JP2016519441A - ヘイズ除去および残渣除去用の水蒸気を含むプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
a)材料除去 −> b)任意の洗浄 −> c)任意の標準的な化学的清浄化プロセス −> d)水蒸気アトマイズ化洗浄 −> e)乾燥
この実施例では、各洗浄ステップは、同じまたは異なる洗浄流体、および水蒸気組成物、および適用条件(温度および力など)を有してもよい。
以下、本発明の原理および実施を示す下記の例を参照して、本発明の代表的な実施例について説明する。
酸処理後の基板を洗浄するため、TEL FSIインターナショナル社により製造されたOrion(登録商標)単一ウェハ清浄化システムにおいて、高温脱イオン水(HDI)に蒸気添加を実施した。この例では、基板は、300mmの熱酸化シリコンウェハであり、これは半導体製造産業において、広く使用されている。酸処理および洗浄処理の全ては、一つのプロセスレシピに収容され、Orion(登録商標)単一ウェハ清浄化システムにおける単一のチャンバで実施した。すなわち、ドライイン、ドライアウトの処理プロセスである。ノズルの配列(スプレーバーとも称される)により、回転基板上でHDI流に蒸気を導入した。処理特性は、KLA Tencor Surfscan SP2を用いてモニターし、端部の2mmを除き、45nm以上の光点欠陥(LPD)を測定した。時間によるLPDの増加は、基板表面でヘイズが上昇することを示す。0時間のLPD測定に比べて、基板表面における24および48時間のモニタリング期間で、100を超えるLPDが追加されることは、許容できない上昇であると考えられる。ヘイズは、酸処理後の洗浄プロセスにおいて、基板表面から酸が十分に除去されていないことを直接示唆する。この測定基準により、蒸気およびHDIは、酸処理後のSC1(化学)ステップと比較して、等価な結果を示した。
1 高温リン酸+DI洗浄のポスト酸ステップ
2 高温リン酸+DI+HDIおよび蒸気洗浄のポスト酸ステップ
3 高温リン酸+DI+SC1(化学)ステップのポスト酸ステップ
基板上の3つの領域が分析された。中心、中心から90mm、および中心から135mである。酸処理され1時間後に洗浄された基板の分析から、DIリンスのみで処理された基板(プロセス1)は、酸処理され高温DIおよび蒸気で洗浄された基板(プロセス2)、または酸処理された後にSC1(化学)ステップで処理された基板(プロセス3)に比べて、約2倍のリン原子百分率を示した。これは、基板表面から原子リンを除去する際に、高温DIと蒸気の洗浄プロセスは、SC1(化学)ステップと同等に有効であり、DIでの洗浄のみでは、有効ではないことを示唆するものである。KLA Tencor Surfscan SP2による24時間での追加の測定では、プロセス1の場合、LPDの大きな増加(45nmで>1000)が示され、LPDのオージェ電子分光分析では、リンがLPD内に存在することが示された。プロセス2およびプロセス3では、KLA Tencor Surfscan SP2による測定によって、LPDの上昇は示されなかった。このことから、ヘイズが存在しないことが確認された。原子リンは、リン酸処理ステップからウェハ表面に堆積する。KLA Tencor Surfscan SP2により、プロセス1の場合、1時間で測定された基板表面での原子リンの上昇レベルは、24時間で光点欠陥として測定されるヘイズと一致した。
Claims (15)
- 基板を処理する方法であって、
a)処理手順を用いて基板から材料を除去し、処理基板を提供するステップと、
b)洗浄流体を含む少なくとも一つの流れを導入するステップと、
c)前記洗浄流体に水蒸気を衝突させて、前記洗浄流体をアトマイズするステップと、
d)前記アトマイズされた洗浄流体を、洗浄的に、前記処理基板に接触させるステップと、
を有する方法。 - 前記処理手順は、基板から材料を選択的に除去する、請求項1に記載の方法。
- 前記選択的に除去する手順は、酸を適用することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記洗浄流体は、実質的に脱イオン水で構成される、請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄流体は、脱イオン水で構成される、請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄流体は、水と、NH4OH、H2O2、およびIPAの1または2以上とを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄流体は、NH4OH、H2O2、および水を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記材料は、フォトレジスト、ハードマスク、またはこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記酸は、硫酸、リン酸、またはこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記水蒸気は、少なくとも約100℃の温度で提供される、請求項1に記載の方法。
- 前記水蒸気は、約130℃の温度で提供される、請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄流体の流れと前記水蒸気は、別個のオリフィスから生じる、請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄流体の流れは、パルス化された流れである、請求項1に記載の方法。
- 前記選択的に除去するステップでは、前記処理基板に酸残渣が残り、
前記洗浄ステップでは、基板の処理が完了してから24時間後に測定された300mmの直径の基板に等価な面積において、45nm以上で添加された100未満の光点欠陥を有する基板が提供される、請求項1に記載の方法。 - 前記選択的に除去するステップでは、前記処理基板に酸残渣が残り、
前記洗浄ステップでは、基板の処理が完了してから48時間後に測定された300mmの直径の基板に等価な面積において、45nm以上で添加された100未満の光点欠陥を有する基板が提供される、請求項1に記載の方法。
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