JP2021044536A - ミスト回収装置および基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】排気効率の低下を抑えつつ、ミストを確実に回収することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置10は、処理液が基板に供給され、処理液のミストが生じる処理室20と、処理室20から気体を排出するための排気路A1を形成する排気配管31と、延伸方向が排気路A1の延伸方向に沿うように排気路A1に設けられた支持軸32と、支持軸32に設けられ、排気路A1を流れる気体により支持軸32を回転中心として自転する回転フィン34とを備え、排気配管31は、排気路A1を形成する環状の壁部31aを有しており、壁部31aは、その内部空間A2を冷却液が流れるように形成されており、回転フィン34は、冷却液が流れる壁部31aの内部空間A2により囲まれている。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、ミスト回収装置及び基板処理装置に関する。
液晶表示装置や半導体デバイスなどの製造工程において、ガラス基板や半導体基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられている。基板処理としては、例えば、レジスト塗布処理、レジスト剥離処理、エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理がある。基板処理装置は、処理室内の基板に対して処理用の流体(例えば、処理液や乾燥用の気体)を供給して基板を処理する。
基板処理装置は、互いに空間がつながる複数の処理室(処理槽)を有することがある。この場合、処理室内の気体(雰囲気)が他の処理室内に流入することを抑えるため、処理室に排気配管が接続され、処理室内の気体が排出される。ところが、例えば40℃から80℃程度の高温の処理液が使用されると、処理液のミスト(液体の微粒子)が処理室内に浮遊し、気体と共に排出される。ミストが排気配管を流れ、排気設備まで到達すると、到達したミストが排気設備に付着し、排気設備が故障することがある。また、処理に用いた後の処理液の一部がミストとなって排気配管に排出されてしまうので、処理液の回収率が下がってしまう。このため、処理液を効率的に再利用することができない。
排気配管(排気路)を流れるミストを回収するため、ミスト回収設備が設けられる。ミスト回収設備としては、ミストセパレータが存在する。ミストセパレータにおいてミスト回収率を上げるためには、セパレート用の仕切板(固定状態)の枚数が増やされる。ところが、仕切板は排気を妨げるため、仕切板の枚数が増えると、排気効率が低下する。このため、排気効率の低下を抑えつつ、ミストを確実に回収することが望まれる。
特開2017−154111号公報
本発明が解決しようとする課題は、排気効率の低下を抑えつつ、ミストを確実に回収することができるミスト回収装置および基板処理装置を提供することである。
本発明の実施形態に係るミスト回収装置は、
処理液のミストが生じる処理室から、気体を排出するための排気路を形成する排気配管に設けられるミスト回収装置であって、
前記排気路の一部を形成する配管と、
延伸方向が前記排気路の延伸方向に沿うように設けられた支持軸と、
前記支持軸に設けられ、前記排気路を流れる前記気体により前記支持軸を回転中心として自転するフィンと、
を備え、
前記配管は、環状の壁部を有しており、
前記壁部を冷却する冷却部を有することを特徴とする。
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
処理液が基板に供給され、前記処理液のミストが生じる処理室と、
前記処理室から気体を排出するための排気路を形成する排気配管と、
前記排気配管の途中に設けられた上記したミスト回収装置と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の実施形態によれば、排気効率の低下を抑えつつ、ミストを確実に回収することができる。
実施の一形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 実施の一形態に係る排気部の概略構成を示す第1の図である。 実施の一形態に係る排気部の概略構成を示す第2の図である。 実施の一形態に係る基板処理装置の第1の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る基板処理装置の第2の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る基板処理装置の第3の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る基板処理装置の第4の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る回転フィンの第1の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る回転フィンの第2の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る回転フィンの第3の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る回転フィンの第4の変形例を示す図である。 実施の一形態に係る回転フィンの第5の変形例を示す図である。
<実施の一形態>
実施の一形態について図面を参照して説明する。
(基本構成)
図1に示すように、実施の一形態に係る基板処理装置10は、処理室20及び排気部30を備えている。排気部30は、排気配管21の経路途中に設けられている。
処理室20は、処理室20内の基板に処理液(液体の一例)を供給して基板を処理するための部屋(処理槽)である。この処理室20では、例えば40℃から80℃程度の高温の処理液(一例として洗浄液)が基板に供給され、基板が処理される(一例として洗浄される)。このとき、処理液のミストが発生する。ミストは処理室20内の気体(雰囲気)中に浮遊する。この処理室20は、隣接する処理室とつながっており、隣の処理室は、例えば、気体による乾燥処理を行うための部屋である。
排気配管21は、処理室20及び排気設備(工場側)の間に設けられており、排気配管21の一端が処理室20の背面に接続されており、その他端が排気設備に接続されている。この排気配管21は、排気設備による排気動作により処理室20内の気体を処理室20外に排出するための配管である。排気配管21は、処理室20から気体を排気するための排気路、すなわち処理室20から排出された気体が流れる排気路A1を形成する。
排気部30は、図2及び図3に示すように、配管31と、支持軸32と、支持柱33と、複数の回転フィン34とを有し、これらはミスト回収装置を構成する。この排気部30は、配管31の延伸方向(排気路A1)が水平方向に延びるように横向きに設けられている(図1参照)。
配管31は、排気配管21の一部であり、排気路A1の一部を形成している。この配管31は、壁部31aを有している。壁部31aは、排気路A1を形成する環状の壁であり、排気路A1の延伸方向が水平になるように設けられている。図2に示すように、この壁部31aは二重管となっていて、冷却液(例えば冷却水)が壁部31aの内部空間A2を流れるように形成されている。内部空間A2は、壁部31aの内壁及び外壁の間に存在する環状の空間である。壁部31aは、冷却液が流入する入口ポートP1と、冷却液が流出する出口ポートP2とを有している。入口ポートP1には、工場側の供給設備(冷却液供給部)から冷却液が供給される。入口ポートP1に供給された冷却液は、壁部31aの内部空間A2を満たし、出口ポートP2から排出される。壁部31aの内部空間A2は、冷却液が流れる流路となる。
支持軸32は、その延伸方向が排気路A1の延伸方向に沿うように環状の壁部31aの中心軸上に位置付けられ、水平状態で排気路A1に設けられている。この支持軸32は、支持柱33に固定されており、支持柱33によって保持されている。
支持柱33は、壁部31aの天井部(上部)に位置付けられ、壁部31aの内周面に設けられている。この支持柱33は、支持軸32の中央を保持し、支持軸32を水平に支持している。支持柱33は、排気を妨げることを抑えるため、排気路A1を流れる気体により変形することが無く支持軸32を支持することが可能な範囲で、できるだけ細く形成されている。
各回転フィン34は、それぞれ複数の羽根34aにより構成されている。これらの回転フィン34は、支持軸32の延伸方向に支持柱33を避けて所定間隔で並べられ、支持軸32に対して回転可能に設けられている。各回転フィン34は、排気路A1を流れる気体により支持軸32を回転中心として風車(かざぐるま)のように自転する。これらの回転フィン34は、環状の壁部31aが形成する排気路A1に設けられており、冷却液により満たされる壁部31aの内部空間A2によって囲まれている。
例えば、図2及び図3では、1個の回転フィン34は8枚の羽根34aにより構成されており、8個の回転フィン34が支持軸32の延伸方向に沿って並べられている。1個の回転フィン34における8枚の羽根34aは、支持軸32を中心として45度ごとに配置されている。また、排気路A1の延伸方向に対して角度をもって(斜めに)配置されている。各回転フィン34の個々の面積(8枚の羽根34aの合計面積)は同じであり、各回転フィン34の個々の直径(8枚の羽根34aが回転したときの回転直径)も同じである。
これらの回転フィン34は、排気を妨げることを抑えつつ、排気路A1を流れる気体の一部と共にミストを壁部31aの内壁面に導くように形成されている。つまり、各羽根34aの形状や個々の配置角度などは、各回転フィン34が、排気を妨げることを抑えつつ、排気路A1を流れる気体によって回転させられ、この回転による遠心力によって排気路A1を流れる気体の一部と共にミストを壁部31aの内壁面に導くように設定されている。排気路A1を気体と共に流れるミストは、各回転フィン34の回転によって壁部31aの内壁面に導かれ、内部空間A2が冷却液により満たされた壁部31aの冷却機能によって液化される。
配管31には、2つの排液ポートP3、P4が設けられている。これらの排液ポートは、壁部31aに隣接してその壁部31aを挟むように位置付けられ、配管31の底部(下部)に設けられている。ミストが液化されて生じた液は、壁部31aの内壁面に沿って流れ、壁部31aの底部に移動し、各排液ポートP3、P4から排出される。
(排気工程)
次に、前述の基板処理装置10の排気工程について説明する。
図2に示す基板処理装置10において、処理室20での処理開始前に壁部31aの内部空間A2が冷却液により満たされる。また、冷却液は壁部31aの入口ポートP1から内部空間A2に順次供給され、供給された冷却液は内部空間A2を流れ、壁部31aの出口ポートP2から排出される。なお、排出された冷却液を冷やして再び使用するようにしてもよい(循環)。
また、処理室20での処理開始前に排気動作が工場側の排気設備によって開始され、処理室20内の気体は処理室20から排出される。処理室20から排出された気体は、排気配管21による排気路A1を通過し、工場側の排気設備を介して工場外に放出される。排気配管21の一部として機能する配管31内に存在する各回転フィン34は、排気路A1を流れる気体により、支持軸32を回転中心としてそれぞれ自転する。
処理室20での処理が開始されると、処理室20中には処理液のミストが浮遊する。このミストは気体と共に処理室20から排出され、排気配管21による排気路A1を気体と共に流れる。排気路A1を流れるミストは、各回転フィン34の回転による気体の流れにより、配管31の壁部31aの内壁面付近(外周側)に集まる。壁部31aは、内部空間A2を流れる冷却液により冷やされている。壁部31aの内壁面付近に集まったミストの温度は低下し、ミストが液化される。ミストが液化されて生じた液は、壁部31aの内壁面に付着し、その壁部31aの内壁面に沿って壁部31aの底部に移動し、各排液ポートP3、P4から排出される。
また、排気路A1を流れるミストの一部は、回転する各回転フィン34に付着し、各回転フィン34によって捕獲される。各回転フィン34に付着したミストは、各回転フィン34の回転による遠心力により各回転フィン34上を移動しつつ凝集し、液化される。ミストが液化されて生じた液は、各回転フィン34から飛び出し、壁部31aの内壁面に付着する。壁部31aの内壁面に付着した液は、壁部31aの内壁面に沿って壁部31aの底部に移動し、各排液ポートP3、P4から排出される。
このような排気工程によれば、各回転フィン34の回転によりミストを壁部31aの内壁面付近に集め、集めたミストを環状の壁部31aの冷却機能により冷却して液化し、また、各回転フィン34によりミストを捕獲するので、排気路A1を流れるミストを効率良く回収することが可能となる。また、排気路A1に存在する各回転フィン34は自転し、排気を妨げることが抑制されるので、排気効率の低下を抑えることが可能である。したがって、排気効率の低下を抑えつつ、ミスト回収率を上げてミストを確実に回収することができる。
なお、ミストを回収する回収設備としては、従来型のミストセパレータが存在する。ミストセパレータのミスト回収率を上げるためには、セパレート用の仕切板(固定状態)の枚数が増やされる。ところが、仕切板は排気を妨げるため、仕切板の枚数が増えると、排気効率が低下してしまう。また、仕切板の枚数の増加に応じ、それらの仕切板を冷やすための冷却設備も大きくなってしまう。このため、装置は大型化し、設置スペースの確保や重量に耐え得る機械設計が必要となる。
一方、本実施形態では、各回転フィン34の回転及び壁部31aの冷却機能によるミストの液化、各回転フィン34によるミスト捕獲により、排気路A1を流れるミストを効率良く回収することが可能となる。これにより、従来型のミストセパレータのように、ミスト回収率を上げるため、多数の仕切板を設ける必要が無くなるので、また、排気路A1に存在する各回転フィン34は自転し、気体の流れを妨げることが抑えられるので、排気効率の低下を抑えることができる。また、多数の仕切板に加え、大きな冷却設備も必要とせず、省スペースでミストを回収することが可能となるので、従来型のミストセパレータに比べ、装置の小型化を実現し、装置の省スペース化及び軽量化を実現することができる。
以上説明したように、実施の一形態によれば、配管31は、排気路A1を形成する環状の壁部31aを有しており、壁部31aは、その内部空間A2が冷却液により満たされるように形成されており、各羽根34aは、冷却液により満たされる壁部31aの内部空間A2により囲まれている。各羽根34aが排気路A1に存在するが、それらの羽根34aは自転して気体の流れを妨げることが抑えられるため、排気効率の低下を抑えることが可能である。また、各羽根34aの回転及び壁部31aの冷却機能によるミストの液化、各羽根34aによるミスト捕獲により、排気路A1を流れるミストを効率的に回収することが可能である。したがって、排気効率の低下を抑えつつ、ミストを確実に回収することができる。
なお、排気部30によって回収されたミストを処理液として、再度タンクに戻したり、供給配管を介して処理室20へ戻したりして回収し、再度利用することが可能である。これによって、液使用量を抑えることができる。回収された処理液を処理室20に供給する場合には、回収された処理液が処理中の基板に接することのない箇所に供給できるよう、供給配管の供給口を設けるようにすることが好ましい。
例えば、図4に示すように、排気配管21(排気部30における排気設備側に接続された配管)の途中に供給配管53を接続し、搬送部51(例えば、水平方向に並ぶ複数の搬送ローラ)により搬送される基板Wに液供給部52(例えば、シャワー)から供給された後の処理液が溜まりやすい処理室20の底部付近に供給配管53の供給口53aを設ける。この場合、基板Wの処理に用いられた処理液と、供給配管53から供給された処理液とを、処理室20の下段に設けられたタンク54へと回収配管55を介して回収することができる。通常、処理室20で用いた処理液を回収するタンク54の前段にはフィルタ56が設けられており、これによって、処理室20で処理液に含まれたパーティクルを取り除き、処理室20で用いた処理液を再利用可能な状態にし、その後、ポンプ57の駆動により配管58を介して液供給部52に供給する。供給配管53の供給口53aを処理室20の底部付近、例えば、基板Wを搬送する搬送部51よりも下側に設ける(供給配管53を処理室20において搬送部51よりも下側に接続する)ことにより、排気部30によって回収された処理液は、処理室20で使用された処理液とともにフィルタ56を通過する。これにより、排気部30によって回収された処理液を、処理室20で使用された処理液とともに再度利用することが可能な状態にすることができる。なお、図5に示すように、供給配管53をタンク54に直接接続し、排気部30により回収された処理液を直接タンク54へ戻すようにしてもよい。
<他の実施形態>
前述の説明においては、基板処理装置10として、基板を洗浄処理する洗浄処理装置を例示したが、これに限るものではなく、液晶基板や半導体基板、フォトマスクなどの製造のため、例えば、レジスト処理装置、露光処理装置、現像処理装置、エッチング処理装置、剥離処理装置を用いるようにしてもよい。処理液としては、各種の薬液を用いることが可能である。
また、前述の説明においては、処理室20の空間を隣接する処理室の空間とつなげていることを例示したが、これに限るものではない。例えば、処理室20内のミストが処理室20内の部材や基板などに付着することを避ける必要がある場合など、他の処理室と空間がつながっていない単独の処理室20に排気部30を接続し、その処理室20内の気体と共にミストを排出するようにしてもよい。なお、処理室20では、複数の搬送ローラにより搬送される基板にシャワー状に処理液が供給されてもよく、あるいは、回転機構により回転する基板に処理液が供給されてもよく、また、処理液は噴射や噴霧されてもよい。
また、前述の説明においては、処理室20の背面に排気配管21を接続することを例示したが、これに限るものではなく、処理室20の天上面又は側面、底面、前面に排気配管21を接続するようにしてもよい。排気配管21は処理室20に対し、ミストが含まれる気体を効率的に排出できる箇所に接続されればよい。
また、前述の説明においては、冷却液により配管31の壁部31aを冷却することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、ペルチェ素子などの冷却体により壁部31aや各回転フィン34、すなわち各羽根34aを冷却するようにしてもよい。
また、前述の説明においては、2つの排液ポートP3、P4を設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、1つの排液ポートを壁部31aの底部の中央に設けるようにしてもよい。この場合には、壁部31aの底部上の液が底部の中央に流れるように底部を傾斜させるとよい。このようにしたときには、冷却液が流れる壁部31aの底部と各回転フィン34の下端とが離れ、それらの間に不要な隙間が発生し、その隙間を気体が通過するため、ミスト回収率が低下する。このミスト回収率の低下を抑えるためには、壁部31aの底面を平面として不要な隙間の発生を抑え、2つの排液ポートP3、P4を設けることが望ましい。
また、前述の説明においては、配管31が水平方向に延びるように排気部30を横向きに設けることを例示したが、これに限るものではなく、図6に示すように、ミスト回収装置を構成する配管31が鉛直方向に延びるように排気部30を縦向きに設けるようにしてもよい。また、配管31が傾斜するように排気部30を設けるようにしてもよい。なお、排気配管21の形状は特に限定されるものではなく、例えば、図6に示すように、排気部30より下流側の排気配管21をS字状にして液溜め部分を作り、この液溜め部分の底部には、液をドレインする排液ポートP5を設けるようにしてもよい。このようにすることで、ミスト回収装置で液化された液はその自重で排液ポートP5まで到達させることができるので、排気部30自体に複数の排液ポートP3、P4を設ける必要がなくなり、排液効率を向上させるとともに、省スペース化を実現することができる。なお図4、図5を用いて説明した実施形態では、この排液ポートP5を供給口53aに接続すると好ましい。
また、図7に示すように、排気部30は、S字状の排気配管21の途中に設けるようにしてもよい。この場合においても、図6と同様に、排気部30自体に複数の排液ポートP3、P4を設ける必要がなくなり、排液効率を向上させるとともに、省スペース化を実現することができる。
また、図6および図7の実施例において、排気配管21の形状は、S字状であるとしたが、これに限らず、U字状など、液が溜まる形状であればよい。
また、前述の説明においては、配管31の天井部に1本の支持柱33を設け、1本の支持柱33により支持軸32の中央を保持することを例示したが、これに限るものではない。例えば、配管31の天井部に2本の支持柱33を設け、それらの支持柱33により支持軸32の両端を保持するようにしてもよく、また、配管31の底部に1本又は複数本の支持柱33を設け、1本又は複数本の支持柱33により支持軸32を保持するようにしてもよい。配管31の底部に支持柱33を設けた場合には、支持柱33が液の流れを妨げることがある。この液の流れを妨げることを回避するためには、配管31の天井部に支持柱33を設けることが望ましい。
また、前述の説明においては、回転フィン34や羽根34aをそれぞれ複数設けることを例示したが、これに限るものではなく、1つだけ設けるようにしてもよく、例えば、羽根34aとして、らせん状の1つの羽根を設けるようにしてもよい。また、羽根34aとしては、各種形状の羽根を用いることが可能であり、例えば、羽根34aは、図8から図10に示すように、扇風機のように捻じれた羽根(例えば、くびれやうねりを有する羽根)であってもよい。捻じれた羽根であれば、排気が羽根34aの一部に当たることによって回転が起きやすく、羽根34aを効率的に回転させることが可能になるので、従来用いられていたミストセパレータと比較して排気効率の低下を大幅に抑えることができる。さらに、羽根34aが回転しやすくなることによって周辺に存在するミストが壁部31aに衝突しやすくなり、効率的に冷却され、液化させて回収することができる。
ここで、羽根34aの形状は、排気速度やミスト量によって、排気抵抗が少なく、かつ、ミストを効率よく回収できるよう適宜選択することができる。羽根34aの形状は、羽根34aの根本から先端まで同じ幅の形状でもよく、あるいは、根本と先端の幅が他に比べて狭くなる形状でもよい(図2参照)。また、羽根34aの根本と先端とで排気方向(気体が流れる方向)に対する角度が異なるような形状のものでもよい(図8から図11参照)。例えば、根本は気流によって回転し難いため角度を大きくし、先端は排気の衝突で回転しやすいので角度を小さくすることで、排気方向に羽根34aを見た面積を変えて、排気抵抗を少なく、ミスト回収を効率的に行うことができる。また、羽根34aの先端が円周方向に広がっていて(図9参照)、排気方向に回転フィン34を見て隙間が見えない状態のものでもよい。この形状の場合には、図8に示した例に比べれば、排気効率は低下するが、ミストの回収率は向上する。なお、各羽根34aは全て同一形状であるが、それぞれが異なる形状であってもよい。
また、前述の説明においては、各回転フィン34の個々の面積を同一にすることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、気体の流れ方向において上流側から下流側に向かって徐々に増やしたり、減らしたりしてもよい。また、各回転フィン34の個々の直径を気体の流れ方向において上流側から下流側に向かって徐々に大きくしたり、小さくしたりしてもよい。例えば、回転フィン34において、図11及び図12に示すように、羽根34aとして小型の羽根を用い、支持軸32に棒34bを介して羽根34aを設け、支持軸32から羽根34aを離し、支持軸32の近傍に羽根34aが無い空洞を形成するようにしてもよい。支持軸32の近傍に羽根34aが無い回転フィン34を空洞が有る回転フィン34とし、逆に、支持軸32の近傍に羽根34aが有る回転フィン34を空洞が無い回転フィン34とすると、図11に示すように、空洞が無い回転フィン34を最上流に設け、空洞が有る回転フィン34を下流側に複数並べて設けるようにしてもよい。このとき、各回転フィン34の個々の直径を気体の流れ方向において上流側から下流側に向かって徐々に大きくしてもよい。このようにしたときには、回転フィン34が下流側に位置するほど各羽根34aが壁部31aの内周面近くに存在し、各回転フィン34の遠心力は上流側から下流側に向かって徐々に増す。また、図12に示すように、空洞が無い回転フィン34と、空洞が有る回転フィン34とを交互に設けるようにしてもよく、あるいは、ランダムに設けるようにしてもよい。また、各回転フィン34の個々の間隔(支持軸32の延伸方向の間隔)は一定であるが、これに限るものではなく、例えば、各回転フィン34の個々の間隔を徐々に大きくしても、徐々に小さくしてもよく、あるいは、ランダムに変えるようにしてもよい。
なお、空洞が有る回転フィン34において、各羽根34aは、支持軸32から離れて壁部31a側に存在している。これにより、支持軸32の近傍に羽根34aの無い空洞が形成されるので、排気の妨げが最小限で済む。さらに、壁部31aに近い側に羽根34aが存在しているので、壁部31aに近い領域に存在するミストが壁部31aに衝突して液化が進む。羽根34aの回転中心に存在するミストも、壁部31aに近い領域の気流に引っ張られて効率的に壁に衝突し、冷却されて液化される。つまり、排気路A1を流れる気体の排気効率の低下を抑えつつ、ミスト回収率を上げてミストを効率よく回収することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10 基板処理装置
20 処理室
21 排気配管
31 配管(排気配管)
31a 壁部
32 支持軸
33 支持柱
34 回転フィン
34a 羽根
51 搬送部
53 供給配管
54 タンク
A1 排気路
A2 内部空間
W 基板

Claims (9)

  1. 処理液のミストが生じる処理室から、気体を排出するための排気路を形成する排気配管に設けられるミスト回収装置であって、
    前記排気路の一部を形成する配管と、
    延伸方向が前記排気路の延伸方向に沿うように設けられた支持軸と、
    前記支持軸に設けられ、前記排気路を流れる前記気体により前記支持軸を回転中心として自転するフィンと、
    を備え、
    前記配管は、環状の壁部を有しており、
    前記壁部を冷却する冷却部を有することを特徴とするミスト回収装置。
  2. 前記壁部は、内部空間を有し、
    前記内部空間に冷却液を供給する冷却液供給部を有し、
    前記回転フィンは、前記冷却液が流れる前記内部空間により囲まれている請求項1に記載のミスト回収装置。
  3. 前記回転フィンは、前記排気路に沿って複数設けられており、
    前記複数の回転フィンは、前記排気路を前記気体と共に流れる前記ミストを前記気体の一部と共に前記壁部の内壁面に導くように形成されている請求項1または請求項2に記載のミスト回収装置。
  4. 前記回転フィンは、複数の羽根を有しており、
    前記複数の羽根は、前記支持軸から離されて前記壁部側に設けられている請求項1から請求項3のいずれかに記載のミスト回収装置。
  5. 処理液が基板に供給され、前記処理液のミストが生じる処理室と、
    前記処理室から気体を排出するための排気路を形成する排気配管と、
    前記排気配管の途中に設けられた請求項1から請求項4のいずれかに記載のミスト回収装置と、
    を備えた基板処理装置。
  6. 前記処理室に、前記環状の壁部により回収された前記処理液を供給する供給配管を有することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 前記処理室内に設けられ、前記基板を搬送する搬送部を有し、
    前記供給配管は、前記処理室において前記搬送部よりも下側に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
  8. 前記基板に供給するための処理液を溜め置くタンクに、前記環状の壁部により回収された前記処理液を供給する供給配管を有することを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
  9. 前記排気配管は、S字状部分を有しており、
    前記S字状部分は、前記環状の壁部により回収された前記処理液を溜める液溜め部を構成し、
    前記液溜め部の底部には、前記液溜め部に溜まった前記処理液を排出する排液ポートを有することを特徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117080131B (zh) * 2023-10-17 2024-01-30 常州市朗捷电子有限公司 基于光伏直流驱动的二极管用石墨舟降温装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0295516U (ja) * 1989-01-18 1990-07-30
JPH06190227A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ミストあるいは蒸気凝縮回収装置
JPH06208988A (ja) * 1992-02-21 1994-07-26 Chuo Riken:Kk ウェット処理装置
JPH11111705A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH11233498A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Nippon Edowards Kk 排気装置
JP2002035668A (ja) * 2000-05-16 2002-02-05 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置および塗布処理方法
JP2005087852A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd ミスト回収装置
JP2005191441A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3118365B2 (ja) * 1994-03-08 2000-12-18 東海ゴム工業株式会社 オイルミストの分離回収装置及びその製造方法
FR2881820B1 (fr) * 2005-02-10 2008-05-30 Saint Gobain Vetrotex Dispositif pour l'extraction de chaleur a partir de gaz et pour la recuperation des condensats
KR20080056856A (ko) * 2006-12-19 2008-06-24 세메스 주식회사 배기부재 및 상기 배기부재의 약액 배기 방법, 그리고 상기배기부재를 구비하는 기판 처리 장치
KR101019112B1 (ko) * 2008-10-13 2011-03-16 (주)한국시바우라 메카트로닉스 처리액 회수장치
JP2017154111A (ja) 2016-03-04 2017-09-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TWI597771B (zh) * 2016-03-18 2017-09-01 盟立自動化股份有限公司 用於濕製程設備之氣液分離裝置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0295516U (ja) * 1989-01-18 1990-07-30
JPH06208988A (ja) * 1992-02-21 1994-07-26 Chuo Riken:Kk ウェット処理装置
JPH06190227A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ミストあるいは蒸気凝縮回収装置
JPH11111705A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH11233498A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Nippon Edowards Kk 排気装置
JP2002035668A (ja) * 2000-05-16 2002-02-05 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置および塗布処理方法
JP2005087852A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd ミスト回収装置
JP2005191441A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法

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