KR102434147B1 - 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형 - Google Patents

반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형 Download PDF

Info

Publication number
KR102434147B1
KR102434147B1 KR1020197010318A KR20197010318A KR102434147B1 KR 102434147 B1 KR102434147 B1 KR 102434147B1 KR 1020197010318 A KR1020197010318 A KR 1020197010318A KR 20197010318 A KR20197010318 A KR 20197010318A KR 102434147 B1 KR102434147 B1 KR 102434147B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
composition
cleaning
water
acid
Prior art date
Application number
KR1020197010318A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190065286A (ko
Inventor
기영 박
에밀 에이. 크네르
토마스 도리
토모노리 타카하시
Original Assignee
후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. filed Critical 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
Publication of KR20190065286A publication Critical patent/KR20190065286A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102434147B1 publication Critical patent/KR102434147B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/20—Water-insoluble oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0042—Reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0047—Other compounding ingredients characterised by their effect pH regulated compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
    • C11D3/2079—Monocarboxylic acids-salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/33—Amino carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3409—Alkyl -, alkenyl -, cycloalkyl - or terpene sulfates or sulfonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3427—Organic compounds containing sulfur containing thiol, mercapto or sulfide groups, e.g. thioethers or mercaptales
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/06—Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245—Aminoacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/266—Esters or carbonates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 1) 적어도 하나의 산화 환원제; 2) 수용성 알코올, 수용성 케톤, 수용성 에스테르 및 수용성 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 유기 용매; 3) 적어도 하나의 금속 함유 첨가제; 및 4) 물을 함유하는 세정 조성물에 관한 것이다.

Description

반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2016년 12월 8일자로 출원된 미국 가출원 번호 제62/431,620호, 및 2016년 10월 6일자로 출원된 미국 가출원 번호 제62/404,852호에 대한 우선권을 주장하고, 이들 모두는 그 전체가 본원에 참조로 포함되어 있다.
본 발명은 반도체 기판(semiconductor substrate)용 신규한 세정 조성물 및 반도체 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 기판 상에 증착된 금속 층 또는 유전체 물질 층의 플라즈마 에칭(plasma etching), 및 플라즈마 애싱(plasma ashing) 공정을 통한 벌크 레지스트(bulk resist) 제거 후 기판상에 잔류하는 잔류물의 제거 후의 반도체 기판을 위한 세정 조성물에 관한 것이다.
집적 회로 장치의 제조 시, 포토레지스트는 일련의 포토리소그래피(photolithography) 및 플라즈마 에칭 단계에 의해, 레티클(reticle)의 본래 마스크 패턴을 웨이퍼 기판상에 전사하기 위한 중간 마스크(intermediate mask)로서 사용된다. 집적 회로 장치 제조 공정의 필수 단계 중 하나는 웨이퍼 기판으로부터 패턴화된 포토레지스트 필름을 제거하는 것이다. 일반적으로, 이 단계는 두 가지 방법 중 하나의 방법에 의해 수행된다.
하나의 방법은, 포토레지스트로 덮인 기판을 주로 유기 용매 및 아민으로 구성된 포토레지스트 스트리퍼 용액(stripper solution)과 접촉시키는 습식 스트리핑(wet stripping) 단계를 수반한다. 그러나 스트리퍼 용액은 포토레지스트 필름을 완전하고 확실하게 제거할 수 없으며, 특히 포토레지스트 필름이 제조 동안 UV 조사 및 플라즈마 처리에 노출된 경우에 그러하다. 일부 포토레지스트 필름은 이러한 처리에 의해 고도로 가교되며, 스트리퍼 용액에서 용해되기 더욱 어렵다. 또한, 이들 종래의 습식-스트리핑 방법에 사용되는 화학 물질은 때때로, 할로겐-함유 가스를 이용한 금속 층 또는 산화물 층의 플라즈마 에칭 동안에 형성되는 무기 또는 유기금속 잔류 물질을 제거하는 데 효과가 없다.
포토레지스트 필름을 제거하는 대안적인 방법은, 플라즈마 애싱으로 알려진 공정에서 레지스트 필름을 기판으로부터 연소시키기 위해 포토레지스트-코팅된 웨이퍼를 산소-기재의 플라즈마에 노출시키는 단계를 수반한다. 그러나 플라즈마 애싱은 또한, 전술한 플라즈마 에칭 부산물을 제거하는 데 충분히 효과적이지는 않다. 대신, 이들 플라즈마 에칭 부산물의 제거는 전형적으로, 가공된 금속 및 유전성 박막 필름을 특정한 세정 용액에 후속하여 노출시킴으로써 달성된다.
금속 기판은 일반적으로 부식에 취약하다. 예를 들어, 알루미늄, 구리, 알루미늄-구리 합금, 텅스텐 질화물, 텅스텐(W), 코발트(Co), 티타늄 산화물, 다른 금속 및 금속 질화물과 같은 기판은 쉽게 부식될 것이며, 유전체[ILD, ULK]는 종래의 세정 화학 물질을 이용함으로써 에칭될 수 있다. 또한, 집적 회로 장치 제조업체에 의해 용인되는 부식(corrosion)의 양은 장치 기하학이 축소(shrink)됨에 따라 점점 더 작아진다.
이와 동시에, 잔류물의 제거가 더 어려워지고 부식은 훨씬 더 낮은 수준으로 제어되어야 하기 때문에, 세정 용액은 사용하기에 안전하고 환경 친화적이어야 한다.
따라서, 세정 용액은 플라즈마 에칭 및 플라즈마 애시(plasma ash) 잔류물을 제거하는 데 효과적이어야 하고, 또한 모든 노출된 기판 물질에 비-부식성(non-corrosive)이어야 한다.
본 발명은 다단계 제조 공정에서 중간 단계로서, 반도체 기판으로부터 잔류물(예를 들어, 플라즈마 에칭 및/또는 플라즈마 애싱 잔류물)을 제거하는데 유용한 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다. 이들 잔류물은 잔류 포토레지스트와 같은 유기 화합물; 유기 금속 화합물; 알루미늄 산화물(AlOx), 티타늄 산화물(TiOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 탄탈럼 산화물(TaOx) 및 하프늄 산화물(HfOx)(노출된 금속으로부터 반응 부산물로서 형성됨)과 같은 금속 산화물; 알루미늄(Al), 알루미늄/구리 합금, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 및 코발트(Co)와 같은 금속; 알루미늄 질화물(AlN), 알루미늄 산화물 질화물(AlOxNy), 티타늄 질화물(TiN), 탄탈럼 질화물(TaN) 및 텅스텐 질화물(WN)과 같은 금속 질화물; 이들의 합금; 및 기타 물질의 상대적으로 불용성인 다양한 혼합물을 포함한다. 본원에 기술되는 세정 조성물의 이점은, 이러한 조성물이 직면하게 되는 광범위한 잔류물을 세정할 수 있고, 일반적으로 노출된 기판 물질(예를 들어, 노출된 금속(예컨대, 알루미늄, 알루미늄/구리 합금, 구리, 티타늄, 탄탈럼, 텅스텐 및 코발트), 금속 질화물(예컨대, 티타늄, 탄탈럼 및 텅스텐 질화물) 및 이들의 합금)에 대해 비-부식성일 수 있다는 점이다.
일 양상에서, 본 발명은,
1) 적어도 하나의 산화 환원제(redox agent);
2) 수용성 알코올, 수용성 케톤, 수용성 에스테르 및 수용성 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 유기 용매;
3) 적어도 하나의 금속-함유 첨가제; 및
4) 물
을 함유하는 세정 조성물을 특징으로 한다.
본 발명은 또한 반도체 기판으로부터 잔류물을 세정하는 방법을 특징으로 한다. 방법은 에칭 후 잔류물(post etch residue) 및/또는 애싱 후 잔류물(post ash residue)을 함유하는 반도체 기판을 본원에 기술된 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함한다. 예를 들어, 방법은 다음의 단계를 포함할 수 있다:
(A) 에칭 후 및/또는 애싱 후 잔류물을 함유하는 반도체 기판을 제공하는 단계;
(B) 상기 반도체 기판을 본원에 기술된 세정 조성물과 접촉시키는 단계;
(C) 상기 반도체 기판을 적절한 헹굼 용매(rinse solvent)로 헹구는(rinsing) 단계; 및
(D) 선택적으로, 헹굼 용매를 제거하고 상기 반도체 기판의 온전성(integrity)을 손상시키지 않는 임의의 수단에 의해 상기 반도체 기판을 건조하는 단계.
본원에 정의된 바와 같이, 달리 기재되지 않는 한, 표시되는 모든 백분율은 세정 조성물의 총 중량에 대한 중량 백분율인 것으로 이해하여야 한다. 달리 지시되지 않는 한, 주위 온도는 섭씨 약 16도 내지 약 27도(℃), 예컨대 25℃인 것으로 정의된다.
"층(layer)" 및 "필름(film)"이라는 용어는 상호 교환적으로 사용된다.
본원에 정의된 바와 같이, "수용성(water-soluble)" 물질(예를 들어, 수용성 알코올, 케톤, 에스테르 또는 에테르)은 25℃의 물에서 적어도 5 중량%의 용해도를 갖는 물질을 나타낸다.
본 발명의 일 구현예는 다음을 포함하는 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다:
1) 적어도 하나의 산화 환원제;
2) 수용성 알코올, 수용성 케톤, 수용성 에스테르 및 수용성 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 유기 용매;
3) 적어도 하나의 금속-함유 첨가제; 및
4) 물.
본 발명의 조성물은 포토레지스트 잔류물, 금속 잔류물 및 금속 산화물 잔류물과 같은 반도체 표면상의 잔류물의 용해를 돕는 것으로 여겨지는 적어도 하나의 산화 환원제를 함유한다. 본원에 사용된 "산화 환원제"라는 용어는 반도체 세정 공정에서 산화 및/또는 환원을 유도할 수 있는 화합물을 지칭한다. 적합한 산화 환원제의 예는 하이드록실아민이다. 일부 구현예에서, 본원에 기술된 산화 환원제 또는 세정 조성물은 과산화물(예를 들어, 과산화수소)을 포함하지 않는다.
일부 구현예에서, 본 발명의 조성물은 적어도 약 0.5 중량%(예를 들어, 적어도 약 1 중량%, 적어도 약 2 중량%, 적어도 약 3 중량% 또는 적어도 약 5 중량%) 및/또는 최대 약 20 중량%(예를 들어, 최대 약 17 중량%, 최대 약 15 중량%, 최대 약 12 중량% 또는 최대 약 10 중량%)의 산화 환원제를 포함한다.
본 발명의 조성물은 수용성 알코올, 수용성 케톤, 수용성 에스테르 및 수용성 에테르(예를 들어, 글리콜 디에테르)의 군으로부터 선택되는 적어도 하나(예를 들어, 2개, 3개, 4개 또는 그 이상)의 유기 용매를 함유한다.
수용성 알코올의 종류는 알칸 디올(알킬렌 글리콜을 포함하지만 이에 한정되지 않음), 글리콜, 알콕시 알코올(글리콜 모노에테르를 포함하지만 이에 한정되지 않음), 포화 지방족 일가 알코올, 불포화 비방향족 일가 알코올 및 고리 구조를 함유하는 저분자량 알코올을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 알칸 디올의 예는 2-메틸-1,3-프로판디올, 1,3-프로판디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,2-부탄디올, 2,3-부탄디올, 피나콜 및 알킬렌 글리콜을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 알킬렌 글리콜의 예는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 헥실렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜 및 테트라에틸렌 글리콜을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 알콕시알코올의 예는 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올, 1-메톡시-2-부탄올 및 수용성 글리콜 모노에테르를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 글리콜 모노에테르의 예는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 n-프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 n-부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 1-메톡시-2-프로판올, 2-메톡시-1-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 2-에톡시-1-프로판올, 프로필렌 글리콜 모노-n-프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노-n-프로필 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노벤질 에테르 및 디에틸렌 글리콜 모노벤질 에테르를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 포화 지방족 일가 알코올의 예는 메탄올, 에탄올, n-프로필 알코올, 이소프로필 알코올, 1-부탄올, 2-부탄올, 이소부틸 알코올, tert-부틸 알코올, 2-펜탄올, t-펜틸 알코올 및 1-헥산올을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 불포화 비방향족 일가 알코올의 예는 알릴 알코올, 프로파르길 알코올, 2-부테닐 알코올, 3-부테닐 알코올 및 4-펜텐-2-올을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
고리 구조를 함유하는 수용성, 저분자량 알코올의 예는 테트라하이드로푸르푸릴 알코올, 푸르푸릴 알코올 및 1,3-사이클로펜탄디올을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 케톤의 예는 아세톤, 프로판온, 사이클로부탄온, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, 디아세톤 알코올, 2-부탄온, 2,5-헥산디온, 1,4-사이클로헥산디온, 3-하이드록시아세토페논, 1,3-사이클로헥산디온 및 사이클로헥산온을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
수용성 에스테르의 예는 에틸 아세테이트, 글리콜 모노에스테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 및 글리콜 모노에테르 모노에스테르, 예컨대 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
일부 구현예에서, 본 발명의 세정 조성물은 적어도 약 60 중량%(예를 들어, 적어도 약 65 중량%, 적어도 약 70 중량% 또는 적어도 약 75 중량%) 및/또는 최대 약 95 중량%(예를 들어, 최대 약 90 중량%, 최대 약 85 중량% 또는 최대 약 80 중량%)의 적어도 하나의 유기 용매를 포함한다.
본 발명의 세정 조성물은 물을 더 포함한다. 바람직하게는, 물은 탈이온화되고 초순수하며, 유기 오염물질을 함유하지 않으며, 약 4 내지 약 17 메가 옴(mega Ohms)의 최소 비저항(resistivity)을 갖는다. 더 바람직하게는, 물의 비저항은 적어도 17 메가 옴이다.
일부 구현예에서, 본 발명의 조성물은 적어도 약 5 중량%(예를 들어, 적어도 약 8 중량%, 적어도 약 12 중량% 또는 적어도 약 16 중량%) 및/또는 최대 약 28 중량%(예를 들어, 최대 약 24 중량%, 최대 약 20 중량% 또는 최대 약 18 중량%)의 물을 포함한다.
본 발명의 세정 조성물에 사용하기 위해 고려되는 금속 함유 첨가제는 2A 족 금속, 3B 족 금속, 4B 족 금속, 5B 족 금속 및 란탄족 금속으로부터 선택되는 금속을 포함한다. 일부 구현예에서, 금속은 Ca, Ba, Ti, Hf, Sr, La, Ce, W, V, Nb 또는 Ta이다. 일부 구현예에서, 금속은 4B 족 금속(예컨대, Ti 또는 Hf)으로부터 선택된다.
금속 함유 첨가제는 금속 할로겐화물, 금속 수산화물, 금속 붕소화물, 금속 알콕시화물, 금속 산화물 또는 금속 함유 암모늄염의 형태일 수 있다. 일부 구현예에서, 금속 함유 첨가제는 암모늄염이다. 암모늄염은 식 (I): (NH4)mMXn (I)의 염일 수 있고; 상기 식에서, m은 1, 2, 3 또는 4이고; n은 1, 2, 3, 4, 5 또는 6이고; M은 금속 이온(예컨대, 2A 족 금속, 3B 족 금속, 4B 족 금속, 5B 족 금속 또는 란탄족 금속의 이온)이고; X는 할로겐화물 이온(예를 들어, F, Cl, Br, 또는 I)이다. 특정 구현예에서, 금속 함유 첨가제는 헥사플루오로티탄산 암모늄이다. 금속 함유 첨가제의 예는 텅스텐 붕소화물, Ca(OH)2, BaCl2, SrCl2, LaCl3, CeCl3, (NH4)2TiF6, BaTiO3, Ti(OEt)4, Ti(OCH(CH3)2)4, HfO2, V2O5, Nb2O5 또는 TaF3을 포함할 수 있다.
일부 구현예에서, 금속 함유 첨가제는 조성물의 적어도 약 0.001 중량%(예를 들어, 적어도 약 0.002 중량%, 적어도 약 0.004 중량%, 적어도 약 0.006 중량%, 적어도 약 0.008 중량% 또는 적어도 약 0.01 중량%) 및/또는 최대 약 0.5 중량%(예를 들어, 최대 약 0.4 중량%, 최대 약 0.3 중량%, 최대 약 0.2 중량%, 최대 약 0.1 중량%, 최대 약 0.08 중량%, 최대 약 0.06 중량%, 최대 약 0.04 중량%, 최대 약 0.02 중량%, 또는 최대 약 0.01 중량%)의 양으로 존재할 수 있다. 이론에 얽매이지 않고, 세정 조성물에 상기 명시된 양의 금속 함유 첨가제를 포함시키는 것은 조성물의 부식 효과를 감소시킬 수 있으며, 즉 세정 공정 동안 제거되지 않도록 의도된 노출된 기판 물질(예를 들어, 노출된 금속 또는 유전체 물질)에 대한 세정 조성물의 에칭 속도를 낮추는 것으로 여겨진다.
본 발명의 세정 조성물은 이들의 세정 능력(예를 들어, 에칭 또는 애싱 잔류물을 제거하는 능력)을 향상시키고/향상시키거나 이들의 부식 효과를 감소시키기 위해, 적어도 하나의 세정 첨가제를 선택적으로 함유할 수 있다. 일부 구현예에서, 세정 첨가제는 황 함유 첨가제 또는 아미노산일 수 있다. 일부 구현예에서, 세정 조성물은 황 함유 첨가제와 아미노산 모두를 포함할 수 있다.
본 발명의 세정 조성물에 사용하기 위해 고려되는 황 함유 첨가제는 특별히 제한되지 않는다. 일부 구현예에서, 황 함유 첨가제는 티올 모이어티(moiety)(즉, SH) 또는 티오에테르 모이어티(예를 들어, R이 C1-C10 알킬인 SR)를 보유하는 분자이다. 일부 구현예에서, 황 함유 첨가제는 알코올, 산, 아민, 또는 티올 또는 티오에테르 모이어티를 함유하는 헤테로고리형 화합물일 수 있다. 황 함유 첨가제의 예는 3-아미노-5-메르캅토-1H-1,2,4-트리아졸; β-메르캅토에탄올; 3-아미노-5-메틸티오-1H-1,2,4-트리아졸; 1-페닐-1H-테트라졸-5-티올; 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올; 2-피리딘티올; 3-메르캅토-프로피온산 등을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 일부 구현예에서, 황 함유 첨가제는 황 함유 유기산을 배제할 수 있다.
일부 구현예에서, 황 함유 첨가제는 조성물의 적어도 약 0.01 중량%(예를 들어, 적어도 약 0.02 중량%, 적어도 약 0.04 중량%, 적어도 약 0.05 중량%, 적어도 약 0.06 중량% 또는 적어도 약 0.08 중량%) 및/또는 최대 약 0.15 중량%(예를 들어, 최대 약 0.14 중량%, 최대 약 0.12 중량%, 최대 약 0.1 중량%, 최대 약 0.08 중량% 또는 최대 약 0.07 중량%)의 양으로 존재할 수 있다. 이론에 얽매이지 않고, 세정 조성물에 상기 명시된 양의 황 함유 첨가제를 포함시키는 것은 에칭 후 및/또는 애싱 후 잔류물을 제거하는 조성물의 세정 능력을 향상시키고/향상시키거나 세정 공정 동안 제거되지 않도록 의도된 노출된 기판 물질(예를 들어, 노출된 금속 또는 유전체 물질)에 대한 세정 조성물의 에칭 속도를 낮출 수 있는 것으로 여겨진다.
일부 구현예에서, 세정 첨가제는 적어도 하나의 아미노산을 포함할 수 있다. 적합한 아미노산의 예는 글리신을 포함한다. 아미노산은 자연적으로 발생하는 아미노산 또는 자연적으로 발생하지 않는 아미노산(예를 들어, 합성 아미노산)일 수 있다. 아미노산은 D- 또는 L-아미노산일 수 있다.
일부 구현예에서, 아미노산은 조성물의 적어도 약 0.01 중량%(예를 들어, 적어도 약 0.02 중량%, 적어도 약 0.04 중량%, 적어도 약 0.05 중량%, 적어도 약 0.06 중량% 또는 적어도 약 0.08 중량%) 및/또는 최대 약 0.15 중량%(예를 들어, 최대 약 0.14 중량%, 최대 약 0.12 중량%, 최대 약 0.1 중량%, 최대 약 0.08 중량% 또는 최대 약 0.07 중량%)의 양으로 존재할 수 있다. 이론에 얽매이지 않고, 세정 조성물에 상기 명시된 양의 아미노산을 포함시키는 것은 에칭 후 및/또는 애싱 후 잔류물을 제거하는 조성물의 세정 능력을 향상시키고/향상시키거나 세정 공정 동안 제거되지 않도록 의도된 노출된 기판 물질(예를 들어, 노출된 금속 또는 유전체 물질)에 대한 세정 조성물의 에칭 속도를 낮출 수 있는 것으로 여겨진다.
일부 구현예에서, 본 발명의 세정 조성물은 하나 이상의 유기산을 함유할 수 있다. 유기산은 상기 언급된 세정제 첨가제(예를 들어, 황 함유 첨가제 또는 아미노산)의 존재 또는 부재 하에 세정 조성물에 사용될 수 있다. 본 발명의 세정 조성물에 사용하기 위해 고려되는 유기산은 카르복시산과 설폰산을 포함한다. 본 발명의 조성물에 사용하기 위해 고려되는 예시적인 카르복시산은 모노카르복시산, 바이카르복시산, 트리카르복시산, 모노카르복시산의 α-하이드록시산과 β-하이드록시산, 바이카르복시산의 α-하이드록시산 또는 β-하이드록시산, 또는 트리카르복시산의 α-하이드록시산과 β-하이드록시산을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 일부 구현예에서, 적어도 하나의 카르복시산은 시트르산, 말레산, 푸마르산, 락트산, 글리콜산, 옥살산, 타르타르산, 숙신산 또는 벤조산을 포함한다. 설폰산의 예는 메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 에탄설폰산, 트리플루오로에탄설폰산, 퍼플루오로에틸설폰산, 퍼플루오로(에톡시에탄)설폰산, 퍼플루오로(메톡시에탄)설폰산, 도데실설폰산, 퍼플루오로도데실설폰산, 부탄설폰산, 퍼플루오로부탄설폰산, 프로판설폰산, 퍼플루오로프로판설폰산, 옥틸설폰산, 플루오로옥탄설폰산, 메탄디설폰산, 2-메틸프로판설폰산, 사이클로헥실설폰산, 캄포설폰산, 퍼플루오로헥산설폰산, 에탄디설폰산, 벤질설폰산, 하이드록시페닐메탄설폰산, 나프틸메탄설폰산, 노르보르난설폰산, 벤젠설폰산, 클로로벤젠설폰산, 브로모벤젠설폰산, 플루오로벤젠설폰산, 하이드록시벤젠설폰산, 니트로벤젠설폰산, 2-하이드록시-5-설포벤조산, 벤젠디설폰산, 톨루엔설폰산(예를 들어, p-톨루엔설폰산), 메틸클로로벤젠설폰산, 도데실벤젠설폰산, 부틸벤젠설폰산, 사이클로헥실벤젠설폰산, 피크릴설폰산, 디클로로벤젠설폰산, 디브로모벤젠설폰산 및 2,4,5-트리클로로벤젠설폰산을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
일부 구현예에서, 유기산은 조성물의 적어도 약 0.1 중량%(예를 들어, 적어도 약 0.12 중량%, 적어도 약 0.14 중량%, 적어도 약 0.16 중량%, 적어도 약 0.18 중량% 또는 적어도 약 0.2 중량%) 및/또는 최대 약 0.5 중량%(예를 들어, 최대 약 0.4 중량%, 최대 약 0.3 중량%, 최대 약 0.2 중량%, 최대 약 0.18 중량% 또는 최대 약 0.16 중량%)의 양으로 존재할 수 있다. 이론에 얽매이지 않고, 유기산은 세정 조성물에서 킬레이트제(chelating agent)로서 작용하여 에칭 후 및/또는 애싱 후 잔류물의 제거를 용이하게 할 수 있는 것으로 여겨진다.
본 발명의 세정 조성물은 선택적으로 적어도 하나의 전도성 향상제(conductivity enhancing agent)를 함유할 수 있다. 적합한 전도성 향상제는 4차 암모늄 수산화물, 4차 암모늄염 및 이미다졸륨 염을 포함한다. 예를 들어, 적합한 전도성 향상제는 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄, 염화 테트라부틸암모늄, 수산화 벤질트리메틸암모늄 또는 1-부틸-3-메틸-이미다졸륨-메탄설폰산염일 수 있다.
일부 구현예에서, 전도성 향상제는 조성물의 적어도 약 1 중량%(예를 들어, 적어도 약 2 중량%, 적어도 약 3 중량%, 적어도 약 4 중량%, 적어도 약 5 중량% 또는 적어도 약 6 중량%) 내지 최대 약 10 중량%(예를 들어, 최대 약 9 중량%, 최대 약 8 중량%, 최대 약 7 중량%, 최대 약 6 중량% 또는 최대 약 5 중량%)일 수 있다. 이론에 얽매이지 않고, 전도성 향상제는 세정 공정 동안 Co 손실 또는 부식을 감소시킬 수 있고, Co 부식 억제제로서 작용할 수 있는 것으로 여겨진다.
본 발명의 세정 조성물은 pH를 약 7 내지 약 11로 조절하기 위해 선택적으로 적어도 하나의 pH 조정제(예를 들어, 산 또는 염기)를 함유할 수 있다. 일부 구현예에서, 본 발명의 조성물은 적어도 약 7(예를 들어, 적어도 약 7.5, 적어도 약 8 또는 적어도 약 8.5) 내지 최대 약 11(예를 들어, 최대 약 10.5, 최대 약 10, 최대 약 9.5, 최대 약 9)의 pH를 가질 수 있다. 이론에 얽매이지 않고, 11보다 높은 pH를 갖는 세정 조성물은 플라즈마 에칭 잔류물 세정을 완전한 세정에 대해 비현실적인 수준으로 감소시키고, 7보다 낮은 pH는 특정 금속 또는 유전체 물질의 에칭 속도를 바람직하지 못한 수준으로 증가시킬 것으로 여겨진다. 효과적인 pH는 본원에 기술된 조성물에 사용되는 성분의 유형 및 양에 따라 달라질 수 있다.
pH 조정제가 사용된다면 필요한 pH 조정제의 양은 기타 성분의 농도가 상이한 제형, 특히 하이드록실아민 및 유기산에서 달라짐에 따라, 그리고 사용되는 특정 pH 조정제의 분자량의 함수에 따라 달라질 수 있다. 일반적으로, pH 조정제 농도는 세정 조성물의 약 0.1 중량% 내지 약 3 중량%이다. 일부 구현예에서, 본 발명의 세정 조성물은 적어도 약 0.1 중량%(예를 들어, 적어도 약 0.5 중량%, 적어도 약 1 중량% 또는 적어도 약 1.5 중량%) 및/또는 최대 약 3 중량%(예를 들어, 최대 약 2.5 중량%, 최대 약 2 중량% 또는 최대 약 1.5 중량%)의 pH 조정제를 포함한다.
일반적으로, pH 조정제는 임의의 금속 이온(미량의 금속 이온 불순물 제외)을 포함하지 않는다. 적합한 금속 이온을 포함하지 않는 pH 조정제는 수산화 암모늄, 4차 암모늄 수산화물, 모노아민(알칸올아민 포함), 이민(예컨대, 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센(DBU) 및 1,5-디아자바이사이클로[4.3.0]-5-노넨) 및 구아니딘 염(예컨대, 탄산 구아니딘)을 포함한다.
적합한 4차 암모늄 수산화물의 예는 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라프로필암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄, 수산화 디메틸디에틸암모늄, 콜린, 수산화 테트라에탄올암모늄, 수산화 벤질트리메틸암모늄, 수산화 벤질트리에틸암모늄 및 수산화 벤질트리부틸암모늄을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
적합한 모노아민의 예는 트리에틸아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 에탄올아민, 디에탄올아민, 디에틸아민, 부틸아민, 디부틸아민 및 벤질아민을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
또한, 일부 구현예에서, 본 발명의 세정 조성물은 추가 pH 조정제, 부식 억제제(예를 들어, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸), 계면 활성제, 추가 유기 용매, 살생물제(biocide) 및 소포제(defoaming agent)와 같은 첨가제를 선택적 성분으로서 함유할 수 있다.
적합한 소포제의 예는 폴리실록산 소포제(예를 들어, 폴리디메틸실록산), 폴리에틸렌 글리콜 메틸 에테르 중합체, 에틸렌 산화물/프로필렌 산화물 공중합체 및 글리시딜 에테르 캡핑된 아세틸렌 디올 에톡실레이트(예컨대, 본원에 참조로 포함되어 있는 미국 특허 제6,717,019호에 기술된 것)를 포함한다.
일부 구현예에서, 본 발명의 세정 조성물은 구체적으로는 하나를 초과할 때, 하나 이상의 첨가제 성분을 임의로 조합하여 배제할 수 있다. 이러한 성분은 산소 스캐빈저(oxygen scavenger), 4차 암모늄 수산화물, 아민, 알칼리 금속과 알칼리 토금속 염기(예컨대, NaOH, KOH, LiOH, 수산화 마그네슘 및 수산화 칼슘), 소포제 이외의 계면 활성제, 플루오르화물 함유 화합물, 산화제(예를 들어, 과산화물, 과산화수소, 질산 제2철, 요오드산 칼륨, 과망간산 칼륨, 질산, 아염소산 암모늄, 염소산 암모늄, 요오드산 암모늄, 과붕산 암모늄, 과염소산 암모늄, 과요오드산 암모늄, 과황산 암모늄, 아염소산 테트라메틸암모늄, 염소산 테트라메틸암모늄, 요오드산 테트라메틸암모늄, 과붕산 테트라메틸암모늄, 과염소산 테트라메틸암모늄, 과요오드산 테트라메틸암모늄, 과황산 테트라메틸암모늄, 요소 과산화수소 및 과산화 아세트산), 연마제, 규산염, 하이드록시 카르복시산, 아미노기를 포함하지 않는 카르복시산 및 폴리카르복시산, 비-아졸 부식 억제제, 구아니딘, 구아니딘 염, 무기산(예를 들어, 설폰산, 황산, 아황산, 아질산, 질산, 아인산 및 인산), 피롤리돈, 폴리비닐 피롤리돈, 금속 할로겐화물, 식 WzMXy의 금속 할로겐화물(식에서, W는 H, 알칼리 또는 알칼리 토금속, 및 금속 이온을 포함하지 않은 수산화물 염기 모이어티로부터 선택되고; M은 Si, Ge, Sn, Pt, P, B, Au, Ir, Os, Cr, Ti, Zr, Rh, Ru 및 Sb로 이루어지는 군으로부터 선택된 금속이고; y는 4 내지 6이고; z는 1, 2 또는 3임) 및 본 발명에 기술된 것 이외의 부식 억제제로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 본 발명의 세정 조성물은 벌크 포토레지스트 필름을 반도체 기판으로부터 제거하도록 특별하게 설계되지는 않는다. 오히려, 본 발명의 세정 조성물은 건식 또는 습식 스트리핍 방법에 의한 벌크 레지스트 제거 후 모든 잔류물을 제거하도록 설계될 수 있다. 따라서, 일부 구현예에서, 본 발명의 세정 방법은 바람직하게는 건식 또는 습식 포토레지스트 스트리핑 공정 후에 적용된다. 이러한 포토레지스트 스트리핑 공정은 일반적으로, 에칭 또는 임플란트 공정과 같은 패턴 전사(pattern transfer) 공정이 선행되거나, 또는 패턴 전사 전에 마스크 오차(mask error)를 보정하기 위해 수행된다. 잔류물의 화학적 구성(makeup)은 세정 단계 이전의 공정 또는 공정들에 따라 다를 것이다.
임의의 적합한 건식 스트리핑 공정이 벌크 레지스트를 반도체 기판으로부터 제거하는데 사용될 수 있다. 적합한 건식 스트리핑 공정의 예는 불소/산소 플라즈마 또는 N2/H2 플라즈마와 같은 산소-기재의 플라즈마 애싱; 오존 기체 상-처리; 불소 플라즈마 처리, 고온 H2 기체 처리(예컨대, 본원에 그 전체가 참조로 포함되어 있는 미국 특허 제5,691,117호에 기술되어 있음) 등을 포함한다. 또한, 당업자에게 알려진 임의의 종래의 유기 습식 스트리핑 용액이 벌크 레지스트를 반도체 기판으로부터 제거하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 세정 방법과 조합하여 사용되는 바람직한 스트리핑 공정은 건식 스트리핑 공정이다. 바람직하게는, 이러한 건식 스트리핑 공정은 산소-기재의 플라즈마 애싱 공정이다. 이 공정은 진공 조건(즉, 1 torr)의 승온(전형적으로 250℃)에서 반응성-산소 분위기를 적용함으로써, 대부분의 포토레지스트를 반도체 기판으로부터 제거한다. 유기 물질은 이 공정에 의해 산화되며, 공정 기체를 사용하여 제거된다. 그러나 이러한 공정은 반도체 기판으로부터 무기 또는 유기 금속 오염물질을 제거하지 않는다. 본 발명의 세정 조성물을 이용한 반도체 기판의 후속 세정은 전형적으로 이러한 잔류물을 제거하는 데 필수적이다.
일부 구현예에서, 반도체 기판으로부터 잔류물을 세정하는 방법이 제공된다. 이러한 방법은 예를 들어, 에칭 후 잔류물 및/또는 애싱 후 잔류물을 함유하는 반도체 기판을 본원에 기술된 세정 조성물과 접촉시킴으로써 수행될 수 있다. 이 방법은 접촉 단계 후에 헹굼 용매로 반도체 기판을 헹구는 단계 및/또는 헹굼 단계 후에 반도체 기판을 건조시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 반도체 기판은 물질(예를 들어, 노출된 물질) 또는 물질의 층을 더 포함할 수 있고, 여기에서 물질은 Cu, Co, W, AlOx, AlN, AlOxNy, Ti, TiN, Ta, TaN, TiOx, ZrOx, HfOx 및 TaOx로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
일부 구현예에서, 세정 방법은 다음 단계를 포함한다:
(A) 에칭 후 및/또는 애싱 후 잔류물을 함유하는 반도체 기판을 제공하는 단계;
(B) 상기 반도체 기판을 본원에 기술된 세정 조성물과 접촉시키는 단계;
(C) 상기 반도체 기판을 적절한 헹굼 용매로 헹구는 단계; 및
(D) 선택적으로, 헹굼 용매를 제거하고 상기 반도체 기판의 온전성을 손상시키지 않는 임의의 수단에 의해 상기 반도체 기판을 건조시키는 단계.
일부 구현예에서, 세정 방법은 상기 기술된 방법에 의해 얻어지는 반도체 기판으로부터 반도체 장치(예를 들어, 반도체 칩과 같은 집적 회로 장치)를 형성하는 단계를 더 포함한다.
이 방법에서 세정될 반도체 기판은 유기 및 유기 금속 잔류물, 및 부가적으로 제거될 필요가 있는 다양한 금속 산화물을 함유할 수 있다. 반도체 기판은 전형적으로 규소, 규소 게르마늄, GaAs와 같은 III-V 족 화합물 또는 이들의 임의의 조합으로 구성된다. 반도체 기판은 부가적으로, 상호 연결 특징부(interconnect feature)(예를 들어, 금속 배선(metal lines) 및 유전체 물질)와 같은 노출된 집적 회로 구조물을 포함할 수 있다. 상호 연결 특징부에 사용되는 금속 및 금속 합금은 알루미늄, 구리와 합금된 알루미늄, 구리, 티타늄, 탄탈럼, 코발트, 규소, 티타늄 질화물, 탄탈럼 질화물, 텅스텐 및 이들의 합금을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 상기 반도체 기판은 또한 층간 유전체, 규소 산화물, 규소 질화물, 규소 탄화물, 티타늄 산화물 및 탄소 도핑된(doped) 규소 산화물의 층을 포함할 수도 있다.
반도체 기판은 임의의 적합한 방법, 예컨대 세정 조성물을 탱크 내로 넣고, 반도체 기판을 세정 조성물 내에 침지(immersing) 및/또는 침수(submerging)시키거나, 반도체 기판상에 세정 조성물을 분무하거나, 반도체 기판상에 세정 조성물을 스트리밍(streaming) 하거나, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 세정 조성물과 접촉될 수 있다. 바람직하게는, 반도체 기판은 세정 조성물 내로 침지된다.
본 발명의 세정 조성물은 약 90℃(예를 들어, 약 25℃ 내지 약 80℃, 약 30℃ 내지 약 60℃ 또는 약 40℃ 내지 약 60℃)의 온도까지 효과적으로 사용될 수 있다.
유사하게는, 세정 시간은 적용되는 특정한 세정 방법 및 온도에 따라 광범위하게 다양할 수 있다. 침지 배치(immersion batch) 타입 공정에서 세정되는 경우, 적합한 시간 범위는 예를 들어, 최대 약 60분(예를 들어, 약 1분 내지 약 60분, 약 3분 내지 약 20분 또는 약 4분 내지 약 15분)이다.
단일 웨이퍼 공정을 위한 세정 시간은 약 10초 내지 약 5분(예를 들어, 약 15초 내지 약 4분, 약 15초 내지 약 3분 또는 약 20초 내지 약 2분)일 수 있다.
본 발명의 세정 조성물의 세정 능력을 더 촉진하기 위해, 기계적 교반 수단이 적용될 수 있다. 적합한 교반 수단의 예는 세정 조성물을 기판상에서 순환시키는 것, 세정 조성물을 기판상에 스트리밍 하거나 분무하는 것 및 세정 공정 동안 초음파 또는 메가소닉(megasonic) 교반을 포함한다. 그라운드(ground)에 대한 반도체 기판의 배향은 임의의 각도일 수 있다. 수평 또는 수직 배향이 바람직하다.
본 발명의 세정 조성물은 당업자에게 알려진 종래의 세정 도구에 사용될 수 있다. 본 발명의 조성물의 중요한 이점은 이들 조성물이 비교적 무독성이고, 비-부식성이며 비-반응성인 성분을 전체적으로 및 부분적으로 포함함으로써 조성물이 광범위한 온도 및 공정 시간에서 안정하다는 것이다. 본 발명의 조성물은 배치(batch) 및 단일 웨이퍼 세정을 위한 기존의 및 제안된 반도체 웨이퍼 세정 공정 도구를 구성하는데 사용되는 모든 물질과 실제로 화학적으로 양립할 수 있다.
세정 이후, 반도체 기판은 교반 수단을 사용하거나 또는 사용하지 않고, 약 5초 내지 최대 약 5분 동안 적합한 헹굼 용매를 사용하여 헹구어질 수 있다. 적합한 헹굼 용매의 예는 탈이온(DI) 수, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, N-메틸피롤리디논, 감마-부티로락톤, 디메틸 설폭시드, 에틸 락테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 대안적으로, pH > 8인 수성 헹굼액(aqueous rinses)(예컨대, 묽은 수성 수산화암모늄)이 사용될 수 있다. 헹굼 용매의 바람직한 예는 묽은 수성 수산화암모늄, DI 수, 메탄올, 에탄올 및 이소프로필 알코올을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 보다 바람직한 헹굼 용매는 묽은 수성 수산화암모늄, DI 수 및 이소프로필 알코올이다. 가장 바람직한 헹굼 용매는 묽은 수성 수산화암모늄 및 DI 수이다. 용매는 본원에 기술된 세정 조성물을 적용하는데 사용되는 것과 유사한 수단을 사용하여 적용될 수 있다. 세정 조성물은 헹굼 단계를 시작하기 전에 반도체 기판으로부터 제거될 수 있거나, 또는 헹굼 단계의 시작시 여전히 반도체 기판과 접촉되어 있을 수 있다. 바람직하게는, 헹굼 단계에 적용되는 온도는 16℃ 내지 27℃이다.
선택적으로, 반도체 기판은 헹굼 단계 후에 건조된다. 당업계에 알려진 임의의 적합한 건조 수단이 사용될 수 있다. 적합한 건조 수단의 예는 스핀(spin) 건조, 반도체 기판상에 건조 기체를 유동시키는 것, 또는 반도체 기판을 핫 플레이트 또는 적외선 램프와 같은 가열 수단을 이용하여 가열하는 것, 마랑고니(Marangoni) 건조, 로타고니(Rotagoni) 건조, IPA 건조 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다. 건조 시간은 사용되는 특정한 방법에 따라 다를 것이지만, 전형적으로는 약 30초 내지 최대 수 분이다.
일부 구현예에서, 본원에 기술된 세정 조성물을 사용하여 집적 장치를 제조하는 방법은 다음 단계를 포함할 수 있다. 우선, 포토레지스트 층이 반도체 기판에 도포된다. 그 다음에, 이렇게 얻어진 반도체 기판은 에칭 또는 임플란트 공정과 같은 패턴 전사 공정을 거쳐 집적 회로를 형성할 수 있다. 그 다음에, 포토레지스트의 벌크는 건식 또는 습식 스트리핑 방법(예를 들어, 산소-기재의 플라즈마 애싱 공정)에 의해 제거될 수 있다. 그 다음에, 반도체 기판상에 잔류하는 잔류물은 상기 기술된 방식으로 본원에 기술된 세정 조성물을 사용하여 제거될 수 있다. 이어서, 반도체 기판은 그 뒤에 가공되어 기판상에 하나 이상의 부가적인 회로를 형성할 수 있거나, 또는 가공되어 예를 들어, 조립(예를 들어, 다이싱(dicing) 및 본딩(bonding)) 및 패키징(예를 들어, 칩 실링(sealing))에 의해 반도체 칩으로 형성될 수 있다.
본원에 인용된 모든 간행물(예를 들어, 특허, 특허 출원 공보 및 논문)의 내용은 그 전체가 본원에 참조로 포함되어 있다.
실시예
본 발명은 다음 실시예를 참조로 하여 보다 상세히 예시되며, 이들 실시예는 예시적인 목적을 위한 것이며, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 열거되는 임의의 백분율은 달리 명시되지 않는 한, 중량 백분율(중량%)이다. 달리 지시되지 않는 한, 시험 동안 제어되는 교반은 300 rpm에서 1인치 교반 막대를 사용하여 수행하였다.
일반적인 절차 1
제형 블렌딩
본 발명의 조성물은 유기 용매와 초순수한 탈이온수(DIW)를 교반하면서 혼합하여 제조하였다. 균일한 용액을 얻은 후, 나머지 성분을 첨가하였다. 사용된 모든 성분은 상업적으로 입수 가능하며 고순도였다.
일반적인 절차 2
비이커 시험을 이용한 세정 평가
포토레지스트의 최상부 층을 완전히 제거하기 위해, 리소그래피에 의해 패턴화시키고, 플라즈마 금속 에칭기(etcher)로 에칭한 다음, 산소 플라즈마 애싱에 의해 처리된 포토레지스트/TiOx/SiN/Co/ILD(ILD = 내부 층 유전체) 또는 포토레지스트/TiOx/SiN/W/ILD의 다층 기판을 사용하여, 기판으로부터의 PER(에칭 후 잔류물(Post Etch Residue))의 세정을 상기 기술된 세정 조성물을 이용하여 수행하였다.
시험 쿠폰을 4" 길이의 플라스틱 잠금 핀셋(locking tweezer)을 사용하여 고정함으로써 약 200 밀리리터의 본 발명의 세정 조성물을 함유하는 500 ml 부피의 유리 비이커에 쿠폰을 매달 수 있었다. 쿠폰을 세정 조성물에 침지하기 전에, 조성물을 제어 교반하면서 소정의 시험 조건 온도(전형적으로, 언급한 바와 같이 40℃ 또는 60℃)로 예열하였다. 그 다음에, PER 층을 포함하는 쿠폰 면이 교반 막대와 마주하도록 플라스틱 핀셋에 의해 고정된 쿠폰을 가열된 조성물에 넣어 세정 실험을 수행하였다. 조성물을 제어 교반 하에 시험 온도에 유지하면서, 쿠폰을 일정 시간(전형적으로, 2 내지 5분) 동안 세정 조성물에 정치하였다. 소정의 세정 시간이 완료되면, 쿠폰을 세정 조성물로부터 신속하게 제거하고, 가볍게 교반하면서 주위 온도(~ 17℃)에서 약 400 ml의 DI 수로 채워진 500 ml 플라스틱 비이커에 놓았다. 쿠폰을 약 30초 동안 DI 수의 비이커에 방치한 다음 신속하게 제거하고, 주위 온도에서 약 30초 동안 DI 수 스트림(water stream)으로 헹구었다. 쿠폰을 핸드헬드 질소 발포 건(hand hled blowing gun)으로부터의 질소 기체 스트림(gas stream)에 즉각 노출시켰으며, 이는 쿠폰 표면상의 임의의 액적(droplet)이 쿠폰으로부터 날아가도록 하여 나아가 쿠폰 장치 표면을 완전히 건조시켰다. 이러한 마지막 질소 건조 단계 후, 쿠폰을 플라스틱 핀셋 홀더에서 제거하고 장치의 옆면을 위로 하여 덮여진 플라스틱 캐리어 내에 약 2시간 이하의 짧은 기간 동안 보관하였다. 그 다음, 세정된 시험 쿠폰 장치 표면상에서 주요 특징에 대한 주사 전자 현미경(SEM) 이미지를 수집하였다.
일반적인 절차 3
비이커 시험을 이용한 물질 상용성(Materials Compatibility) 평가
규소 기판상의 블랭킷(blanket) Co, 규소 기판상의 W, 규소 기판상의 SiO2 상의 TiOx, 규소 기판상의 SiN, 규소 기판상의 ILD, 규소 기판상의 SiC 및 규소 기판상의 W 합금을 물질 적합성 시험을 위해 약 1 인치 × 1 인치의 정사각형 모양의 시험 쿠폰으로 절단하였다. 시험 쿠폰을 처음에는 4-포인트 프로브(4-point probe), 금속성 필름(Co, W)용 CDE Resmap 273에 의해, 또는 Woollam M-2000X를 사용하는 유전체 필름(TiOx, SiN 및 ILD)용 타원 편광법(Ellipsometry)에 의해, 두께 또는 시트 저항성을 측정하였다. 그 다음, 시험 쿠폰을 4" 길이의 플라스틱 잠금 핀셋에 설치하고, Co, W, W 합금, TiOx, SiN, SiC, 또는 ILD 층을 포함하는 쿠폰 면이 10분 동안 교반 막대와 마주하도록 한 상태에서, 일반적인 절차 2의 세정 절차에 기술된 바와 같이 처리하였다.
마지막 질소 건조 단계 후, 쿠폰을 플라스틱 핀셋 홀더로부터 제거하고, 덮여진 플라스틱 캐리어 안에 두었다. 그 다음에, 포스트(post)-두께 또는 시트 저항을 4-포인트 프로브, 금속성 필름(Co, W 및 W 합금)용 CDE Resmap 273에 의해, 또는 Woollam M-2000X를 사용하는 유전체 필름(TiOx, SiN, SiC 및 ILD)용 타원 편광법에 의해, 가공 후 시험 쿠폰 표면 상에서 수집하였다.
제형예 FE-1 내지 FE-7
표 1은 일반적인 절차 1에 의해 제조된 제형 FE-1 내지 FE-7(황 함유 첨가제가 포함됨)을 포함한다.
제형예 하이드록실아민 제1 유기
용매		 제2 유기
용매		 황 함유 첨가제 금속 함유
첨가제		 물 유기산
FE-1 9.00% Hex 글리콜
64.75%		 DEGBE
10%		 3-아미노-5-메르캅토-1H-1,2,4-트리아졸 0.07% (NH4)2TiF6 0.008% 16% MSA 0.173%
FE-2 9.00% Hex 글리콜
64.75%		 DEGBE
10%		 β-메르캅토에탄올 0.047% (NH4)2TiF6 0.008% 16% MSA 0.154%
FE-3 9.00% Hex 글리콜
64.75%		 DEGBE
10%		 3-아미노-5-메틸티오-1H-1,2,4-트리아졸 0.078% (NH4)2TiF6 0.008% 16% MSA 0.186%
FE-4 9.00% Hex 글리콜
64.75%		 DEGBE
10%		 1-페닐-1H-테트라졸-5-티올 0.107% (NH4)2TiF6 0.008% 16% MSA 0.137%
FE-5 9.00% Hex 글리콜
64.75%		 DEGBE
10%		 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올 0.07% (NH4)2TiF6 0.008% 16% MSA 0.189%
FE-6 9.00% Hex 글리콜
64.75%		 DEGBE
10%		 2-피리딘티올 0.067% (NH4)2TiF6 0.008% 16% MSA 0.210%
FE-7 9.00% Hex 글리콜
64.8%		 DEGBE
10%		 3-메르캅토-프로피온산 0.04% (NH4)2TiF6 0.004% 16% MSA 0.168%
DEGBE = 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르; Hex 글리콜 = 헥실렌 글리콜; MSA = 메탄설폰산
실시예 1~3
노출된 금속 또는 유전체와 세정제의 상용성
제형 FE-4, FE-6 및 FE-7을 65℃에서 4분 동안 일반적인 절차 2에 따른 세정 능력 및 일반적인 절차 3에 따른 물질의 상용성에 대해 시험하였다. 세정 조성물에 의한 Co, W, W 합금, TiOx, SiN, SiC 및 ILD의 에칭 속도(etch rate, ER)(옹스트롬/분)를 표 2에 나타내었다.
제형예 TiOx W Co ILD SiN SiC W 합금 세정
(4분)
FE-4 1.5 0 0.8 0 0 0 0.3 세정
FE-6 1.6 0 0.8 0.1 0.6 0 0.1 세정
FE-7 NA NA 1.4 NA NA NA 0.6 세정
"NA"는 데이터가 없음을 나타낸다.
표 2의 데이터는 본 발명의 제형(즉, FE-4, FE-6 및 FE-7)이 반도체 장치에서 전형적으로 발견되는 반도체 물질(예컨대, Co, W, TiOx, SiN, SiC, TEOS 및 ILD)를 현저하게 에칭하지 않으면서도 에칭 후 잔류물을 세정하였음을 보여준다.
제형예 FE-8 내지 FE-26 및 CFE-1
표 3은 일반적인 절차 1에 의해 제조된 제형 FE-8 내지 FE-26(임의의 황 함유 첨가제 또는 임의의 산을 포함하지 않음)을 포함한다.
제형예 하이드록실
아민		 헥실렌 글리콜
(용매)		 금속 함유 첨가제 pH 조정제 물
CFE-1 9% 78% 없음 없음 잔여량
FE-8 9% 78% 0.25% Ca(OH)2 1.22% DBU 잔여량
FE-9 9% 78% 0.25% BaCl2·2H2O 0.22% DBU 잔여량
FE-10 9% 78% 0.25% SrCl2 0.11% DBU 잔여량
FE-11 9% 78% 0.25% LaCl3 2.58% DBU 잔여량
FE-12 9% 78% 0.25% CeCl3 2.06% DBU 잔여량
FE-13 9% 78% 0.25% (NH4)2TiF6 0.92% DBU 잔여량
FE-14 9% 78% 0.0040% (NH4)2TiF6 0.07% DBU 잔여량
FE-15 9% 78% 0.0025% (NH4)2TiF6 0.04% DBU 잔여량
FE-16 9% 78% 0.0015% (NH4)2TiF6 0.03% DBU 잔여량
FE-17 9% 78% 0.0010% (NH4)2TiF6 0.02% DBU 잔여량
FE-18 9% 78% 0.25% 텅스텐
붕소화물		 없음 잔여량
FE-19 9% 78% 0.10% 텅스텐
붕소화물		 없음 잔여량
FE-20 9% 78% 0.05% BaTiO3 없음 잔여량
FE-21 9% 78% 0.05% Ti(OEt)4 없음 잔여량
FE-22 9% 78% 0.05% Ti(OCH(CH3)2)4 없음 잔여량
FE-23 9% 78% 0.0025% HfO2 0.03% DBU 잔여량
FE-24 9% 78% 0.0025% V2O5 0.05% DBU 잔여량
FE-25 9% 78% 0.0025% Nb2O5 0.03% DBU 잔여량
FE-26 9% 78% 0.0025% TaF3 0.06% DBU 잔여량
실시예 4 내지 22 및 비교 실시예 1
노출된 금속과 세정제와의 상용성
제형 FE-8 내지 FE-26 및 CFE-1을 65℃에서 4분 동안 일반적인 절차 3에 따라 물질의 상용성에 대해 시험하였다. 세정 제형에 의한 W 합금, TiOx, Co 및 W의 에칭 속도(ER)(옹스트롬/분)를 표 4에 나타내었다.
실시예 W 합금 TiOx Co W
CFE-1 4.5 1.5 4.0 0.2
FE-8 2.0 0.1 0.8 0.0
FE-9 2.8 0.2 0.2 0.0
FE-10 2.6 0.3 8.6 0.0
FE-11 4.9 0.3 0.6 0.2
FE-12 5.5 4.4 0.4 0.2
FE-13 2.3 0.8 0.2 0.2
FE-14 0.8 0.5 0.8 0.1
FE-15 0.4 0.9 0.7 0.2
FE-16 0.4 0.9 0.7 0.1
FE-17 0.9 0.9 0.6 0.2
FE-18 1.9 0.1 0.6 0.0
FE-19 1.7 0.1 0.7 0.0
FE-20 1.4 0.2 0.6 0.0
FE-21 0.8 0.8 0.4 0.1
FE-22 0.2 0.9 0.4 0.0
FE-23 0.2 0.5 0.2 0.1
FE-24 0.6 1.7 0.1 0.6
FE-25 0.5 0.0 0.1 0.3
FE-26 1.0 0.7 0.3 0.2
표 4의 데이터는 본 발명의 세정 제형(즉, FE-8 내지 FE-26)이 임의의 금속 함유 첨가제를 포함하지 않는 세정 제형와 비교하여 반도체 장치에서 전형적으로 발견되는 금속(예컨대, W, W 합금, Co, 또는 TiOx) 중 적어도 하나의 부식 또는 에칭을 현저하게 감소시켰음을 보여준다.
제형예 FE-27 내지 FE-32
표 5는 일반적인 절차 1에 의해 제조된 제형 FE-27 내지 FE-32(아미노산 글리신을 포함함)를 포함한다.
제형예 하이드록실
아민		 헥실렌
글리콜		 DEGBE (NH4)2TiF6 글리신 물
FE-27 9% 65.77% 9.2% 0.0025% 0.03% 16%
FE-28 9% 64.17% 10.8% 0.0025% 0.03% 16%
FE-29 9% 64.97% 10% 0.0023% 0.03% 16%
FE-30 9% 64.97% 10% 0.0027% 0.03% 16%
FE-31 9% 64.97% 10% 0.0025% 0.0276% 16%
FE-32 9% 64.97% 10% 0.0025% 0.0324% 16%
실시예 23 내지 28
노출된 금속과 세정제와의 상용성
제형 FE-27 내지 FE-32를 65℃에서 4분 동안 일반적인 절차 3에 따라 물질의 상용성에 대해 시험하였다. 세정 제형에 의한 W 합금, Co, AlOx 및 TiOx의 에칭 속도(ER)(옹스트롬/분)를 표 6에 나타내었다.
실시예 W 합금 Co AlOx TiOx
FE-27 1.7 ± 0.8 1.2 ± 0.3 3.1 ± 0.1 3.1 ± 0.0
FE-28 2.4 ± 0.7 1.1 ± 0.2 2.7 ± 0.1 2.3 ± 0.1
FE-29 1.7 ± 0.6 1.4 ± 0.1 2.2 ± 0.1 2.5 ± 0.0
FE-30 1.0 ± 0.3 1.0 ± 0.1 2.8 ± 0.1 2.6 ± 0.0
FE-31 3.7 ± 0.5 1.2 ± 0.1 2.5 ± 0.1 2.6 ± 0.1
FE-32 3.0 ± 0.2 1.1 ± 0.1 2.6 ± 0.1 2.3 ± 0.1
표 6의 데이터는 본 발명의 특정한 세정 제형(즉, FE-27 내지 FE-32)이 반도체 장치에서 전형적으로 발견되는 금속(예컨대, W 합금, Co, AlOx 또는 TiOx)의 비교적 낮은 부식 또는 에칭을 나타내었고, 이러한 낮은 부식은 제형 내의 용매, 금속 함유 첨가제(즉, NH4TiF6) 및 아미노산(즉, 글리신)의 양의 변화로 인해 현저하게 변화하지 않았음을 보여준다.
제형예 FE-33 내지 FE-40
표 7은 일반적인 절차 1에 의해 제조된 제형 FE-33 내지 FE-40(아미노산 글리신을 포함함)을 포함한다.
제형예 하이드록실
아민		 헥실렌
글리콜		 DEGBE (NH4)2TiF6 글리신 물
FE-33 9% 62% 10% 0.0025% 0.03% 18.9820%
FE-34 9% 63% 10% 0.0025% 0.03% 17.9820%
FE-35 9% 64% 10% 0.0025% 0.03% 16.9820%
FE-36 9% 65% 10% 0.0025% 0.03% 15.9820%
FE-37 9% 66% 10% 0.0025% 0.03% 14.9820%
FE-38 9% 67% 10% 0.0025% 0.03% 13.9820%
FE-39 9% 68% 10% 0.0025% 0.03% 12.9820%
FE-40 9% 69% 10% 0.0025% 0.03% 11.9820%
실시예 29 내지 36
노출된 금속과 세정제와의 상용성
제형 FE-33 내지 FE-40을 65℃에서 4분 동안 일반적인 절차 3에 따라 물질의 상용성에 대해 시험하였다. 세정 제형에 의한 W 합금, Co, AlOx 및 TiOx의 에칭 속도(ER)(옹스트롬/분)를 표 8에 나타내었다.
실시예 W 합금 Co AlOx TiOx
FE-33 6.7 ± 0.1 1.4 ± 0.3 2.8 ± 0.0 3.4 ± 0.2
FE-34 2.5 ± 0.4 0.9 ± 0.1 2.1 ± 0.0 2.5 ± 0.1
FE-35 3.2 ± 0.3 1.2 ± 0.2 2.2 ± 0.3 2.7 ± 0.2
FE-36 2.8 ± 0.2 1.0 ± 0.2 2.3 ± 0.3 2.4 ± 0.0
FE-37 3.3 ± 0.4 0.8 ± 0.01 2.83 ± 0.02 2.29 ± 0.03
FE-38 2.5 ± 0.1 0.73 ± 0.01 2.64 ± 0.03 2.23 ± 0.02
FE-39 2.73 ± 0.3 0.63 ± 0.01 2.16 ± 0.03 2.02 ± 0.03
FE-40 2.7 ± 0.1 0.63 ± 0.01 2.0 ± 0.1 1.94 ± 0.02
표 8의 데이터는 본 발명의 특정한 세정 제형(즉, FE-33 내지 FE-44)이 반도체 장치에서 전형적으로 발견되는 금속(예컨대, W 합금, Co, AlOx 또는 TiOx)의 비교적 낮은 부식 또는 에칭을 나타내었고, 이러한 낮은 부식은 제형 내의 용매와 물의 양의 변화로 인해 현저하게 변화되지 않았음을 보여준다.
제형예 FE-41 내지 FE-52
표 9는 일반적인 절차 1에 의해 제조된 제형 FE-41 내지 FE-52(FE-41을 제외하고 전도성 향상제를 포함함)를 포함한다.
제형예 하이드록실
아민		 헥실렌
글리콜		 DEGBE (NH4)2TiF6 글리신 2-
피리딘
-티올		 MSA 전도성
향상제		 물
FE-41 9% 64.967% 10% 0.0025% 0.03% 0 0 0 16.001%
FE-42 8.44% 60.66% 9.37% 0.008% 0 0.063% 1.48% 1.1% TMAH 18.87%
FE-43 7.793% 56.040% 8.659% 0.007% 0 0.058% 1.377% 1.013% TMAH 25.053%
FE-44 7.793% 56.098% 8.659% 0.007% 0 0 1.377% 1.013% TMAH 25.053%
FE-45 7.790% 47.573% 8.66% 0.007% 0 0 4.52% 6.4% TEAH 25.05%
FE-46 7.793% 46.98% 8.66% 0.007% 0 0 4.24% 7.27% BzTAH 25.05%
FE-47 7.793% 51.51% 8.659% 0.007% 0 0 1.1% 2.88% TBAH 25.051%
FE-48 7.793% 54.51% 8.659% 0.007% 0 0 1.1% 2.88% TBAH + 3.08% TBACl 25.05%
FE-49 7.793% 54.51% 8.659% 0.007% 0 0 1.1% 2.88% TBAH + 6.16% TBACl 25.05%
FE-50 7.793% 55.35% 8.659% 0.007% 0 0 0.06% 3.08% TBACl 25.05%
FE-51 7.793% 52.26% 8.659% 0.007% 0 0 0.07% 6.16% TBACl 25.05%
FE-52 7.793% 55.73% 8.659% 0.007% 0 0 0.16% 2.6% BMIMS 25.05%
TMAH: 수산화 테트라메틸암모늄; TEAH: 수산화 테트라에틸암모늄; TBAH: 수산화 테트라부틸암모늄; TBACl: 염화 테트라부틸암모늄; BzTAH: 수산화 벤질트리메틸암모늄; BMIMS: 1-부틸-3-메틸-이미다졸륨-메탄설폰산염
제형 FE-41 내지 FE-52의 전도성을 전도성 측정기를 사용하여 측정하였다. 결과를 아래 표 10에 요약하였다.
제형예 전도성 (μS/㎝)
FE-41 16
FE-42 767
FE-43 720
FE-44 755
FE-45 2331
FE-46 677
FE-47 610
FE-48 1030
FE-49 1407
FE-50 673
FE-51 1245
FE-52 709
표 10에 나타낸 바와 같이, 제형 FE-42 내지 FE-52(전도성 향상제를 포함함)는 모두 제형 FE-41(전도성 향상제를 포함하지 않음)보다 현저하게 더 높은 전도성를 나타내었다. 이론에 얽매이지 않고, 세정 제형의 전도성을 증가시키는 것은 세정 공정 동안 Co 손실을 감소시킬 수 있는 것으로 여겨진다. 따라서, 제형 FE-42 내지 FE-52는 제형 FE-41에 비해 Co 손실을 감소시켰을 것으로 여겨진다.
본 발명은 특정 구현예를 참조하여 상세히 기술되었지만, 수정 및 변형은 기술되고 청구된 것의 사상 및 범위 내에 있는 것으로 이해된다.

Claims (35)

  1. 세정 조성물(cleaning composition)로서,
    1) 조성물의 0.5 중량% 내지 20 중량% 양의 적어도 하나의 산화 환원제(redox agent);
    2) 수용성 알코올, 수용성 케톤, 수용성 에스테르 및 수용성 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 유기 용매에 있어서, 조성물의 60 중량% 내지 95 중량% 양의 적어도 하나의 유기 용매;
    3) 조성물의 0.001 중량% 내지 0.5 중량% 양의 적어도 하나의 금속-함유 첨가제; 및
    4) 조성물의 5 중량% 내지 28 중량% 양의 물
    을 포함하는 세정 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    조성물은 7 내지 11의 pH를 갖는 것인 세정 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 산화 환원제는 하이드록실아민을 포함하는 것인 세정 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 산화 환원제는 조성물의 5 중량% 내지 20 중량%인 것인 세정 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 유기 용매는 2개의 유기 용매를 포함하는 것인 세정 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    2개의 유기 용매는 알킬렌 글리콜 및 알킬렌 글리콜 에테르로 이루어지는 군으로부터 각각 독립적으로 선택되는 것인 세정 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 유기 용매는 조성물의 65 중량% 내지 95 중량%인 것인 세정 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 금속-함유 첨가제는 금속 할로겐화물, 금속 수산화물, 금속 붕소화물, 금속 알콕시화물, 금속 산화물 또는 금속 함유 암모늄염을 포함하는 것인 세정 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 금속-함유 첨가제는 2A 족 금속, 3B 족 금속, 4B 족 금속, 5B 족 금속 또는 란탄족 금속을 포함하는 것인 세정 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    적어도 하나의 금속-함유 첨가제는 Ca, Ba, Ti, Hf, Sr, La, Ce, W, V, Nb 또는 Ta를 포함하는 것인 세정 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 금속-함유 첨가제는 텅스텐 붕소화물, Ca(OH)2, BaCl2, SrCl2, LaCl3, CeCl3, (NH4)2TiF6, BaTiO3, Ti(OEt)4, Ti(OCH(CH3)2)4, HfO2, V2O5, Nb2O5 또는 TaF3를 포함하는 것인 세정 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 금속-함유 첨가제는 조성물의 0.001 중량% 내지 0.4 중량%인 것인 세정 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    물은 조성물의 8% 내지 28%인 것인 세정 조성물.
  14. 제1항에 있어서,
    pH 조정제를 더 포함하는 세정 조성물.
  15. 제14항에 있어서,
    pH 조정제는 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센인 것인 세정 조성물.
  16. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 세정 첨가제를 더 포함하는 세정 조성물.
  17. 제16항에 있어서,
    적어도 하나의 세정 첨가제는 황-함유 첨가제인 것인 세정 조성물.
  18. 제17항에 있어서,
    황-함유 첨가제는 티올 또는 티오에테르를 포함하는 것인 세정 조성물.
  19. 제18항에 있어서,
    황-함유 첨가제는 3-아미노-5-메르캅토-1H-1,2,4-트리아졸, β-메르캅토에탄올, 3-아미노-5-메틸티오-1H-1,2,4-트리아졸, 1-페닐-1H-테트라졸-5-티올, 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올, 2-피리딘티올 또는 3-메르캅토-프로피온산을 포함하는 것인 세정 조성물.
  20. 제17항에 있어서,
    황-함유 첨가제는 조성물의 0.01 중량% 내지 0.15 중량%인 것인 세정 조성물.
  21. 제16항에 있어서,
    적어도 하나의 세정 첨가제는 아미노산을 포함하는 것인 세정 조성물.
  22. 제21항에 있어서,
    아미노산은 글리신인 것인 세정 조성물.
  23. 제21항에 있어서,
    아미노산은 조성물의 0.01 중량% 내지 0.15 중량%인 것인 세정 조성물.
  24. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 유기산을 더 포함하는 세정 조성물.
  25. 제24항에 있어서,
    적어도 하나의 유기산은 카르복시산 또는 설폰산을 포함하는 것인 세정 조성물.
  26. 제24항에 있어서,
    적어도 하나의 유기산은 조성물의 0.1 중량% 내지 0.5 중량%인 것인 세정 조성물.
  27. 제1항에 있어서,
    4차 암모늄 수산화물, 4차 암모늄염 및 이미다졸륨염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 전도성 향상제를 더 포함하는 세정 조성물.
  28. 제27항에 있어서,
    전도성 향상제는 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄, 염화 테트라부틸암모늄, 수산화 벤질트리메틸암모늄 또는 1-부틸-3-메틸-이미다졸륨-메탄설폰산염인 것인 세정 조성물.
  29. 제27항에 있어서,
    적어도 하나의 전도성 향상제는 조성물의 1 중량% 내지 10 중량%인 것인 세정 조성물.
  30. 에칭 후 잔류물(post etch residue) 또는 애싱 후 잔류물(post ash residue)을 함유하는 반도체 기판을 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항의 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는 세정 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    반도체 기판은 Cu, Co, W, AlOx, AlN, AlOxNy, Ti, TiN, Ta, TaN, TiOx, ZrOx, HfOx 및 TaOx로 이루어지는 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 층을 더 포함하는 것인 방법.
  32. 제30항에 있어서,
    접촉 단계 후에 헹굼 용매(rinse solvent)로 반도체 기판을 헹구는(rinsing) 단계를 더 포함하는 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    헹굼 단계 후에 반도체 기판을 건조시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  34. 제30항에 있어서,
    반도체 기판으로부터 반도체 장치를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  35. 세정 조성물(cleaning composition)로서,
    1) 적어도 하나의 산화 환원제(redox agent);
    2) 수용성 알코올, 수용성 케톤, 수용성 에스테르 및 수용성 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 유기 용매;
    3) 적어도 하나의 금속-함유 첨가제; 및
    4) 물
    을 포함하며,
    조성물은 계면 활성제를 포함하지 않는 것인, 세정 조성물.
KR1020197010318A 2016-10-06 2017-10-05 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형 KR102434147B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662404852P 2016-10-06 2016-10-06
US62/404,852 2016-10-06
US201662431620P 2016-12-08 2016-12-08
US62/431,620 2016-12-08
PCT/US2017/055231 WO2018067763A1 (en) 2016-10-06 2017-10-05 Cleaning formulations for removing residues on semiconductor substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190065286A KR20190065286A (ko) 2019-06-11
KR102434147B1 true KR102434147B1 (ko) 2022-08-19

Family

ID=61829972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197010318A KR102434147B1 (ko) 2016-10-06 2017-10-05 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10533146B2 (ko)
EP (1) EP3523241A4 (ko)
JP (3) JP7114842B2 (ko)
KR (1) KR102434147B1 (ko)
CN (1) CN109790028A (ko)
IL (1) IL265773B (ko)
WO (1) WO2018067763A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101964901B1 (ko) 2013-12-06 2019-04-02 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 잔류물 제거용 세정 제형
KR102434147B1 (ko) 2016-10-06 2022-08-19 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형
EP3601514A4 (en) 2017-03-24 2020-04-08 Fujifilm Electronic Materials USA, Inc. CLEANING COMPOSITIONS FOR REMOVING RESIDUES ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
EP3743773B1 (en) * 2018-01-25 2022-04-06 Merck Patent GmbH Photoresist remover compositions
IL301529A (en) 2018-03-28 2023-05-01 Fujifilm Electronic Mat Usa Inc cleaning products
EP3918110A4 (en) * 2019-01-31 2022-11-02 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. ETCHING COMPOSITIONS
JP2022530669A (ja) 2019-05-01 2022-06-30 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド エッチング組成物
KR20220020363A (ko) 2019-06-13 2022-02-18 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 에칭 조성물
CA3213769A1 (en) 2021-04-01 2022-10-06 Sterilex, Llc Quat-free powdered disinfectant/sanitizer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007510307A (ja) * 2003-10-29 2007-04-19 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド ハロゲン化金属の腐食阻害剤を含有するアルカリ性のプラズマエッチング／灰化後の残渣の除去剤およびフォトレジスト剥離組成物
JP2009206481A (ja) * 2007-12-17 2009-09-10 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法
JP2009260249A (ja) * 2008-03-19 2009-11-05 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法
JP2013533631A (ja) * 2010-07-16 2013-08-22 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残渣を除去するための水性洗浄剤

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0037224A1 (en) * 1980-03-24 1981-10-07 THE PROCTER & GAMBLE COMPANY Rare earth metal carboxylates, their use as antimicrobial agents, and medicinal, cosmetic and cleansing compositions containing them
US6110881A (en) 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US20040134873A1 (en) 1996-07-25 2004-07-15 Li Yao Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same
US6033993A (en) * 1997-09-23 2000-03-07 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Process for removing residues from a semiconductor substrate
US8338087B2 (en) 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
JP2006016438A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Dongwoo Fine-Chem Co Ltd 電子部品洗浄液
WO2008039730A1 (en) 2006-09-25 2008-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
JP4835455B2 (ja) 2007-02-08 2011-12-14 三菱瓦斯化学株式会社 チタンを使用した基板向け残渣除去用組成物
JP4843540B2 (ja) * 2007-03-26 2011-12-21 富士フイルム株式会社 粒子を含有するレジスト剥離液及びそれを用いた剥離方法
WO2009058275A1 (en) 2007-10-29 2009-05-07 Ekc Technology, Inc. Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
US20100105595A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Wai Mun Lee Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics
JP5646882B2 (ja) 2009-09-30 2014-12-24 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
JP5674373B2 (ja) 2010-07-30 2015-02-25 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
US8889609B2 (en) * 2011-03-16 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations
EP2688688A4 (en) 2011-03-21 2014-12-31 Basf Se AQUEOUS CLEANING COMPOSITION WITHOUT NITROGEN, PREPARATION AND USE THEREOF
EP3004287B1 (en) 2013-06-06 2021-08-18 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US9862914B2 (en) 2013-11-08 2018-01-09 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Cleaning agent for semiconductor substrates and method for processing semiconductor substrate surface
KR101964901B1 (ko) 2013-12-06 2019-04-02 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 잔류물 제거용 세정 제형
CN107155367B (zh) 2014-06-30 2021-12-21 恩特格里斯公司 利用钨及钴兼容性移除蚀刻后残余物的含水及半含水清洁剂
US10073351B2 (en) 2014-12-23 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation
KR102434147B1 (ko) 2016-10-06 2022-08-19 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007510307A (ja) * 2003-10-29 2007-04-19 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド ハロゲン化金属の腐食阻害剤を含有するアルカリ性のプラズマエッチング／灰化後の残渣の除去剤およびフォトレジスト剥離組成物
JP2009206481A (ja) * 2007-12-17 2009-09-10 Sanyo Chem Ind Ltd 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法
JP2009260249A (ja) * 2008-03-19 2009-11-05 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法
JP2013533631A (ja) * 2010-07-16 2013-08-22 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残渣を除去するための水性洗浄剤

Also Published As

Publication number Publication date
TW201827585A (zh) 2018-08-01
WO2018067763A1 (en) 2018-04-12
IL265773A (en) 2019-06-30
CN109790028A (zh) 2019-05-21
EP3523241A4 (en) 2020-05-13
US20180100128A1 (en) 2018-04-12
JP2019537640A (ja) 2019-12-26
JP2024019345A (ja) 2024-02-08
US10533146B2 (en) 2020-01-14
KR20190065286A (ko) 2019-06-11
EP3523241A1 (en) 2019-08-14
IL265773B (en) 2022-02-01
JP2022130361A (ja) 2022-09-06
JP7400013B2 (ja) 2023-12-18
JP7114842B2 (ja) 2022-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102434147B1 (ko) 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형
KR102499429B1 (ko) 세정 제형
KR102490840B1 (ko) 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 조성물
JP2023133294A (ja) 洗浄用組成物
TWI838332B (zh) 用於移除半導體基材上的殘餘物之清潔調配物
KR20230056740A (ko) 세정 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant