JP2006026549A - 洗浄方法及びそれを実施するための洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】洗浄装置を大きくすることなく、ウエハ、ガラス、金属等に付着した有機物や異物を確実に除去することを可能にする。
【解決手段】液体を加熱して水蒸気を生成するための第1の加熱手段(3)と該第1の加熱手段(3)により生成された水蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段(4)とを具備した放射性ガス生成手段(2)と、該放射性ガス生成手段(2)により製造された放射性ガスを被洗浄物上に噴射するためのガス噴射手段(5)と、被洗浄物上に洗浄水の被膜を形成するための洗浄液供給手段(6)とを備え、放射性ガス生成手段(2)により亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に洗浄水の被膜を形成し、この洗浄水の被膜上から前記被洗浄物に前記放射性ガスを吹き付けることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】液体を加熱して水蒸気を生成するための第1の加熱手段(3)と該第1の加熱手段(3)により生成された水蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段(4)とを具備した放射性ガス生成手段(2)と、該放射性ガス生成手段(2)により製造された放射性ガスを被洗浄物上に噴射するためのガス噴射手段(5)と、被洗浄物上に洗浄水の被膜を形成するための洗浄液供給手段(6)とを備え、放射性ガス生成手段(2)により亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に洗浄水の被膜を形成し、この洗浄水の被膜上から前記被洗浄物に前記放射性ガスを吹き付けることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、液晶パネル製造、PDPパネル製造、有機ELパネル製造、FEDパネル製造、プリント基板製造、半導体製造、フィルム製造、版製造その他電子機器部品等の製造工程において使用される洗浄方法及びそれを実施するための洗浄装置に係り、より詳しくは、蒸気を更に加熱した気体を被洗浄物に吹き付け、これにより、薬液を用いずに有機物、パーティクル等の除去を可能にしたことを特徴とした洗浄方法及びそれを実施するための洗浄装置に関する。
近年のフラットパネルディスプレイ(液晶、PDP、EL、FED等)半導体、プリント基板、フィルム、電子機器部品等の進歩の高精度化へは目覚しく、特にフラットパネルディスプレイの製造プロセス、高集積半導体素子の製造プロセスにおいては、より高度な超精密洗浄が必要とされている。
また、パターンの微細化、高集積化とともに、取り扱う液晶ガラス、PDPガラス、シリコンウエハは大型化しており、液晶ガラスでは1870×2200mm、PDPガラスでは2150×2350mm、シリコンウエハでは300mm径へと移行する現状にあるが、洗浄は、全工程の40〜60%を占め、歩留まり向上に重要な役割を担うプロセスとなっている。
しかしながら、従来は有機物やパーティクルを有効に除去可能な洗浄方法は提供されていなかった。
即ち、従来の洗浄方法としては、ブラシ洗浄、超音波洗浄、高圧スプレー洗浄、シャワー洗浄、2流体洗浄、化学洗浄等が採用されていたが、まず、ブラシ洗浄では、例えば被洗浄物が大きくて薄いガラスの場合には、ブラシの自動制御を行った場合でも均一にパーティクルを除去することが困難であり、また、ブラシの磨耗やブラシの調整の仕方によってはブラシ洗浄後に洗浄むらが出来てしまうという問題点が指摘されている。
また、超音波洗浄では、周波数によって除去するパーティクルの大きさが異なるために、複数の超音波洗浄機を用意しなければならず、また、同一部分に3分以上の振動を与えないとパーティクルが剥離しないために、装置が長くなるという問題点がある。
更に、高圧スプレー洗浄、シャワースプレー洗浄、2流体洗浄では、液体を連続して被洗浄物に当てるために、液膜が被洗浄物上に形成されてしまい、洗浄液の衝突エネルギーを液膜が干渉して吸収してしまうという問題点が指摘されている。また、高圧スプレー洗浄では、被洗浄物によっては割れることもあり、更にシャワースプレー洗浄では、液体が液膜を形成してしまい、そのために多くのパーティクルを除去することは望めないという問題点が考えられる。
更にまた、化学洗浄で有機物を除去する場合には、薬品を常温または温度を上げた状態にして洗浄し、その後はこの薬品を水洗いしなければならず、工程が多くなってしまうという問題点が考えられる。
そこで、本発明は、洗浄装置を大きくすることなく、ウエハ、ガラス、金属等に付着した有機物や異物を確実に除去することを可能とした洗浄方法及びそれを実施するための洗浄装置を提供することを課題としている。
請求項1に記載の本発明の洗浄方法は、液体を加熱することにより生成した蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に前記放射性ガスを吹き付ける、ことを特徴としており、この方法を実施するための請求項2に記載の本発明の洗浄装置は、液体を加熱して蒸気を生成するための第1の加熱手段と該第1の加熱手段により生成された蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段とを具備した放射性ガス生成手段と、前記被洗浄物に前記放射性ガス生成手段により製造された放射性ガスを噴射するためのガス噴射手段と、を備えたことを特徴としている。
請求項3に記載の本発明の洗浄方法は、液体を加熱することにより生成した蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に洗浄液を供給して被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成し、この洗浄液の被膜上から前記被洗浄物に前記放射性ガスを吹き付ける、ことを特徴としており、この方法を実施するための請求項4に記載の本発明の洗浄装置は、液体を加熱して蒸気を生成するための第1の加熱手段と該第1の加熱手段により生成された蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段とを具備した放射性ガス生成手段と、被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成するための洗浄液供給手段と、該洗浄液供給手段により形成された洗浄液の被膜を介して、前記被洗浄物に前記放射性ガス生成手段により製造された放射性ガスを噴射するためのガス噴射手段と、を備えたことを特徴としている。
請求項5に記載の本発明の洗浄方法は、液体を加熱することにより生成した蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に洗浄液を供給して被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成し、この洗浄液の被膜上から前記被洗浄物に前記放射性ガスを吹き付け、その後、前記被洗浄物上に高圧水を間欠的に吹き付けることを特徴としており、この方法を実施するための請求項6に記載の本発明の洗浄装置は、液体を加熱して蒸気を生成するための第1の加熱手段と該第1の加熱手段により生成された蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段とを具備した放射性ガス生成手段と、被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成するための洗浄液供給手段と、該洗浄液供給手段により形成された洗浄液の被膜を介して、前記被洗浄物に前記放射性ガス生成手段により製造された放射性ガスを噴射するためのガス噴射手段と、該ガス噴射手段により前記放射性ガスを噴射した被洗浄物に高圧水を間欠的に吹き付けるための高圧水噴射手段と、を備えたことを特徴としている。
本発明者らの実験によると、液体を加熱することによりできる蒸気を更に加熱して得られる亜臨界の放射性ガスを被洗浄物上に吹き付けると、被洗浄物に付着している油分、パーティクル等を容易に除去することが可能であることがわかった。そのために、この、液体を加熱することによりできる蒸気を更に加熱して得られる放射性ガスを被洗浄物上に吹き付ける本発明によれば、薬品等を用いずに被洗浄物に付着した有機物、パーティクルを除去することが可能である。また、本発明で用いる亜臨界の放射性ガスは、液体を加熱することにより生成した蒸気を当該液体の臨界温度前後の温度で加熱することのみにより製造するため、超臨界のガスを製造する場合と異なり、液体に圧力を加えこと無く製造可能であり、コストを抑えることもできる。
また、このときに、被洗浄物に洗浄液を流して被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成し、この被膜の上から前記ガスを被洗浄物に吹き付けることにより、高温のガスを直接吹き付けることによる被洗浄物の表面変質等を防止することも可能である。
更に、このようにして洗浄液の被膜の上からガスを吹き付けた被洗浄物上に高圧の水を間欠的に吹き付けることにより、より効果的に被洗浄物に付着している異物を除去することが可能である。
本発明の洗浄方法では、まず、水、液化炭酸等の液体を加熱することで蒸気を作り、次に、この蒸気を更に、対象となる液体の臨界温度に近い温度で加熱し、これにより、亜臨界の放射性ガスを製造する。
そして、それとともに、まず、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に純水等の洗浄液を流して被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成し、次に、この洗浄液の被膜の上から、被洗浄物に向けて、前記放射性ガスを吹き付ける。
そして更に、適宜、放射性ガスを吹き付けた被洗浄物に向けて、高圧の水をシャワー状かつ間欠的に吹き付ける。
次に、本発明の洗浄装置では、水蒸気を製造するための第1の加熱手段を有しており、この第1の加熱手段には、第1の加熱手段により作られた水蒸気を更に加熱するための第2の加熱手段が連結され、この第1の加熱手段と第2の加熱手段により放射性ガス製造手段が構成されている。
また、この放射性ガス製造手段には、製造された放射性ガスを被洗浄物に向けて放射するためのガス噴射手段が連結されており、このガス噴射手段は、使用に際しては搬送手段上の被洗浄物に向けてガスを噴射可能に配設される。
更に、本発明の洗浄装置では、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物の上に純水等の洗浄液を流し、被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成するための洗浄液供給手段を備えており、この洗浄液供給手段は、前記ガス噴射手段に対して反搬送方向側に配置され、これにより、被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成した状態で被洗浄物上に放射性ガスを噴射可能としている。
ここで、前記ガス噴射手段に対して搬送方向側に、放射性ガスを吹き付けた被洗浄物に向けて、高圧水をシャワー状かつ間欠的に吹き付けるための高圧水噴射手段を備えると良く、これにより、被洗浄物に付着した異物をより効果的に除去することが可能である。
本発明の洗浄装置の実施例について図面を参照して説明すると、図1は本実施例を説明するためのフローチャートであり、本実施例の洗浄方法においては、まず、ステップ1において、液体を加熱することにより蒸気を生成する。
なお、蒸気の生成方法は特に限定されないが、例えばボイラー、誘導加熱方法等を用いるとよい。また、液体としては、水、液化炭酸等が好ましい。
次に、ステップ2において、前記生成した蒸気を更に加熱し、これにより放射性ガスを製造する。なお、加熱する温度としては、用いる液体の臨界温度に近い温度にするとよく、従って、水を用いた場合には370度前後以上の高温にするとよく、また液化炭酸を用いた場合には31度前後以上にするとよい。
即ち、本発明者らの実験によると、このように、液体を加熱して生成した蒸気を、更にその液体の臨界温度に近い温度で加熱すると、蒸気が分子レベルに分解され、超臨界状態に近い亜臨界の放射性ガスに変化し、この放射性ガスを被洗浄物に吹き付けることにより、被洗浄物に付着している有機物やパーティクルを有効に除去可能なことがわかった。そこで、本実施例の洗浄方法では、水、液化炭酸等の液体を加熱して蒸気を生成した後に、この蒸気を更に、用いた液体の臨界温度に近い温度で加熱し、このようにしてできた亜臨界の放射性ガスを被洗浄物に吹き付けることにより被洗浄物に付着した有機物、パーティクル等を除去可能としている。
即ち、ステップ3において、コンベア等の搬送手段により被洗浄物を所定の位置に搬送し、その後ステップ4において、搬送されてきた被洗浄物上に洗浄液を流し、これにより被洗浄物上に洗浄液による被膜を形成する。なお、洗浄液の種類は限定されないが、例えば、純水、純水に微量の界面活性剤等を混ぜ合わせたものが好ましい。
次に、ステップ5において、前記製造した放射性ガスを、洗浄液による被膜の上から被洗浄物に吹き付け、これにより被洗浄物に付着している有機物、パーティクル等を除去する。
そうすると、亜臨界の放射性ガスの熱運動と高浸透性によって、被洗浄物に付着している有機物やパーティクルを容易に除去することができる。
そして、このとき、本実施例の洗浄方法では、被洗浄物にまず洗浄液を流して被洗浄物上に洗浄液による被膜を形成して、この被膜を介して被洗浄物に前記放射性ガスを吹き付けるために、高温の放射性ガスを直接吹き付けることによる被洗浄物の表面変質等を防止することも可能である。
但し、必ずしも洗浄液による皮膜を被洗浄物上に形成する必要は無い。即ち、本実施例においては、液体を加熱することにより生成した蒸気を、前記液体の臨界温度に近い温度で加熱し、これにより亜臨界の放射性ガスを製造するが、例えば液化炭酸の場合の臨界温度は31度前後と低いために、かかる場合には、直接この放射性ガスを被洗浄物に吹き付けても被洗浄物の表面変質等が起こらないため、洗浄液による皮膜を被洗浄物上に形成する必要はない。
次に、このような洗浄方法を実施するための本発明の洗浄装置の実施例について図面を参照して説明すると、図2は本実施例の洗浄装置の概念図であり、本実施例の洗浄装置1ではまず、水、液化炭酸等の液体を蒸気にするとともに、この蒸気を更に加熱して亜臨界の放射性ガスを製造するための放射性ガス生成手段を備えている。即ち、図2において1が本実施例の洗浄装置であり、及び、図において2が放射性ガス生成手段である。
そして、前記放射性ガス生成手段2は、給水管301により供給されてきた水、液化炭酸等の液体を蒸気にするための第1の加熱手段3を有しており、本実施例においてこの第1の加熱手段3としてはボイラーを用いている。但し、必ずしもボイラーを用いて液体を蒸気化する必要はなく、誘導加熱により液体を加熱して蒸気化してもよい。
次に、この第1の加熱手段3には、第1の加熱手段3により作られた蒸気を、更に加熱するための第2の加熱手段4を備えている。そして、本実施例においてこの第2の加熱手段4は誘導加熱装置としている。
即ち、図3はこの誘導加熱装置4を示す図であり、この第2の加熱手段4は、ステンレス等の金属管401の内部に金属製の発熱体402を有しており、本実施例においてこの発熱体402としては、金属製、より詳しくはステンレス製の板をハニカム状にしたハニカムプレートを用いており、この発熱体402を複数枚、金属管401内に収容している。
そして、それとともに、前記金属管401の外周部にはワークコイル403を巻きつけてある。そして、この構成において、ワークコイル403に電流を流すことによってワークコイル403の周囲に磁界を発生させるとともに、発熱体であるハニカムプレート402に渦電流を発生させ、これによって発熱体402を発熱させる。そして、発熱体402を発熱させるとともに、図における矢印方向へ蒸気を移動させ、これにより、金属管401の内部で亜臨界の放射性ガスを製造することを可能としている。
次に、図2において5は、前記放射性ガス生成手段2により生成された放射性ガスを噴射するためのガス噴射手段であり、このガス噴射手段5は、使用に際しては、被洗浄物を搬送するコンベア等の搬送手段の上方に配置され、これにより、搬送されてきた被洗浄物上に前記放射性ガスを噴射可能にする。
ここで、図4は前記ガス噴射手段5の長手方向に向いた構造を示す端面図であり、本実施例において前記ガス噴射手段5は、図5にも示されるように、長尺形状であるとともに、その内部にはガス流路501が形成されているとともに、長手方向に沿った側壁には、等間隔を置いて、前記ガス流路501に連通したガス供給口502が複数個形成され、このガス供給口502に前記第2の加熱手段4が連結されている。
また、長手方向に沿って下端部には、前記ガス流路501に連通したスリット503が形成されており、これにより、ガス供給口502を介してガス流路501に供給された放射性ガスを、スリット503より噴射可能としている。
次に、図2において6は被洗浄物上に純水、液化炭酸等の洗浄液を供給するための洗浄液供給手段であり、本実施例では、この洗浄液供給手段6により、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に、まず、洗浄液による被膜を形成することを特徴としている。
ここで、図5は、前記ガス噴射手段5と洗浄液供給手段6との位置関係を示す図であり、図において7は被洗浄物であり、また、802は、この被洗浄物7を搬送するための、搬送手段に具備されたローラーである。
そして、本実施例の洗浄装置1では、まず、被洗浄物7が移動してくる側に洗浄水供給手段6が配置され、この洗浄水供給手段6から見た被洗浄物の移動方向側にガス噴射手段5が配置される。そしてこの配置により、被洗浄物7上に洗浄液の被膜を形成し、この被膜を介して被洗浄物に放射性ガスを噴射可能としている。
なお、図において9は、洗浄水供給手段6とガス噴射手段5との間に配置された仕切り板である。即ち、本実施例においては、洗浄水供給手段6とガス噴射手段5との間に仕切り板9を備えるとともに、この仕切り板9の先端部を略鋭角状に形成し、仕切り板9の先端と被洗浄物との間に僅かな空間ができるようにして仕切り板9を配設している。そうすると、洗浄水供給手段6から被洗浄物7上に供給された洗浄液は、まず、仕切り板9の手前側に溜まっていき、被洗浄物7の移動とともに、洗浄物7との間の空間を介してガス噴射手段5側に流れていき、これにより、被洗浄物7上に均一に洗浄液による被膜を形成することが可能となる。そして本実施例においては、被洗浄物7上に形成される被膜厚が0.1〜1mm程度になるように、仕切り板9の先端の位置を調整している。但し、必ずしもこの仕切り板9は必要なものではなく、被洗浄物7上に洗浄液の被膜10を形成可能であればよい。従って、洗浄水供給手段6から直接被洗浄物上に洗浄液を落下させてもよく、または、洗浄水供給手段6と被洗浄物との間に回動自在にローラーを介在させて、まず、ローラー上に洗浄液を落下させ、ローラーの回転にともなってローラー上に落下させた洗浄液を被洗浄物上に落下させ、これにより被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成してもよい。
次に、このように構成される本実施例の洗浄装置1の作用について図6を参照して説明すると、本実施例の洗浄装置1によって被洗浄物の洗浄を行う場合には、搬送手段8上に被洗浄物7を載置した状態で、搬送手段8を駆動して、被洗浄物7を搬送していく。
なお、搬送手段8の構造等は特に限定されないが、本実施例においては、筺体801と、この筺体801に回動自在に備えた複数本の搬送用ローラー802と、この搬送用ローラー802を回動するためのモーター等の駆動手段(図示せず)を備えて、駆動手段を駆動させることによりローラー802を回転させ、これにより、ローラー802上に載置した被洗浄物を搬送可能としている。
そして、このような搬送手段8により被洗浄物を搬送するとともに、次に、洗浄液供給手段6より洗浄液を供給し、より詳しくはシャワー状に被洗浄物7上に洗浄液を噴射させていく。そうすると、まず、供給された洗浄液は仕切り板9の手前側に溜まっていくとともに、被洗浄物7との間の空間を介して、被洗浄物の搬送とともにガス噴射手段5側へ滲みだしていき、これにともない、被洗浄物7は、その上に洗浄液の被膜10が形成された状態でガス噴射手段5の近傍に搬送されていく。
一方、放射性ガス生成手段2においては、まず、第1の加熱手段3において、供給されてきた液体が蒸気にされ、更に、この蒸気が、第2の加熱手段4において加熱され、これにより亜臨界の放射性ガスが生成される。
そして、この放射性ガスは、ガス噴射手段5によって、洗浄液の被膜が形成された状態で搬送されてきた被洗浄物7上に噴射される。そうすると、噴射された放射性ガスによって洗浄液が加熱されるとともに、被洗浄物に付着されている有機物やパーティクル等の異物が除去される。
このように、本実施例の洗浄装置1によれば、特に大きな設備を必要とすることなく、蒸気を更に加熱して得られる亜臨界の放射性ガスを用いての被洗浄物の洗浄を行うことが可能となる。
なお、洗浄液供給手段6及び仕切り板9は必ずしも必要なものではなく、被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成する必要が無い場合には、洗浄液供給手段6及び仕切り板9を備える必要はない。
次に、本発明の洗浄方法の他の実施例について図7のフローチャートを参照して説明すると、本実施例の洗浄方法では、前述した洗浄方法の実施例の工程の後に、更に、被洗浄物へ向けて、間欠的に高圧水の噴射を行うことを特徴としている。
即ち、ステップ11において液体を加熱することにより蒸気を生成し、ステップ12において、前記生成した蒸気を更に加熱して放射性ガスを製造し、一方、ステップ13においてコンベア等の搬送手段により被洗浄物を所定の位置に搬送し、その後ステップ14において搬送されてきた被洗浄物上に洗浄液を流して被洗浄物上に洗浄液による被膜を形成し、ステップ15において洗浄液による被膜の上から前記製造した放射性ガスを被洗浄物に吹き付け、その後、ステップ16において、放射性ガスを吹き付けた後の被洗浄物に向けて、高圧水を噴射する。
そして、この高圧水の噴射に際しては、高圧水を、シャワー的に、かつ、間欠的に噴射することを特徴としている。
このように、本実施例の洗浄方法によれば、前述した洗浄方法の実施例に加えて、更に、被洗浄物に対して、高圧水を、間欠的かつシャワー的に噴射するために、より効果的に被洗浄物に付着した異物を除去することが可能となる。
次に、このような洗浄方法を実施するための洗浄装置の実施例について説明すると、図8は本実施例の洗浄装置11の概念図であり、また、図9は、本実施例の洗浄装置1を構成する要素の位置関係を示す図である。そして、本実施例の洗浄装置1では、前述した洗浄装置の実施例に、更に、ガス噴射手段5により放射性ガスを噴射した被洗浄物7に高圧水を吹き付けるための高圧水噴射手段12を備えている。
即ち、図において12が高圧水噴射手段であり、この高圧水噴射手段12は、前記ガス噴射手段5に対して被洗浄物7の搬送方向に配置されており、高圧水供給管1201を介して、図示しない高圧水供給用ポンプに連結されている。また、先端部には、高圧水を広げて噴射可能な多数個のノズルが備えられており、これにより、放射性ガスが吹き付けられた被洗浄物に向けて、高圧水を、シャワー的かつ間欠的に噴射可能としている。
なお、高圧水を間欠的に噴射する方法は特に限定はされないが、例えば、一定間隔に小さな貫通穴を設けた回転体を用いて、この回転体を高圧水の通過流路内に配置し、回転体を回転させつつ高圧水を供給するとよく、これにより、穴が高圧水の通過流路内に位置したときに高圧水を噴射することができ、従って間欠的に高圧水を噴射することが可能となる。
このように、本実施例の洗浄装置を用いることにより、前述した洗浄方法を実施することが可能となる。
なお、本実施例の洗浄装置は、前述した洗浄装置の実施例に加えて、更に高圧水噴射手段11を付加した点に特徴を有しており、この高圧水噴射手段12を除いた部分に関する構成、作用等は前述の洗浄装置の実施例と同様であるので、重複した説明は省略するとともに、同一部分には同一符号を付した。
本発明の洗浄方法及び洗浄装置は、蒸気を更に加熱して得られる亜臨界の放射性ガスを用いて、被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成しつつ、この被膜を介して被洗浄物上に前記放射性ガスを吹き付け、これにより被洗浄物に付着した有機物やパーティクル等を除去可能としているために、液晶パネル製造、PDPパネル製造、有機ELパネル製造、FEDパネル製造、プリント基板製造、半導体製造、フィルム製造、版製造その他電子機器部品等の製造工程のみならず、洗浄工程の全般に適用可能である。
1、11 洗浄装置
2 放射性ガス生成手段
3 第1の加熱手段
4 第2の加熱手段
401 金属管
402 発熱体
403 ワークコイル
5 ガス噴射手段
6 洗浄液供給手段
7 被洗浄物
8 搬送手段
9 仕切り板
10 洗浄液の被膜
12 高圧水噴射手段
2 放射性ガス生成手段
3 第1の加熱手段
4 第2の加熱手段
401 金属管
402 発熱体
403 ワークコイル
5 ガス噴射手段
6 洗浄液供給手段
7 被洗浄物
8 搬送手段
9 仕切り板
10 洗浄液の被膜
12 高圧水噴射手段
Claims (6)
- 液体を加熱することにより生成した蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、この生成した放射性ガスを被洗浄物に吹き付ける、ことを特徴とする洗浄方法。
- 請求項1に記載の洗浄方法を実施するための洗浄装置であって、
液体を加熱して蒸気を生成するための第1の加熱手段(3)と、該第1の加熱手段(3)により生成された蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段(4)とを具備した放射性ガス生成手段(2)と、
該放射性ガス生成手段(2)により製造された放射性ガスを被洗浄物に噴射するためのガス噴射手段(5)と、を備えたことを特徴とする洗浄装置。 - 液体を加熱することにより生成した蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に洗浄液を供給して被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成し、この洗浄液の被膜上から前記被洗浄物に前記放射性ガスを吹き付ける、ことを特徴とする洗浄方法。
- 請求項3に記載の洗浄方法を実施するための洗浄装置であって、
液体を加熱して蒸気を生成するための第1の加熱手段(3)と、該第1の加熱手段(3)により生成された蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段(4)とを具備した放射性ガス生成手段(2)と、
被洗浄物(7)上に洗浄液の被膜(10)を形成するための洗浄液供給手段(6)と、
該洗浄液供給手段(6)により形成された洗浄液の被膜(10)を介して、前記被洗浄物(7)に前記放射性ガス生成手段(2)により製造された放射性ガスを噴射するためのガス噴射手段(5)と、を備えたことを特徴とする洗浄装置。 - 液体を加熱することにより生成した蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを生成するとともに、搬送手段により搬送されてきた被洗浄物上に洗浄液を供給して被洗浄物上に洗浄液の被膜を形成し、この洗浄液の被膜上から前記被洗浄物に前記放射性ガスを吹き付け、その後、前記被洗浄物上に高圧水を間欠的に吹き付けることを特徴とする洗浄方法。
- 請求項5に記載の洗浄方法を実施するための洗浄装置であって、
液体を加熱して蒸気を生成するための第1の加熱手段(3)と、該第1の加熱手段(3)により生成された蒸気を更に加熱することにより亜臨界の放射性ガスを製造するための第2の加熱手段(4)とを具備した放射性ガス生成手段(2)と、
被洗浄物(7)上に洗浄液の被膜(10)を形成するための洗浄液供給手段(6)と、
該洗浄液供給手段(6)により形成された洗浄液の被膜(10)を介して、前記被洗浄物(7)に前記放射性ガス生成手段(2)により製造された放射性ガスを噴射するためのガス噴射手段(5)と、
該ガス噴射手段(5)により前記放射性ガスを噴射した被洗浄物(7)に高圧水を間欠的に吹き付けるための高圧水噴射手段(12)と、を備えたことを特徴とする洗浄装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007237119A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
JP2013193061A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 除塵装置および除塵方法 |
WO2021098038A1 (en) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | Shanghai Sna Electronic Information Technologies Co. Ltd. | Method and device for wet processing integrated circuit substrates using a mixture of chemical steam vapors and chemical gases |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5010875B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
CN102284441A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-12-21 | 朱品桦 | 塑料件蒸气清洗系统及清洗方法 |
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CN112893330A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-06-04 | 惠州市浩发机械设备有限公司 | 一种辊面清洁装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10507683A (ja) * | 1994-10-04 | 1998-07-28 | クンツェ−コンセウィッツ、ホルスト | 表面を入念に洗浄するための方法と装置 |
JPH11346645A (ja) * | 1998-06-04 | 1999-12-21 | Seda Giken:Kk | 洗浄殺菌機 |
JP2003045770A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10507683A (ja) * | 1994-10-04 | 1998-07-28 | クンツェ−コンセウィッツ、ホルスト | 表面を入念に洗浄するための方法と装置 |
JPH11346645A (ja) * | 1998-06-04 | 1999-12-21 | Seda Giken:Kk | 洗浄殺菌機 |
JP2003045770A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007237119A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
JP2013193061A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 除塵装置および除塵方法 |
WO2021098038A1 (en) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | Shanghai Sna Electronic Information Technologies Co. Ltd. | Method and device for wet processing integrated circuit substrates using a mixture of chemical steam vapors and chemical gases |
US11282696B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-03-22 | Dangsheng Ni | Method and device for wet processing integrated circuit substrates using a mixture of chemical steam vapors and chemical gases |
CN114930506A (zh) * | 2019-11-22 | 2022-08-19 | 上海思恩电子信息科技有限公司 | 一种使用化学蒸汽和化学气体的混合物对集成电路基片进行湿法处理的方法与装置 |
CN114930506B (zh) * | 2019-11-22 | 2023-07-07 | 上海思恩电子信息科技有限公司 | 一种使用化学蒸汽和化学气体的混合物对集成电路基片进行湿法处理的方法与装置 |
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