KR101244086B1 - 기판 세정 장치 및 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 57
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 26
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 26
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 28
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000010793 Steam injection (oil industry) Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 2
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Abstract
본 발명의 세정 장치는 기판(W)을 반송하는 반송 장치(1)와, 반송되는 기판(W)의 유기물이 부착된 기판면에 가열된 수증기를 분사하는 수증기 분사 노즐(5)과, 반송되는 기판(W)에 부착된 유기물에 물리력을 부여하는 샤워 장치(6)를 포함한다.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 세정 장치의 개략적 구성도.
도 2는 도 1에 도시된 세정 장치의 변형예로서 본 발명의 제2 실시형태에 따른 세정 장치를 나타내는 개략적 구성도.
도 3은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 세정 장치를 나타내는 개략적 구성도.
도 4는 도 3에 도시된 세정 장치의 변형예로서 본 발명의 제4 실시형태에 따른 세정 장치를 나타내는 개략적 구성도.
도 5는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 세정 장치를 나타내는 개략적 구성도.
도 6은 도 5에 도시된 세정 장치의 변형예로서 본 발명의 제6 실시형태에 따른 세정 장치를 나타내는 개략적 구성도.
도 7은 본 발명의 제7 실시형태에 따른 세정 장치를 나타내는 개략적 구성도.
도 8은 도 7에 도시된 세정 장치의 변형예로서 본 발명의 제8 실시형태에 따른 세정 장치를 나타내는 개략적 구성도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 반송 장치 2 : 반송축
3 : 반송 롤러 5 : 수증기 분사 노즐
6 : 샤워 장치(물리력 부여 장치)
17 : 유체 노즐 장치(물리력 부여 장치)
21 : 고압 유체 분사 장치(물리력 부여 장치)
23 : 세정 브러시 장치(물리력 부여 장치)
본 발명은 기판의 기판면에 부착된 유기물을 제거하기 위한 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 관한 것이다.
예컨대, 액정 표시 장치를 제조하는 경우, 유리제의 기판에 회로 패턴을 형성하는 리소그래피 프로세스가 사용되고 있다. 이 리소그래피 프로세스에서는, 주지와 같이 에칭을 행하기 위한 레지스트막을 도포하거나 보호막이나 층간 절연막을 형성하기 위해서 폴리이미드막을 도포하고 있다.
상기 기판에 미리 결정된 회로 패턴을 형성했다면, 기판에 잔류하는 불필요한 레지스트막이나 폴리이미드막을 제거하는 세정 처리가 행해진다. 기판 상에 잔류하는 불필요한 레지스트막이나 폴리이미드막 등의 유기물을 세정 처리하는 경우, 종래에는 약액(chemical)이 사용되고 있었다. 예컨대, 레지스트막의 경우에는 아민계 박리액이 사용되고, 폴리이미드막의 경우에는 NMP(N-메틸-2-피롤리돈)이 사용 된다.
최근에는, 기판 사이즈의 대형화에 따라 처리전의 기판을 보호하기 위해서 필름이나 합지(alignment paper)를 붙여 패키지화하고 있다. 그 때문에, 처리전의 기판 표면에는 기판과 연관된 다양한 유기물이 부착될 수도 있다. 이러한 경우에는, 유기물을 제거하기 위해서 알칼리계 세제를 사용한 세정 처리가 행해지고 있다.
기판을 약액을 사용하여 세정 처리하는 선행 기술은 일본 특허 공개 제2005-32819호 공보에 개시되어 있다.
그러나, 약액을 사용하여 기판에 부착된 유기물을 제거하는 경우, 전술한 아민계 박리액, NMP 또는 알칼리계 세제는 고가이기 때문에, 기판의 세정 처리에 필요한 비용이 증대되는 경우가 있다.
또한, 사용후의 약액을 처리하지 않고서 폐기하면, 공해의 발생 원인이 된다. 따라서, 그 폐기 처리에 많은 수고가 든다. 또한, 약액에 의해 유기물을 제거하기 위해서는 약액을 사용한 화학 반응에 의해 유기물을 분해 제거한다. 따라서, 유기물이 분해될 때까지 시간이 걸려서 처리에 필요한 택트 타임(takt time)이 길어지는 등의 경우가 있었다.
본 발명의 목적은 기판에 부착된 유기물을 세정 제거할 수 있도록 한 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 기판에 부착된 유기물을 제거하는 세정 장치로서,
상기 기판을 반송하는 반송 장치와,
반송되는 상기 유기물이 부착된 기판면에 가열된 수증기를 분사하는 수증기 분사 장치와,
반송되는 상기 기판에 부착된 유기물에 물리력을 부여하는 물리력 부여 장치를 포함하는 기판 세정 장치를 제공한다.
상기 물리력 부여 장치는 가압된 세정액을 상기 유기물이 부착된 기판면에 분사하는 샤워 장치인 것이 바람직하다.
상기 물리력 부여 장치는 세정액과 기체를 혼합하여 상기 유기물이 부착된 기판면에 분사하는 2 유체(two-fluid) 노즐 장치인 것이 바람직하다.
상기 물리력 부여 장치는 세정액을 가압하여 상기 유기물이 부착된 기판면에 분사하는 고압 유체 분사 장치인 것이 바람직하다.
상기 물리력 부여 장치는 상기 기판의 유기물이 부착된 기판면에 세정액을 공급하면서 브러시 세정하는 세정 브러시 장치인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 기판에 부착된 유기물을 제거하는 세정 방법으로서,
상기 기판을 반송하는 반송 단계와,
반송되는 유기물이 부착된 기판면에 가열된 수증기를 분사하는 단계와,
반송되는 기판에 부착된 유기물에 물리력을 부여하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법이다.
기판의 유기물이 부착된 기판면에 수증기를 분사한 후 물리력을 부여하는 것 이 바람직하다.
기판의 유기물이 부착된 기판면에 물리력을 부여한 후 수증기를 분사하는 것이 바람직하다.
상기 수증기는 100℃ 이상으로 가열되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 가열된 수증기가 분사되고, 물리력이 기판의 유기물이 부착된 기판면에 부여된다. 이 기판상에 분사된 수증기가 유기물에 침투하여 기판의 계면에 도달함으로써 기판과 관련된 유기물의 밀착력(intimacy)을 감소시키고, 물리력을 부여하여 유기물의 막을 손상시킨다.
따라서, 수증기가 분사되는 동시에 물리력이 기판에 부여되므로, 약액을 사용하지 않고 기판의 면으로부터 유기물을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 부가적인 목적 및 이점은 후속하는 발명의 설명부에서 설명되고 부분적으로 상기 설명부로부터 명확하게 되거나 또는 본 발명의 실행에 의해 학습될 수도 있다. 본 발명의 목적 및 이점은 발명의 상세한 설명부에서 특히 지적한 장치 및 결합물에 의해 구현 및 획득될 수도 있다.
명세서에 통합되고 이 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면들은 본 발명의 실시형태들을 나타내고, 상기 주어진 일반적인 설명 및 이하에 주어진 실시형태의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 기능을 한다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 세정 장치를 나타낸다. 이 세정 장치에는 기판(W)을 수평 상태로 화살표 X 방향으로 반송하는 반송 장치(1)가 구비되어 있다. 이 반송 장치(1)는 축선들을 서로 평행하게 하여 동일한 높이로 배치된 복수의 반송축(2)을 가진다. 각 반송축(2)에는 복수의 반송 롤러(3)가 미리 결정된 간격으로 설치되어 있다.
상기 반송축(2)은 도시하지 않은 구동원에 의해 회전 구동된다. 이러한 방식으로, 상기 기판(W)은 세정 제거해야 할 유기물이 막 형상으로 부착된 기판면을 위로 하여 상기 반송 롤러(3)에 의해 도 1에 화살표 X로 나타내는 방향으로 반송된다.
반송되는 기판(W)의 위쪽에는 수증기 분사 장치로서의 수증기 분사 노즐(5)과, 물리력 부여 장치로서의 샤워 장치(6)가 상기 기판(W)의 반송 방향을 따라 순차적으로 배치되어 있다.
기판(W)의 반송 방향 상류측에 배치된 상기 수증기 분사 장치(5)는 순수(純水)나 수돗물 등의 세정액을 가열하여 수증기를 발생시키는 제1 가열기(7)를 갖는다. 이 제1 가열기(7)에 의해 생성된 수증기는 개폐 밸브(8)를 갖는 증기 공급 배관(9)을 통해 상기 수증기 분사 노즐(5)에 공급된다. 그리고, 수증기 분사 노즐(5)에 공급된 수증기는 화살표 X로 나타내는 방향으로 반송되는 기판(W)의 막 형상의 유기물이 부착된 상면을 향해 분사된다.
상기 제1 가열기(7)에 의해 생성되어 증기 공급관(9)으로 공급되는 수증기의 온도는 100℃ 이상, 예컨대 140℃로서, 압력은 대기압 또는 대기압보다도 높은 압력 중 어느 것이어도 좋다. 이 실시형태에서, 압력은 대기압으로 설정된다.
수증기의 온도는 제1 가열기(7)에 설치된 히터(미도시)로의 급전을 제어함으 로써 설정될 수 있고, 압력은 제1 가열기(7)에 설치된 압력 조정 밸브(11)를 조정함으로써 설정될 수 있다.
상기 샤워 장치(6)에는 제2 가열기(12)와 가압 펌프(13)를 갖는 급수관(14)이 접속되어 있다. 급수관(14)에는 순수나 수돗물 등의 세정액이 공급된다. 급수관(14)에 공급된 세정액은 상기 제2 가열기(12)에 의해 60℃ 이상으로 가열되고, 상기 가압 펌프(13)에 의해 1 MPa 이상의 압력으로 가압한다.
이 실시형태에서, 상기 제2 가열기(12)는 세정액을 70℃로 가열하고, 상기 가압 펌프(13)는 가열된 세정액을 5 MPa의 압력으로 가압하여 그 가압된 세정액을 상기 샤워 장치(6)에 공급하도록 설계되어 있다.
이와 같이 구성된 세정 장치에 있어서, 상면에 유기물이 부착된 기판(W)이 반송 롤러(3)에 의해 화살표 X 방향으로 반송되어 수증기 분사 노즐(5)의 아래쪽에 도달하면, 기판(W)의 상면에는 140℃로 가열된 수증기가 폭 방향 전(全) 길이에 걸쳐 대기압으로 분사 공급된다.
기판(W)의 상면에 공급된 수증기는 그 상면에 부착된 막 형상의 유기물에 침투하여 기판(W)의 판면과 유기물과의 계면에 도달한다. 그것에 의해, 기판(W)의 판면에 대한 유기물의 밀착력이 저감하고, 기판(W)의 판면으로부터 유기물이 박리된다. 또한, 수증기가 140℃의 높은 온도이기 때문에, 유기물의 가수분해나 열분해가 촉진된다.
수증기 분사 노즐(5)의 아래쪽을 통과한 기판(W)은 샤워 장치(6) 아래쪽으로 반송된다. 샤워 장치(6)에서는, 기판(W)에 70℃로 가열된 세정액이 5 MPa의 고압 으로 기판의 폭 방향 전 길이에 걸쳐 공급된다.
샤워 장치(6)의 아래쪽으로 반송되어 온 기판(W)은 샤워 장치(6)의 상류의 수증기 분사 노즐(5)로부터 분사된 수증기에 의해 유기물이 판면으로부터 박리되고, 또한, 분해가 촉진되어 있다. 즉, 기판(W) 상의 유기물은 취약해지고 있다.
그 때문에, 기판(W)의 판면 상에서 취약해진 유기물은 샤워 장치(6)로부터 기판(W)에 분사되는 세정액의 압력에 의해 분쇄되면서 제거될 뿐만 아니라 기판(W)의 상면은 가열 가압된 세정액에 의해 청정하게 세정된다. 즉, 세정액은 70℃로 가열되고, 5 MPa로 가압되어 있다. 따라서, 기판(W)의 판면에 미세한 유기물이 부착 잔류하고 있어도, 그 유기물도 청정하게 세정 제거된다.
이와 같이, 기판(W)의 유기물이 부착된 면에 고온의 수증기를 공급하고 나서 가열 가압된 세정액을 분사하여 물리력을 부여하도록 하였다. 따라서, 약액을 사용하지 않고 상기 유기물을 기판(W)의 판면으로부터 제거할 수 있다.
더구나, 고온의 수증기에 의해 기판(W)의 판면에 대한 유기물의 밀착력을 저감시키고 나서 고압의 세정액을 분사하여 물리력을 부여한다. 따라서, 유기물을 약액에 의해 화학 반응으로 제거하는 경우에 비하여, 유기물을 효율적으로 신속하게 제거할 수 있다. 즉, 작업에 필요한 택트 타임을 단축시킬 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 실시형태의 변형예로서 본 발명의 제2 실시형태를 나타낸다. 이 제2 실시형태는 기판(W)의 반송 방향의 상류측에 물리력 부여 장치로서 기능하는 샤워 장치(6)가 배치되고, 하류측에는 수증기 분사 노즐(5)이 배치되어 있다.
샤워 장치(6)와 수증기 분사 노즐(5)의 배치를 반대로 하면, 기판(W)에 부착된 유기물은 우선 샤워 장치(6)로부터 분사되는 고압의 세정액으로부터 물리력을 받음으로써 그 유기물의 막에 결함이 형성된다. 즉, 다수의 흠집이 형성된다.
유기물의 막에 다수의 흠집이 형성된 상태의 기판(W)에 수증기 분사 노즐(5)에 의해 고온의 수증기를 분사한다. 기판(W)의 유기물에는 흠집이 생기기 때문에 수증기와의 접촉 면적이 증대된다. 따라서, 수증기가 유기물의 막에 침투하기 쉬워진다.
그 때문에, 유기물은 수증기에 의해 기판(W)의 판면으로부터 박리되어 제거되게 된다. 이 경우, 수증기의 압력을 대기압보다도 높게 설정해 두면, 유기물은 더욱 효율적으로 기판(W)의 판면으로부터 효율적으로 박리되어 제거될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제3 실시형태를 도시한다. 이 제3 실시형태에서는 수증기 분사 노즐(5)의 하류측에 물리력 부여 장치로서 2 유체 노즐 장치(17)가 배치되어 있다. 2 유체 노즐 장치(17)에는 급수관(18)에 의해 60℃ 이상, 예컨대 70℃로 가열된 세정액이 공급되고, 미리 결정된 압력, 예컨대 0.2 MPa로 가압된 압축 공기가 급기관(19)을 통해 공급된다. 그리고, 2 유체 노즐 장치(17)에 공급된 세정액은 압축 공기에 의해 가압됨으로써, 미스트형의 세정액이 기판(W)을 향해 분사된다.
2 유체 노즐 장치(17)로부터 분사되는 가압 가열된 미스트형의 세정액은 기판(W)의 판면에 물리력을 부여한다. 이러한 방식으로, 상류측에 배치된 수증기 분사 노즐(5)에 의해 기판(W)의 판면에 대한 밀착력이 약해진 유기물은 2 유체 노즐 장치(17)로부터 분사되는 미스트형의 유체 압력에 의해 분쇄되어 기판(W)의 판면으로부터 세정 제거된다.
즉, 이 제3 실시형태에 있어서도, 기판(W)의 판면에 부착된 유기물을 수증기와 물리력에 의해 확실하고도 신속하게 제거할 수 있다.
하기에 나타낸 표 1 은 2 유체 노즐 장치(17)에 공급되는 세정액의 온도를 변경하였을 때의 세정 효과를 측정한 것을 일례로서 제공한다. 세정 효과는 기판(W)의 세정액이 공급된 면적에 대하여 유기물이 박리된 면적의 비율을 표시한다.
또한, 기판(W)의 세정 조건은 기판(W)의 반송 속도가 300 ㎜/min, 증기 설정 온도가 180℃, 2 유체 노즐 장치(17)로부터의 세정액 토출 압력이 0.4 MPa이다.
세정액의 온도(℃) | 유기물이 박리된 면적(%) |
25 | 40 |
40 | 50 |
60 | 80 |
70 | 80 |
80 | 90 |
90 | 100 |
98 | 100 |
상기 표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 세정액의 온도가 60℃ 이상이 되면, 기판(W)의 판면에 부착된 유기물의 박리 면적이 급격히 증대되는 것이 확인되었다. 즉, 세정액의 온도가 40℃ 인 경우에는 유기물의 박리 면적이 50%이지만, 온도를 60℃로 설함으로써 그 면적이 80%로 향상되었다. 이것으로부터, 세정액의 온도를 60℃ 이상으로 설함으로써, 세정 효과가 향상되는 것을 성공적으로 확인할 수 있었다.
도 4는 제3 실시형태의 변형예로서 본 발명의 제4 실시형태를 나타낸다. 이 실시형태에서는, 기판(W)의 반송 방향 상류측에 물리력 부여 장치로서의 2 유체 노즐 장치(17)가 배치되고, 하류측에 수증기 분사 노즐(5)이 배치되어 있다.
2 유체 노즐 장치(17)와 수증기 분사 노즐(5)의 배치를 제3 실시형태의 상태로부터 반대로 하면, 기판(W)에 부착된 유기물은 우선 2 유체 노즐 장치(17)로부터 분사되는 고압의 세정액으로부터 물리력을 받음으로써 그 유기물의 막에 결함이 형성된다. 즉 다수의 흠집이 형성된다.
유기막에 다수의 흠집이 형성된 상태에서 기판(W)이 수증기 분사 노즐(5)의 아래쪽으로 반송되고, 이 수증기 분사 노즐(5)로부터 기판(W)에 수증기가 분사된다. 기판(W)에 부착된 유기물은 2 유체 노즐 장치(17)로부터 받은 물리력에 의해 흠집이 생긴다. 따라서, 유기물과 수증기와의 접촉 면적이 증대되어 수증기가 유기물에 침투하기 쉬워진다.
그 때문에, 유기물은 수증기에 의해 기판(W)의 판면으로부터 박리되어 제거되게 된다. 그 때, 수증기의 압력을 대기압보다도 높게 설정해 두면, 유기물은 기판(W)의 판면으로부터 효율적으로 박리될 뿐만 아니라 박리된 유기물은 기판(W)의 판면으로부터 제거되기 쉬워진다.
도 5는 본 발명의 제5 실시형태를 도시한다. 이 실시형태에서는, 기판(W)의 반송 방향 상류측에 수증기 분사 노즐(5)이 배치되고, 그 하류측에 물리력 부여 장치로서 기능하는 고압 유체 분사 장치(21)가 배치되어 있다. 고압 유체 분사 장치(21)는 60℃ 이상, 이 실시형태에서는 예컨대 70℃로 가열한 세정액을 1 MPa 이상의 고압력, 예컨대 5 MPa로 가압하여 분사하도록 되어 있다.
즉, 고압 유체 분사 장치(21)에는 급액관(22a)에 의해 70℃로 가열된 세정액이 공급되고, 급기관(22b)에 의해 5 MPa로 가압된 기체가 공급된다. 이러한 방식으로, 고압 유체 분사 장치(21)로부터 기판(W)의 상면에는 기포가 들어 있는 세정액이 고압으로 분사 공급된다.
반송 장치(1)에 의해 반송되는 기판(W)에서는, 반송 방향 상류측에 위치하는 수증기 분사 노즐(5)로부터 분사되는 수증기에 의해 유기물의 밀착력이 약해진다. 그 후, 기판은 고압 유체 분사 장치(21)로부터 분사되는 세정액 및 그 세정액에 포함되는 고압의 기포에 의해 물리력을 받는다.
이러한 방식으로, 기판(W)의 판면의 유기물은 기포로부터 받는 충격파에 의해 분쇄되어 기판(W)의 판면으로부터 제거된다. 즉, 기판(W)의 판면에 부착된 유기물을 수증기와 물리력에 의해 확실하고도 신속하게 제거할 수 있다.
도 6은 제5 실시형태의 변형예로서 본 발명의 제6 실시형태를 나타낸다. 이 실시형태에서, 이 실시형태는 기판(W)의 반송 방향 상류측에 물리력 부여 장치로서 기능하는 고압 유체 분사 장치(21)가 배치되고, 하류측에 수증기 분사 노즐(5)이 배치되어 있다. 즉, 상기 분사 장치와 노즐의 배치는 도 5에 도시된 제5 실시형태의 배치와 반대로 되어 있다.
고압 유체 분사 장치(21)와 수증기 분사 노즐(5)의 배치를 반대로 하면, 기판(W)에 부착된 유기물은 우선 고압 유체 분사 장치(21)로부터 분사되는 가압 가열된 세정액으로부터 물리력을 받음으로써 그 유기물의 막에 결함이 형성된다. 즉, 다수의 흠집이 형성된다.
유기막에 다수의 흠집이 형성된 상태에서 기판(W)이 수증기 분사 노즐(5)의 아래쪽으로 반송되게 되어 수증기가 분사되면, 기판(W)에 부착된 유기물에 흠집이 생김으로써, 유기물과 수증기와의 접촉 면적이 증대되기 때문에, 수증기가 유기물에 침투하기 쉬워진다.
그 때문에, 유기물은 기판(W)의 판면으로부터 수증기에 의해 박리되어 제거되게 된다. 이 경우, 수증기의 압력을 대기압보다도 높게 설정해 두면, 유기물은 기판(W)의 판면으로부터 효율적으로 박리될 뿐만 아니라 박리된 유기물은 기판(W)의 판면으로부터 제거되기 쉬워진다.
도 7은 본 발명의 제7 실시형태를 도시한다. 이 실시형태에서는, 기판(W)의 반송 방향 상류측에 수증기 분사 노즐(5)이 배치되고, 그 하류측에 물리력 부여 장치로서 기능하는 세정 브러시 장치(23)가 배치되어 있다. 세정 브러시 장치(23)는 수지계의 브러시모를 기판(W)의 상면에 접촉시켜 회전 구동되는 세정 브러시(24)와, 세정 브러시(24)에 세정액을 공급하는 샤워 노즐(25)에 의해 구성되어 있다. 샤워 노즐(25)에는 급액관(26)이 접속된다. 이 급액관(26)은 미리 결정된 온도, 예컨대 70℃로 가열된 세정액을 상기 샤워 노즐(25)을 통해 상기 세정 브러시(24)에 공급한다.
이러한 구성에 따르면, 상류측에 배치되는 수증기 분사 노즐(5)에 의해 기판(W)의 판면에 대한 밀착력이 약해진 유기물은 세정 브러시 장치(23)의 세정 브러시(24)에 마찰되어 물리력을 받는다. 이러한 방식으로, 유기물은 기판(W)의 판면으로부터 박리되고, 샤워 노즐(25)로부터 공급되는 세정액에 의해 세정 제거된다. 따라서, 기판(W)의 판면에 부착된 유기물을 수증기와 물리력에 의해 확실하고도 신속하게 제거할 수 있다.
도 8은 제7 실시형태의 변형예를 나타내는 본 발명의 제8 실시형태를 나타낸다. 이 실시형태에서는, 기판(W)의 반송 방향 하류측에 수증기 분사 노즐(5)이 배치되고, 그 상류측에 물리력 부여 장치로서 기능하는 세정 브러시 장치(23)가 배치되어 있다.
이러한 방식으로, 기판(W)에 부착된 유기물은 우선 세정 브러시 장치(23)의 세정 브러시(24)에 마찰되어 물리력을 받음으로써 그 유기물의 막에 다수의 흠집이 형성된다. 유기막에 다수의 흠집이 형성된 상태의 기판(W)에 수증기 분사 노즐(5)로부터 수증기가 분사되면, 기판(W)에 부착된 유기물에 흠집이 생기기 때문에, 유기물과 수증기와의 접촉 면적이 증대되고, 수증기가 유기물에 침투하기 쉬워진다. 따라서, 유기물은 기판(W)의 판면으로부터 수증기에 의해 박리되어 제거되게 된다.
본 발명은 상술한 실시형태들로 한정되지 않는다. 예컨대 기판에 따라서는 상면뿐만 아니라 하면에도 유기물이 부착되어 있는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 전술한 제1 내지 제8 실시형태에 도시된 수증기 분사 노즐과 물리력 부여 장치를, 반송되는 기판의 하면측에 대향시켜 배치하면, 하면에 부착된 유기물을 상면의 유기물과 동일한 방식으로 세정 제거할 수 있다.
또한, 세정액의 온도를 60℃ 이상으로 가열함으로써, 세정 효과를 얻을 수 있는 것을 도 3에 도시된 제3 실시형태에 따라서 증명하였지만, 다른 실시형태에 있어서도, 세정액을 60℃ 이상으로 가열함으로써, 동일한 효과를 유리하게 얻을 수 있다고 생각된다.
부가적인 이점 및 변형은 당업자가 쉽게 실행할 수 있다. 따라서, 넓은 양태들에 있어서의 본 발명은 특정 세부사항 및 여기서 나타내고 기술한 대표적인 실시형태들로 제한되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구항들 및 이들의 등가물에 의해 규정된 바와 같이, 여러가지 변형들이 일반적인 발명 개념의 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 행해질 수도 있다.
본 발명에 따르면, 기판의 유기물이 부착된 면에 가열된 수증기의 분사와, 물리력의 부여를 행하도록 하였다. 기판에 분사된 수증기는 유기물을 침투하여 기판과의 계면에 도달하여 유기물의 기판에 대한 밀착력을 저감하고, 물리력을 부여함으로써, 유기물의 막에 흠집을 낸다.
따라서, 기판에 대하여 수증기의 분사와 물리력의 부여를 조합하여 행함으로써 유기물을 기판의 판면으로부터 약액을 사용하지 않고서 능률적으로 제거하는 것이 가능해진다.
Claims (9)
- 기판에 부착된 유기물을 제거하는 세정 장치로서,상기 기판을 반송하는 반송 장치와,반송되는 상기 기판에 부착된 유기물에 물리력을 부여하여 그 유기물에 흠집을 형성하는 물리력 부여 장치, 그리고유기물에 흠집이 형성되어 반송되는 상기 기판에 가열된 수증기를 분사하는 수증기 분사 장치를 포함하는 기판 세정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 물리력 부여 장치는 가압된 세정액을 상기 유기물이 부착된 기판면에 분사하는 샤워 장치인 것인 기판 세정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 물리력 부여 장치는 세정액과 기체를 혼합하여 상기 유기물이 부착된 기판면에 분사하는 2 유체(two-fluid) 노즐 장치인 것인 기판 세정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 물리력 부여 장치는 세정액을 가압하여 상기 유기물이 부착된 기판면에 분사하는 고압 유체 분사 장치인 것인 기판 세정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 물리력 부여 장치는 상기 유기물이 부착된 기판면에 세정액을 공급하면서 브러시 세정하는 세정 브러시 장치인 것인 기판 세정 장치.
- 기판에 부착된 유기물을 제거하는 세정 방법으로서,상기 기판을 반송하는 반송 단계와,반송되는 기판에 부착된 유기물에 물리력을 부여하여 그 유기물에 흠집을 형성하는 단계, 그리고유기물에 흠집이 형성되어 반송되는 기판에 가열된 수증기를 분사하는 분사 단계를 포함하는 기판 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 수증기는 100℃ 이상으로 가열되어 있는 것인 기판 세정 방법.
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00066257 | 2006-03-10 | ||
JP2006066257A JP4909611B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070092681A KR20070092681A (ko) | 2007-09-13 |
KR101244086B1 true KR101244086B1 (ko) | 2013-03-18 |
Family
ID=38583186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070023632A KR101244086B1 (ko) | 2006-03-10 | 2007-03-09 | 기판 세정 장치 및 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070256711A1 (ko) |
JP (1) | JP4909611B2 (ko) |
KR (1) | KR101244086B1 (ko) |
TW (1) | TWI436417B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009223084A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板洗浄装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ |
US10201840B2 (en) | 2012-04-11 | 2019-02-12 | Gpcp Ip Holdings Llc | Process for cleaning a transport belt for manufacturing a paper web |
JP7246305B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2023-03-27 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄方法、洗浄装置、記憶媒体、及び洗浄組成物 |
JP2021004149A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板の洗浄装置及びガラス板の製造方法 |
KR102187188B1 (ko) * | 2019-07-01 | 2020-12-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
CN110882980A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-03-17 | 蚌埠中光电科技有限公司 | 一种液晶玻璃基板的清洗方法 |
CN111687112B (zh) * | 2020-06-21 | 2022-04-22 | 无锡亚电智能装备有限公司 | 一种工件清洗方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004079595A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Ici Kenkyusho:Kk | 基体洗浄方法 |
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-
2006
- 2006-03-10 JP JP2006066257A patent/JP4909611B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-03-08 US US11/683,582 patent/US20070256711A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-09 KR KR1020070023632A patent/KR101244086B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-03-09 TW TW096108117A patent/TWI436417B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250773A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-09-14 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007237119A (ja) | 2007-09-20 |
US20070256711A1 (en) | 2007-11-08 |
KR20070092681A (ko) | 2007-09-13 |
TWI436417B (zh) | 2014-05-01 |
JP4909611B2 (ja) | 2012-04-04 |
TW200802572A (en) | 2008-01-01 |
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