系統(3b)からのガス
を、噴射ガス用圧力調整弁(7) 、ついで噴射用バルブ
(8) を介して、噴射用ノズル(6) に導く。そして噴射用
ノズル(6) 内において、圧力 0.1〜9.9kg/cm2Gの中低圧
に加圧された液体と、圧力 0.1〜9.9kg/cm2Gの中低圧に
加圧されたガスとを混合して気液混合流となすと共に、
ウエハ等の洗浄対象物(9) に向けて噴射することによ
り、その表面に付着している汚染異物を除去する。
微小な汚染異物に対しても除去能力の高い洗浄方法を提
供することを目的とする。 【構成】 液体供給系統(1) からタンク(2) 内に液体を
導入する。ガス供給系統(3a)から加圧ガス用圧力調整弁
(4) を介してタンク(2) 内にガスを供給し、タンク(2)
内の液体を加圧する。タンク(2) 内の液体をガス圧によ
り導出すると共に、液体用バルブ(5) を介して噴射用ノ
ズル(6) に導く。一方、ガス供給系統(3b)からのガス
を、噴射ガス用圧力調整弁(7) 、ついで噴射用バルブ
(8) を介して、噴射用ノズル(6) に導く。そして噴射用
ノズル(6) 内において、圧力 0.1〜9.9kg/cm2Gの中低圧
に加圧された液体と、圧力 0.1〜9.9kg/cm2Gの中低圧に
加圧されたガスとを混合して気液混合流となすと共に、
ウエハ等の洗浄対象物(9) に向けて噴射することによ
り、その表面に付着している汚染異物を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の洗浄
対象物の表面に付着している汚染異物を洗浄除去する方
法に関するものである。
対象物の表面に付着している汚染異物を洗浄除去する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハ面に付着している汚
染異物を除去する洗浄装置として、(a) ２０〜２００kg
/cm2G の高圧水を噴射する高圧水噴射洗浄装置、(b) 純
水等の液に１MHz 付近の高周波を印加して照射するメガ
ソニック洗浄装置、などが広く使用されている。
染異物を除去する洗浄装置として、(a) ２０〜２００kg
/cm2G の高圧水を噴射する高圧水噴射洗浄装置、(b) 純
水等の液に１MHz 付近の高周波を印加して照射するメガ
ソニック洗浄装置、などが広く使用されている。
【０００３】図３は上記(a) の高圧水噴射洗浄装置を用
いて半導体ウエハの洗浄を行うときの状態を示した概略
図である。この装置は、液体を昇圧する高圧ポンプ(11)
と、液体を噴射するノズル(6')と、ウエハ(9')を保持し
かつ回転移動する保持装置(10)とを備えている。高圧ポ
ンプ(11)により２０〜２００kg/cm2G に昇圧された液体
は、液体を噴射するノズル(6')よりウエハ(9')に噴射さ
れてウエハ(9')面上の汚染異物を除去する。
いて半導体ウエハの洗浄を行うときの状態を示した概略
図である。この装置は、液体を昇圧する高圧ポンプ(11)
と、液体を噴射するノズル(6')と、ウエハ(9')を保持し
かつ回転移動する保持装置(10)とを備えている。高圧ポ
ンプ(11)により２０〜２００kg/cm2G に昇圧された液体
は、液体を噴射するノズル(6')よりウエハ(9')に噴射さ
れてウエハ(9')面上の汚染異物を除去する。
【０００４】図４は上記(b) のメガソニック洗浄装置を
用いて半導体ウエハの洗浄を行うときの概略図である。
この装置は、純水等の液体に１MHz 近くの高周波を印加
するノズル(6")と、ウエハ(9')を保持し回転移動する保
持装置(10)とを備えている。ノズル(6")で１MHz 近くの
高周波を印加された純水等の液体の振動加速力により、
ウエハ(9')上の汚染異物が除去される。
用いて半導体ウエハの洗浄を行うときの概略図である。
この装置は、純水等の液体に１MHz 近くの高周波を印加
するノズル(6")と、ウエハ(9')を保持し回転移動する保
持装置(10)とを備えている。ノズル(6")で１MHz 近くの
高周波を印加された純水等の液体の振動加速力により、
ウエハ(9')上の汚染異物が除去される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の高圧水噴射洗浄
装置においては、まず第一に、微小な汚染異物は除去さ
れにくいという問題点がある。また、表面粒子除去能力
を向上させるために比抵抗の高い純水を１０００rpm で
回転しているウエハ上に１５０kg/cm2G の高圧水として
スプレーするが、その際に２０００Ｖ以上の静電気の発
生が見られる。洗浄対象物であるウエハが帯電すると、
ゲート酸化膜破壊不良を生ずるおそれがある。また装置
面では、高圧水とするために２００kg/cm2G 程度の昇圧
能力を有する高圧ポンプの設置が不可欠であり、洗浄装
置の構成が複雑で大型化するという不利がある。
装置においては、まず第一に、微小な汚染異物は除去さ
れにくいという問題点がある。また、表面粒子除去能力
を向上させるために比抵抗の高い純水を１０００rpm で
回転しているウエハ上に１５０kg/cm2G の高圧水として
スプレーするが、その際に２０００Ｖ以上の静電気の発
生が見られる。洗浄対象物であるウエハが帯電すると、
ゲート酸化膜破壊不良を生ずるおそれがある。また装置
面では、高圧水とするために２００kg/cm2G 程度の昇圧
能力を有する高圧ポンプの設置が不可欠であり、洗浄装
置の構成が複雑で大型化するという不利がある。
【０００６】上述のメガソニック洗浄装置は、静電気の
発生や装置の大型化の問題は有しないものの、微小な汚
染異物は除去されにくいという問題点がある。
発生や装置の大型化の問題は有しないものの、微小な汚
染異物は除去されにくいという問題点がある。
【０００７】本発明は、このような背景下において、静
電気の発生が少なく、装置は小型化でき、微小な汚染異
物に対しても除去能力の高い洗浄方法を提供することを
目的とするものである。
電気の発生が少なく、装置は小型化でき、微小な汚染異
物に対しても除去能力の高い洗浄方法を提供することを
目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、液
体供給系統(1) からタンク(2) 内に液体を導入するこ
と、ガス供給系統(3a)から加圧ガス用圧力調整弁(4) を
介して前記タンク(2) 内にガスを供給することにより、
タンク(2) 内の液体を加圧すること、前記タンク(2) 内
の液体を、そのタンク(2) 内に供給されたガスの圧力に
より導出すると共に、液体用バルブ(5) を介して噴射用
ノズル(6) に導くこと、一方、ガス供給系統(3b)からの
ガスを、噴射ガス用圧力調整弁(7) 、ついで噴射用バル
ブ(8) を介して、前記噴射用ノズル(6) に導くこと、そ
して噴射用ノズル(6) 内において、圧力 0.1〜9.9kg/cm
2Gの中低圧に加圧された液体と、圧力 0.1〜9.9kg/cm2G
の中低圧に加圧されたガスとを混合すること、その混合
により得られた気液混合流を、前記噴射用ノズル(6) か
ら洗浄対象物(9) に向けて噴射することにより、その洗
浄対象物(9) の表面に付着している汚染異物を除去する
こと、を特徴とするものである。
体供給系統(1) からタンク(2) 内に液体を導入するこ
と、ガス供給系統(3a)から加圧ガス用圧力調整弁(4) を
介して前記タンク(2) 内にガスを供給することにより、
タンク(2) 内の液体を加圧すること、前記タンク(2) 内
の液体を、そのタンク(2) 内に供給されたガスの圧力に
より導出すると共に、液体用バルブ(5) を介して噴射用
ノズル(6) に導くこと、一方、ガス供給系統(3b)からの
ガスを、噴射ガス用圧力調整弁(7) 、ついで噴射用バル
ブ(8) を介して、前記噴射用ノズル(6) に導くこと、そ
して噴射用ノズル(6) 内において、圧力 0.1〜9.9kg/cm
2Gの中低圧に加圧された液体と、圧力 0.1〜9.9kg/cm2G
の中低圧に加圧されたガスとを混合すること、その混合
により得られた気液混合流を、前記噴射用ノズル(6) か
ら洗浄対象物(9) に向けて噴射することにより、その洗
浄対象物(9) の表面に付着している汚染異物を除去する
こと、を特徴とするものである。
【０００９】以下本発明を詳細に説明する。
【００１０】本発明は、気液混合流を洗浄対象物(9) に
向けて噴射することにより、その洗浄対象物(9) の表面
に付着している汚染異物を除去するものである。洗浄対
象物(9) の代表例は半導体ウエハである。洗浄対象物
(9) としては、そのほか、液晶表示素子用のガラス基
板、ハードデスク用基板などもあげられる。
向けて噴射することにより、その洗浄対象物(9) の表面
に付着している汚染異物を除去するものである。洗浄対
象物(9) の代表例は半導体ウエハである。洗浄対象物
(9) としては、そのほか、液晶表示素子用のガラス基
板、ハードデスク用基板などもあげられる。
【００１１】本発明においては、まず液体供給系統(1)
からタンク(2) 内に液体を導入する。洗浄対象物(9) が
半導体ウエハである場合は、液体としては主に純水（超
純水）を使用するが、その際にＣＯ2 等の極性ガスを混
入して比抵抗を小さくし、帯電防止を図ることもでき
る。
からタンク(2) 内に液体を導入する。洗浄対象物(9) が
半導体ウエハである場合は、液体としては主に純水（超
純水）を使用するが、その際にＣＯ2 等の極性ガスを混
入して比抵抗を小さくし、帯電防止を図ることもでき
る。
【００１２】タンク(2) 内の液体を加圧するため、ガス
供給系統(3a)からは加圧ガス用圧力調整弁(4) を介して
上記のタンク(2) 内にガスを供給する。
供給系統(3a)からは加圧ガス用圧力調整弁(4) を介して
上記のタンク(2) 内にガスを供給する。
【００１３】そしてタンク(2) 内の液体を、そのタンク
(2) 内に供給されたガスの圧力により導出すると共に、
液体用バルブ(5) を介して噴射用ノズル(6) に導く。
(2) 内に供給されたガスの圧力により導出すると共に、
液体用バルブ(5) を介して噴射用ノズル(6) に導く。
【００１４】このときのガスとしては、無塵空気、窒素
ガス、炭酸ガスなどが用いられ、これらの混合ガスを用
いることもできる。
ガス、炭酸ガスなどが用いられ、これらの混合ガスを用
いることもできる。
【００１５】一方、ガス供給系統(3b)からのガスを、噴
射ガス用圧力調整弁(7) 、ついで噴射用バルブ(8) を介
して、上記の噴射用ノズル(6) に導く。なおガス供給系
統(3b)は、上記のガス供給系統(3a)と同じ系統であって
も違う系統であってもよい。
射ガス用圧力調整弁(7) 、ついで噴射用バルブ(8) を介
して、上記の噴射用ノズル(6) に導く。なおガス供給系
統(3b)は、上記のガス供給系統(3a)と同じ系統であって
も違う系統であってもよい。
【００１６】そして噴射用ノズル(6) 内において、圧力
0.1〜9.9kg/cm2G（好ましくは５〜９kg/cm2G ）の中低
圧に加圧された液体と、圧力 0.1〜9.9kg/cm2G（好まし
くは５〜９kg/cm2G ）の中低圧に加圧されたガスとを混
合する。液体圧またはガス圧が上記範囲から外れるとき
は、洗浄効率、装置の耐圧性などの点で不満足となる。
0.1〜9.9kg/cm2G（好ましくは５〜９kg/cm2G ）の中低
圧に加圧された液体と、圧力 0.1〜9.9kg/cm2G（好まし
くは５〜９kg/cm2G ）の中低圧に加圧されたガスとを混
合する。液体圧またはガス圧が上記範囲から外れるとき
は、洗浄効率、装置の耐圧性などの点で不満足となる。
【００１７】上記の混合により得られた気液混合流を、
噴射用ノズル(6) から洗浄対象物(9) に向けて噴射すれ
ば、その洗浄対象物(9) の表面に付着している汚染異物
を効率良く除去することができる。この場合、洗浄対象
物(9) を保持装置(10)上に固定し、保持装置(10)を回転
させながら噴射装置を行うことが望ましい。
噴射用ノズル(6) から洗浄対象物(9) に向けて噴射すれ
ば、その洗浄対象物(9) の表面に付着している汚染異物
を効率良く除去することができる。この場合、洗浄対象
物(9) を保持装置(10)上に固定し、保持装置(10)を回転
させながら噴射装置を行うことが望ましい。
【００１８】噴射速度は、余りに小さいと洗浄不足とな
るので通常は５０m/sec 以上とする。上限は音速（３３
０m/sec ）までとすることができる。
るので通常は５０m/sec 以上とする。上限は音速（３３
０m/sec ）までとすることができる。
【００１９】噴射時の噴射用ノズル(6) の噴射口から洗
浄対象物(9) までの飛距離は、１０〜１５０mm、殊に１
５〜７０mmの範囲内に設定することが好ましい。洗浄対
象物(9) 面に対する噴射角度は、４５〜９０゜、殊に５
０〜８０゜とすることが好ましい。このような飛距離お
よび角度で噴射を行うことにより、最良の除去効率が得
られる。
浄対象物(9) までの飛距離は、１０〜１５０mm、殊に１
５〜７０mmの範囲内に設定することが好ましい。洗浄対
象物(9) 面に対する噴射角度は、４５〜９０゜、殊に５
０〜８０゜とすることが好ましい。このような飛距離お
よび角度で噴射を行うことにより、最良の除去効率が得
られる。
【００２０】
【作用】従来の高圧水噴射洗浄装置においては、たとえ
ば水圧を２１０kg/cm2G というような高圧にしても噴射
速度は162.40m/sec にしかならない上、連続液体流（川
の水のように連続している液体流）の状態で汚染異物に
衝突するため、洗浄効率が不足し、特に粒径の小さい汚
染異物の除去性能が著しく劣る。
ば水圧を２１０kg/cm2G というような高圧にしても噴射
速度は162.40m/sec にしかならない上、連続液体流（川
の水のように連続している液体流）の状態で汚染異物に
衝突するため、洗浄効率が不足し、特に粒径の小さい汚
染異物の除去性能が著しく劣る。
【００２１】これに対し本発明の洗浄方法によれば、噴
射用ノズル(6) から液滴状の気液混合流が噴射され、そ
の結果、独立した微小液滴が断続的に汚染異物に衝突
し、しかも音速またはそれに近い速度で衝突するように
することができるため、粒径の大きい汚染異物はもとよ
り粒径の小さい汚染異物であっても効率良くウエハ等の
洗浄対象物からはじき飛ばすことができる。
射用ノズル(6) から液滴状の気液混合流が噴射され、そ
の結果、独立した微小液滴が断続的に汚染異物に衝突
し、しかも音速またはそれに近い速度で衝突するように
することができるため、粒径の大きい汚染異物はもとよ
り粒径の小さい汚染異物であっても効率良くウエハ等の
洗浄対象物からはじき飛ばすことができる。
【００２２】
【実施例】次に実施例をあげて本発明をさらに説明す
る。
る。
【００２３】実施例１ 図１は本発明の洗浄方法を示した説明図である。図２は
ポリスチレンラテックス標準粒子の粒径と除去率との関
係を示したグラフである。
ポリスチレンラテックス標準粒子の粒径と除去率との関
係を示したグラフである。
【００２４】〈洗浄装置および洗浄操作〉図１におい
て、タンク(2) 内には、液体供給系統(1) から液体の一
例としての超純水が貯蔵されている。
て、タンク(2) 内には、液体供給系統(1) から液体の一
例としての超純水が貯蔵されている。
【００２５】ガス供給系統(3a)からは、加圧ガス用圧力
調整弁(4) を介して上記のタンク(2) 内にガスの一例と
しての乾燥空気が供給され、加圧ガス用圧力調整弁(4)
の調整によりタンク(2) 内の超純水に7.0kg/cm2Gの背圧
を加えている。
調整弁(4) を介して上記のタンク(2) 内にガスの一例と
しての乾燥空気が供給され、加圧ガス用圧力調整弁(4)
の調整によりタンク(2) 内の超純水に7.0kg/cm2Gの背圧
を加えている。
【００２６】そしてタンク(2) 内の超純水は、上記のガ
スの圧力により導出され、液体用バルブ(5) を介して
2.1リットル/minの流量で噴射用ノズル(6) に導かれて
いる。
スの圧力により導出され、液体用バルブ(5) を介して
2.1リットル/minの流量で噴射用ノズル(6) に導かれて
いる。
【００２７】一方、上記のガス供給系統(3b)からの乾燥
空気は、噴射ガス用圧力調整弁(7)で圧力を7.5kg/cm2G
に調整され、ついで噴射用バルブ(8) を介して２９７Nl
/minの流量で上記の噴射用ノズル(6) に導かれている。
空気は、噴射ガス用圧力調整弁(7)で圧力を7.5kg/cm2G
に調整され、ついで噴射用バルブ(8) を介して２９７Nl
/minの流量で上記の噴射用ノズル(6) に導かれている。
【００２８】噴射用ノズル(6) に供給された超純水は、
ここで乾燥空気と混合されて液滴状の超純水となり、気
液混合流として３３０m/sec の噴射速度で洗浄対象物
(9) の一例としてのウエハに向けて噴射され、ウエハ面
上の汚染異物を除去する。
ここで乾燥空気と混合されて液滴状の超純水となり、気
液混合流として３３０m/sec の噴射速度で洗浄対象物
(9) の一例としてのウエハに向けて噴射され、ウエハ面
上の汚染異物を除去する。
【００２９】なおウエハは保持装置(10)で保持されてお
り、その保持装置(10)でウエハを回転移動することによ
り、ウエハの表面全面が洗浄される。
り、その保持装置(10)でウエハを回転移動することによ
り、ウエハの表面全面が洗浄される。
【００３０】洗浄対象物(9) であるウエハに対する噴射
用ノズル(6) の角度は６０゜に設定され、噴射用ノズル
(6) の噴射口からウエハまでの飛距離は５０mmに設定さ
れている。
用ノズル(6) の角度は６０゜に設定され、噴射用ノズル
(6) の噴射口からウエハまでの飛距離は５０mmに設定さ
れている。
【００３１】〈汚染異物除去例〉ウエハ面上にポリスチ
レンラテックス標準粒子を３０００〜１００００個付着
させ、ついでウエハを１２０℃で１分間加熱して、ポリ
スチレンラテックス標準粒子の付着力を強めたサンプル
ウエハを用意した。
レンラテックス標準粒子を３０００〜１００００個付着
させ、ついでウエハを１２０℃で１分間加熱して、ポリ
スチレンラテックス標準粒子の付着力を強めたサンプル
ウエハを用意した。
【００３２】このサンプルウエハを上記の装置を用いて
上記の条件で洗浄操作を行い、ポリスチレンラテックス
標準粒子の粒径別の除去性能を調べた。結果を表１およ
び図２に示す。
上記の条件で洗浄操作を行い、ポリスチレンラテックス
標準粒子の粒径別の除去性能を調べた。結果を表１およ
び図２に示す。
【００３３】比較例１〜２ 従来の高圧水洗浄装置（比較例１）および従来のメガソ
ニック洗浄装置（比較例２）を用いて、上記と同じサン
プルウエハに対する洗浄操作を行った。結果を表１およ
び図２に併せて示す。
ニック洗浄装置（比較例２）を用いて、上記と同じサン
プルウエハに対する洗浄操作を行った。結果を表１およ
び図２に併せて示す。
【００３４】
【表１】 ポリスチレンラテッ 除 去 率 クス標準粒子の粒径 実施例１ 比較例１ 比較例２ 5.154μm 99.6 % 99.5 % 99.2 % 2.950μm 98.5 % 61.4 % 45.0 % 1.696μm 97.9 % 2.0 % 6.4 % 0.953μm 58.1 % 0.3 % - 0.506μm 0.1 % 0.1 % 0.1 %
【００３５】表１および図２から、実施例１において
は、粒径が 1.696μm というような微小のポリスチレン
ラテックス標準粒子であっても１００％に近い除去率が
得られること、これに対し従来の高圧水洗浄装置を用い
た比較例１や従来のメガソニック洗浄装置を用いた比較
例２にあっては、微小粒径の汚染異物は除去しがたいこ
とがわかる。
は、粒径が 1.696μm というような微小のポリスチレン
ラテックス標準粒子であっても１００％に近い除去率が
得られること、これに対し従来の高圧水洗浄装置を用い
た比較例１や従来のメガソニック洗浄装置を用いた比較
例２にあっては、微小粒径の汚染異物は除去しがたいこ
とがわかる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の洗浄方法によれば、噴射用ノズ
ルから液滴状の気液混合流が噴射され、その結果、独立
した微小液滴が断続的に汚染異物に衝突し、しかも音速
またはそれに近い速度で衝突するようにすることができ
るため、粒径の大きい汚染異物はもとより粒径の小さい
汚染異物であっても効率良くウエハ等の洗浄対象物から
はじき飛ばすことができる。また本発明においては、静
電気の発生が少なく、装置も小型化することができると
いう利点もある。
ルから液滴状の気液混合流が噴射され、その結果、独立
した微小液滴が断続的に汚染異物に衝突し、しかも音速
またはそれに近い速度で衝突するようにすることができ
るため、粒径の大きい汚染異物はもとより粒径の小さい
汚染異物であっても効率良くウエハ等の洗浄対象物から
はじき飛ばすことができる。また本発明においては、静
電気の発生が少なく、装置も小型化することができると
いう利点もある。
【図１】本発明の洗浄方法を示した説明図である。
【図２】ポリスチレンラテックス標準粒子の粒径と除去
率との関係を示したグラフである。
率との関係を示したグラフである。
【図３】従来の高圧水噴射洗浄装置を用いて半導体ウエ
ハの洗浄を行うときの状態を示した概略図である。
ハの洗浄を行うときの状態を示した概略図である。
【図４】従来のメガソニック洗浄装置を用いて半導体ウ
エハの洗浄を行うときの概略図である。
エハの洗浄を行うときの概略図である。
(1) …液体供給系統、 (2) …タンク、 (3a), (3b)…ガス供給系統、 (4) …加圧ガス用圧力調整弁、 (5) …液体用バルブ、 (6) …噴射用ノズル、 (6'), (6")…ノズル、 (7) …噴射ガス用圧力調整弁、 (8) …噴射用バルブ、 (9) …洗浄対象物、 (9')…ウエハ、 (10)…保持装置、 (11)…高圧ポンプ
Claims (4)
- 【請求項１】液体供給系統(1) からタンク(2) 内に液体
を導入すること、 ガス供給系統(3a)から加圧ガス用圧力調整弁(4) を介し
て前記タンク(2) 内にガスを供給することにより、タン
ク(2) 内の液体を加圧すること、 前記タンク(2) 内の液体を、そのタンク(2) 内に供給さ
れたガスの圧力により導出すると共に、液体用バルブ
(5) を介して噴射用ノズル(6) に導くこと、 一方、ガス供給系統(3b)からのガスを、噴射ガス用圧力
調整弁(7) 、ついで噴射用バルブ(8) を介して、前記噴
射用ノズル(6) に導くこと、 そして噴射用ノズル(6) 内において、圧力 0.1〜9.9kg/
cm2Gの中低圧に加圧された液体と、圧力 0.1〜9.9kg/cm
2Gの中低圧に加圧されたガスとを混合すること、 その混合により得られた気液混合流を、前記噴射用ノズ
ル(6) から洗浄対象物(9) に向けて噴射することによ
り、その洗浄対象物(9) の表面に付着している汚染異物
を除去すること、を特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】洗浄対象物(9) が半導体ウエハである請求
項１記載の洗浄方法。 - 【請求項３】噴射速度が５０〜３３０m/sec である請求
項１記載の洗浄方法。 - 【請求項４】噴射時の噴射用ノズル(6) の噴射口から洗
浄対象物(9) までの飛距離が２０〜１５０mmである請求
項１記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24860194A JP3512868B2 (ja) | 1994-09-17 | 1994-09-17 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24860194A JP3512868B2 (ja) | 1994-09-17 | 1994-09-17 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0889911A true JPH0889911A (ja) | 1996-04-09 |
| JP3512868B2 JP3512868B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=17180551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24860194A Expired - Lifetime JP3512868B2 (ja) | 1994-09-17 | 1994-09-17 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3512868B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5918817A (en) * | 1996-12-02 | 1999-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Two-fluid cleaning jet nozzle and cleaning apparatus, and method utilizing the same |
| JP2006066425A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Nec Electronics Corp | 半導体基板の研磨方法 |
| KR100618690B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2006-09-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조용 전구체 저장통 |
| JP2009018250A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | East Japan Railway Co | 洗浄方法及び装置並びに洗浄ノズル |
| JP2014527912A (ja) * | 2011-09-29 | 2014-10-23 | アルファ・ラバル・コーポレイト・エービー | 遠心分離機を備えているデバイスおよびガスの浄化のための方法 |
| CN105149298A (zh) * | 2015-07-24 | 2015-12-16 | 黎明化工研究设计院有限责任公司 | 一种视镜清洗系统及其使用方法 |
| CN111451902A (zh) * | 2019-01-21 | 2020-07-28 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
| CN113199866A (zh) * | 2020-01-30 | 2021-08-03 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷射装置 |
-
1994
- 1994-09-17 JP JP24860194A patent/JP3512868B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5918817A (en) * | 1996-12-02 | 1999-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Two-fluid cleaning jet nozzle and cleaning apparatus, and method utilizing the same |
| KR100618690B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2006-09-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조용 전구체 저장통 |
| JP2006066425A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Nec Electronics Corp | 半導体基板の研磨方法 |
| JP2009018250A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | East Japan Railway Co | 洗浄方法及び装置並びに洗浄ノズル |
| JP2014527912A (ja) * | 2011-09-29 | 2014-10-23 | アルファ・ラバル・コーポレイト・エービー | 遠心分離機を備えているデバイスおよびガスの浄化のための方法 |
| US9314729B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-04-19 | Alfa Laval Corporate Ab | Device comprising a centrifugal separator and a method for cleaning of a gas |
| CN105149298A (zh) * | 2015-07-24 | 2015-12-16 | 黎明化工研究设计院有限责任公司 | 一种视镜清洗系统及其使用方法 |
| CN105149298B (zh) * | 2015-07-24 | 2019-03-19 | 黎明化工研究设计院有限责任公司 | 一种视镜清洗系统及其使用方法 |
| CN111451902A (zh) * | 2019-01-21 | 2020-07-28 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
| CN111451902B (zh) * | 2019-01-21 | 2023-08-15 | 株式会社迪思科 | 加工装置 |
| CN113199866A (zh) * | 2020-01-30 | 2021-08-03 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3512868B2 (ja) | 2004-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3504023B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| US6729561B2 (en) | Cleaning nozzle and substrate cleaning apparatus | |
| CN104941948B (zh) | 基板清洗方法及基板清洗装置 | |
| TW201720538A (zh) | 二相流霧化噴射清洗裝置 | |
| US6343609B1 (en) | Cleaning with liquified gas and megasonics | |
| US20070246081A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning a substrate | |
| TW201133582A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3512868B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| CN110544648A (zh) | 金属互连清洗装置及清洗方法 | |
| KR870001880B1 (ko) | 잉크 제트 프린터용 잉크 제조 방법 | |
| JP2002011419A (ja) | 洗浄方法およびこれに用いる洗浄装置 | |
| JP2944598B2 (ja) | 洗浄装置および精密基板を洗浄する方法 | |
| JP3380021B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| TWI286796B (en) | Apparatus and method for drying disk-shaped substrates | |
| JP5311938B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP3519118B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH03296475A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP4279008B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2009170709A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JPH08197025A (ja) | 洗浄用スプレイノズル及び洗浄方法 | |
| JPS6329515A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| JP2000100763A (ja) | 基板表面の処理装置 | |
| JPH0852443A (ja) | 超純水による洗浄方法 | |
| JP2987225B2 (ja) | 超微細凍結粒子の製造装置 | |
| JP2010212519A (ja) | 基板洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040108 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080116 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |