WO2012090815A1 - レジスト除去装置及びレジスト除去方法 - Google Patents

レジスト除去装置及びレジスト除去方法 Download PDF

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田中　潤一
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

Definitions

  • the present invention relates to a resist removing apparatus and a resist removing method for removing unnecessary resist from a substrate surface.
  • Some substrates used for liquid crystal displays and the like have a conductive path wiring made of a conductive material formed on the surface thereof by an etching process.
  • the wiring on the surface of the substrate is formed by forming a resist pattern made of a photosensitive material on a thin film of a conductive material typified by Cu, Cu alloy, Al, Al alloy, etc. Is formed. Since the resist used as a mask for the etching process becomes unnecessary, a removal process using a resist stripping solution is performed.
  • a conventional resist removing apparatus that removes a resist from a substrate surface using a resist stripping solution is disclosed in Patent Document 1.
  • the substrate processing apparatus (resist removing apparatus) described in Patent Document 1 supplies a resist stripping solution with ultrasonic vibration applied to the surface of the substrate while rotating and heating the substrate.
  • the resist used as a mask for the etching process may change in quality due to the influence of the etching solution to form a hardened layer.
  • a resist stripping solution to which ultrasonic vibration is applied is supplied to a portion where the cured layer of the resist on the substrate surface is softened by heating the substrate.
  • the cured layer of the resist is destroyed by the energy.
  • the resist stripping solution can be infiltrated from the broken part of the resist surface to the inside, and the resist can be peeled off from the substrate surface together with the hardened layer.
  • Patent Document 2 contains a heterocyclic compound having a specific structure, an alkanolamine or alkylamine, a polar organic solvent, and a sugar alcohol.
  • JP 2008-4879 (pages 4-7, FIG. 1) JP 2008-268881 A (pages 8 to 13)
  • the resist stripping solution for removing the resist from the substrate surface generally uses a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide as described above or an amine-based organic solvent, Cu, Cu as a base film is used.
  • a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide as described above or an amine-based organic solvent
  • Cu, Cu as a base film
  • wiring of a conductive material such as an alloy, Al, or an Al alloy may be worn.
  • Patent Document 1 discloses a technique for removing the resist satisfactorily from the substrate surface, there is a risk that the resist stripping solution itself may damage the wiring of the conductive material not covered with the resist. It does not mention that there is.
  • Patent Document 2 proposes a technique for removing a resist without damaging the wiring of a conductive material as a base film by using a resist remover composition, but it is not practical for reasons such as a slow reaction rate. .
  • the present invention has been made in view of the above points, and a resist removal apparatus and a resist removal method capable of efficiently removing a resist while suppressing the wear of wiring of a conductive material not covered with the resist
  • the purpose is to provide.
  • the resist removing apparatus of the present invention is a resist removing apparatus that removes a resist from a substrate surface on which wiring of a conductive material is formed, and a stripping solution tank for storing a resist stripping solution; Micro-nano bubble generating part for generating micro-nano bubbles in the resist stripping liquid in the stripping liquid tank, a voltage applying part for applying a positive DC voltage to the wiring on the substrate surface, and the peeling containing the micro-nano bubbles And a spray unit that sprays the resist stripping solution in the liquid tank onto the substrate surface to which a positive DC voltage is applied to the wiring.
  • a positive DC voltage is applied to the conductive material wiring formed on the substrate surface, and a resist stripping solution containing micro-nano bubbles is sprayed onto the substrate surface.
  • a resist stripping solution containing micro-nano bubbles is sprayed onto the substrate surface.
  • particles such as micro-nano bubbles come into contact with the liquid, charge separation occurs at the interface, an electric double layer is formed, and a potential difference is generated.
  • the limit portion where the surface charge of the particles affects the ions, that is, the boundary surface that can move together with the ions is called a slip surface, and the potential at the slip surface is called the zeta potential.
  • the potential reference point is defined as a zero point in an electrically neutral region sufficiently away from the particle.
  • the zeta potential of the micro / nano bubbles is negative over a wide pH range, it is negatively charged regardless of the type of the resist stripping solution.
  • a resist stripping solution containing micro / nano bubbles is sprayed on the conductive material wiring formed on the substrate surface and applied with a positive DC voltage, the negatively charged micro / nano bubbles are attracted to the wiring and the wiring Cover the surface.
  • the spray unit includes a substrate transport unit that transports the substrate and a plurality of spray nozzles that spray the resist stripping solution toward the substrate surface.
  • the jet nozzles are arranged in a zigzag shape in which the positions are alternately switched with respect to the substrate transport direction and arranged in a direction perpendicular to the substrate transport direction.
  • the number of spray nozzles per unit area increases, and the flow rate of the resist stripping liquid sprayed also increases.
  • the spray unit includes a substrate transport unit that transports the substrate and a spray nozzle that sprays the resist stripping solution toward the substrate surface.
  • the substrate is provided with an inclination in a direction opposite to the traveling direction of the substrate.
  • the resist stripping solution since the resist stripping solution is sprayed from the front to the back of the substrate being transported, the resist stripping solution flows backward on the substrate surface in the transport direction.
  • the spray unit includes a substrate transport unit that transports the substrate, a spray nozzle that sprays the resist stripping solution toward the substrate surface, and an upstream of the spray nozzle in the substrate transport direction. And an ultraviolet irradiating unit arranged on the side for irradiating the substrate surface with ultraviolet rays.
  • the substrate surface is irradiated with ultraviolet rays before the resist stripping solution is jetted. Irradiation with ultraviolet light accelerates the decomposition of the resist by the resist stripping solution.
  • the resist removal method of the present invention is a resist removal method for removing a resist from a substrate surface on which wiring of a conductive material is formed. Micronanobubbles are generated in a stored resist stripping solution, and the micronanobubbles are removed. The resist stripping solution is sprayed toward the substrate surface, and a positive DC voltage is applied to the wiring on the substrate surface in a state where the resist stripping solution is sprayed toward the substrate surface. It is said.
  • the micro / nano bubbles are attracted to the wiring of the conductive material to cover the wiring surface, it is possible to prevent the resist stripping solution from coming into direct contact with the wiring of the conductive material. Therefore, it is possible to provide a resist removal apparatus and a resist removal method that can efficiently remove the resist while suppressing the wear of the wiring of the conductive material not covered with the resist.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a resist removing apparatus according to the first embodiment
  • FIG. 2 is a partially enlarged vertical sectional view showing a wiring portion of a substrate surface sprayed with a resist stripping solution by the resist removing apparatus. Note that FIG. 2 is a diagram schematically depicting the vicinity of the wiring on the surface of the substrate, and does not represent the actual shape or size of the micro-nano bubbles or wiring.
  • the resist removal apparatus 1 includes a stripping solution tank 2, a liquid supply tank 3, a micro / nano bubble generation unit 10, a liquid feed pump 4, and a spray unit 20, and each component feeds a resist stripping solution. It is connected with piping to do.
  • the solid line arrow along piping in FIG. 1 has shown the liquid feeding path and liquid feeding direction of resist stripping solution.
  • the resist stripping solution is composed of, for example, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution or an amine organic solvent.
  • the resist removal apparatus 1 includes a voltage application unit 5.
  • the stripping solution tank 2 is a tank for storing the resist stripping solution therein.
  • the liquid supply tank 3 is a tank for supplying the resist stripping solution to the stripping solution tank 2. Since the resist stripping solution is consumed in the resist removing process, a control unit (not shown) appropriately supplies the resist stripping solution from the liquid supply tank 3 to the stripping solution tank 2 so that the stripping liquid tank 2 maintains a predetermined liquid level. Yes.
  • the micro / nano bubble generating unit 10 includes a gas / liquid mixing unit 11, a pressure pump 12, a gas dissolution tank 13, and a pressure reducing nozzle 14, and each component is connected by a pipe for supplying a resist stripping solution.
  • the gas-liquid mixing unit 11 has a suction port 31 in the stripping solution tank 2 and is provided in a pipe 32 connected to the stripping solution tank 2.
  • gas is mixed with the resist stripping solution sucked from the stripping solution tank 2.
  • nitrogen is used as a gas mixed with the resist stripping solution.
  • the pressurizing pump 12 is provided downstream of the gas-liquid mixing unit 11 in the liquid feeding direction.
  • the pressure pump 12 feeds the resist stripping solution in the stripping solution tank 2 sucked from the suction port 31 to the decompression nozzle 14 that returns the resist stripping solution into the stripping solution tank 2. Further, the pressure pump 12 blows out the sucked resist stripping solution after pressurizing it to, for example, about several atmospheres.
  • the gas dissolution tank 13 is provided downstream of the pressurizing pump 12 in the liquid feeding direction.
  • the resist stripping liquid after being pressurized by the pressure pump 12 is kept in a high pressure state in the gas dissolution tank 13, and the gas mixed in the gas-liquid mixing unit 11 is dissolved in the liquid supersaturated.
  • the decompression nozzle 14 is provided at the tip of a pipe 33 connected to the downstream side of the gas dissolution tank 13 in the liquid feeding direction, and is disposed in the resist stripping solution in the stripping solution tank 2.
  • the resist stripping solution in which the gas is supersaturated in the solution in the gas dissolution tank 13 is discharged from the decompression nozzle 14 into the stripping solution tank 2.
  • the pressure of the resist stripping solution is released, so that the gas dissolved in the resist stripping solution cannot be dissolved in the resist stripping solution and most of the microbubbles (micro / nano bubbles) are formed.
  • the micro / nano bubble generating unit 10 generates micro / nano bubbles in the resist stripping solution in the stripping solution tank 2.
  • the liquid feed pump 4 is provided in a pipe 34 connecting the stripping solution tank 2 and the injection unit 20.
  • the liquid feeding pump 4 feeds the resist stripping liquid in the stripping liquid tank 2 containing micro / nano bubbles to the spraying unit 20.
  • the injection unit 20 is provided downstream of the liquid supply pump 4 in the liquid supply direction, and includes a plurality of injection nozzles 21.
  • the spray nozzle 21 sprays the resist stripping solution toward the surface of the substrate B to which the resist is attached.
  • the resist removing apparatus 1 performs a resist removing process on the surface of the substrate B to which the resist is attached.
  • the voltage application unit 5 applies a positive DC voltage to the wiring C made of a conductive material as a base film formed on the surface of the substrate B (see FIG. 2).
  • the application of the positive DC voltage to the wiring C by the voltage application unit 5 is executed in a state where the spray unit 20 sprays the resist stripping solution toward the surface of the substrate B.
  • the resist stripping solution is prevented from coming into direct contact with the wiring C made of the conductive material. It is possible. Therefore, it is possible to provide a resist removal apparatus 1 and a resist removal method that can efficiently remove the resist while suppressing the wear of the conductive material wiring C not covered with the resist.
  • FIG. 3 is a partial front view showing the periphery of the injection unit 20 of the resist removing apparatus 1 according to the second embodiment
  • FIG. 4 is a partial top view showing the periphery of the injection unit 20. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment. The description of the drawings and the description thereof will be omitted.
  • the injection unit 20 includes a substrate transfer unit 22 as shown in FIGS.
  • the substrate transport unit 22 includes a plurality of transport rollers 22a arranged in a predetermined direction, and the substrate B is moved along the surface of the substrate B by rotating the transport rollers 22a in the same direction (the direction of the broken arrow in the figure). ) Has a so-called sheet-type transport mechanism that transports one sheet at a time.
  • the plurality of spray nozzles 21 included in the spray unit 20 are arranged in a zigzag shape in which positions are alternately switched with respect to the transport direction of the substrate B and arranged in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate B.
  • the number of spray nozzles 21 per unit area increases, and the flow rate of the resist stripping liquid sprayed also increases. Accordingly, since it is possible to shorten the time required for removing the resist, the resist removing apparatus 1 that can remove the resist more efficiently while suppressing the wear of the conductive material wiring C not covered with the resist. Can be provided.
  • FIG. 5 is a partial front view showing the periphery of the injection unit 20 of the resist removal apparatus 1 according to the third embodiment. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of the first and second embodiments, the same components as those of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals as before, and the drawings. And the description thereof will be omitted.
  • the injection unit 20 includes a substrate transfer unit 22 as shown in FIG.
  • the substrate transport unit 22 has a so-called sheet transport mechanism that transports the substrate B one by one in the direction along the surface of the substrate B (in the direction of the broken arrow in the figure) by rotating a plurality of transport rollers 22a in the same direction.
  • the plurality of spray nozzles 21 included in the spray unit 20 are provided with an inclination in a direction opposite to the traveling direction of the substrate B. According to this configuration, since the resist stripping solution is sprayed from the front side to the back side of the substrate B being transported, the resist stripping solution flows rearward in the transport direction on the surface of the substrate B.
  • the resist stripping solution can be prevented from re-adhering to the surface of the substrate B, which has been removed by flowing the resist stripping solution backward on the surface of the substrate B in the transport direction. It is possible to provide a resist removal apparatus 1 that can remove a resist more efficiently while suppressing the wear of the wiring C made of a conductive material.
  • FIG. 6 is a partial front view showing the periphery of the injection unit 20 of the resist removal apparatus 1 according to the fourth embodiment. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of the first and second embodiments, the same components as those of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals as before, and the drawings. And the description thereof will be omitted.
  • the spray unit 20 includes a substrate transport unit 22 and an ultraviolet irradiation unit 23 as shown in FIG.
  • the substrate transport unit 22 has a so-called sheet transport mechanism that transports the substrate B one by one in the direction along the surface of the substrate B (in the direction of the broken arrow in the figure) by rotating a plurality of transport rollers 22a in the same direction.
  • the ultraviolet irradiation unit 23 is disposed upstream of the injection nozzle 21 in the substrate transport direction.
  • the ultraviolet irradiation unit 23 includes an ultraviolet irradiation lamp 23a that irradiates the surface of the substrate B being conveyed with ultraviolet rays. Since it is known that there is a function of decomposing the resist by the irradiation of ultraviolet rays, the decomposition of the resist by the resist removing solution is promoted by irradiating the ultraviolet rays before spraying the resist removing solution onto the surface of the substrate B. Therefore, since it is possible to shorten the time required for removing the resist, the resist removing apparatus 1 that can remove the resist more efficiently while suppressing the wear of the wiring C of the conductive material not covered with the resist. Can be provided.
  • a plurality of rows of the injection nozzles 21 arranged in a zigzag manner in a direction perpendicular to the substrate transport direction may be provided side by side along the substrate transport direction.
  • the second to fourth embodiments may be applied in combination with each other.
  • the present invention can be used in a resist removal apparatus that removes unnecessary resist from the substrate surface.

Abstract

　導電性材料の配線Ｃが形成された基板Ｂ表面からレジストを除去するレジスト除去装置１は、レジスト剥離液を貯留する剥離液槽２と、剥離液槽２内のレジスト剥離液中にマイクロナノバブルを発生させるマイクロナノバブル発生部１０と、基板Ｂ表面の配線Ｃへプラスの直流電圧を印加する電圧印加部５と、マイクロナノバブルを含有する剥離液槽２内のレジスト剥離液を配線Ｃへプラスの直流電圧が印加された基板Ｂ表面に噴射する噴射部２０と、を備える。

Description

レジスト除去装置及びレジスト除去方法
　本発明は、基板表面から不要になったレジストを除去するレジスト除去装置及びレジスト除去方法に関する。
　液晶ディスプレイなどに用いられる基板はその表面にエッチング処理により形成された導電性材料からなる導電路配線を備えているものがある。この基板表面の配線はＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金などに代表される導電性材料の薄膜上に感光性材料からなるレジストのパターンをマスクとして形成した後、このマスク以外の部分にエッチング処理が施されることにより形成される。エッチング処理のマスクとして利用したレジストは不要になるので、レジスト剥離液による除去処理が施される。レジスト剥離液を利用して基板表面からレジストを除去する従来のレジスト除去装置が特許文献１に開示されている。
　特許文献１に記載された基板処理装置（レジスト除去装置）は基板を回転且つ加熱しながらその基板の表面に超音波振動が付与されたレジスト剥離液を供給している。ここで、エッチング処理のマスクとして利用するレジストはエッチング液の影響などにより変質して硬化層を形成することがある。特許文献１に記載された基板処理装置では基板を加熱して基板表面のレジストの硬化層が軟化したところに超音波振動が付与されたレジスト剥離液を供給するので、超音波振動の物理的なエネルギーによってレジストの硬化層が破壊される。これにより、レジスト表面の破壊部分から内部までレジスト剥離液を浸透させることができ、レジストを硬化層ごと基板表面から剥離させて除去することが可能である。
　また、一般的にレジスト剥離液には硫酸と過酸化水素水の混合液やアミン系の有機溶剤が広く使用されているが、これに代わるレジスト剥離液を提案した従来技術がレジスト剥離剤組成物として特許文献２に開示されている。特許文献２に記載されたレジスト剥離剤組成物は特定の構造を有する複素環式化合物、アルカノールアミン又はアルキルアミン、極性有機溶剤及び糖アルコールを含有している。
特開２００８－４８７９号公報（第４頁－第７頁、第１図） 特開２００８－２８６８８１号公報（第８頁－第１３頁）
　しかしながら、基板表面からレジストを除去するレジスト剥離液には一般的に前述のような硫酸と過酸化水素水の混合液やアミン系の有機溶剤が使用されているので、下地膜としてのＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金などといった導電性材料の配線が損耗を被る可能性があるという問題がある。特許文献１に記載された従来のレジスト除去装置ではレジストを基板表面から良好に除去する技術について開示しているが、レジスト剥離液自体がレジストで覆われていない導電性材料の配線を傷付ける虞があることについて言及していない。
　そして、このような成分のレジスト剥離液を使用した際に発生し得る問題を解決すべく、それに代わるレジスト剥離液を提案した従来技術がレジスト剥離剤組成物として特許文献２に開示されている。特許文献２ではレジスト剥離剤組成物により下地膜としての導電性材料の配線に損耗を与えないでレジストを除去する技術が提案されているが、反応速度が遅くなるなどの理由で実用的ではない。
　本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、レジストで覆われていない導電性材料の配線の損耗を抑制しながら、効率良くレジストを除去することが可能なレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提供することを目的とする。
　上記の課題を解決するため、本発明のレジスト除去装置は、導電性材料の配線が形成された基板表面からレジストを除去するレジスト除去装置であって、レジスト剥離液を貯留する剥離液槽と、前記剥離液槽内の前記レジスト剥離液中にマイクロナノバブルを発生させるマイクロナノバブル発生部と、前記基板表面の前記配線へプラスの直流電圧を印加する電圧印加部と、前記マイクロナノバブルを含有する前記剥離液槽内の前記レジスト剥離液を前記配線へプラスの直流電圧が印加された前記基板表面に噴射する噴射部と、を備えることを特徴としている。
　この構成によれば、基板表面に形成された導電性材料の配線にプラスの直流電圧が印加され、その基板表面にマイクロナノバブルを含有するレジスト剥離液が噴射される。ここで、液体に例えばマイクロナノバブルのような粒子が接触したとき、その界面では電荷分離が起きて電気二重層が形成され、電位差が生じる。粒子の表面電荷がイオンに影響を及ぼす限界の部分、すなわちイオンを引き連れて共に移動できる境界面をすべり面と呼び、このすべり面における電位をゼータ電位と呼ぶ。なお、電位基準点は粒子から十分に離れた電気的に中性である領域の電位をゼロ点とする。マイクロナノバブルのゼータ電位は広いｐＨ値の範囲でマイナスであるため、レジスト剥離液の種類に依らずマイナスに帯電している。これにより、基板表面に形成されてプラスの直流電圧が印加された導電性材料の配線にマイクロナノバブルを含有するレジスト剥離液が噴射されると、マイナスに帯電したマイクロナノバブルが配線に引き寄せられて配線表面を被覆する。
　また、上記構成のレジスト除去装置において、前記噴射部は、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射する複数の噴射ノズルと、を備えるとともに、前記複数の噴射ノズルが、前記基板の搬送方向に対して互い違いに位置を入れ替えるジグザク状にして前記基板の搬送方向と直角をなす方向に並べて配列されていることを特徴としている。
　この構成によれば、単位面積あたりの噴射ノズルの数が増加し、噴射されるレジスト剥離液の流量も増加する。
　また、上記構成のレジスト除去装置において、前記噴射部は、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射する噴射ノズルと、を備えるとともに、前記噴射ノズルが、前記基板の進行方向と対向する方向に傾斜をなして設けられていることを特徴としている。
　この構成によれば、搬送中の基板の前方から後方に向かってレジスト剥離液が噴射されるので、レジスト剥離液は基板表面を搬送方向後方に向かって流れる。
　また、上記構成のレジスト除去装置において、前記噴射部は、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射する噴射ノズルと、前記噴射ノズルの基板搬送方向上流側に配置されて前記基板表面に紫外線を照射する紫外線照射部と、を備えることを特徴としている。
　この構成によれば、基板表面にはレジスト剥離液が噴射される前に紫外線が照射される。紫外線を照射することでレジスト剥離液によるレジストの分解が促進される。
　また、本発明のレジスト除去方法は、導電性材料の配線が形成された基板表面からレジストを除去するレジスト除去方法であって、貯留したレジスト剥離液中にマイクロナノバブルを発生させ、前記マイクロナノバブルを含有する前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射し、前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射している状態において前記基板表面の前記配線へプラスの直流電圧を印加することを特徴としている。
　本発明の構成によれば、マイクロナノバブルが導電性材料の配線に引き寄せられて配線表面を被覆するので、レジスト剥離液が導電性材料の配線に直接接触することを抑制することが可能である。したがって、レジストで覆われていない導電性材料の配線の損耗を抑制しながら、効率良くレジストを除去することが可能なレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提供することができる。
本発明の第１の実施形態に係るレジスト除去装置の概略構成図である。 第１の実施形態に係るレジスト除去装置によりレジスト剥離液を噴射した基板表面の配線部分を示す部分拡大垂直断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るレジスト除去装置の噴射部周辺を示す部分正面図である。 第２の実施形態に係るレジスト除去装置の噴射部周辺を示す部分上面図である。 本発明の第３の実施形態に係るレジスト除去装置の噴射部周辺を示す部分正面図である。 本発明の第４の実施形態に係るレジスト除去装置の噴射部周辺を示す部分正面図である。
　以下、本発明の実施形態を図１～図６に基づき説明する。
　最初に、本発明の第１の実施形態に係るレジスト除去装置について、図１及び図２を用いて説明する。図１は第１の実施形態に係るレジスト除去装置の概略構成図、図２はレジスト除去装置によりレジスト剥離液を噴射した基板表面の配線部分を示す部分拡大垂直断面図である。なお、図２は基板表面の配線近傍の様子を模式的に描画した図であって、実際のマイクロナノバブルや配線の形状や大きさを表現しているわけではない。
　レジスト除去装置１は、図１に示すように剥離液槽２、給液タンク３、マイクロナノバブル発生部１０、送液ポンプ４及び噴射部２０を備え、各々の構成要素がレジスト剥離液を送液するための配管で接続されている。なお、図１中の配管に沿った実線矢印はレジスト剥離液の送液経路及び送液方向を示している。レジスト剥離液は、例えば硫酸と過酸化水素水の混合液やアミン系の有機溶剤で構成されている。さらに、レジスト除去装置１は電圧印加部５を備えている。
　剥離液槽２はレジスト剥離液をその内部に貯留するための槽である。給液タンク３は剥離液槽２にレジスト剥離液を供給するためのタンクである。レジスト除去処理でレジスト剥離液を消費するので、図示しない制御部は剥離液槽２が所定の液位を維持するように、給液タンク３から剥離液槽２にレジスト剥離液を適宜供給させている。
　マイクロナノバブル発生部１０は気液混合部１１、加圧ポンプ１２、気体溶解タンク１３及び減圧ノズル１４を備え、各々の構成要素がレジスト剥離液を送液するための配管で接続されている。
　気液混合部１１は剥離液槽２内に吸い込み口３１を有して剥離液槽２に接続された配管３２に設けられている。気液混合部１１では剥離液槽２から吸い込んだレジスト剥離液に気体が混合される。レジスト剥離液に混合する気体には例えば窒素を用いる。
　加圧ポンプ１２は気液混合部１１の送液方向下流に設けられている。加圧ポンプ１２は吸い込み口３１から吸い込んだ剥離液槽２内のレジスト剥離液を剥離液槽２内に戻す減圧ノズル１４まで送液する。さらに、加圧ポンプ１２は吸い込んだレジスト剥離液を吹きだす際、例えば数気圧程度に加圧した後に吹き出す。
　気体溶解タンク１３は加圧ポンプ１２の送液方向下流に設けられている。加圧ポンプ１２で加圧された後のレジスト剥離液は気体溶解タンク１３内で圧力が高い状態に保持され、気液混合部１１で混合した気体が液中に過飽和に溶解される。
　減圧ノズル１４は気体溶解タンク１３の送液方向下流側に接続された配管３３の先端に設けられ、剥離液槽２内のレジスト剥離液中に配置されている。気体溶解タンク１３で気体が液中に過飽和に溶解されたレジスト剥離液は減圧ノズル１４から剥離液槽２内に放出される。これにより、レジスト剥離液の圧力が開放されるので、レジスト剥離液に溶解していた気体がレジスト剥離液に溶解できなくなって大部分が微小気泡（マイクロナノバブル）となるため、大量のマイクロナノバブルが発生して剥離液槽２内全体に拡散する。このようにして、マイクロナノバブル発生部１０は剥離液槽２内のレジスト剥離液中にマイクロナノバブルを発生させる。
　送液ポンプ４は剥離液槽２と噴射部２０とを繋ぐ配管３４に備えられている。送液ポンプ４はマイクロナノバブルを含有する剥離液槽２内のレジスト剥離液を噴射部２０まで送液する。
　噴射部２０は送液ポンプ４の送液方向下流に設けられ、複数の噴射ノズル２１を備えている。噴射ノズル２１はレジスト剥離液をレジストが付着した基板Ｂ表面に向かって噴射する。これにより、レジスト除去装置１はレジストが付着した基板Ｂ表面に対するレジスト除去処理を行う。
　電圧印加部５は基板Ｂ表面に形成された下地膜としての導電性材料の配線Ｃにプラスの直流電圧を印加する（図２参照）。電圧印加部５による配線Ｃへのプラス直流電圧の印加は噴射部２０が基板Ｂ表面に向かってレジスト剥離液を噴射している状態において実行される。
　ここで前述のように、液体に例えばマイクロナノバブルのような粒子が接触したとき、その界面では電荷分離が起きて電気二重層が形成され、すべり面が生じる。マイクロナノバブルのすべり面における電位、すなわちゼータ電位は広いｐＨ値の範囲でマイナスであるため、レジスト剥離液の種類に依らずマイナスに帯電している。これにより、基板Ｂ表面に形成されてプラスの直流電圧が印加された導電性材料の配線Ｃにマイクロナノバブルを含有するレジスト剥離液が噴射されると、図２に示すようにマイナスに帯電したマイクロナノバブル（図中のマイナスを有する丸印）が配線Ｃに引き寄せられて配線Ｃ表面を被覆する。
　本発明の実施形態の構成によれば、マイクロナノバブルが導電性材料の配線Ｃに引き寄せられて配線Ｃ表面を被覆するので、レジスト剥離液が導電性材料の配線Ｃに直接接触することを抑制することが可能である。したがって、レジストで覆われていない導電性材料の配線Ｃの損耗を抑制しながら、効率良くレジストを除去することが可能なレジスト除去装置１及びそのレジスト除去方法を提供することができる。
　次に、本発明の第２の実施形態に係るレジスト除去装置１について、図３及び図４を用いて説明する。図３は第２の実施形態に係るレジスト除去装置１の噴射部２０周辺を示す部分正面図、図４は噴射部２０周辺を示す部分上面図である。なお、この実施形態の基本的な構成は図１及び図２を用いて説明した前記第１の実施形態と同じであるので、第１の実施形態と共通する構成要素には前と同じ符号を付し、図面の記載及びその説明を省略するものとする。
　第２の実施形態に係るレジスト除去装置１は、図３及び図４に示すように噴射部２０が基板搬送部２２を備えている。基板搬送部２２は所定の方向に向けて並べられた複数の搬送ローラ２２ａを備え、これら搬送ローラ２２ａを同方向に回転させることにより基板Ｂを基板Ｂ表面に沿う方向（図中破線矢印の方向）に一枚ずつ搬送する所謂枚様式の搬送機構を有する。
　また、噴射部２０が有する複数の噴射ノズル２１は、図４に示すように基板Ｂの搬送方向に対して互い違いに位置を入れ替えるジグザク状にして基板Ｂの搬送方向と直角をなす方向に並べて配列されている。この構成によれば、単位面積あたりの噴射ノズル２１の数が増加し、噴射されるレジスト剥離液の流量も増加する。したがって、レジストの除去にかかる時間の短縮が可能になるので、レジストで覆われていない導電性材料の配線Ｃの損耗を抑制しながら、一層効率良くレジストを除去することが可能なレジスト除去装置１を提供することができる。
　次に、本発明の第３の実施形態に係るレジスト除去装置１について、図５を用いて説明する。図５は第３の実施形態に係るレジスト除去装置１の噴射部２０周辺を示す部分正面図である。なお、この実施形態の基本的な構成は前記第１及び第２の実施形態と同じであるので、第１及び第２の実施形態と共通する構成要素には前と同じ符号を付し、図面の記載及びその説明を省略するものとする。
　第３の実施形態に係るレジスト除去装置１は、図５に示すように噴射部２０が基板搬送部２２を備えている。基板搬送部２２は複数の搬送ローラ２２ａを同方向に回転させることにより基板Ｂを基板Ｂ表面に沿う方向（図中破線矢印の方向）に一枚ずつ搬送する所謂枚様式の搬送機構を有する。
　また、噴射部２０が有する複数の噴射ノズル２１は基板Ｂの進行方向と対向する方向に傾斜をなして設けられている。この構成によれば、搬送中の基板Ｂの前方から後方に向かってレジスト剥離液が噴射されるので、レジスト剥離液は基板Ｂ表面を搬送方向後方に向かって流れる。
　ここで、特に基板Ｂは大型化すると傾斜がほとんどない状態で基板Ｂ表面と略平行に搬送されることが多いので、除去したレジストが基板Ｂ表面に滞留して再付着し易いことが懸念されている。しかしながら上記実施形態の構成によれば、レジスト剥離液が基板Ｂ表面を搬送方向後方に向かって流れて除去したレジストの基板Ｂ表面への再付着を防止することが可能になるので、レジストで覆われていない導電性材料の配線Ｃの損耗を抑制しながら、一層効率良くレジストを除去することが可能なレジスト除去装置１を提供することができる。
　次に、本発明の第４の実施形態に係るレジスト除去装置１について、図６を用いて説明する。図６は第４の実施形態に係るレジスト除去装置１の噴射部２０周辺を示す部分正面図である。なお、この実施形態の基本的な構成は前記第１及び第２の実施形態と同じであるので、第１及び第２の実施形態と共通する構成要素には前と同じ符号を付し、図面の記載及びその説明を省略するものとする。
　第４の実施形態に係るレジスト除去装置１は、図６に示すように噴射部２０が基板搬送部２２と紫外線照射部２３とを備えている。
　基板搬送部２２は複数の搬送ローラ２２ａを同方向に回転させることにより基板Ｂを基板Ｂ表面に沿う方向（図中破線矢印の方向）に一枚ずつ搬送する所謂枚様式の搬送機構を有する。
　紫外線照射部２３は噴射ノズル２１の基板搬送方向上流側に配置されている。そして、紫外線照射部２３は搬送中の基板Ｂ表面に紫外線を照射する紫外線照射ランプ２３ａを備えている。紫外線の照射によりレジストを分解する働きがあることが知られているので、基板Ｂ表面にレジスト剥離液を噴射する前に紫外線を照射することでレジスト剥離液によるレジストの分解が促進される。したがって、レジストの除去にかかる時間の短縮が可能になるので、レジストで覆われていない導電性材料の配線Ｃの損耗を抑制しながら、一層効率良くレジストを除去することが可能なレジスト除去装置１を提供することができる。
　以上、本発明の実施形態につき説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。
　例えば、上記第２の実施形態では基板搬送方向と直角をなす方向にジグザク状に並べて配列した複数の噴射ノズル２１の列を基板搬送方向に沿って複数列並べて設けることにしても良い。また、上記第２～第４の実施形態は各々を組み合わせて適用することにしても構わない。
　本発明は、基板表面から不要になったレジストを除去するレジスト除去装置において利用可能である。
　　　１　　レジスト除去装置
　　　２　　剥離液槽
　　　３　　給液タンク
　　　４　　送液ポンプ
　　　５　　電圧印加部
　　　１０　　マイクロナノバブル発生部
　　　１１　　気液混合部
　　　１２　　加圧ポンプ
　　　１３　　気体溶解タンク
　　　１４　　減圧ノズル
　　　２０　　噴射部
　　　２１　　噴射ノズル
　　　２２　　基板搬送部
　　　２２ａ　　搬送ローラ
　　　２３　　紫外線照射部
　　　２２ａ　　紫外線照射ランプ
　　　Ｂ　　基板
　　　Ｃ　　配線

Claims (5)

  1. 　導電性材料の配線が形成された基板表面からレジストを除去するレジスト除去装置であって、
    　レジスト剥離液を貯留する剥離液槽と、
    　前記剥離液槽内の前記レジスト剥離液中にマイクロナノバブルを発生させるマイクロナノバブル発生部と、
    　前記基板表面の前記配線へプラスの直流電圧を印加する電圧印加部と、
    　前記マイクロナノバブルを含有する前記剥離液槽内の前記レジスト剥離液を前記配線へプラスの直流電圧が印加された前記基板表面に噴射する噴射部と、
    　を備えることを特徴とするレジスト除去装置。
  2. 　前記噴射部は、
    　前記基板を搬送する基板搬送部と、
    　前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射する複数の噴射ノズルと、
    　を備えるとともに、
    　前記複数の噴射ノズルが、前記基板の搬送方向に対して互い違いに位置を入れ替えるジグザク状にして前記基板の搬送方向と直角をなす方向に並べて配列されていることを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去装置。
  3. 　前記噴射部は、
    　前記基板を搬送する基板搬送部と、
    　前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射する噴射ノズルと、
    　を備えるとともに、
    　前記噴射ノズルが、前記基板の進行方向と対向する方向に傾斜をなして設けられていることを特徴とする請求項１に記載のレジスト除去装置。
  4. 　前記噴射部は、
    　前記基板を搬送する基板搬送部と、
    　前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射する噴射ノズルと、
    　前記噴射ノズルの基板搬送方向上流側に配置されて前記基板表面に紫外線を照射する紫外線照射部と、
    　を備えることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか１項に記載のレジスト除去装置。
  5. 　導電性材料の配線が形成された基板表面からレジストを除去するレジスト除去方法であって、
    　貯留したレジスト剥離液中にマイクロナノバブルを発生させ、
    　前記マイクロナノバブルを含有する前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射し、
    　前記レジスト剥離液を前記基板表面に向かって噴射している状態において前記基板表面の前記配線へプラスの直流電圧を印加することを特徴とするレジスト除去方法。
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