JP2009033040A - スプレー処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スプレーした処理液が外部へ漏れ出したり、次槽へ持ち出されたり、前槽から持ち込まれたりすることなく、液切り及び処理液の回収を効率良くできる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送機構（４５１，４５２，４５３）により処理槽（４１ａ）内に搬送された被処理基板（Ｋ）に処理液（Ｗ）をスプレーすることで被処理基板（Ｋ）の表面に所定の処理を行うスプレー処理装置であって、処理槽（４１ａ）内を主処理室（Ｒ３）と下流液止め室（Ｒ２）とに区分けすると共に被処理基板（Ｋ）の表面との間に下流微少間隙（Ｄ２）を形成するように立設した下流邪魔板（４６２）と、主処理室（Ｒ３）に配設され被処理基板（Ｋ）の表面に向けて処理液をスプレーする主スプレー機構（４７３）と、下流液止め室（Ｒ２）に配設され下流微少間隙（Ｄ２）の斜め上方から下流微少間隙（Ｄ２）に向けて処理液をスプレーする下流スプレー機構（４７２）とを備える。
【選択図】 図４

Description

本発明はスプレー処理装置に関する。より詳しくは、基板搬送機構により処理槽内に搬送された被処理基板に処理液をスプレーすることで被処理基板の表面に所定の処理を行う装置に関する。

プリント配線基板の製造工程では、処理対象となるプリント配線基板材を搬送しつつ、その表面に現像液、エッチング液、剥離液等の薬液を順次スプレーし、表面処理することで回路を形成していく。その際、各薬液による表面処理毎に、事後、洗浄液をスプレーすることで、プリント配線基板材に付着した薬液を、それぞれ除去している。すなわち、プリント配線基板の製造工程は、現像、洗浄、エッチング、洗浄、剥離及び洗浄という順の処理工程を辿る。

配線基板材の洗浄工程に使用される従来の洗浄装置の一例を図５に示す。図５に示すように、従来の洗浄装置８０は、配線基板材８１の搬送方向Ｘ１に複数段配設した洗浄槽８２ａ〜８２ｄと、各洗浄槽の真下にそれぞれ配設した貯水槽８３ａ〜８３ｄとを備え、互いに隣合う貯水槽の壁には、それぞれ上流から下流に向かうに連れて段階的に高位置とされた溢出穴８５ａ〜８５ｃを備える。水タンク８６から供給され最下流の洗浄槽８２ｄでスプレーノズル８４ｄからスプレーすることにより配線基板材８１の洗浄に使用した水Ｗは、下方にある貯水槽８３ｄで回収された後、溢出穴８５ｃから溢出される。そして一段上流の洗浄槽８２ｃにおけるスプレーノズル８４ｃからスプレーすることにより配線基板材８１の洗浄に再利用される。以下、最上流の洗浄槽８２ａまで、同様な要領で、再利用した水による洗浄を行う。このように、現像液の残液の多い上流では純度の低い水で洗浄し、残液の少なくなった下流では純度の高い水で洗浄するという方式をとることで、節水及び洗浄の効率向上を図っている（特許文献１参照）。

特開２００２−３５５６２２号公報

このように複数段の洗浄槽を配設した洗浄装置では、スプレーした洗浄水がスプレー処理装置の外部へ漏れ出したり、次槽へ持ち出されたり、前槽から持ち込まれたりするという問題がある。この問題は、処理液の回収及び液切りが非効率的になることにつながり、洗浄装置に限らず、スプレーする処理液がそれぞれ現像液、エッチング液、剥離液、メッキ液である現像装置、エッチング装置、剥離装置、メッキ装置であっても同じことがいえる。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、スプレーした処理液がスプレー処理装置の外部へ漏れ出したり、次槽へ持ち出されたり、前槽から持ち込まれたりすることなく、液切り及び処理液の回収を効率良く行うことのできるスプレー処理装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、請求項１のスプレー処理装置は、基板搬送機構（４５１，４５２，４５３）により処理槽（４１ａ）内に搬送された被処理基板（Ｋ）に処理液（Ｗ）をスプレーすることで被処理基板（Ｋ）の表面に所定の処理を行うスプレー処理装置であって、処理槽（４１ａ）内を主処理室（Ｒ３）と下流液止め室（Ｒ２）とに区分けすると共に被処理基板（Ｋ）の表面との間に下流微少間隙（Ｄ２）を形成するように立設した下流邪魔板（４６２）と、主処理室（Ｒ３）に配設され被処理基板（Ｋ）の表面に向けて処理液（Ｗ）をスプレーする主スプレー機構（４７３）と、下流液止め室（Ｒ２）に配設され下流微少間隙（Ｄ２）の斜め上方から下流微少間隙（Ｄ２）に向けて処理液（Ｗ）をスプレーする下流スプレー機構（４７２）とを備えることを特徴とする。

請求項１のスプレー処理装置によると、主処理室（Ｒ３）において、主スプレー機構（４７３）から被処理基板（Ｋ）の表面にスプレーされた処理液（Ｗ）の一部は、下流微少間隙（Ｄ２）から下流液止め室（Ｒ２）の側へ流れ出ようとする。しかし、下流液止め室（Ｒ２）の下流スプレー機構（４７２）が、下流微少間隙（Ｄ２）に向けて処理液（Ｗ）をスプレーするので、下流微少間隙（Ｄ２）から下流液止め室（Ｒ２）の側へ流れ出ようとする処理液（Ｗ）は、下流微少間隙（Ｄ２）から主処理室（Ｒ３）の内側に押しやられる形になり、処理液（Ｗ）が主処理室（Ｒ３）から下流液止め室（Ｒ２）の側へ流れ出ることを阻止する。これにより、処理槽（４１ａ）で処理に使用された処理液（Ｗ）が、処理槽（４１ａ）の下流外側に漏れ出すことが防止される。請求項１のスプレー処理装置では、下流側だけに液止めの手段を設けた構成としている。処理液（Ｗ）の持ち出し量は上流より下流側の方が多いため、下流側の液止めだけでも十分な効果が得られる。

請求項２のスプレー処理装置は、前記処理槽（４１ａ）内を上流液止め室（Ｒ１）と主処理室（Ｒ３）とに区分けすると共に被処理基板（Ｋ）の表面との間に上流微少間隙（Ｄ１）を形成するように立設した上流邪魔板（４６１）と、上流液止め室（Ｒ１）に配設され上流微少間隙（Ｄ１）の斜め上方から上流微少間隙（Ｄ１）に向けて処理液（Ｗ）をスプレーする上流スプレー機構（４７１）とを備える。

請求項２のスプレー処理装置によると、主処理室（Ｒ３）において、主スプレー機構（４７３）から被処理基板（Ｋ）の表面にスプレーされた処理液（Ｗ）の一部は、上流微少間隙（Ｄ１）から上流液止め室（Ｒ１）の側へ流れ出ようとする。しかし、上流液止め室（Ｒ１）の上流スプレー機構（４７１）が、上流微少間隙（Ｄ１）に向けて処理液（Ｗ）をスプレーするので、上流微少間隙（Ｄ１）から上流液止め室（Ｒ１）の側へ流れ出ようとする処理液（Ｗ）は、上流微少間隙（Ｄ１）から主処理室（Ｒ３）の内側に押しやられる形になり、処理液（Ｗ）が主処理室（Ｒ３）から上流液止め室（Ｒ１）の側へ流れ出ることを阻止する。これにより、処理槽（４１ａ）で処理に使用された処理液（Ｗ）が、処理液槽（４１ａ）の上流外側に漏れ出すことが防止される。

請求項３のスプレー処理装置は、前記被処理基板（Ｋ）がプリント配線基板の製造に用いられる基板材である。

請求項４のスプレー処理装置は、前記処理液（Ｗ）が現像液、エッチング液、剥離液、メッキ液または洗浄水のいずれかである。

請求項５のスプレー処理装置は、前記下流微少間隙（Ｄ２）の長さが１ｍｍ以上且つ１０ｍｍ以下である。

請求項６のスプレー処理装置は、前記下流微少間隙（Ｄ２）の入口近傍に、被処理基板（Ｋ）を押圧するための押さえロール（４６２Ｒ）を設置してある。

請求項７のスプレー処理装置は、前記上流微少間隙（Ｄ１）の長さが１ｍｍ以上且つ１０ｍｍ以下である。

請求項８のスプレー処理装置は、前記上流微少間隙（Ｄ１）の入口近傍に、被処理基板（Ｋ）を押圧するための押さえロール（４６１Ｒ）を設置してある。

請求項９のスプレー処理装置は、請求項１から請求項８のいずれかに記載のスプレー処理装置を被処理基板（Ｋ）の搬送方向（Ｘ１）に沿って複数段配設してなる。

請求項１０のスプレー処理装置は、処理槽（４１ａ〜４１ｄ）とこれら処理槽（４１ａ〜４１ｄ）にそれぞれ配設された貯液槽（４２ａ〜４２ｄ）とを備え、互いに隣合う貯液槽の壁には、それぞれ上流から下流に向かうに連れて段階的に高位置とされた溢出穴（Ｈ１〜Ｈ４）を備え、下流側で被処理基板（Ｋ）の処理に用いた処理液（Ｗ）を、下流側で被処理基板（Ｋ）の処理に用いた処理液（Ｗ）を、各溢出穴（Ｈ１〜Ｈ４）から順次溢出させて回収した後、上流側での被処理基板（Ｋ）の処理に再利用するように構成されてなる。

なお、本欄「課題を解決するための手段」において各構成要素に付した括弧書きの符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明によると、スプレーした処理液がスプレー処理装置の外部へ漏れ出したり、次槽へ持ち出されたり、前槽から持ち込まれたりすることなく、処理液の液切りを効率良く行うことができる。特に請求項３から６の発明は、プリント配線基板の製造装置の一部として好適である。また、特に請求項８の発明は、処理液の回収を効率良く行うことができるという点で好適である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図１は現像処理システムの全体正面図、図２は本発明に係る洗浄装置１の内部正面図、図３は本発明に係る洗浄装置１の内部平面図、図４は本発明の要部を示す図である。各図において、直交座標系の３軸をＸ、Ｙ、Ｚとし、水平面をＸＹ平面、鉛直方向をＺ軸方向とする。また、各図においてシート状基板Ｋは、Ｘ１方向に搬送され、図の左側が上流であり、右側が下流である。

図１に示すように、本発明に係る現像処理システム１は、基板繰出部２、現像部３、洗浄部４、乾燥部５及び基板巻取部６などからなる。

基板繰出部２は、ロール状に巻かれた長尺のシート状基板Ｋを繰り出すための回転駆動軸２１を備える。シート状基板Ｋは、プリント配線基板の基板材であり、例えば厚さ０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度のポリイミド樹脂などである。

現像部３は、チャンバー３１、現像液タンク３２、回転ローラ３３及びスプレーノズル３４などからなる。チャンバー３１は、シート状基板Ｋの被現像部を収容した状態で密閉可能とされ、内部に回転ローラ３３及びスプレーノズル３４を備える。現像液タンク３２は、内部に現像液を貯留しており、ポンプ３５を介してスプレーノズル３４に配管接続される。回転ローラ３３は、水平軸周りに回転自在とされ、基板繰出部２から繰り出されたシート状基板Ｋを水平支持しながらＸ１方向に搬送するように、Ｘ１方向に沿って複数個配設される。スプレーノズル３４は、回転ローラ３３上に水平支持されたシート状基板Ｋの上方位置に配設される。このようなスプレーノズル３４は、Ｘ方向及びＹ方向の双方にそれぞれ複数個配設される。

洗浄部４は、図２，３に示すように、プレ洗浄槽４０、プレ貯水槽４２、主洗浄槽４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ、主貯水槽４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ及び水タンク４８を備える。水タンク４８は、洗浄液（洗浄水）となる純度の高い水Ｗを貯留しており、最下流の主貯水槽４１ｄにおける各スプレーノズルにポンプＰ５を介して配管接続される。

プレ洗浄槽４０は、内部に回転ローラ４３１，４３２及びスプレーノズル４４１，４４２を備える。回転ローラ４３１，４３２は、水平軸周りに回転自在とされ、現像部３から搬送されたシート状基板Ｋを水平支持しながらＸ１方向に搬送するように、Ｘ１方向に沿って順に配設される。なお、下流側の回転ローラ４３２は、上流側の回転ローラ４３１に比べて径が小さく、シート状基板Ｋは下流に向けて若干下向きに傾いて支持される（詳細は図示せず）。スプレーノズル４４１は、シート状基板Ｋの上方からその上面に水をスプレーするように配設される。スプレーノズル４４２は、シート状基板Ｋの下方からその下面に水をスプレーするように配設される。スプレーノズル４４１及びスプレーノズル４４２は、プレ貯水槽４２に貯留された水を吸い上げるポンプＰ０に配管接続される。

プレ貯水槽４２は、プレ洗浄槽４０の真下に配設される。プレ洗浄槽４０とプレ貯水槽４２とを隔てる底板には、プレ洗浄槽４０でスプレーした水をプレ貯水槽４２へ落下させるための落水穴ｈ０を備える。プレ貯水槽４２の上流壁面は、所定水位を超えた水を溢出させるための溢水穴Ｈ０を備える。

主洗浄槽４１ａは、内部に回転ローラ４５１，４５２，４５３、邪魔板４６１，４６２及びスプレーノズル４７１，４７２，４７３，４７４を備える。回転ローラ４５１，４５２，４５３は、水平軸周りに回転自在とされ、シート状基板Ｋを水平支持しながらＸ１方向に搬送するように、Ｘ１方向に沿って順次配設される。なお、中央の回転ローラ４５３は、その両側の回転ローラ４５１，４５２に比べて径が小さく、シート状基板Ｋは中央に向けて若干下向きに傾いて支持される。

邪魔板４６１，４６２は、塩化ビニール樹脂を材質とし、搬送方向Ｘ１に垂直となるように互いに対向立設した構成とされる。邪魔板４６１，４６２の材質としては、上記樹脂以外であっても、現像液によって腐食しないものであればよい。各邪魔板４６１，４６２は、それぞれその下側エッジとシート状基板Ｋとが微少間隙Ｄ１，Ｄ２を持つように配設される。微少間隙Ｄ１，Ｄ２の長さとしてはいずれも１ｍｍ以上且つ１０ｍｍ以下であることが好ましいが、より好ましくは、１ｍｍ以上且つ３ｍｍ以下である。その理由は、１ｍｍ未満とすると、搬送中のシート状基板Ｋに接触して、その上面を損傷する虞があり、３ｍｍを超えると、本発明の作用効果を奏するためには、スプレーノズル４７１，４７２として流量または流速の大きいものが必要となり、装置コストが高くなるからである。

なお、微少間隙Ｄ１，Ｄ２は上記のように小さいため、シート状基板Ｋがカールしている場合に、カール部分が邪魔板４６１，４６２に接触する可能性があるが、例えば図４の破線で示すように、微少間隙Ｄ１，Ｄ２の入口近傍に、それぞれシート状基板Ｋを上方から押圧するための押さえロール４６１Ｒ，４６２Ｒを設置することで、上記接触が防止可能となる。

２枚の邪魔板４６１，４６２により、主洗浄槽４１ａ内におけるシート状基板Ｋの上方空間は、上流液止め室Ｒ１、主洗浄室Ｒ３及び下流液止め室Ｒ２に区分けされる。上流液止め室Ｒ１は邪魔板４６１よりも上流側の空間であり、主洗浄室Ｒ３は邪魔板４６１と邪魔板４６２との間の空間であり、下流液止め室Ｒ２は邪魔板４６２よりも下流側の空間である。

スプレーノズル４７１は、上流液止め室Ｒ１において、邪魔板４６１により形成される微少間隙Ｄ１の斜め上方からこの微少間隙Ｄ１に向けて水をスプレーするように配設される。スプレーノズル４７２は、下流液止め室Ｒ２において、邪魔板４６２により形成される微少間隙Ｄ２の斜め上方からこの微少間隙Ｄ２に向けて水をスプレーするように配設される。スプレーノズル４７１，４７２の傾き角度は、それぞれ鉛直軸から反時計回り方向に４５度、鉛直軸から時計回り方向に４５度とされる。本形態では、スプレーノズル４７１，４７２の傾き角度の絶対値をそれぞれ４５度としたが、４０度〜８０度としてもその効果は期待できる。

スプレーノズル４７３は、主洗浄室Ｒ３においてシート状基板Ｋの上方からその上面に水をスプレーするように配設される。スプレーノズル４７４は、シート状基板Ｋの下方からその下面に水をスプレーするように配設される。これらのスプレーノズル４７１，４７２，４７３，４７４は、主貯水槽４２ａ内に貯留された水を吸い上げるポンプＰ１に配管接続される。

主貯水槽４２ａは、主洗浄槽４１ａの真下に配設される。主洗浄槽４１ａと主貯水槽４２ａとを隔てる底板には、主洗浄槽４１ａでスプレーした水を主貯水槽４２ａへ落下させるための落水穴ｈ１を備える。主貯水槽４２ａの上流壁面は、所定水位を超えた水を溢出させるための溢出穴Ｈ１を備える。

他の主洗浄槽４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ及び主貯水槽４２ｂ，４２ｃ，４２ｄについても、それぞれ主洗浄槽４１ａ及び主貯水槽４２ａと同様な構成とされる。但し、溢出穴Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４はそれぞれ下流に向かうに連れて段階的に高位置となる。

図１に戻って、乾燥部５は、チャンバー５１、圧空タンク５２、回転ローラ５３及びスプレーノズル５４，５５などからなる。チャンバー５１は、シート状基板Ｋの被乾燥部を収容した状態で密閉可能とされ、内部に回転ローラ５３及びスプレーノズル５４，５５を備える。圧空タンク５２は、内部に圧縮空気を貯留しており、バルブ５６を介してスプレーノズル５４，５５に配管接続される。回転ローラ５３は、水平軸周りに回転自在とされ、洗浄部４から搬送されたシート状基板Ｋを水平支持しながらＸ１方向に搬送するように、Ｘ１方向に沿って複数個配設される。スプレーノズル５４は、シート状基板Ｋの上方からその上面に圧縮空気をスプレーするように配設される。スプレーノズル５５は、シート状基板Ｋの下方からその下面に圧縮空気をスプレーするように配設される。このようなスプレーノズル５４，５５はＸ方向及びＹ方向の双方にそれぞれ複数本配設される。

巻取部６は、現像から洗浄を経て乾燥までの一連の処理を終えたシート状基板Ｋを巻き取るための回転駆動軸６１を備える。

次に、以上のように構成された現像処理システム１の動作について説明する。

繰出部２には、ロール状に巻かれた長尺のシート状基板Ｋが装着されている。回転駆動軸２１が回転することによりシート状基板Ｋが繰り出され、間欠的または連続的に搬送方向Ｘ１へ搬送される。また、ポンプＰ５が駆動され、水タンク４８から主貯水槽４１ｄの各スプレーノズルに純度の高い水が供給される。

現像部３において、スプレーノズル３４は、現像液タンク３２から配管及びポンプ３５を介して供給された現像液を、搬送中のシート状基板Ｋの上面にスプレーする。これにより、チャンバー３１におけるシート状基板Ｋの上面は現像処理される。現像処理されたシート状基板Ｋは、Ｘ１方向に搬送されて洗浄部４に入る。

洗浄部４に入ったシート状基板Ｋは、まずプレ洗浄槽４０で洗浄される。スプレーノズル４４１，４４２は、ポンプＰ０により供給されたプレ貯水槽４２内の水を、それぞれ現像処理されたシート状基板Ｋの上面と下面とに向けてスプレーする。このときスプレーされる水は、一段下流隣の主貯水槽４２ａにおける溢水穴Ｈ１からプレ貯水槽４２に溢出した水である。この水は、主洗浄槽４１ｄ，４１ｃ，４１ｂ，４１ａにおいてこの順で洗浄に使用した水の再利用水であり、その汚染度は最も高い。プレ洗浄槽４０に入ったシート状基板Ｋは、現像液が最も多く残留しているため、プレ洗浄槽４０では、その現像液を大まかに洗い落とす程度であるため、汚染度が多少高い水でよい。プレ洗浄槽４０では、回転ローラ４３２は回転ローラ４３１に比べて径が小さく、シート状基板Ｋは下流に向けて若干下向きに傾いて支持されるため、スプレーされてシート状基板Ｋの上面に滞留した水が下流に向かい、洗浄部４から現像部２の側へ漏れ出ることを抑制する効果を高めることができる。プレ洗浄されたシート状基板Ｋは、Ｘ１方向に搬送されて主洗浄槽４１ａに入る。

主洗浄槽４１ａの主洗浄室Ｒ３において、スプレーノズル４７３は、ポンプＰ１により供給された主貯水槽４２ａ内の水を、プレ洗浄されたシート状基板Ｋの上面に向けてスプレーする。また、スプレーノズル４７４は、ポンプＰ１により供給された主貯水槽４２ａ内の水を、プレ洗浄されたシート状基板Ｋの下面に向けてスプレーする。このときスプレーされる水は、主貯水槽４２ａの一段下流隣の主貯水槽４２ｂにおける溢水穴Ｈ２から主貯水槽４２ａに溢出した水であり、プレ貯水槽４２内の水に比べて汚染度は低い。

主洗浄槽４１ａの上流液止め室Ｒ１において、スプレーノズル４７１は、ポンプＰ１により供給された主貯水槽４２ａ内の水を、邪魔板４６１とシート状基板Ｋの上面との間に形成される微少間隙Ｄ１に向けてスプレーする。

主洗浄室Ｒ３において、スプレーノズル４７３からシート状基板Ｋの上面にスプレーされた水の一部は、微少間隙Ｄ１から上流液止め室Ｒ１の側へ流れ出ようとする。しかし、上流液止め室Ｒ１のスプレーノズル４７１が、微少間隙Ｄ１に向けて水をスプレーするので、微少間隙Ｄ１から上流液止め室Ｒ１の側へ流れ出ようとする水は、微少間隙Ｄ１から主洗浄室Ｒ３の内側に押しやられる形になり（押しやるときに水を剥離させている）、水が主洗浄室Ｒ３から上流液止め室Ｒ１の側へ流れ出ることを阻止（邪魔）する。これにより、主洗浄槽４１ａで洗浄に使用された水が、上流側のプレ洗浄槽４０に漏れ出すことが防止される。

主洗浄槽４１ａの下流液止め室Ｒ２において、スプレーノズル４７２は、ポンプＰ１により供給された主貯水槽４２ａ内の水を、邪魔板４６２とシート状基板Ｋの上面との間に形成される微少間隙Ｄ２に向けてスプレーする。

主洗浄室Ｒ３において、スプレーノズル４７３からシート状基板Ｋの上面にスプレーされた水の一部は、微少間隙Ｄ２から下流液止め室Ｒ２の側へ流れ出ようとする。しかし、下流液止め室Ｒ２のスプレーノズル４７２が、微少間隙Ｄ２に向けて水をスプレーするので、微少間隙Ｄ２から下流液止め室Ｒ２の側へ流れ出ようとする水は、微少間隙Ｄ２から主洗浄室Ｒ３の内側に押しやられる形になり、水が主洗浄室Ｒ３から下流液止め室Ｒ２の側へ流れ出ることを阻止する。これにより、主洗浄槽４１ａでの洗浄に使用された水が、下流側の主洗浄槽４１ｂに漏れ出すことが防止される。

また、主洗浄槽４１ａでは、回転ローラ４５３は、その両側の回転ローラ４５１，４５２に比べて径が小さく、シート状基板Ｋは中央に向けて若干下向きに傾いて支持されるため、スプレーされてシート状基板Ｋの上面に滞留した水が中央に向かい、洗浄部４の外方へ漏れ出ることを抑制する効果を高めることができる。

主洗浄槽４１ａで洗浄されたシート状基板Ｋは、上記記載と同様な要領で、主洗浄槽４１ｂ，４１ｃ，４１ｄで順次洗浄されていく。主洗浄槽４１ｄでスプレーされる水は、水タンク４８から供給されて以降、一度も洗浄に使われていなく、他の貯水槽４２，４２ａ，４２ｂ，４２ｃの水に比べると、最も純度が高い。主洗浄槽４１ｃでスプレーされる水は、主洗浄槽４１ｃ，４１ｄで洗浄に使った水の再利用水である。このように、下流側の洗浄槽で洗浄に用いた水を回収し、上流側の槽で再度洗浄に用いるように構成される。シート状基板Ｋが搬送されるに従って、純度の高い水による洗浄を可能としてある。つまり、現像液の残液の多い上流では純度の低い水で洗浄し、残液の少なくなった下流では純度の高い水で洗浄するという方式をとることで、節水及び洗浄の効率向上を図ることができる。

洗浄部４で洗浄されたシート状基板Ｋは、Ｘ１方向に搬送されて乾燥部５に入る。乾燥部５において、スプレーノズル５４，５５は、圧空タンク５２から供給された圧縮空気を、主洗浄されたシート状基板Ｋのそれぞれ上面と下面とに向けてスプレーする。これにより、主洗浄されたシート状基板Ｋが乾く。

乾かされたシート状基板Ｋは、Ｘ１方向に搬送されて、巻取部６に到来し、回転駆動軸６１の回転によりロール状に巻き取られる。

以上、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上に開示した実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこの実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、更に特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むことが意図される。

例えば、本形態の現像処理システムは、シート状基板Ｋの上面だけに現像する現像処理用のシステムとしたが、シート状基板Ｋの上下両面に現像する現像処理システムとしてもよい。その場合は、各主洗浄槽４１ａ〜４１ｄにおける邪魔板及びスプレーノズルを、それぞれシート状基板Ｋを境に上下対象となるように配設する構成とすることで、効率の良い洗浄を行うことができる。

また、上述の実施の形態では、現像処理システムにおける洗浄装置としたが、エッチングシステムまたは剥離システムにおける洗浄装置として用いてもよい。また、現像処理システムにおける現像液スプレー用の処理装置として、エッチングシステムにおけるエッチング液スプレー用の処理装置として、剥離システムにおける剥離液スプレー用の処理装置として、あるいは非電解メッキシステムにおけるメッキ液スプレー用の処理装置として用いてもよい。

本発明に係る現像処理システムの全体正面図である。 本発明に係る洗浄装置の内部正面図である。 本発明に係る洗浄装置の内部平面図である。 本発明の要部を示す図である。 従来の洗浄装置を示す内部正面概略図である。

符号の説明

４１ａ 主洗浄槽（処理槽）
４１ｂ 主洗浄槽（処理槽）
４１ｃ 主洗浄槽（処理槽）
４１ｄ 主洗浄槽（処理槽）
４２ａ 主貯水槽
４２ｂ 主貯水槽
４２ｃ 主貯水槽
４２ｄ 主貯水槽
４５１ 回転ローラ（基板搬送機構）
４５２ 回転ローラ（基板搬送機構）
４５３ 回転ローラ（基板搬送機構）
４６１ 邪魔板（上流邪魔板）
４６２ 邪魔板（下流邪魔板）
４７１ スプレーノズル（上流スプレー機構）
４７２ スプレーノズル（下流スプレー機構）
４７３ スプレーノズル（主スプレー機構）
Ｄ１ 微少間隙（上流微少間隙）
Ｄ２ 微少間隙（下流微少間隙）
Ｈ１ 溢出穴
Ｈ２ 溢出穴
Ｈ３ 溢出穴
Ｈ４ 溢出穴
Ｒ１ 上流液止め室
Ｒ２ 下流液止め室
Ｒ３ 主洗浄室（主処理室）
Ｋ シート状基板（被処理基板）
Ｗ 水（処理液）
Ｘ１ 方向（搬送方向）

Claims (10)

1. 基板搬送機構により処理槽内に搬送された被処理基板に処理液をスプレーすることで被処理基板の表面に所定の処理を行うスプレー処理装置であって、
   処理槽内を主処理室と下流液止め室とに区分けすると共に被処理基板の表面との間に下流微少間隙を形成するように立設した下流邪魔板と、
   主処理室に配設され被処理基板の表面に向けて処理液をスプレーする主スプレー機構と、
   下流液止め室に配設され下流微少間隙の斜め上方から下流微少間隙に向けて処理液をスプレーする下流スプレー機構と
   を備えることを特徴とするスプレー処理装置。
2. 前記処理槽内を上流液止め室と主処理室とに区分けすると共に被処理基板の表面との間に上流微少間隙を形成するように立設した上流邪魔板と、上流液止め室に配設され上流微少間隙の斜め上方から上流微少間隙に向けて処理液をスプレーする上流スプレー機構とを備える請求項１に記載のスプレー処理装置。
3. 前記被処理基板がプリント配線基板の製造に用いられる基板材である請求項１または請求項２に記載のスプレー処理装置。
4. 前記処理液が現像液、エッチング液、剥離液、メッキ液または洗浄水のいずれかである請求項３に記載のスプレー処理装置。
5. 前記下流微少間隙の長さが１ｍｍ以上且つ１０ｍｍ以下である請求項１から請求項４のいずれかに記載のスプレー処理装置。
6. 前記下流微少間隙の入口近傍に、被処理基板を押圧するための押さえロールを設置した請求項５に記載のスプレー処理装置。
7. 前記上流微少間隙の長さが１ｍｍ以上且つ１０ｍｍ以下である請求項２から請求項５のいずれかに記載のスプレー処理装置。
8. 前記上流微少間隙の入口近傍に、被処理基板を押圧するための押さえロールを設置した請求項７に記載のスプレー処理装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載のスプレー処理装置を被処理基板の搬送方向に沿って複数段配設したスプレー処理装置。
10. 前記スプレー処理装置は、処理槽とこれら処理槽にそれぞれ配設された貯液槽とを備え、互いに隣合う貯液槽の壁には、それぞれ上流から下流に向かうに連れて段階的に高位置とされた溢出穴を備え、下流側で被処理基板の処理に用いた処理液を、各溢出穴から順次溢出させて回収した後、上流側での被処理基板の処理に再利用するように構成されてなる請求項９に記載のスプレー処理装置。

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