WO2006001117A1

WO2006001117A1 - ＧａＡｓ基板の洗浄方法、ＧａＡｓ基板の製造方法、エピタキシャル基板の製造方法、およびＧａＡｓウエーハ

Info

Publication number: WO2006001117A1
Application number: PCT/JP2005/007817
Authority: WO
Inventors: Yusuke Horie; Takayuki Nishiura; Tomoki Uemura
Original assignee: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Priority date: 2004-06-28
Filing date: 2005-04-25
Publication date: 2006-01-05
Also published as: CN100437927C; US20080292877A1; JPWO2006001117A1; EP1763071A1; KR20070026310A; EP1763071A4; CN1906738A

Abstract

　洗浄後の析出異物の数が少ないＧａＡｓ基板の洗浄方法を提供する。この洗浄方法は、酸洗浄工程（Ｓ１１）と、純水リンス工程（Ｓ１２）と、スピン乾燥工程（Ｓ１３）とから構成されている。まず、表面を鏡面研磨されたＧａＡｓ基板を、酸性の洗浄液に浸漬することにより酸洗浄工程を行う（Ｓ１１）。酸洗浄工程において、洗浄時間は３０秒未満である。次に、洗浄されたＧａＡｓ基板に付いた洗浄液を純水により洗い流す純水リンス工程を行う（Ｓ１２）。続いて、純水が付いたＧａＡｓ基板を乾燥させるスピン乾燥工程を行う（Ｓ１３）。これにより洗浄後の析出異物の数が少ないＧａＡｓ基板が提供される。

Description

GaAs基板の洗浄方法、 GaAs基板の製造方法、ェピタキシャル基板の製造方法、および GaAsゥエーハ

技術分野

[0001] 本発明は、 GaAs基板の洗浄方法、 GaAsゥエーハの製造方法、ェピタキシャル基板の製造方法、および GaAsゥエーハに関する。

背景技術

[0002] 特許文献 1には、洗浄方法が記載されて!、る。この方法では、 GaAs基板をフッ酸中に 10分間浸漬して、基板表面から自然酸ィ匕膜ごと不純物を除去し、次いで純水中で基板をリンスする。 GaAs基板の製造における洗浄工程では、塩酸、フッ酸等の酸洗浄液によって、 GaAs基板表面の有機物や金属等を除去する処理がなされてヽる。

[0003] 特許文献 2には、 GaAs半導体結晶基板の洗浄方法が記載されている。この方法の洗浄工程では、基板の表面の有機物および金属を除去する処理の後に、酸性溶液を用いて基板の酸ィ匕膜をエッチングする。この後に、アルカリ水溶液を用いて基板を洗浄した後に、基板を超純水で洗浄する。この後に、基板の乾燥を行なう。この方法によれば、析出物等の異物を完全に除去することができる。

特許文献 1：特開平 10— 79363号公報

特許文献 2：特開 2000— 340535号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0004] しかし、このような酸洗浄を実施すると、洗浄後の時間の経過とともに、 GaAs基板表面に析出異物が発生してしまう。このような析出異物がある GaAs基板上にェピタキシャル膜を形成すると、この析出異物によりェピタキシャル膜に欠陥が増力!]してしまうという問題があった。このような欠陥は、ェピタキシャル膜の品質を損なうものである

[0005] 本発明は、斯かる実情に鑑み、洗浄後の析出異物の数が少ない GaAs基板の洗浄方法を提供しょうとするものである。

[0006] また、本発明は、洗浄後の析出異物の数が少ない GaAs基板の製造方法、該 GaA s基板を用いてェピタキシャル基板を製造する方法、洗浄後の析出異物の数が少な Vヽ GaAs基板を洗浄する方法および GaAs基板を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0007] 本発明は、 GaAs基板の洗浄方法であって、酸性溶液による 30秒未満の洗浄を G aAs基板に行う酸洗浄工程を含むことを特徴とする。この構成であれば、酸洗浄工程の洗浄時間が 30秒未満であるので、洗浄後の GaAs基板上の析出異物の数が少ない。

[0008] 本発明の別の態様は、 GaAs基板の洗浄方法であって、それぞれの工程ごとに異なる酸性溶液による洗浄を GaAs基板に行う複数の酸洗浄工程を含み、複数の酸洗浄工程における洗浄時間の全合計時間が 30秒未満であることを特徴とする。

[0009] この構成であれば、それぞれ異なる酸性溶液による複数の酸洗浄工程を行うので、それぞれの酸性溶液の特性に応じた酸洗浄を行うことができる。さらに、複数の酸洗浄工程における洗浄時間の全合計時間を 30秒未満とするので、洗浄後の GaAs基板上の析出異物の数が少な、。

[0010] 本発明の別の態様は、 GaAs基板の洗浄方法であって、（a)アルカリ性溶液による洗浄を GaAs基板に行うアルカリ洗浄工程と、 (b)アルカリ洗浄工程後に酸性溶液による洗浄を GaAs基板に行う酸洗浄工程とを含み、アルカリ洗浄工程は、 GaAs基板に超音波を印加しつつ洗浄を行い、酸洗浄工程の洗浄時間は、 30秒未満であることを特徴とする。

[0011] この構成であれば、超音波を GaAs基板に印加するアルカリ洗浄を行うので、 GaA s基板に付着したパーティクルをより効果的に除去できる。さら〖こ、洗浄時間が 30秒未満の酸洗浄工程を行うので、アルカリ洗浄により生じた基板表面の荒れが改善され、また洗浄後の GaAs基板上の析出異物の数が少な、。

[0012] 本発明の別の態様は、 GaAs基板の洗浄方法であって、（a)酸性溶液による洗浄を GaAs基板に行う第 1酸洗浄工程と、（b)第 1酸洗浄工程後にアルカリ性溶液による洗浄を GaAs基板に行うアルカリ洗浄工程と、 (c)アルカリ洗浄工程後に酸性溶液による洗浄を GaAs基板に行う第 2酸洗浄工程とを含み、第 2酸洗浄工程の洗浄時間は 30秒未満であることを特徴とする。

[0013] この構成であれば、第 1酸洗浄工程を行うので、 GaAs基板上の金属不純物、有機物や自然酸ィ匕膜等を除去できる。また、第 1酸洗浄工程の後にアルカリ洗浄工程を行うので、第 1酸洗浄による異物の析出を抑制できる。そして、アルカリ洗浄後に 30 秒未満の酸洗浄を行うので、アルカリ洗浄で生じた基板表面の荒れが改善され、また洗浄後の GaAs基板上の析出異物の数が少な、。

[0014] 好適には、アルカリ洗浄工程は、 GaAs基板に超音波を印加しつつ洗浄を行う。この構成であれば、超音波を印加するアルカリ洗浄により、基板に付着したパーテイクルをより効果的に除去することができる。

[0015] 酸洗浄工程で洗浄液として用いる酸性溶液は、硝酸、フッ酸、塩酸、リン酸、硫酸、酢酸、炭酸、乳酸、ギ酸、クェン酸、リンゴ酸およびフタル酸の少なくともいずれかを含むものとできる。

[0016] アルカリ洗浄工程で洗浄液として用いるアルカリ性溶液は、アンモニア、ェチルヒドロキシル、 2—エトキシェチルァミン、トリエタノールァミン、ジエタノールァミン、ェチルァミン、トリメチルァミン、ジェチルァミン、ジメチルァミン、エタノールァミン、トリメチルアンモ-ゥムヒドロキシド、テトラエチルアンモ-ゥムヒドロキシド、およびテトラメチルァンモ-ゥムヒドロキシドの少なくともいずれかを含むものとできる。

[0017] 本発明の更なる別の態様は、 GaAsウェハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法である。この方法は、 30秒未満の時間で酸性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程を含む。この方法によれば、酸処理工程の処理時間が 30秒未満であるので、処理後の GaAs基板上の析出物の数が少な、。

[0018] 本発明の更なる別の態様は、 GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法である。この方法は、複数の酸性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程を含み、前記複数の酸性溶液のうちの一の酸性溶液は、前記複数の酸性溶液のうちの他の酸性溶液と異なり、前記 GaAs基板が前記酸性溶液を用いて処理された総時間が 30秒未満である。この方法によれば、それぞれの酸性溶液の特性に応じた酸処理を行うことができる。複数の酸処理における処理時間の全合計時間が 30秒未満であるので、処理後の GaAs基板上の析出異物の数が少な、。

[0019] 本発明の更なる別の態様は、 GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法である。この方法は、アルカリ性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程と、アルカリ性溶液を用いて GaAs基板を処理した後に、 30秒未満の時間だけ酸性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理する工程とを含み、アルカリ性溶液を用いて GaAs 基板を処理する工程は、超音波を印加しつつアルカリ性溶液に GaAs基板を浸すェ程を含む。この方法によれば、超音波が印加されたアルカリ性溶液を用いて GaAs基板を処理するので、 GaAs基板に付着したパーティクルをより効果的に除去できる。さらに、 30秒未満の洗浄時間で酸処理を行うので、アルカリ洗浄により生じた基板表面の荒れが改善され、また洗浄後の GaAs基板上の析出物の数も少な、。

[0020] 本発明の更なる別の態様は、 GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法である。この方法は、第 1の酸性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程と、酸性溶液を用いて GaAs基板を処理した後に、アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs 基板を処理する工程と、アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理した後に、 3 0秒未満の期間で第 2の酸性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理する工程とを含む。この方法によれば、第 1の酸性溶液による処理により、 GaAs基板上の金属不純物、有機物や自然酸ィ匕膜等を除去できる。また、アルカリ性溶液を用いる処理により、先の酸処理による析出物の発生数を低減できる。第 2の酸性溶液を用いる処理により、アルカリ洗浄で生じた基板表面の荒れが改善され、また洗浄後の GaAs基板上の析出異物の数が少ない。好適には、アルカリ性溶液を用いる処理において、アルカリ性溶液に超音波を印加しつつ GaAs基板の洗浄を行うことが好まヽ。超音波を印加するアルカリ洗浄により、基板に付着したパーティクルをより効果的に除去することができる。

[0021] 本発明に係る更なる別の側面は、 GaAsウェハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法である。この方法は、酸性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程を含み、前記酸性溶液は、 6. 4以下の水素イオン濃度 (PH)を有する。この処理された GaAs 基板を用いるェピタキシャル成長にぉ、て、くもりの少なヽェピタキシャル膜を安定して作製可能な GaAs基板を提供できる。 [0022] 本発明に係る更なる別の側面は、 GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法である。この方法は、酸性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程を含み、前記酸性溶液は、フッ化水素酸および過酸化水素水を含む混合溶液であり、前記混合溶液の前記フッ化水素酸の濃度が 5. Owt%以下である。くもりの少ないェピタキシャル膜を安定して成長可能な GaAs基板を提供できると共に、表面の析出異物の数が少なくなる。

[0023] 本発明に係る更なる別の側面では、酸性溶液を用いて GaAs基板を処理するに先だって、アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理する工程を更に含むことができる。このとき、微粒子除去作用が大きいアルカリ性溶液と組み合わせることができ、 GaAs基板の表面の清浄度が更に向上する。

[0024] アルカリ洗浄工程で洗浄液として用いるアルカリ性溶液として、以下のものが例示される。アルカリ性溶液は、アンモニア、ェチルヒドロキシル、 2—エトキシェチルァミン、トリエタノールァミン、ジエタノールァミン、ェチルァミン、トリメチルァミン、ジェチルァミン、ジメチルァミン、エタノールァミン、トリメチルアンモ-ゥムヒドロキシド、テトラエチルアンモ-ゥムヒドロキシド、およびテトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシドの少なくとも V、ずれかを含むことができる。

[0025] 酸洗浄工程で洗浄液として用いる酸性溶液として、以下のものが例示される。用いることができる。酸性溶液は、硝酸、フッ酸、塩酸、リン酸、硫酸、酢酸、炭酸、乳酸、ギ酸、クェン酸、リンゴ酸およびフタル酸の少なくともいずれかを含むことができる。

[0026] 本発明の別の態様は、 GaAsゥエーハの製造方法であって、 GaAs単結晶インゴットをスライスして作成された GaAsスライスの表面を研磨して GaAs基板を形成するェ程と、本発明に係る洗浄または処理を研磨された GaAs基板に行う工程を含むことを特徴とする。この構成によれば、析出異物の数が少ない GaAs基板を製造することができる。

[0027] 本発明の別の態様は、ェピタキシャル基板の製造方法であって、本発明に係る方法または処理を行う工程と、 GaAsゥエーハにェピタキシャル膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。この構成によれば、ェピタキシャル膜の欠陥が少ないェピタキシャル基板を製造することができる。 [0028] 本発明の別の態様は、洗浄された主面を有する GaAs基板である。この GaAs基板の前記主面は、 XPSの強度評価による Ga (3d)ピークと As (3d)ピークとの面積比が 0. 59以上である特性を有する。本発明に係る GaAs基板では、前記主面上の 0. 4 m以上の析出物が 15個 Z12. 57inch²以下である。 GaAs基板を用いると、欠陥数が少ないェピタキシャル膜が安定して得られる。

[0029] 本発明の別の態様は、洗浄された主面を有する GaAsゥエーハであって、前記主面は 0. 21nm以下の表面粗さを有する。また、本発明の別の態様は、洗浄された主面を有する GaAsゥエーハである。この GaAsゥエーハの前記主面は、 XPSの強度評価による Ga (3d)ピークと As (3d)ピークとの面積比が 1. 5以下である。このゥエーハを用いるェピタキシャル成長では、くもりの少なヽェピタキシャル膜を安定して作製可能な GaAsゥエーハを提供できる。上記の GaAsゥエーハにお!/、て前記主面上の析出物が 1. 2個 Zcm²以下であることができる。この GaAsゥエーハを用いると、くもりが少なく且つ欠陥数が少ないェピタキシャル膜を安定して形成できる。

発明の効果

[0030] 本発明による GaAs基板の洗浄方法、 GaAsゥエーハの製造方法およびェピタキシャル基板の製造方法によれば、洗浄後の析出異物の数が少な、。

[0031] また、本発明によれば、洗浄後の析出異物の数が少ない GaAsゥエーハを用いてェピタキシャル基板を製造する方法が提供され、洗浄後の析出異物の数が少な、G aAs基板を洗浄する方法および GaAsゥエーハが提供される。

図面の簡単な説明

[0032] 本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。

[図 1]本発明の第 1実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。

[図 2]本発明の第 2実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。

[図 3]本発明の第 3実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。

[図 4]本発明の第 4実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。

[図 5]本発明の第 5実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。 [図 6]エリア (_a)は本発明の第 6実施形態に係る GaAsゥエーハの製造方法を示すフロー図である。エリア (b)は本実施形態に係る GaAsゥエーハの製造方法によって作製された GaAsゥエーハを示す図面である。

[図 ₇]エリア (_a)は本発明の第 7実施形態に係るェピタキシャル基板の製造方法を示すフロー図である。エリア (b)は本実施形態に係る GaAsゥエーハの製造方法によつて作製されたェピタキシャル基板を示す図面である。

[図 8]GaAs基板に発生した析出異物数とェピタキシャル膜の欠陥数との関係を示す図である。

[図 9]X線光電子分光測定における Ga3dピークおよび As3dピークの面積強度比と、析出異物数との関係を示す図である。

[図 10]酸洗浄時間と析出異物数との関係を示す図である。

[図 11]ェピタキシャル層表面のヘイズと GaAs基板の表面粗さの関係を示す図面である。

[図 12]X線光電子分光 (XPS)測定結果を示す図面である。

[図 13]各溶液により処理された基板の表面粗さと溶液の水素イオン濃度 (PH)との関係を示す図面である。

[図 14]析出物の密度とフッ化水素酸の濃度との関係を示す図面である。

発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。

(第 1実施形態）

図 1は、本発明の第 1実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。図 1に示す本実施形態に係る洗浄方法は、おおまかには、酸洗浄工程 (S11)と、純水リンス工程 (S12)と、スピン乾燥工程 (S 13)とを有する。本実施形態の洗浄方法では、まず、工程 S11において、表面を鏡面研磨された GaAs基板を酸性の洗浄液に浸漬することにより酸洗浄工程を行う。この酸洗浄工程においては、例えば、多数の GaAs基板をゥエーハキャリアに保持する。そして、ゥエーハキャリアに保持された GaAs基板を洗浄槽内の洗浄液に浸漬することにより、洗浄を行う。酸洗浄工程で用いる洗浄液は、例えば、硝酸、フッ酸、塩酸、リン酸、硫酸、酢酸、炭酸、乳酸、ギ酸、クェン酸、リンゴ酸およびフタル酸のいずれかを含むことができる。あるいは、上記酸の混合液を洗浄液として用いることもできる。この酸洗浄工程において、 GaAs 基板を洗浄する洗浄時間は 30秒未満である。洗浄時間が 30秒未満なので、析出異物の発生は最小限に抑えられる。析出異物の発生をより効果的に抑えるために、酸洗浄工程の洗浄時間は 20秒以下がより好ましい。また、 GaAs基板に付着した金属不純物や有機物をより効果的に除去するために、酸洗浄工程の洗浄時間は 10秒以上がより好ましい。

[0034] 次に、工程 S12では、洗浄された GaAs基板に付いた洗浄液を純水により洗い流す純水リンス工程を行う。この純水リンス工程は、上記酸洗浄工程と同様に、ゥエーハキャリアに保持された GaAs基板を洗浄槽内の純水に浸漬することにより、 GaAs 基板に付いた洗浄液を洗い流す。なお、この純水リンス工程では、洗浄槽中の純水を循環させることちできる。

[0035] 工程 S 13では GaAs基板を乾燥させる乾燥工程を行う。乾燥工程では、 GaAs基板を回転させて遠心力で水を吹き飛ばすことにより、 GaAsを乾燥させる。乾燥工程により、乾燥された GaAs基板が得られる。なお、乾燥方法としては、スピン乾燥の他、例えば、真空乾燥、温風乾燥、 IPA (イソプロピルアルコール)蒸気乾燥、マランゴ- 乾燥、ロタゴ-乾燥により行うことができる。

[0036] 以上述べたように本実施形態に係る洗浄方法では、酸洗浄工程にお!ヽて酸性溶液を用いた 30秒未満の洗浄を行う。ゆえに、洗浄後の GaAs基板上の析出異物の数が少ない。

[0037] (第 2実施形態）

図 2は、本発明の第 2実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。本実施形態においては、それぞれ異なる酸性溶液による複数の酸洗浄工程を含む点が、前述の第 1実施形態と異なる。本実施形態の洗浄方法では、まず、塩酸洗浄工程 S21においては、塩酸を洗浄液として用いて GaAs基板を洗浄する。純水リンス工程 S22において、塩酸洗浄工程後の GaAs基板から塩酸を洗い流す。フッ酸洗浄工程 S 23では、フッ酸を洗浄液として用いて GaAs基板を洗浄する。純水リンスェ程 S 24では、フッ酸洗浄工程後の GaAs基板力ゝらフッ酸を洗い流す。スピン乾燥工程 S25では、 GaAs基板を乾燥させる。この塩酸洗浄工程とフッ酸洗浄工程の洗浄時間の全合計時間は、 30秒未満とされる。より好適には、これら複数の酸洗浄工程の洗浄時間の全合計時間は、 10秒〜 20秒とされる。洗浄時間の全合計時間が 10秒以上であれば、 GaAs基板に付着した金属不純物や有機物をより効果的に除去できる。洗浄時間の全合計時間が 20秒以下であれば、析出異物の発生をより効果的に抑えることができる。ゆえに、複数の酸洗浄工程を行った場合においても、洗浄後の析出異物の数が少ない GaAs基板とすることができる。

[0038] GaAs基板の洗浄においては、洗浄の方法によって、洗浄後の基板表面の状態が異なる。洗浄後の基板表面の品質に対する要求は、後に形成されるェピタキシャル層の態様に応じて異なる。洗浄後の基板表面の品質は、洗浄液の組成を変えることにより変更することができるが、一種類の洗浄液を用いる酸洗浄を一回だけ行うだけでは、洗浄後に所望の状態の基板表面を得ることができない場合がある。その場合でも、本実施形態のように、それぞれ異なる酸性溶液を組み合わせて複数の酸洗浄を行う工程により、洗浄後に所望の状態の基板表面を得ることができる。図 2の例では、塩酸洗浄工程とフッ酸洗浄工程の 2つの酸洗浄工程を行っている力本実施形態は、これに限定されず 3つ以上の酸洗浄工程を行うこともできる。また、それぞれの酸洗浄工程で洗浄液として用いられる酸性溶液も、第 1実施形態にお!、て記載された、種々のエツチャントを選択することができる。

[0039] (第 3実施形態）

本実施形態の洗浄方法では、図 3に示されるように、まず、工程 S31では、 GaAs 基板に超音波を印加しつつアルカリ性溶液による洗浄を行うアルカリ洗浄工程を行う (S31)。このアルカリ洗浄工程では、前述の酸洗浄工程や純水リンス工程と同様に、ゥエーハキャリアに保持した GaAs基板を洗浄槽のアルカリ性溶液に浸漬することにより行う。アルカリ性溶液は、アンモニア、ェチルヒドロキシル、 2—エトキシェチルアミン、トリエタノールァミン、ジエタノールァミン、ェチルァミン、トリメチルァミン、ジェチルァミン、ジメチルァミン、エタノールァミン、トリメチルアンモ-ゥムヒドロキシド、テトラェチルアンモ-ゥムヒドロキシド、およびテトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシドの少なくともいずれかを含むアルカリ性溶液とできる。あるいは、アルカリ性溶液を、これらの混合液とすることができる。

[0040] アルカリ洗浄工程の後、純水リンス工程 S32を行、、 GaAs基板に付、たアルカリ性溶液を洗い流す。引き続いて、塩酸洗浄工程 S33では第 1実施形態と同様に洗浄時間が 30秒未満の塩酸洗浄を行い、純水リンス工程 S34を行い、乾燥工程 S35を行う。本実施形態の洗浄方法では、最初に超音波印加アルカリ洗浄工程を行うことにより、 GaAs基板に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。さら〖こ、洗浄時間が 30秒未満の酸洗浄工程を行うことにより、超音波印加アルカリ洗浄工程で生じた GaAs基板表面の荒れを改善でき、かつ洗浄後の GaAs基板上の析出異物の数が少ない。超音波の GaAs基板への印加は、例えば、洗浄槽に設置された超音波振動子を用いて 20〜40kHzの超音波を発生させることにより、行うことができる。

[0041] (第 4実施形態）

図 4は、本発明の第 4実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。本実施形態においては、酸性溶液による第 1酸洗浄工程を行い、第 1酸洗浄ェ程後にアルカリ洗浄工程を行い、アルカリ洗浄工程後に第 2酸洗浄工程を行い、この第 2洗浄工程の洗浄時間が 30秒未満である。本実施形態では、まず、硫酸エツチング工程 S41において、第 1酸洗浄のために硫酸をエッチング液として用いる。この硫酸エッチング工程の洗浄時間は特に限定されることはなぐ 30秒以上の時間の洗浄を行うことができる。これにより、例えば、 GaAs基板表面に形成された自然酸化膜を完全に除去した、ような場合や、 30秒以下では金属不純物や有機物の除去が不十分な場合、長時間の酸洗浄を行い、自然酸化膜の除去や、金属不純物、有機物の除去ができる。この硫酸エッチング工程は、洗浄時間が 30秒未満に限定されない以外は、第 1実施形態の酸洗浄工程と同様に行うことができる。

[0042] 純水リンス工程 S42において GaAs基板力硫酸を洗い流した後、アルカリ洗浄ェ程 S43では、 GaAs基板のアルカリ洗浄を行う。このアルカリ洗浄工程は、 GaAs基板に超音波を印カロしない以外は、第 3実施形態の超音波印加アルカリ洗浄工程と同様に行うことができる。このアルカリ洗浄工程を行うことにより、アルカリ洗浄工程の前に、洗浄時間が 30秒以上の酸洗浄が行われたとしても、その酸洗浄工程による異物の析出を抑制することができる。 [0043] 純水リンス工程 S44において GaAs基板からアルカリ性溶液を洗い流した後、フッ酸洗浄工程 S45において、第 2酸洗浄のために GaAs基板のフッ酸洗浄を行う。このフッ酸洗浄工程は、第 1実施形態の酸洗浄工程と同様に、 30秒未満の洗浄を行う。第 2酸洗浄により、アルカリ洗浄工程で生じた GaAs基板表面の荒れを改善しつつ、洗浄後の析出異物の数が少ない GaAs基板とすることができる。

[0044] そして、純水リンス工程 S46において GaAs基板力もフッ酸を洗い流した後、乾燥工程 S47において、 GaAs基板を乾燥させる。

[0045] 本実施形態に係る洗浄方法では、第 1酸洗浄工程と第 2酸洗浄工程との間にアルカリ洗浄工程を行うので、第 1酸洗浄工程による異物の析出を抑制することができる。その後に、第 2酸洗浄工程において、洗浄時間が 30秒未満の酸洗浄を行うので、ァルカリ洗浄工程で生じた GaAs基板表面の荒れを改善しつつ、洗浄後の析出異物の数を少なくできる。

[0046] (第 5実施形態）

図 5は、本発明の第 5実施形態に係る GaAs基板の洗浄方法を示すフロー図である。本実施形態では、アルカリ洗浄工程において、 GaAs基板に超音波を印加しつつアルカリ洗浄を行う点が、第 4実施形態の洗浄方法と異なる。本実施形態では、硫酸エッチング工程 S 51、純水リンス工程 S 52を第 4実施形態の工程 S41および工程 S42と同様〖こ行う。この後に、アルカリ洗浄工程 S53で GaAs基板に超音波を印加しつつ、 GaAs基板のアルカリ洗浄を行う。このアルカリ洗浄工程は第 3実施形態におけるアルカリ洗浄工程と同様に行うことができる。そして第 4実施形態の工程 S44とェ程 S45と同様〖こ、それぞれ、純水リンス工程 S54、洗浄時間が 30秒未満のフッ酸洗浄工程 S55を行う。その後に第 4実施形態の工程 S46と工程 S47と同様に、工程 S5 6で純水リンス工程、および工程 S57で乾燥工程を行う。工程 S53では基板に超音波を印加しつつ、 GaAs基板のアルカリ洗浄を行うので、第 4実施形態のアルカリ洗浄工程の異物の析出を抑制する作用にカ卩えて、 GaAs基板に付着したパーティクルを効果的に除去できる。また、酸洗浄工程 S55における洗浄時間が 30秒未満であるので、アルカリ洗浄工程で生じた GaAs基板表面の荒れを改善しつつ、洗浄後の析出異物の数を少なくできる。 [0047] (第 6実施形態）

図 6のエリア (a)は、本発明の第 6実施形態に係る GaAsゥエーハの製造方法を示すフロー図である。本実施形態においては、 GaAsゥエーハを製造するために、以上説明した本発明の洗浄方法を行う。本実施形態では、まず、スライス工程 S61では、 GaAs単結晶インゴットをスライスして GaAsスライスを形成する。スライス工程 S61では、内周刃スライサ、外周刃スライサ、ワイヤソ一等により、 GaAs単結晶インゴットをゥエーハ形状に加工して GaAsスライスを作製する。鏡面研磨工程 S62では、 GaAs スライスの表面を鏡面研磨する。この鏡面研磨工程は、例えばメカノケミカルポリシング (CMP)装置により行うことができる。洗浄工程 S63では、第 1実施形態ないし第 5 実施形態のいずれか〖こ係る洗浄方法を行い、図 6のエリア (b)に示される GaAsゥェーハ Wが完成する。該洗浄方法により、金属不純物、有機物、パーティクルが除去され、析出異物が少な、GaAsゥエーハを製造することができる。

[0048] (第 7実施形態）

図 7のエリア (a)は、本発明の第 7実施形態に係るェピタキシャル基板の製造方法を示すフロー図である。本実施形態においては、第 6実施形態と同様に、スライスェ程 S71、鏡面研磨工程 S72、および洗浄工程 S73を行う。ェピタキシャル膜工程 S7 4では、図 7のエリア（b)に示されるように、洗浄された GaAsゥエーハ W上にェピタキシャル膜 Fを形成する。このェピタキシャル膜形成工程では、分子線ェピタキシ (MB E)法または有機金属化合物気相成長（MOVPE)法によりェピタキシャル膜 Fを形成することが好ましい。本実施形態では、工程 S73で析出異物の少ない GaAsゥエーハ Wが得られるので、その GaAsゥエーハ Wの表面にェピタキシャル膜 Fを形成することにより、ェピタキシャル膜 Fの欠陥を少なくできる。

[0049] 図 8は、 GaAs基板に発生した析出異物数とェピタキシャル膜の欠陥数との関係を示す図である。図 8の横軸はェピタキシャル成長前におけるサイズ 0. 4 m以上の析出異物数を示し、図 8の縦軸はェピタキシャル膜におけるサイズ 1 μ m以上の欠陥数を示す。これらのデータを得る目的で、半絶縁性の直径 4インチ (約 10cm)の GaAs 基板を、フッ酸 0. 5重量％、塩酸 1. 0重量％、および過酸化水素水 0. 1重量％との混合液によって、種々の洗浄時間で洗浄し、純水リンス後にスピン乾燥した。その後、乾燥した GaAs基板を 1日放置した後、サイズ 0. 4 m以上の析出異物を鏡面検查装置にて測定した。さらに MBE法により、膜厚 1 μ mのアンドープ GaAs膜をェピタキシャル成長した。そして、鏡面検査装置にてェピタキシャル膜上のサイズ 1. Ο μ m以上の欠陥を測定した。

[0050] 次に、半絶縁性の 4インチ GaAsにお、て、 X線光電子分光 (XPS)測定を行った。

この測定では上記と同様の酸洗浄と析出異物の測定を行った後、 X線源に A1K aを用い、光電子の取り出し角度を基板表面に対して 10° とする条件で行い、 Ga3dピークおよび As3dピークの面積強度比を求めた。図 9は、 X線光電子分光測定における Ga3dピーク面積強度 ZAs3dピーク面積強度と、析出異物数との関係を示す図である。図 9の横軸は Ga3dピークおよび As3dピークの面積強度比を示し、図 9の縦軸は析出異物数を示す。図 9より、 Ga3dピーク面積強度 ZAs3dピーク面積強度が 0. 59以上であれば、析出異物数が 15個以下であることが判る。この結果は、 XPS測定での Ga3dピーク面積強度 ZAs3dピーク面積強度より、析出異物数を算出することができることを示している。

[0051] さらに、半絶縁性の 4インチ GaAs基板において、洗浄時間を 10〜120秒の間で変ィ匕させて上記の酸洗浄を行った。また、鏡面検査装置により析出異物の測定を行つた。図 10は、酸洗浄時間と析出異物数との関係を示す図である。図 10より、酸洗浄時間が 30秒未満のものは、析出異物が 15個 Z4インチ基板以下に少なくなることが判る。また、酸洗浄時間が 30秒未満の GaAs基板に対して、 XPS測定により Ga3dピーク面積強度 ZAs3dピーク面積強度を求めた。その結果、面積強度比は 0. 59以上となり、析出異物数が 15個 Z4インチ基板以下である。

[0052] 本発明の GaAs基板の洗浄方法および GaAs基板の製造方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更をカ卩ぇ得ることは勿論である。

[0053] (第 8実施形態）

上記の実施の形態に示された洗浄法を用いて、例えば、 4インチの半絶縁性 Ga As基板の処理を行う。酸性溶液およびアルカリ性溶液と!/、つた溶液に GaAs基板の全体を浸して、 GaAs基板の処理を行う。この処理により、 GaAs基板の表面が洗浄される。この後に、純水に GaAs基板の全体を浸して、 GaAs基板のリンス処理を行う。リンス処理後に遠心乾燥器を用いて、 GaAs基板を乾燥する。一実施例では、上記の溶液としてフッ酸水、水素水、炭酸水、過酸化水素水、アンモニア水、及びこれらの混合溶液を用いることができる。また、この溶液を用いる処理において、メガソ-ック超音波と、つた超音波を溶液に印加しながら、 GaAs基板の処理を行うことができる。これら一連の処理がされた GaAs基板上にェピタキシャル成長された半導体膜の表面のヘイズを測定する。ェピタキシャル成長では、例えば分子線エピタキシー法で 1 μ m以下の GaAs膜が形成される。測定は、鏡面検査装置を用いて行われる。また、これら一連の処理がされた別の GaAs基板の表面粗さ Raを原子間顕微鏡 (AFM) にて測定している。この測定において、プロープとして Si短針を用い、 l /z m角の視野を 125以上の回数で走査して画像を生成した後に、該画像を平坦ィ匕処理したデータを用いて表面粗さ Raを求める。

[0054] 図 11は、ェピタキシャル層表面のヘイズと GaAs基板の表面粗さの関係を示す図面である。基板の表面が粗、ほどその上に成長したェピタキシャル層表面のヘイズが大きくなる。このため、洗浄完了後の基板の表面粗さは 0. 21nm以下であることが好ましい。

[0055] (第 9実施形態）

上記の実施の形態に示された洗浄法を用いて、 GaAs基板の処理を行う。酸性溶液およびアルカリ性溶液といった溶液を用いて、例えば、 4インチの半絶縁性 GaAs 基板の処理を行う。この洗浄後に、純水を用いて GaAs基板のリンス処理を行う。リンス処理後に遠心乾燥器を用いて、 GaAs基板を乾燥する。一実施例では、上記の溶液としてフッ酸水、水素水、炭酸水、過酸化水素水、アンモニア水、及びこれらの混合溶液を用いることができる。また、この溶液を用いる処理において、溶液にメガソ- ック超音波を印加しながら、 GaAs基板の処理を行うことができる。これら一連の処理力 Sされた一の GaAs基板の表面粗さ Raを原子間顕微鏡 (AFM)にて測定する。この測定は、第 8実施形態に記載された方法と同様に行うことができる。この表面粗さ Ra の測定の後に、 X線光電子分光 (XPS)測定を行い、 Ga3dピークおよび As3dピークの面積強度比を求める。図 12は、 X線光電子分光 (XPS)測定結果を示す図面である。この測定では、例えば、基板表面に対して 10度の光電子の取り出し角度で X線源として Α1Κ _αを用い X線光電子分光測定を行う。この強度比は、（Ga3dピーク面積強度) Z(As3dピーク面積強度）によって規定される（以下、 "GaZAs"として参照される）。 GaZAsが低いほど表面が平坦であり、表面粗さが 0. 21nm以下のとき GaZ Asは 1. 5以下である。この結果によれば、 GaAs基板の洗浄終了後の基板表面において、 GaZAsは 1. 5以下であるのが好ましい。

[0056] (第 10実施形態）

上記の実施の形態に示された洗浄法を用いて、 GaAs基板の処理を行う。いくつ力の 4インチの絶縁性 GaAs基板を準備する。これらの基板を様々な水素イオン濃度（ PH)の溶液を用いて上記の洗浄法に従って処理する。図 13は、各溶液により処理された基板の表面粗さと溶液の水素イオン濃度との関係を示す。水素イオン濃度が低いほど、すなわち酸性が高いほど、酸洗浄後の基板の表面の平坦性が優れる。表面粗さが 0. 21nm以下のとき、 PHは 6. 4以下である。これ故に、洗浄工程における最終の酸洗浄では、洗浄液の PHは 6. 4以下であることが好ましい。

[0057] (第 11実施形態）

上記の実施の形態に示された洗浄法を用いて、 GaAs基板の処理を行う。 3インチの絶縁性 GaAs基板を準備する。この GaAs基板の全体を、フッ化水素酸水と過酸化水素水との混合溶液に 10秒間浸し、この後に、 GaAs基板の全体を純水に浸す。純水リンス後に、遠心乾燥器を用いて GaAs基板を乾燥する。フッ化水素酸の濃度は、例えば、 0. 1〜： LOwt%である。この処理された GaAs基板の表面を鐘面検査装置を用いて観察して、 0. 4 m以上の析出異物の数をカウントする。図 14は、析出異物の密度（lcm²当たり）とフッ化水素酸の濃度との関係を示す図面である。フツイ匕水素酸の濃度が 5. Owt%以下であるとき、析出異物密度が少なぐ例えば 1. 2個 Z cm²以下である。 1. 2個 /cm²以下の析出異物密度を示す GaAs基板の表面粗さおよび GaZAsを測定する。表面粗さは 0. 21nm以下であり、また GaZ As比は 1. 5以下である。すなわち、洗浄工程における最終の酸洗浄においてフッ化水素酸水と過酸化水素水との混合溶液を用いる場合、 0. 21nmの表面粗さおよび 1. 5以下の Ga ZAs比を示す GaAs基板を得るためには、フッ化水素酸濃度を 5. ることが好ましい。

[0058] 特開 2000— 340535号公報では酸洗浄後に基板表面に発生する折出異物を除去するために、酸洗浄後にアルカリ洗浄を追加している。しかし、アルカリ洗浄を実施すると GaAs表面が荒れる傾向になり、ェピタキシャル成長後のェピタキシャル層表面のくもりが増加する。さらに、アルカリ洗浄を行うと、洗浄コストが増大する。この方法によれば、仮にアルカリ洗浄を行わない場合でも、更にくもりが少なく且つ欠陥数が少ないェピタキシャル膜を安定して作製できる。また、特開平 11— 219924号公報には、暗所で GaAs基板を酸洗浄することが記載されているけれども、暗所での酸性溶液の取り扱いは注意を要する。この方法では、暗所等の特別な環境は不要である。

[0059] 微粒子の除去のためにはアルカリ性溶液が効果的であるので、ゥエーハ製造プロセス中において、以下の実施例では、上記の酸洗浄を使用している。

[0060] (実施例 1)

セラミックス製研磨板にワックスを用いて GaAsスライスを貼り付けた後に、塩素系研磨剤で研磨布を用いて GaAsスライスを研磨して GaAs基板を形成する。塩素系研磨剤は、例えば、塩素ィ匕イソシァヌール酸、リン酸ソーダ、炭酸ソーダ、硫酸ソーダの混合物の水溶液からなる。また研磨布は、例えばウレタンのスエードである。この GaA s基板の全体を純水に浸す。研磨板カゝら GaAs基板を剥離したのち、バッチ式洗浄装置を用いて、洗浄のために GaAs基板をアルコール等の有機溶液に浸して、また洗浄のために GaAs基板の全体をアルカリ性溶液に浸す。この後に、水洗のために Ga As基板の全体を純水に浸す。水洗された GaAs基板をアルコールを用いた蒸気乾燥で乾燥する。その後、 GaAs基板の平坦度を測定した後、バッチ式洗浄装置を用いて、本実施の形態に係る酸洗浄と純水リンスを実施する。この後に、処理された Ga As基板をアルコールの蒸気乾燥法で乾燥して、 GaAsゥエーハを作製した。

[0061] (実施例 2)

研磨機を用いて GaAsスライスを研磨する。この研磨機は、上軸に吸着プレートを備えている。 GaAs基板を吸着プレートに吸着して、塩素系研磨剤でウレタンのスェード研磨布を用いて研磨をする。塩素系研磨剤は、例えば、塩素化イソシァヌール酸、リン酸ソーダ、炭酸ソーダ、硫酸ソーダの混合物の水溶液力もなることが好ましい。研磨後、 GaAs基板を純水に浸して水洗した後に、アルカリ洗浄のためにバッチ式洗浄装置を用いて GaAs基板の全体をアルカリ性溶液に浸す。このあと、水洗のために GaAs基板の全体を純水に浸す。この後に、回転式乾燥装置を用いて GaAs基板を乾燥する。 GaAs基板の表面を検査した後に、 1枚ずつ GaAs基板を回転式洗浄装置に取り付けて、酸洗浄のために GaAs基板の全体を酸性溶液に浸す。リンスのために GaAs基板の全体を純水に浸した後に、 GaAs基板を遠心式乾燥器で乾燥して G aAsゥエーハを作製した。

好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきた力本発明は、そのような原理力逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。

Claims

請求の範囲

[1] GaAs基板の洗浄方法であって、

酸性溶液による 30秒未満の洗浄を GaAs基板に行う酸洗浄工程を含むことを特徴とする GaAs基板の洗浄方法。

[2] GaAs基板の洗浄方法であって、

それぞれの工程ごとに異なる酸性溶液による洗浄を GaAs基板に行う複数の酸洗浄工程を含み、

前記複数の酸洗浄工程における洗浄時間の全合計時間が 30秒未満であることを特徴とする GaAs基板の洗浄方法。

[3] GaAs基板の洗浄方法であって、

アルカリ性溶液による洗浄を GaAs基板に行うアルカリ洗浄工程と、

前記アルカリ洗浄工程後に酸性溶液による洗浄を前記 GaAs基板に行う酸洗浄ェ程と

を含み、

前記アルカリ洗浄工程では、前記 GaAs基板に超音波を印加しつつ洗浄を行ヽ、前記酸洗浄工程の洗浄時間は 30秒未満である、ことを特徴とする GaAs基板の洗浄方法。

[4] GaAs基板の洗浄方法であって、

酸性溶液による洗浄を GaAs基板に行う第 1酸洗浄工程と、

前記第 1酸洗浄工程後にアルカリ性溶液による洗浄を前記 GaAs基板に行うアル力リ洗浄工程と、

前記アルカリ洗浄工程後に酸性溶液による洗浄を前記 GaAs基板に行う第 2酸洗浄工程と

を含み、

前記第 2酸洗浄工程の洗浄時間は 30秒未満である、ことを特徴とする GaAs基板の洗浄方法。

[5] 前記アルカリ洗浄工程では、 GaAs基板に超音波を印加しつつ洗浄を行うことを特徴とする請求項 4に記載の GaAs基板の洗浄方法。

[6] 前記アルカリ性溶液は、アンモニア、ェチルヒドロキシル、 2—エトキシェチルァミン

、トリエタノールァミン、ジエタノールァミン、ェチルァミン、トリメチルァミン、ジェチルァミン、ジメチルァミン、エタノールァミン、トリメチルアンモ-ゥムヒドロキシド、テトラエチルアンモ-ゥムヒドロキシド、およびテトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシドの少なくとも!、ずれかを含むことを特徴とする請求項 3な、し請求項 5の、ずれか 1項に記載の GaAs基板の洗浄方法。

[7] 前記酸性溶液は、硝酸、フッ酸、塩酸、リン酸、硫酸、酢酸、炭酸、乳酸、ギ酸、タエン酸、リンゴ酸およびフタル酸の少なくとも！/ヽずれかを含むことを特徴とする請求項 1 な、し請求項 6の、ずれか 1項に記載の GaAs基板の洗浄方法。

[8] GaAsゥエーハの製造方法であって、

GaAs単結晶インゴットをスライスして作成された GaAsスライスの表面を研磨して G aAs基板を形成する工程と、

請求項 1な!、し請求項 7の、ずれか 1項に記載の洗浄方法を前記研磨された GaA s基板に行う工程と

を含むことを特徴とする GaAsゥエーハの製造方法。

[9] ェピタキシャル基板の製造方法であって、

請求項 1ないし請求項 7のいずれか 1項に記載の洗浄方法を行う工程と、前記洗浄した GaAs基板にェピタキシャル膜を形成するェピタキシャル膜形成工程と

を含むことを特徴とするェピタキシャル基板の製造方法。

[10] GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法であって、

30秒未満の時間だけ酸性溶液を用いて GaAs基板の表面を処理する工程を含むことを特徴とする方法。

[11] GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法であって、

複数の酸性溶液を用、て GaAs基板の表面を処理する工程を

含み、

前記複数の酸性溶液のうちの一の酸性溶液は、前記複数の酸性溶液のうちの他の酸性溶液と異なり、前記 GaAs基板が前記酸性溶液によって処理された総時間が 30秒未満である、ことを特徴とする方法。

[12] GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法であって、

アルカリ性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程と、

アルカリ性溶液を用いて GaAs基板を処理した後に、 30秒未満の時間だけ酸性溶液を用ヽて前記 GaAs基板を処理する工程と

を含み、

アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理する工程は、超音波を印加しつつアルカリ性溶液に GaAs基板を浸す工程を含む、ことを特徴とする方法。

[13] GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法であって、

酸性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程と、

酸性溶液を用いて GaAs基板を処理した後に、アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs 基板を処理する工程と、

アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理した後に、 30秒未満の時間だけ酸性溶液を用ヽて前記 GaAs基板を処理する工程と

を含む、ことを特徴とする方法。

[14] アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理する工程は、前記アルカリ性溶液に超音波を印加しつつアルカリ性溶液に前記 GaAs基板を浸す工程を含む、ことを特徴とする請求項 13に記載の方法。

[15] GaAsゥエーハを作製するために GaAs基板を洗浄する方法であって、

酸性溶液を用 V、て GaAs基板を処理する工程を

含み、

前記酸性溶液は、 6. 4以下の水素イオン濃度 (PH)を有する、ことを特徴とする方法。

[16] GaAsウェハを作製するために該 GaAs基板を洗浄する方法であって、

酸性溶液を用いて GaAs基板を処理する工程を含み、

前記酸性溶液は、フッ化水素酸および過酸化水素水を含む混合溶液であり、前記混合溶液の前記フッ化水素酸の濃度が 5. Owt%以下である、ことを特徴とする方法。

[17] 酸性溶液を用いて GaAs基板を処理するに先だって、アルカリ性溶液を用いて前記 GaAs基板を処理する工程を更に含む、ことを特徴とする請求項 15または請求項 16に記載された方法。

[18] 前記アルカリ性溶液は、アンモニア、ェチルヒドロキシル、 2—エトキシェチルァミン、トリエタノールァミン、ジエタノールァミン、ェチルァミン、トリメチルァミン、ジェチルァミン、ジメチルァミン、エタノールァミン、トリメチルアンモ-ゥムヒドロキシド、テトラエチルアンモ-ゥムヒドロキシド、およびテトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシドの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項 12ないし請求項 14および請求項 17のいずれか 1項に記載の方法。

[19] 前記酸性溶液は、硝酸、フッ酸、塩酸、リン酸、硫酸、酢酸、炭酸、乳酸、ギ酸、タエン酸、リンゴ酸およびフタル酸の少なくとも！/ヽずれかを含むことを特徴とする請求項 1 0な!、し請求項 18の!、ずれか 1項に記載の方法。

[20] GaAsウェハを製造する方法であって、

GaAs単結晶体をスライスして作成された GaAsスライスの表面を研磨して GaAs基板を形成する工程と、

請求項 10な、し請求項 19の、ずれか 1項に記載の方法で GaAs基板を処理して GaAsゥエーハを作製する工程と

を含むことを特徴とする方法。

[21] ェピタキシャル基板を製造する方法であって、

請求項 10な、し請求項 19の、ずれか 1項に記載の方法で GaAs基板を処理して GaAsゥエーハを作製する工程と、

前記 GaAsゥエーハ上に一または複数のェピタキシャル膜を形成する工程とを含むことを特徴とする方法。

[22] 洗浄された主面を有する GaAsウェハであって、

前記主面は、 XPSの強度評価による Ga (3d)ピークと As (3d)ピークとの面積比が 0. 59以上である特性を有することを特徴とする GaAsゥエーハ。

[23] 前記主面上の 0. 4 μ m以上の析出異物が 15個 Z12. 57inch²以下である、ことを特徴とする請求項 22に記載された GaAsゥエーハ。

[24] 洗浄された主面を有する GaAsウェハであって、

前記主面は 0. 21nm以下の表面粗さを有することを特徴とする GaAsゥエーハ。

[25] 洗浄された主面を有する GaAsウェハであって、

前記主面は、 XPSの強度評価による Ga (3d)ピークと As (3d)ピークとの面積比が 1. 5以下である特性を有することを特徴とする GaAsゥエーハ。

[26] 前記主面上の析出異物が 1. 2個 Zcm²以下である、ことを特徴とする請求項 24または請求項 25に記載された GaAsゥエーハ。