WO2018150979A1 - 気体処理装置および基板処理装置 - Google Patents

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WO2018150979A1
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gas
internal space
nonwoven fabric
cleaning liquid
processing apparatus
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PCT/JP2018/004267
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戸島　孝之
寺田　和雄
小野　優子
坂本　和生
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the disclosed embodiment relates to a gas processing apparatus and a substrate processing apparatus.
  • the exhaust gas discharged in the semiconductor manufacturing process may contain chemical components used for substrate processing, such as acid components, alkali components, and organic components.
  • Exhaust gas containing chemical components may be harmful to the environment and human body when released into the atmosphere. Therefore, there are cases where a removal device called a scrubber for removing chemical components from exhaust gas is installed in a semiconductor manufacturing factory.
  • the scrubber has a vertically long washing tower with a shower head sprayed with a washing liquid provided above.
  • the exhaust gas is introduced into the cleaning tower and comes into contact with the cleaning liquid sprayed from the shower head.
  • the chemical component contained in the exhaust gas is adsorbed by the cleaning liquid, and the chemical component is removed from the exhaust gas.
  • the exhaust gas from which the chemical component has been removed is released from the cleaning tower into the atmosphere, and the water that has adsorbed the chemical component is stored in a storage tank provided in the lower part of the cleaning tower.
  • the scrubber requires a large amount of cleaning liquid because the cleaning liquid needs to be constantly sprayed into the cleaning tower while the exhaust gas passes through the cleaning tower. For this reason, there is room for improvement in terms of reducing the amount of cleaning liquid used.
  • An object of one embodiment of the present invention is to provide a gas processing apparatus and a substrate processing apparatus that can reduce the amount of cleaning liquid used.
  • the gas treatment device includes a housing, a lyophilic nonwoven fabric, a liquid supply unit, a gas introduction unit, and a gas discharge unit.
  • the housing has an internal space.
  • the lyophilic nonwoven fabric is disposed in the internal space.
  • the liquid supply unit supplies a cleaning liquid to the nonwoven fabric.
  • the gas introduction unit introduces gas into the internal space.
  • the gas discharge unit discharges gas from the internal space.
  • the gas treatment apparatus which concerns on the one aspect
  • the amount of cleaning liquid used can be reduced.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the processing unit and the exhaust path of the processing unit.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the gas processing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a perspective view illustrating a schematic configuration of the housing, the nonwoven fabric, and the frame.
  • FIG. 5 is a flowchart showing the flow rate adjustment process.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a frame body according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic enlarged view of a frame and a plurality of nonwoven fabrics held by the frame.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a plurality of nonwoven fabrics and side plates.
  • FIG. 10 is a schematic enlarged view of a portion H shown in FIG.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating the shape and arrangement of a plurality of nonwoven fabrics according to the third embodiment.
  • FIG. 13A is a diagram illustrating a configuration of an exhaust path of a processing unit according to the fourth embodiment.
  • FIG. 13B is a diagram illustrating a configuration of an exhaust path of a processing unit according to a modification example of the fourth embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus according to the fifth embodiment.
  • FIG. 15A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a shelf according to the fifth embodiment.
  • FIG. 15B is a schematic enlarged view of a shelf body and a plurality of nonwoven fabrics held on the shelf body.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of an exhaust path of the processing unit according to the sixth embodiment.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus according to the sixth embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating the configuration of the support column and the liquid supply unit.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a configuration of a plurality of impellers.
  • FIG. 20 is an explanatory diagram of the operation of the gas processing apparatus.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
  • the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
  • the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3.
  • the carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier placement unit 11 and a conveyance unit 12.
  • the transfer unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transfer device 13 and a delivery unit 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.
  • the transfer unit 15 includes a substrate transfer device 17 inside.
  • the substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using a wafer holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 4.
  • the control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 18 and a storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • Such a program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium.
  • Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W. Place on the transfer section 14.
  • the wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the processing unit 16 and the exhaust path of the processing unit 16.
  • the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.
  • the chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50.
  • An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20.
  • a gas supply source 23 is connected to the FFU 21 via an air supply pipe 22.
  • the FFU 21 forms a downflow in the chamber 20 by supplying the gas supplied from the gas supply source 23 through the supply pipe 22 from the upper side to the lower side in the chamber 20.
  • the substrate holding mechanism 30 includes a holding part 31, a support part 32, and a driving part 33.
  • the holding unit 31 holds the wafer W horizontally.
  • pillar part 32 is a member extended in a perpendicular direction, a base end part is rotatably supported by the drive part 33, and supports the holding
  • the drive unit 33 rotates the column unit 32 around the vertical axis.
  • the substrate holding mechanism 30 rotates the support unit 31 by rotating the support unit 32 using the drive unit 33, thereby rotating the wafer W held by the support unit 31. .
  • the processing fluid supply unit 40 supplies a processing fluid to the wafer W.
  • the processing fluid supply unit 40 is connected to a processing fluid supply source 70.
  • the collection cup 50 is disposed so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31.
  • a drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50.
  • a drainage pipe 52 is connected to the drainage port 51, and the processing liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drainage port 51 through the drainage pipe 52 to the outside of the processing unit 16.
  • an exhaust port 53 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.
  • An exhaust pipe 54 is connected to the exhaust port 53, and the gas supplied from the FFU 21 to the processing unit 16 is discharged from the exhaust port 53 through the exhaust pipe 54 to the outside of the processing unit 16.
  • exhaust gas may contain components of the processing fluid supplied from the processing fluid supply unit 40.
  • the treatment fluid is an acid, alkali, or organic chemical
  • an acid component, an alkali component, or an organic component may be included in the exhaust gas, respectively.
  • Examples of acid chemicals include DHF (dilute hydrofluoric acid) and BHF (mixed liquid of hydrofluoric acid and ammonium fluoride).
  • Examples of alkaline chemicals include SC1 (ammonia, hydrogen peroxide solution, and As an organic chemical, for example, there is IPA (isopropyl alcohol). The chemical is not limited to a liquid but may be a gas.
  • the exhaust gas containing the above components may affect the environment and human body by being released into the atmosphere. Therefore, the substrate processing system 1 according to the first embodiment removes a target component including at least one of an acid component, an alkali component, and an organic component from the exhaust gas discharged from the processing unit 16. Is provided.
  • the gas processing apparatus 100 is provided in the exhaust pipe 54.
  • the exhaust pipe 54 constitutes a part of the exhaust path provided in the substrate processing system 1 and is provided inside the substrate processing system 1.
  • the gas processing apparatus 100 is also provided inside the substrate processing system 1.
  • the exhaust gas from which the target component has been removed by the gas processing apparatus 100 is discharged from the substrate processing system 1 through the exhaust pipe 54.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the gas processing apparatus 100 according to the first embodiment.
  • the flow of exhaust gas is indicated by a broken line arrow
  • the flow of cleaning liquid is indicated by a solid line arrow.
  • the gas processing apparatus 100 includes a housing 110 having an internal space S, a lyophilic nonwoven fabric 120, a liquid supply unit 130, a gas introduction unit 140, a gas discharge unit 150, a liquid A discharge unit 160 and a frame 170 are provided.
  • the gas introduction unit 140 connects the upstream exhaust pipe 54a (see FIG. 2) located upstream of the gas processing device 100 in the exhaust pipe 54 and the housing 110, and exhaust gas flowing through the upstream exhaust pipe 54a. It is introduced into the internal space S of the housing 110.
  • the gas discharge unit 150 connects the downstream exhaust pipe 54 b (see FIG. 2) located on the downstream side of the gas processing device 100 in the exhaust pipe 54 and the housing 110, and the internal space S of the housing 110. The exhaust gas that has passed through is discharged from the casing 110 and sent to the downstream exhaust pipe 54b.
  • the gas introduction unit 140 is connected to one end side in the longitudinal direction of the housing 110, and extends from one end side in the longitudinal direction of the housing 110 (that is, one end side in the longitudinal direction of the internal space S) to the internal space S. Introduce exhaust gas.
  • the gas discharge unit 150 is connected to the other end side in the longitudinal direction of the casing 110 and discharges exhaust gas from the other end side in the longitudinal direction of the internal space S to the downstream exhaust pipe 54b. Therefore, in the internal space S, a flow of exhaust gas from one end side to the other end side in the longitudinal direction of the internal space S is formed.
  • a lyophilic nonwoven fabric 120 (hereinafter simply referred to as “nonwoven fabric 120”) is disposed.
  • “lyophilic” refers to the property of forming a liquid film of a cleaning liquid on the surface and holding the formed liquid film.
  • the non-woven fabric 120 is a non-woven fabric having a plasma treatment or lyophilic coating on the surface, and has a lyophilic property by being subjected to plasma treatment or lyophilic coating.
  • the nonwoven fabric 120 is exposed to the exhaust gas containing at least one of an acid component, an alkali component, and an organic component, it is preferable to use a fluorine fiber excellent in chemical resistance.
  • the nonwoven fabric 120 is disposed in the internal space S of the housing 110 while being held by the frame body 170.
  • the frame 170 holds the nonwoven fabric 120 in a flat plate shape. Further, the frame 170 has a storage space R that communicates with the internal space S through the held nonwoven fabric 120.
  • FIG. 4 is a perspective view illustrating a schematic configuration of the housing 110, the nonwoven fabric 120, and the frame body 170.
  • configurations other than the casing 110, the nonwoven fabric 120, and the frame body 170 are omitted.
  • the casing 110, the internal space S of the casing 110, and the frame 170 have a rectangular parallelepiped shape. Both the internal space S and the frame body 170 extend from one end side in the longitudinal direction of the housing 110 along the other end side.
  • the frame 170 is, for example, one surface of a rectangular parallelepiped, specifically, a surface other than the opposing surfaces to one end side and the other end side in the longitudinal direction of the housing 110, that is, along the longitudinal direction of the housing 110.
  • a rectangular opening 175 is provided on the surface.
  • the edge of the nonwoven fabric 120 is attached to the edge of the opening 175 by ultrasonic welding or the like. Thereby, the frame 170 will be in the state which hold
  • the nonwoven fabric 120 held by the frame 170 extends from one end side to the other end side in the longitudinal direction of the internal space S, that is, along the flow direction of the exhaust gas. As described above, the exhaust gas flows from one end side to the other end side in the longitudinal direction of the internal space S.
  • the storage space R is a closed space formed between the nonwoven fabric 120 and the frame body 170 when the nonwoven fabric 120 covers the opening 175 of the frame body 170.
  • the storage space R communicates with the internal space S of the housing 110 via the nonwoven fabric 120 having a porous structure.
  • the housing 110 has an angle of 0 degrees or more with respect to the horizontal plane (XY plane) so that the other end side where the gas discharge part 150 is provided is higher than the one end side where the gas introduction part 140 is provided. Also, it is arranged in an inclined state at an angle smaller than 90 degrees.
  • the gas processing apparatus 100 is supported by a frame (not shown) provided with an angle adjustment mechanism that adjusts the angle of the housing 110.
  • the liquid supply unit 130 communicates with the storage space R of the frame 170 on one end side and is connected to the supply pipe 131 on the other end side.
  • a cleaning liquid supply source 133 is connected to the supply pipe 131 via a supply device group 132.
  • the cleaning liquid supply source 133 supplies, for example, pure water as the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 133 is not limited to pure water.
  • a used cleaning liquid stored in a drain tank 161 which will be described later, may be reused.
  • the cleaning liquid supply source 133 supplies a used cleaning liquid, that is, water containing the target component removed from the exhaust gas.
  • the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 133 is not limited to pure water or water, and can be appropriately selected according to the type of the target component.
  • the supply device group 132 includes, for example, an open / close valve that opens and closes the supply pipe 131, a mass flow controller, and the like.
  • the liquid supply unit 130 supplies the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 133 to the storage space R of the frame body 170.
  • the cleaning liquid supplied to the storage space R is stored in the storage space R.
  • the cleaning liquid stored in the storage space R passes through the porous structure inside the nonwoven fabric 120 from one plate surface of the nonwoven fabric 120 facing the storage space R by the pressure of the cleaning liquid supplied from the liquid supply unit 130. Oozes to the other plate surface of the nonwoven fabric 120 facing the surface. And the washing
  • the liquid discharge unit 160 communicates with the liquid collection unit 115 formed in the internal space S, and discharges the cleaning liquid collected in the liquid collection unit 115 from the internal space S.
  • a drain tank 161 is connected to the liquid discharge unit 160, and the cleaning liquid discharged from the internal space S is stored in the drain tank 161.
  • a drain pipe 162 is connected to the bottom of the drain tank 161, and a valve 163 is provided in the drain pipe 162.
  • the drain tank 161 is provided with a liquid level detection unit 164 that detects the level of the cleaning liquid in the drain tank 161.
  • a drainage pump 165 is provided in the drainage pipe 162. The drainage pump 165 flows the drainage stored in the drain tank 161 downstream of the valve 163.
  • the operation of the drainage pump 165 may be controlled according to the type of exhaust gas introduced into the gas processing apparatus 100.
  • the exhaust gas contains easily volatile components such as IPA
  • the drainage pump 165 is not operated continuously, and the drainage pump 165 is operated when the concentration of the chemical component in the drainage exceeds a certain level. You may make it make it.
  • the gas processing apparatus 100 includes a first concentration detection unit 141 and a second concentration detection unit 151.
  • the first concentration detection unit 141 is provided in the gas introduction unit 140 and detects the concentration of the target component contained in the exhaust gas before being supplied to the internal space S by the gas introduction unit 140.
  • the second concentration detection unit 151 detects the concentration of the target component contained in the exhaust gas after being discharged from the internal space S by the gas discharge unit 150.
  • the detection results by the first concentration detection unit 141, the second concentration detection unit 151, and the liquid level detection unit 164 are output to the control unit 18.
  • the supply device group 132 and the valve 163 are controlled by the control unit 18.
  • the control unit 18 opens the valve 163. As a result, the used cleaning liquid stored in the drain tank 161 is discharged to the outside through the drain pipe 162.
  • the control unit 18 controls the supply device group 132 based on the detection results of the first concentration detection unit 141 and the second concentration detection unit 151, thereby supplying the storage space R of the frame body 170 from the liquid supply unit 130.
  • a flow rate adjusting process for adjusting the flow rate of the cleaning liquid to be performed is performed. The contents of the flow rate adjustment process will be described later.
  • the gas treatment apparatus 100 is configured as described above, and the exhaust gas introduced from the gas introduction unit 140 into the internal space S of the housing 110 passes through the gap between the nonwoven fabric 120 and the housing 110 from one end side to the other end of the housing 110. It flows toward the side.
  • a liquid film L of the cleaning liquid is formed on the other surface facing the internal space S of the nonwoven fabric 120. Therefore, the exhaust gas contacts the liquid film L of the cleaning liquid while passing through the gap between the nonwoven fabric 120 and the housing 110.
  • the target component contained in the exhaust gas is adsorbed by the cleaning liquid. Thereby, the target component is removed from the exhaust gas.
  • the exhaust gas from which the target component has been removed is discharged from the internal space S to the downstream exhaust pipe 54b (see FIG. 2) by the gas discharge unit 150.
  • the cleaning liquid that has adsorbed the target component flows down the other surface of the nonwoven fabric 120 and is collected in the liquid collecting unit 115, and then is discharged from the internal space S to the drain tank 161 by the liquid discharging unit 160.
  • the gas processing apparatus 100 forms the liquid film L of the cleaning liquid on the surface of the lyophilic non-woven fabric 120, and makes the liquid film L contact the exhaust gas.
  • the target component was removed.
  • the cleaning liquid forming the liquid film L tends to stay in place, so that the cleaning liquid is held in the internal space S for a longer time compared to the scrubber that sprays the cleaning liquid continuously from above. I can keep it. Therefore, according to the gas processing apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment, the usage-amount of a washing
  • the casing 110 is disposed in an inclined state at an angle larger than 0 degrees and smaller than 90 degrees, so that the cleaning liquid is allowed to penetrate the nonwoven fabric 120. Therefore, the pressure applied from the liquid supply unit 130 can be kept small.
  • the cleaning liquid that has adsorbed the target component flows down on the surface of the nonwoven fabric 120. Therefore, compared with the case where the housing
  • FIG. 5 is a flowchart showing the flow rate adjustment process.
  • the control unit 18 determines whether the concentration detected by the second concentration detection unit 151, that is, the concentration of the target component contained in the exhaust gas flowing through the gas discharge unit 150 exceeds a predetermined upper limit value. Is determined (step S101). And when it determines with the detection density
  • the pressure applied to the storage space R increases, so that the used cleaning liquid that has adsorbed the target component is fresher in a shorter period of time. It will be replaced with a new cleaning solution.
  • suction efficiency of the target component by the liquid film L increases, and the density
  • Step S101 when the detected concentration by the second concentration detection unit 151 does not exceed the predetermined upper limit value in Step S101 (Step S101, No), the control unit 18 determines that the detected concentration by the second concentration detection unit 151 is It is determined whether or not the value is below a predetermined lower limit value (step S103). And when it determines with the detection density
  • step S103 When the processing of steps S102 and S104 is completed, or when the detection density by the second density detection unit 151 is not less than a predetermined lower limit value in step S103 (No in step S103), the control unit 18 performs processing. Is returned to step S101, and the processing of steps S101 to S104 is repeated.
  • the concentration detected by the second concentration detector 151 falls below a predetermined lower limit value, the target component is removed more than necessary from the exhaust gas.
  • the flow rate of the cleaning liquid may be reduced to lower the adsorption efficiency of the target component by the liquid film L. In this way, excessive use of the cleaning liquid can be suppressed.
  • the flow rate is adjusted based on the detection result of the second concentration detection unit 151, but the control unit 18 adjusts the flow rate of steps S101 to S104 based on the detection result of the first concentration detection unit 141. Processing may be performed. Further, the flow rate adjustment processing in steps S101 to S104 by the control unit 18 is performed by a third concentration detection unit (not shown) that detects the concentration of the target component contained in the exhaust gas passing through the internal space S of the housing 110. Based on the above, the flow rate adjustment processing in steps S101 to S104 may be performed.
  • the gas processing apparatus 100 includes the casing 110, the lyophilic nonwoven fabric 120, the liquid supply unit 130, the gas introduction unit 140, and the gas discharge unit 150.
  • the housing 110 has an internal space S.
  • the lyophilic nonwoven fabric 120 is disposed in the internal space S.
  • the liquid supply unit 130 supplies a cleaning liquid to the nonwoven fabric 120.
  • the gas introduction unit 140 introduces exhaust gas into the internal space S.
  • the gas discharge unit 150 discharges exhaust gas from the internal space S.
  • the gas treatment apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment makes the waste gas introduce
  • the gas processing apparatus 100 includes a frame 170 that holds the nonwoven fabric 120 in a flat plate shape and has a storage space R that communicates with the internal space S via the held nonwoven fabric 120. . Further, the liquid supply unit 130 supplies the cleaning liquid to one plate surface of the nonwoven fabric 120 by supplying the cleaning liquid to the storage space R. And the gas introduction part 140 makes exhaust gas contact the liquid film L of the washing
  • the amount of the cleaning liquid used can be reduced.
  • the substrate processing system 1 includes a processing unit 16 (an example of a processing unit), an exhaust pipe 54 (an example of an exhaust path), and a gas processing apparatus 100.
  • the processing unit 16 processes the wafer W (an example of a substrate) using a processing fluid (an example of a chemical).
  • a processing fluid an example of a chemical
  • exhaust gas an example of gas
  • the gas processing apparatus 100 is provided in the exhaust pipe 54 and removes the target component contained in the exhaust gas flowing through the exhaust pipe 54 from the exhaust gas.
  • clean exhaust gas from which the target component has been removed can be discharged to the outside of the substrate processing system 1.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus according to the second embodiment.
  • the flow of the exhaust gas is indicated by a broken line arrow
  • the flow of the cleaning liquid is indicated by a solid line arrow.
  • the gas processing device 100A includes a housing 110A, a plurality (here, five) of lyophilic nonwoven fabric 120A, a plurality of liquid supply units 130A, 140 A of gas introduction parts, 150 A of gas discharge parts, 160 A of liquid discharge parts, and the frame 170A are provided.
  • the housing 110A and the internal space SA of the housing 110A have a rectangular parallelepiped shape, and are arranged in the substrate processing system 1 with one end of the housing 110A facing downward and the other end facing upward.
  • the gas introduction unit 140A is connected to one end of the housing 110A, that is, the lower portion of the housing 110A, and introduces exhaust gas flowing through the upstream exhaust pipe 54a (see FIG. 2) into the internal space SA of the housing 110A.
  • the gas exhaust unit 150A is connected to the other end of the housing 110A, that is, the upper portion of the housing 110A, and exhausts exhaust gas that has passed through the internal space SA of the housing 110A from the housing 110A to discharge the downstream exhaust pipe 54b ( (See FIG. 2). Thereby, in the internal space SA, a flow of exhaust gas from the lower part to the upper part of the internal space SA is formed.
  • the same material as the nonwoven fabric 120 according to the first embodiment described above and formed thinner than the nonwoven fabric 120 is used.
  • the frame body 170A holds the plurality of non-woven fabrics 120A in a flat plate shape with a gap therebetween.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a frame 170A according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic enlarged view of the frame body 170A and a plurality of nonwoven fabrics 120A held by the frame body 170A.
  • the frame body 170 ⁇ / b> A includes a plurality of (here, ten) spacers 171 and two side plates 172.
  • the plurality of spacers 171 are long plate-like members formed thicker than the nonwoven fabric 120A, and are formed of, for example, resin.
  • the plurality of spacers 171 are attached to the left and right sides of each nonwoven fabric 120A formed in a rectangular shape, for example, by ultrasonic welding.
  • the two side plates 172 are flat plates having substantially the same shape as the non-woven fabric 120A, and are formed of, for example, resin.
  • the plurality of non-woven fabrics 120 ⁇ / b> A having spacers 171 attached to both left and right sides are overlapped with each other and further sandwiched and fixed by two side plates 172.
  • 170 A of frame bodies will be in the state which hold
  • each nonwoven fabric 120A is hold
  • the interval between the nonwoven fabrics 120A is, for example, 1 to 10 mm, and can be adjusted as appropriate depending on the thickness of the spacer 171.
  • the plurality of nonwoven fabrics 120A extend from one end side of the internal space SA along the other end side. Therefore, the gaps between the plurality of nonwoven fabrics 120A extend from one end side to the other end side of the internal space SA, that is, along the vertical direction.
  • the plurality of liquid supply units 130A are arranged above the plurality of nonwoven fabrics 120A held by the frame 170A. Specifically, the plurality of liquid supply units 130A are attached to the top plate 111 of the housing 110A (see FIG. 6).
  • the plurality of liquid supply units 130A have a nozzle 135 at the tip, and spray the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 133 from the nozzle 135 toward the lower nonwoven fabric 120A.
  • the cleaning liquid is supplied to the plurality of nonwoven fabrics 120A, and a liquid film of the cleaning liquid is formed on both plate surfaces of each nonwoven fabric 120A.
  • the liquid discharger 160A is provided at the bottom of the housing 110A, and discharges the cleaning liquid accumulated at the bottom of the housing 110A to the drain tank 161.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a plurality of nonwoven fabrics 120A and side plates 172. As shown in FIG. 9, a liquid film L of the cleaning liquid is formed on both plate surfaces of each nonwoven fabric 120A.
  • the exhaust gas introduced into the internal space SA from the gas introduction part 140A passes through the gap between the nonwoven fabric 120A and the gap between the nonwoven fabric 120A and the side plate 172 from one end side to the other end side of the internal space SA, that is, from below to above. Flowing. During this time, the exhaust gas and the liquid film L come into contact with each other, and the target component is removed from the exhaust gas.
  • the exhaust gas from which the target component has been removed is discharged from the internal space SA to the downstream exhaust pipe 54b (see FIG. 2) by the gas discharge unit 150A.
  • the cleaning liquid that has adsorbed the target component falls to the bottom of the housing 110A and is discharged from the internal space SA to the drain tank 161 by the liquid discharger 160A.
  • FIG. 10 is a schematic enlarged view of a portion H shown in FIG.
  • a plurality of protrusions 173 that protrude toward the surface facing the nonwoven fabric 120 ⁇ / b> A may be provided on the surface of the side plate 172 facing the nonwoven fabric 120 ⁇ / b> A.
  • the plurality of protrusions 173 are arranged side by side along the other end side from one end side of the housing 110A.
  • the gap between the side plate 172 and the nonwoven fabric 120A is partially narrowed.
  • the quantity of the exhaust gas which passes through the clearance gap between the side plate 172 and the nonwoven fabric 120A can be reduced without contacting the liquid film L of the cleaning liquid. Therefore, the adsorption efficiency of the target component by the liquid film L can be increased.
  • the some protrusion 173 may be provided in the opposing surface with the nonwoven fabric 120 in the housing
  • the gas processing apparatus 100A includes the frame 170A.
  • the housing 110A is arranged with the other end of the internal space SA facing upward, and the liquid supply unit 130A supplies the cleaning liquid from above the plurality of nonwoven fabrics 120A toward the plurality of nonwoven fabrics 120A.
  • the gas processing apparatus 100A according to the second embodiment forms a liquid film L of the cleaning liquid on the plate surface of the nonwoven fabric 120A, and contacts the exhaust gas with the liquid film L. Let Therefore, according to the gas processing apparatus 100A according to the second embodiment, the amount of the cleaning liquid used can be reduced.
  • the structure provided with one nonwoven fabric 120A may be sufficient as 100 A of gas processing apparatuses.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 12 is a figure which shows the shape and arrangement
  • the gas processing apparatus 100B includes a housing 110B, a plurality of lyophilic nonwoven fabrics 120B, a plurality of liquid supply units 130B, a gas introduction unit 140B, and a gas A discharge unit 150B and a liquid discharge unit 160B are provided.
  • the housing 110B and the internal space SB of the housing 110B have a cylindrical shape, and are disposed in the substrate processing system 1 with one end of the housing 110B facing downward and the other end facing upward.
  • the gas introduction unit 140B is connected to one end of the housing 110B, that is, the lower portion of the housing 110B, and introduces exhaust gas flowing through the upstream exhaust pipe 54a (see FIG. 2) into the internal space SB of the housing 110B.
  • the gas exhaust unit 150B is connected to the other end of the housing 110B, that is, the upper portion of the housing 110B, and exhausts the exhaust gas that has passed through the internal space SB of the housing 110B from the housing 110B. (See FIG. 2). Thereby, in the internal space SB, a flow of exhaust gas from the lower part to the upper part of the internal space SB is formed.
  • Each of the plurality of nonwoven fabrics 120B according to the third embodiment has a bellows shape.
  • the nonwoven fabric 120B has a bellows shape in which mountain folds 121 and valley folds 122 are alternately arranged on the circumference along the circumferential direction of the internal space SB having a columnar shape. Have. And the some nonwoven fabric 120B is arrange
  • the plurality of nonwoven fabrics 120B extend from one end side to the other end side of the internal space SB. Accordingly, the gaps between the plurality of nonwoven fabrics 120B extend from one end side to the other end side of the internal space SB, that is, along the vertical direction.
  • the liquid supply unit 130B is disposed above the plurality of nonwoven fabrics 120B.
  • the liquid supply unit 130B has a nozzle 135 at the tip, and sprays the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 133 from the nozzle 135 toward the nonwoven fabric 120B below.
  • the cleaning liquid is supplied to the plurality of non-woven fabrics 120B, and the liquid film L of the cleaning liquid is formed on both plate surfaces of each non-woven fabric 120B.
  • the liquid discharger 160B is provided at the bottom of the housing 110B, and discharges the cleaning liquid accumulated at the bottom of the housing 110B to the drain tank 161.
  • the nonwoven fabric 120B according to the third embodiment has a bellows shape, the surface area can be increased as compared with a nonwoven fabric not having a bellows shape, so that the gas processing device 100B can be downsized.
  • the nonwoven fabric 120B can be made independent by making the shape of the nonwoven fabric 120B into the bellows shape in which the mountain fold part 121 and the valley fold part 122 are alternately arranged on the circumference. Therefore, the shape of the nonwoven fabric 120B can be maintained without using a frame.
  • the structure provided with one nonwoven fabric 120B may be sufficient as the gas processing apparatus 100B.
  • FIG. 13A is a diagram illustrating a configuration of an exhaust path of the processing unit 16 according to the fourth embodiment.
  • the substrate processing system 1C includes an exhaust pipe 54C.
  • the exhaust pipe 54C is connected to the exhaust port 53 of the processing unit 16, and the gas processing device 100 is provided in the middle.
  • the substrate processing system 1 ⁇ / b> C may include a gas processing apparatus 100 ⁇ / b> A or a gas processing apparatus 100 ⁇ / b> B instead of the gas processing apparatus 100.
  • the exhaust pipe 54C is located on the upstream side of the gas processing apparatus 100, is located on the downstream side of the gas processing apparatus 100, and is connected to the upstream side exhaust pipe 54Ca that connects the exhaust port 53 and the gas processing apparatus 100.
  • downstream side exhaust pipe 54Cb has a branch pipe 54Cc, and this branch pipe 54Cc is connected to a midway portion of the air supply pipe 22C.
  • the exhaust path of the processing unit 16 according to the fourth embodiment is configured as described above, and the clean exhaust gas from which the target component has been removed by the gas processing apparatus 100 passes through the branch pipe 54Cc from the downstream exhaust pipe 54Cb. Supplied to the air supply pipe 22C. Further, the exhaust gas supplied to the air supply pipe 22 ⁇ / b> C is mixed with fresh gas supplied from the gas supply source 23 and supplied again from the FFU 21 into the chamber 20.
  • the supply pipe 22C is provided with a temperature / humidity adjustment unit 25 that adjusts the temperature and humidity of the gas flowing through the supply pipe 22C.
  • the exhaust pipe 54 ⁇ / b> C that is the exhaust path of the processing unit 16 has a part of the circulation path that returns the exhaust gas discharged from the processing unit 16 to the processing unit 16.
  • the gas processing apparatus 100 is configured in the exhaust pipe 54C.
  • the clean exhaust gas from which the target component has been removed by the gas processing apparatus 100 can be reused, so that the amount of gas used in the processing unit 16 is reduced. can do.
  • the conventional scrubber has been installed separately from the substrate processing apparatus, and further away from the substrate processing apparatus such as the rooftop. For this reason, if clean exhaust gas discharged from the scrubber is to be supplied again to the substrate processing apparatus, there is a problem that the piping distance becomes long.
  • the substrate processing system 1C according to the fourth embodiment since the gas processing apparatus 100 is provided inside, the piping distance is shortened as compared with the case where the exhaust gas discharged from the conventional scrubber is reused. be able to.
  • the configuration of the exhaust path for returning a part of the exhaust gas discharged from the gas processing apparatus 100 into the chamber 20 and discharging the rest from the substrate processing system 1C is shown. All exhaust gas exhausted from the system may be returned to the chamber 20.
  • FIG. 13B is a diagram illustrating a configuration of an exhaust path of the processing unit 16 according to a modification example of the fourth embodiment.
  • the substrate processing system 1D includes an exhaust pipe 54D.
  • the exhaust pipe 54D is connected to the exhaust port 53 of the processing unit 16, and the gas processing device 100 is provided in the middle.
  • the substrate processing system 1D may be configured to include the gas processing apparatus 100A or the gas processing apparatus 100B instead of the gas processing apparatus 100.
  • the exhaust pipe 54D is located on the upstream side of the gas processing apparatus 100, and is located on the downstream side of the gas processing apparatus 100 and the upstream exhaust pipe 54Da that connects the exhaust port 53 and the gas processing apparatus 100.
  • a temperature / humidity adjustment unit 25 is provided in the downstream side exhaust pipe 54Db.
  • the substrate processing system 1D may include a circulation path for returning the gas discharged from the processing unit 16 to the processing unit 16 again, and the gas processing apparatus 100 may be provided in the circulation path.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus according to the fifth embodiment.
  • the flow of the exhaust gas is indicated by a broken line arrow
  • the flow of the cleaning liquid is indicated by a solid line arrow.
  • the gas treatment device 100E includes a housing 110E, a plurality (here, six) lyophilic nonwoven fabric 120E, a plurality of liquid supply units 130E, The gas introduction part 140E, the gas discharge part 150E, the liquid discharge part 160E, and the shelf 170E are provided.
  • the housing 110E and the internal space SE of the housing 110E have a rectangular parallelepiped shape, and are disposed in the substrate processing system 1 with one end of the housing 110E facing downward and the other end facing upward.
  • the gas introduction unit 140E is connected to one end of the housing 110E, that is, the lower portion of the housing 110E, and introduces exhaust gas flowing through the upstream exhaust pipe 54a (see FIG. 2) into the internal space SE of the housing 110E.
  • the gas exhaust unit 150E is connected to the other end of the housing 110E, that is, the upper portion of the housing 110E, and exhausts exhaust gas that has passed through the internal space SE of the housing 110E from the housing 110E to discharge the downstream exhaust pipe 54b (See FIG. 2). Thereby, in the internal space SE, a flow of exhaust gas from the lower part to the upper part of the internal space SE is formed.
  • nonwoven fabric 120E for example, the same material as the nonwoven fabric 120 according to the first embodiment described above and formed thinner than the nonwoven fabric 120 is used.
  • the shelf 170E holds a plurality of nonwoven fabrics 120E in a flat plate shape with a gap therebetween.
  • FIG. 15A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a shelf 170E according to the fifth embodiment.
  • FIG. 15B is a schematic enlarged view of the plurality of nonwoven fabrics 120E held on the shelf 170E and the shelf 170E.
  • the gas introduction part 140E and the gas discharge part 150E are omitted.
  • the shelf 170E includes a plurality (here, six) of shelf plates 1501.
  • a plurality of intermediate liquid supply units 1502 and a liquid circulation unit 1503 are provided inside and outside the shelf 170E.
  • the plurality of shelf boards 1501 are flat plates that are integrated with the housing 110E and formed of the same material.
  • One nonwoven fabric 120E is attached to the top surface of each shelf board portion 1501.
  • the shelf parts 1501 with the nonwoven fabric 120E attached to the upper surface are overlapped with each other and fixed to the casing 110E. Thereby, the shelf 170E will be in the state hold
  • interval between each nonwoven fabric 120E is 100 mm, for example, and can be adjusted suitably.
  • the plurality of shelf parts 1501 extend horizontally from one end side to the other end side of the internal space SE. Of the end portions of each shelf plate portion 1501, one is in contact with the inner wall of the housing 110E, and the other has a gap with the inner wall of the housing 110E. This gap is an opening 1504 for allowing the cleaning liquid and gas supplied to the housing 110E to pass therethrough.
  • the cleaning liquid supplied to the casing 110E can pass downward through the openings 1504 on the same plane as the respective shelf portions 1501, and the gas supplied to the casing 110E opens the openings 1504. It is possible to pass upwards through.
  • the plurality of liquid supply units 130E are arranged above the uppermost shelf unit among the plurality of shelf units 1501 constituting the shelf 170E. Specifically, the plurality of liquid supply units 130E are attached to the top plate 111 of the housing 110E (see FIG. 15A).
  • the plurality of liquid supply units 130E have nozzles at their tips, and spray the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 133 toward the nonwoven fabric 120E below. As a result, the cleaning liquid is supplied to the uppermost nonwoven fabric 120E.
  • a wall 1505 is provided at the end of the shelf 1501 on the opening 1504 side. Therefore, the cleaning liquid supplied to the non-woven fabric 120E forms a liquid pool L on the shelf board portion 1501, and then overflows and falls. As a result, the cleaning liquid is supplied to the lower shelf 1501.
  • the processing liquid supplied to the lower shelf 1501 is similarly supplied to the lower shelf 1501 after forming a liquid pool L. After repeating the above processing, the processing liquid flows to the bottom of the housing 110E. Then, the cleaning liquid accumulated at the bottom of the housing 110E is discharged from the liquid discharger 160E to the drain tank 161.
  • a puddle L of cleaning liquid is formed on the surface of each nonwoven fabric 120E.
  • the exhaust gas introduced into the internal space SE from the gas introduction part 140E flows from the lowermost stage side to the uppermost stage side of the shelf board part 1501, that is, from the lower side to the upper side.
  • the exhaust gas and the liquid pool L come into contact with each other at the shelf portion 1501 of each stage, and the target component is removed from the exhaust gas.
  • the exhaust gas from which the target component has been removed is discharged from the internal space SE to the downstream exhaust pipe 54b (see FIG. 2) by the gas discharge unit 150E.
  • the cleaning liquid that has adsorbed the target component falls to the bottom of the housing 110E, and is discharged from the internal space SE to the drain tank 161 by the liquid discharger 160E.
  • the cleaning liquid once dropped and stored on the bottom of the housing 110E is returned to the intermediate liquid supply section 1502 using the liquid circulation section 1503.
  • the liquid circulation unit 1503 includes a discharge-side circulation liquid pipe 1506, a pump 1507, and a supply-side circulation liquid pipe 1508.
  • the discharge-side circulating fluid pipe 1506 is in contact with the cleaning liquid stored at the bottom of the housing 110E, and the pump 1507 pulls up the cleaning liquid via the discharge-side circulating liquid pipe 1506 and pumps it toward the supply-side circulating fluid pipe 1508.
  • half of the cleaning liquid supplied to the housing 110E is circulated using the liquid circulation unit 1503.
  • the plurality of intermediate liquid supply units 1502 are provided above the middle level (here, the fourth level from the top) of the plurality of shelf units 1501, and the fourth level shelf is the same as the plurality of liquid supply units 130E.
  • the cleaning liquid circulated toward the plate part 1501 is supplied. By providing the circulation line in this way, the exclusion efficiency can be improved.
  • the gas processing device 100E includes the shelf 170E.
  • the shelf 170E holds the plurality of shelf boards 1501 in a state where they are spaced apart from each other in the vertical direction.
  • the liquid supply unit 130E supplies the cleaning liquid from above the uppermost shelf unit 1501 toward the nonwoven fabric 120E.
  • the gas processing apparatus 100E according to the fifth embodiment forms a liquid pool L of the cleaning liquid on the plate surface of the nonwoven fabric 120E, and contacts the exhaust gas with the liquid pool L. Let Therefore, according to the gas processing apparatus 100E which concerns on 5th Embodiment, the usage-amount of a washing
  • the first concentration detector 141 is provided in the gas inlet 140E
  • the second concentration detector 151 is provided in the gas outlet 150E
  • the first concentration detector It is also possible to control the flow rate of the cleaning liquid supplied from the liquid supply unit 130E to the non-woven fabric 120E based on the detection results of the 141 and the second concentration detection unit 151.
  • the gas processing apparatus 100E according to the fifth embodiment does not necessarily include the nonwoven fabric 120E. That is, according to the gas processing apparatus 100E according to the fifth embodiment, by forming the liquid pool L of the cleaning liquid on the shelf 1501 and bringing the exhaust gas into contact with the formed liquid pool L, the acid component from the exhaust gas, It is possible to remove a target component containing at least one of an alkali component and an organic component.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration of an exhaust path of the processing unit 16 according to the sixth embodiment.
  • the substrate processing system 1F includes a plurality of exhaust pipes 54F.
  • One end of the plurality of exhaust pipes 54 ⁇ / b> F is connected to the exhaust ports 53 of the plurality of processing units 16, and the other end is connected to the collective exhaust pipe 55.
  • the collective exhaust pipe 55 is a pipe having a larger diameter than the exhaust pipe 54F, and a gas processing device 100F is provided in the middle. Specifically, the collective exhaust pipe 55 is located on the upstream side of the gas processing apparatus 100F, the upstream collective exhaust pipe 55a connected to the plurality of exhaust pipes 54F, and the downstream side of the gas processing apparatus 100F. And a downstream side collective exhaust pipe 55b for discharging the exhaust gas discharged from the gas processing apparatus 100F to the outside of the substrate processing system 1F.
  • the contact time between the exhaust gas and the cleaning liquid is shortened, and the removal efficiency of the target component may be reduced. Therefore, it is conceivable to increase the volume of the gas processing device to reduce the flow rate of the exhaust gas.
  • the volume of the gas processing device is increased, there is a problem that the gas processing device is enlarged.
  • the gas processing apparatus connected to the collective exhaust pipe needs to process a large amount of exhaust gas as compared with the gas processing apparatus connected to each exhaust pipe, so the problem of upsizing of the gas processing apparatus is remarkable. It becomes.
  • the gas processing apparatus 100F by providing an impeller that rotates by the flow of exhaust gas, supplying the cleaning liquid to the impeller, and forming a liquid film of the cleaning liquid by rotating the impeller, The target component was removed from the exhaust gas by bringing the exhaust gas into contact with the cleaning liquid.
  • the rotation speed of the impeller increases as the exhaust gas flow rate increases. Therefore, as the flow rate of the exhaust gas increases, the exhaust gas and the cleaning liquid are more stirred by the rotation of the impeller. That is, the exhaust gas and the cleaning liquid come into contact with each other more frequently for a longer time. Therefore, according to the gas processing apparatus 100F which concerns on 6th Embodiment, the fall of the removal efficiency accompanying the increase in the flow velocity of waste gas can be suppressed.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration of a gas processing apparatus 100F according to the sixth embodiment.
  • the gas processing apparatus 100F includes a casing 110F having an internal space SF, a gas introduction unit 140F, a gas discharge unit 150F, and a liquid discharge unit 160F.
  • the housing 110F has, for example, a rectangular parallelepiped shape whose longitudinal direction is the horizontal direction.
  • the gas introduction part 140F and the gas discharge part 150F have, for example, a cylindrical shape with both ends open, and in a state in which both ends are directed vertically, that is, in a state in which the central axis extends in the vertical direction. It is provided on the upper surface of 110F.
  • the gas introduction part 140F connects the upstream side collective exhaust pipe 55a (see FIG. 16) of the collective exhaust pipe 55 and the housing 110F, and the exhaust gas flowing through the upstream side collective exhaust pipe 55a enters the internal space SF of the housing 110F.
  • the gas discharge unit 150F connects the downstream side collective exhaust pipe 55b (see FIG. 16) of the collective exhaust pipe 55 and the casing 110F, and exhaust gas that has passed through the internal space SF of the casing 110F from the casing 110F. It is discharged and sent to the downstream side collective exhaust pipe 55b.
  • a mist separator 155 that removes moisture from the exhaust gas is provided inside the gas discharge unit 150F.
  • the liquid discharger 160F communicates with the internal space SF and discharges the cleaning liquid collected in the internal space SF from the internal space SF.
  • the gas treatment apparatus 100F further includes a support column 180, a liquid supply unit 190, and a plurality (three in this case) of impellers 201 to 203.
  • the support column 180 is a member extending in the vertical direction, and rotatably supports the plurality of impellers 201 to 203.
  • the liquid supply unit 190 supplies the cleaning liquid to the plurality of impellers 201 to 203 via the column unit 180.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating the configuration of the support column 180 and the liquid supply unit 190.
  • the column portion 180 includes a cylindrical first column member 181 disposed on the innermost side, and a cylinder disposed concentrically with the first column member 181 outside the first column member 181. And a cylindrical third column member 183 disposed concentrically with the second column member 182 outside the second column member 182.
  • the base ends of the support members 181 to 183 are fixed to the bottom surface of the internal space SF. Further, the tip end portions of the support members 181 to 183 reach the inside of the gas introduction portion 140F. Inside the gas introduction part 140F, the distal end portion of the first strut member 181 is disposed at a position higher than the distal end portion of the second strut member 182, and the distal end portion of the second strut member 182 is disposed on the third strut member 183. It arrange
  • a first supply path 181a is formed inside the first support column member 181, and a first discharge port 181b communicating with the first supply path 181a is formed at the tip of the first support column member 181.
  • the first support member 181 and the second support member 182 are spaced apart from each other, and the second support member 182 includes an outer peripheral surface of the first support member 181 and the second support member 182.
  • a second supply path 182a is formed by the inner peripheral surface, and a second discharge port 182b communicating with the second supply path 182a is formed at the tip of the second support column member 182.
  • the second support member 182 and the third support member 183 are spaced apart from each other.
  • the third support member 183 has an outer peripheral surface of the second support member 182 and the third support member 183.
  • a third supply path 183a is formed by the inner peripheral surface, and a third discharge port 183b communicating with the third supply path 183a is formed at the tip of the third support column member 183.
  • the liquid supply unit 190 includes a cleaning liquid supply source 191, a supply pipe 192, and a supply device group 193.
  • the cleaning liquid supply source 191 supplies, for example, pure water as the cleaning liquid.
  • One end of the supply pipe 192 is connected to the cleaning liquid supply source 191.
  • the other end of the supply pipe 192 is branched into a plurality of parts and connected to the first supply path 181a, the second supply path 182a, and the third supply path 183a, respectively.
  • the supply device group 193 includes, for example, an open / close valve that opens and closes the supply pipe 192, a mass flow controller, and the like.
  • the liquid supply unit 190 is configured as described above, and the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 191 is supplied to the first supply path 181a, the second supply path 182a, and the third supply path 183a via the supply pipe 192, respectively. Supplied.
  • the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source 191 is not limited to pure water, and may be appropriately selected according to the type of the target component.
  • the plurality of impellers 201 to 203 are disposed inside the gas introduction unit 140F and are rotatably supported by the column unit 180.
  • the plurality of impellers 201 to 203 are rotated by the flow of the exhaust gas flowing through the gas introduction unit 140F regardless of the drive source such as a motor.
  • FIG. 19 is a diagram showing a configuration of a plurality of impellers 201 to 203. As shown in FIG.
  • the plurality of impellers 201 to 203 are arranged in the order of the impeller 201, the impeller 202, and the impeller 203 from above.
  • the impeller 201 is supported by the first support member 181.
  • the impeller 201 includes a main body 211 that is rotatably supported by the first support member 181 via a bearing such as a bearing, and a plurality (four in this case) of blades 212 that are attached to the main body 211.
  • a bearing such as a bearing
  • the impeller 202 is supported by the second support member 182.
  • the impeller 202 includes a main body portion 221 that is rotatably supported by the second support member 182 via a bearing such as a bearing, and a plurality of (here, eight) blades 222 that are attached to the main body portion 221.
  • a bearing such as a bearing
  • a plurality of (here, eight) blades 222 that are attached to the main body portion 221.
  • the impeller 203 is supported by the third support member 183.
  • the impeller 203 includes a main body 231 that is rotatably supported by the third support member 183 via a bearing such as a bearing, and a plurality (four in this case) of blades 232 that are attached to the main body 231.
  • a bearing such as a bearing
  • the main body parts 211, 221, and 231 of the impellers 201 to 203 each have a dome-shaped upper part that protrudes upward, and a cylindrical lower part to which a plurality of blades 212, 222, and 232 are attached.
  • the upper ends of the upper portions of the main body portions 211, 211, and 231 are disposed at the same height position as or lower than the first discharge port 181b, the second discharge port 182b, and the third discharge port 183b, respectively.
  • the cleaning liquid discharged from the first discharge port 181b, the second discharge port 182b, and the third discharge port 183b flows downward along the upper portions of the main body portions 211, 221, and 231 and is rotated by the rotating blades 212, 222, and 232, respectively. It is scattered around.
  • the blades 212 and 232 of the impeller 201 and the impeller 203 are attached at a pitch angle that rotates the impeller 201 and the impeller 203 in the first rotation direction.
  • the blades 222 of the impeller 202 are attached at a pitch angle that rotates the impeller 202 in a second rotation direction opposite to the first rotation direction.
  • the number of blades 222 in the impeller 202 (here, 8) is larger than the number of blades 212 and 232 in the other impellers 201 and 203 (here, 4). Therefore, the impeller 202 rotates at a different rotational speed from the other impellers 201 and 203. Specifically, since an impeller with a larger number of blades rotates at a lower speed, the impeller 202 rotates at a lower speed than the other impellers 201 and 203.
  • FIG. 20 is an explanatory diagram of the operation of the gas processing apparatus 100F.
  • the plurality of impellers 201 to 203 arranged inside the gas introduction part 140F are rotated by the flow of the exhaust gas.
  • the impellers 201 to 203 are supplied with the cleaning liquid from the liquid supply unit 190.
  • the cleaning liquid is scattered around the impellers 201 to 203, and the cleaning liquid is scattered around the impellers 201 to 203.
  • a liquid film is formed.
  • the exhaust gas passes through the inside of the gas inlet 140F, it comes into contact with the liquid film of the cleaning liquid. Thereby, the target component contained in the exhaust gas is adsorbed by the cleaning liquid, and the target component is removed from the exhaust gas.
  • the exhaust gas from which the target component has been removed is discharged from the internal space SF of the housing 110F through the gas discharge portion 150F to the downstream side collective exhaust pipe 55b.
  • the cleaning liquid that has adsorbed the target component falls into the internal space SF of the housing 110F, is stored in the internal space SF, and is discharged from the liquid discharger 160F to the outside of the internal space SF.
  • the plurality of impellers 201 to 203 are rotated by the flow of the exhaust gas flowing through the gas introduction unit 140F regardless of the driving source such as a motor. For this reason, the higher the exhaust gas flow rate, the faster the impellers 201 to 203 rotate, and the exhaust gas and the cleaning liquid are further agitated. In other words, since the exhaust gas and the cleaning liquid come into contact with each other more frequently for a longer time, even when the flow rate of the exhaust gas becomes faster, the decrease in the contact time and the contact frequency between the exhaust gas and the cleaning liquid is suppressed. Can do.
  • the gas processing apparatus 100F according to the sixth embodiment includes the housing 110F having the internal space SF, the gas introduction unit 140F that introduces the exhaust gas into the internal space SF, and the gas that exhausts the exhaust gas from the internal space SF.
  • the gas processing apparatus 100F according to the sixth embodiment is arranged inside the gas introduction part 140F, and a plurality of impellers 201 to 203 rotated by the exhaust gas flowing through the gas introduction part 140F, and a plurality of impellers 201 to 203 is provided with a liquid supply unit 190 for supplying a cleaning liquid. Therefore, according to the gas processing apparatus 100F which concerns on 6th Embodiment, the fall of the removal efficiency in case the flow velocity of waste gas is quick can be suppressed, suppressing the enlargement of an apparatus.
  • the plurality of impellers 201 to 203 includes the impellers 201 and 203 that rotate in the first rotation direction by the flow of the exhaust gas, and the first impeller 201 and 203 that rotate by the exhaust gas flow. And an impeller 202 that rotates in a second rotation direction opposite to the rotation direction.
  • the plurality of impellers 201 to 203 rotate at a speed different from the first rotational speed, with the impellers 201 and 203 rotating at the first rotational speed.
  • the rotational speed of the impeller 202 is made different from the rotational speeds of the other impellers 201 and 203 by changing the number of blades.
  • the main body 221 and the second support member 182 are different.
  • the rotational speed of the impeller 202 and the rotational speed of the other impellers 201 and 203 can be made different from the resistance of the other main body portions 211 and 231 and the support members 181 and 183. Good.
  • the liquid supply unit 190 supplies the cleaning liquid to each of the plurality of impellers 201 to 203.
  • the gas treatment device 100F is arranged concentrically with the first support member 181 on the outer side of the first support member 181 and the first support member 181 that rotatably supports the impeller 201 at the tip.
  • the second support member 182 that rotatably supports the impeller 202 at the tip portion positioned below the impeller 201, and the second support member 182 are arranged concentrically on the outer side of the second support member 182;
  • a third support member 183 that rotatably supports the impeller 203 at a tip portion located below the impeller 202.
  • the liquid supply unit 190 supplies the cleaning liquid to the impeller 201 from the first discharge port 181b provided at the distal end portion of the first column member 181 through the first supply path 181a formed inside the first column member 181.
  • the liquid supply unit 190 is a second discharge port provided at the tip of the second column member 182 via a second supply path 182a formed between the first column member 181 and the second column member 182.
  • the cleaning liquid is supplied from 182b to the impeller 202.
  • the liquid supply unit 190 has a third discharge port provided at the tip of the third column member 183 through a third supply path 183a formed between the second column member 182 and the third column member 183.
  • the cleaning liquid is supplied from 183b to the impeller 203.
  • fresh cleaning liquid can be supplied to each of the plurality of impellers 201 to 203. Accordingly, for example, when the cleaning liquid is supplied only to the uppermost impeller 201, that is, the other impellers 202 and 203 are compared with the case where the cleaning liquid falling from the impeller 201 is supplied. Thus, the removal efficiency can be improved.
  • the gas processing apparatus 100F includes a liquid discharge unit 160F that communicates with the internal space SF and discharges the cleaning liquid collected in the internal space SF from the internal space SF, and the gas introduction unit 140F extends in the vertical direction.
  • the internal space SF of the housing 110F is disposed below the gas introduction part 140F.
  • the cleaning liquid that has adsorbed the target component can be dropped into the internal space SF by gravity. Further, since the exhaust gas flows from the upper side to the lower side through the gas introduction part 140F, the falling of the cleaning liquid is not hindered. Therefore, the cleaning liquid that has adsorbed the target component can be quickly discharged from the internal space SF.
  • the blades 212, 222, and 232 included in the plurality of impellers 201 to 203 may have water repellency. Accordingly, since the cleaning liquid that has adsorbed the target component is less likely to remain on the blades 212, 222, and 232, the cleaning liquid that has adsorbed the target component can be quickly discharged from the internal space SF.
  • the gas processing apparatus 100F is provided in the collective exhaust pipe 55.
  • the gas processing apparatus 100F is configured to exhaust the processing units 16 in the same manner as in the first to fifth embodiments.
  • One pipe 54, 54C and 54D may be provided.
  • the gas processing apparatus 100F includes the three impellers 201 to 203.
  • the number of impellers is not limited to three, but one or two impellers. Or four or more.
  • the number of blades 212, 222, and 232 and the pitch angle of each impeller 201 to 203 are not limited to the above example.
  • the plurality of impellers 201 to 203 are rotated by the flow of exhaust gas. For this reason, if the flow of exhaust gas is too fast, the plurality of impellers 201 to 203 may rotate at an unnecessarily high speed. Moreover, when the flow of exhaust gas is too slow, it may be difficult to rotate at a speed sufficient to form a liquid film.
  • the gas processing apparatus 100F may change the pitch angles of the plurality of blades 212, 222, and 232 in accordance with the rotational speeds of the plurality of impellers 201 to 203.
  • the gas processing apparatus 100F determines the rotational speed or rotational speed of the driving unit that drives the blades 212, 222, and 232, the first detector that detects the pitch angle of the blades 212, 222, and 232, and the impellers 201 to 203.
  • a second detector for detection is further provided.
  • a drive part, a 1st detector, a 2nd detector, etc. are provided in the inside of main-body parts 211, 221, 231, for example.
  • the control part 18 changes the pitch angle of the blade

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Abstract

実施形態に係る気体処理装置は、筐体と、親液性の不織布と、液供給部と、気体導入部と、気体排出部とを備える。筐体は、内部空間を有する。親液性の不織布は、内部空間に配置される。液供給部は、不織布に洗浄液を供給する。気体導入部は、内部空間に気体を導入する。気体排出部は、気体を内部空間から排出する。そして、実施形態に係る気体処理装置は、不織布の表面に形成された洗浄液の液膜に気体導入部から導入された気体を接触させる。

Description

気体処理装置および基板処理装置
　開示の実施形態は、気体処理装置および基板処理装置に関する。
　半導体の製造工程において排出される排ガスには、基板の処理に使用された薬品の成分、たとえば酸成分やアルカリ成分や有機成分が含まれている場合がある。
　薬品の成分を含んだ排ガスは、大気中に放出されることで環境や人体に影響を与えるおそれがある。そこで、半導体の製造工場には、排ガスから薬品成分を除外するスクラバと呼ばれる除去装置が設置される場合がある。
　スクラバは、洗浄液を噴霧するシャワーヘッドが上方に設けられた縦長の洗浄塔を有する。排ガスは、洗浄塔の内部に導入されて、シャワーヘッドから噴霧される洗浄液と接触する。これにより、排ガスに含まれる薬品成分が洗浄液に吸着され、排ガスから薬品成分が除去される。薬品成分が除去された排ガスは、洗浄塔から大気中へ放出され、薬品成分を吸着した水は、洗浄塔内の下部に設けられた貯留槽に貯留される。
特開平６－６３３３５号公報
　しかしながら、スクラバは、排ガスが洗浄塔内を通過する間、洗浄塔内に洗浄液を絶えず噴霧しておく必要があることから、多量の洗浄液を要する。このため、洗浄液の使用量を削減するという点で改善の余地がある。
　実施形態の一態様は、洗浄液の使用量を削減することができる気体処理装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
　実施形態の一態様に係る気体処理装置は、筐体と、親液性の不織布と、液供給部と、気体導入部と、気体排出部とを備える。筐体は、内部空間を有する。親液性の不織布は、内部空間に配置される。液供給部は、不織布に洗浄液を供給する。気体導入部は、内部空間に気体を導入する。気体排出部は、気体を内部空間から排出する。そして、実施形態の一態様に係る気体処理装置は、不織布の表面に形成された洗浄液の液膜に気体導入部から導入された気体を接触させる。
　実施形態の一態様によれば、洗浄液の使用量を削減することができる。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットおよび処理ユニットの排気経路の構成を示す図である。 図３は、第１の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。 図４は、筐体、不織布および枠体の概略構成を示す斜視図である。 図５は、流量調整処理の手順を示すフローチャートである。 図６は、第２の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。 図７は、第２の実施形態に係る枠体の構成を示す図である。 図８は、枠体および枠体に保持された複数の不織布の模式拡大図である。 図９は、複数の不織布および側板の模式的な断面図である。 図１０は、図９に示すＨ部の模式的な拡大図である。 図１１は、第３の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。 図１２は、第３の実施形態に係る複数の不織布の形状および配置を示す図である。 図１３Ａは、第４の実施形態に係る処理ユニットの排気経路の構成を示す図である。 図１３Ｂは、第４の実施形態における変形例に係る処理ユニットの排気経路の構成を示す図である。 図１４は、第５の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。 図１５Ａは、第５の実施形態に係る棚体の構成を示す断面図である。 図１５Ｂは、棚体および棚体に保持された複数の不織布の模式拡大図である。 図１６は、第６の実施形態に係る処理ユニットの排気経路の構成を示す図である。 図１７は、第６の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。 図１８は、支柱部および液供給部の構成を示す図である。 図１９は、複数の羽根車の構成を示す図である。 図２０は、気体処理装置の動作説明図である。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する気体処理装置および基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
（第１の実施形態）
　まず、第１の実施形態に係る基板処理システムの構成について図１を参照して説明する。
　図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
　次に、処理ユニット１６および処理ユニット１６の排気経路の構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６および処理ユニット１６の排気経路の構成を示す図である。
　図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
　チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan　Filter　Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１には、給気管２２を介して気体供給源２３が接続される。ＦＦＵ２１は、気体供給源２３から給気管２２を介して供給される気体をチャンバ２０内の上方から下方に向けて供給することにより、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
　基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
　処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
　回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成される。排液口５１には、排液管５２が接続され、回収カップ５０によって捕集された処理液は、排液口５１から排液管５２を通って処理ユニット１６の外部へ排出される。
　また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５３が形成される。排気口５３には、排気管５４が接続され、ＦＦＵ２１から処理ユニット１６に供給された気体は、排気口５３から排気管５４を通って処理ユニット１６の外部へ排出される。
　ここで、処理ユニット１６から排出される気体（以下、「排ガス」と記載する）には、処理流体供給部４０から供給される処理流体の成分が含まれている場合がある。たとえば、処理流体が酸系、アルカリ系あるいは有機系の薬品である場合には、それぞれ酸成分、アルカリ成分、有機成分が排ガスに含まれる場合がある。
　なお、酸系の薬品としては、たとえばＤＨＦ（希フッ酸）やＢＨＦ（フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液）等があり、アルカリ系の薬品としては、たとえばＳＣ１（アンモニア、過酸化水素水および水の混合液）があり、有機系の薬品としては、たとえばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）がある。薬品は、液体に限らず、気体である場合もある。
　上記成分を含んだ排ガスは、大気中に放出されることで環境や人体に影響を与えるおそれがある。そこで、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、処理ユニット１６から排出された排ガスから酸成分、アルカリ成分、有機成分のうち少なくともいずれか一つを含む対象成分を除去する気体処理装置１００を備える。
　図２に示すように、気体処理装置１００は、排気管５４に設けられる。排気管５４は、基板処理システム１が備える排気経路の一部を構成するものであり、基板処理システム１の内部に設けられる。そして、気体処理装置１００も、基板処理システム１の内部に設けられる。気体処理装置１００によって対象成分が除去された排ガスは、排気管５４を通って基板処理システム１から排出される。
　次に、気体処理装置１００の構成について図３を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る気体処理装置１００の構成を示す図である。なお、図３においては、排ガスの流れを破線の矢印で示し、洗浄液の流れを実線の矢印で示している。
　図３に示すように、気体処理装置１００は、内部空間Ｓを有する筐体１１０と、親液性の不織布１２０と、液供給部１３０と、気体導入部１４０と、気体排出部１５０と、液排出部１６０と、枠体１７０とを備える。
　気体導入部１４０は、排気管５４のうち気体処理装置１００よりも上流側に位置する上流側排気管５４ａ（図２参照）と筐体１１０とを接続し、上流側排気管５４ａを流れる排ガスを筐体１１０の内部空間Ｓに導入する。また、気体排出部１５０は、排気管５４のうち気体処理装置１００よりも下流側に位置する下流側排気管５４ｂ（図２参照）と筐体１１０とを接続し、筐体１１０の内部空間Ｓを通過した排ガスを筐体１１０から排出して下流側排気管５４ｂへ送る。
　具体的には、気体導入部１４０は、筐体１１０の長手方向における一端側に接続され、筐体１１０の長手方向における一端側（すなわち内部空間Ｓの長手方向における一端側）から内部空間Ｓに排ガスを導入する。また、気体排出部１５０は、筐体１１０の長手方向における他端側に接続され、内部空間Ｓの長手方向における他端側から下流側排気管５４ｂに排ガスを排出する。したがって、内部空間Ｓには、内部空間Ｓの長手方向における一端側から他端側へ向かう排ガスの流れが形成される。
　内部空間Ｓには、親液性の不織布１２０（以下、単に「不織布１２０」と記載する）が配置される。本明細書において、「親液性」とは、表面に洗浄液の液膜を形成し、且つ、形成した液膜を保持することができる性質のことをいう。
　不織布１２０は、表面にプラズマ処理または親液性コーティングが施された不織布であり、プラズマ処理または親液性コーティングが施されることによって親液性を有している。なお、不織布１２０は、酸成分、アルカリ成分および有機成分のうち少なくともいずれかの成分を含んだ排ガスに晒されるため、耐薬品性に優れるフッ素繊維を用いることが好ましい。
　不織布１２０は、枠体１７０によって保持された状態で筐体１１０の内部空間Ｓに配置される。枠体１７０は、不織布１２０を平板状に保持する。また、枠体１７０は、保持した不織布１２０を介して内部空間Ｓに連通する貯留空間Ｒを有する。
　ここで、筐体１１０、不織布１２０および枠体１７０の構成について図４を参照して説明する。図４は、筐体１１０、不織布１２０および枠体１７０の概略構成を示す斜視図である。なお、図４では、筐体１１０、不織布１２０および枠体１７０以外の構成を省略して示している。
　図４に示すように、筐体１１０および筐体１１０の内部空間Ｓならびに枠体１７０は、直方体形状を有する。内部空間Ｓおよび枠体１７０は、いずれも筐体１１０における長手方向の一端側から他端側に沿って延在する。
　枠体１７０は、たとえば、直方体の一の面、具体的には、筐体１１０の長手方向における一端側および他端側との各対向面以外の面、すなわち、筐体１１０の長手方向に沿った面に矩形状の開口部１７５を有する。
　開口部１７５の縁部には、不織布１２０の縁部が超音波溶着等によって取り付けられる。これにより、枠体１７０は、不織布１２０を矩形の平板状に保持した状態となる。
　枠体１７０に保持された不織布１２０は、内部空間Ｓの長手方向における一端側から他端側に沿って、すなわち、排ガスの流れ方向に沿って延在する。上述したように、排ガスは、内部空間Ｓの長手方向における一端側から他端側に沿って流れる。
　貯留空間Ｒは、不織布１２０が枠体１７０の開口部１７５を覆うことによって不織布１２０と枠体１７０との間に形成される閉空間である。貯留空間Ｒは、多孔質構造を有する不織布１２０を介して筐体１１０の内部空間Ｓに連通する。
　図３に示すように、筐体１１０は、気体排出部１５０が設けられる他端側が、気体導入部１４０が設けられる一端側よりも高くなるように、水平面（ＸＹ平面）に対して０度よりも大きく９０度よりも小さい角度で傾斜した状態で配置される。なお、気体処理装置１００は、筐体１１０の角度を調整する角度調整機構を備えた図示しないフレームに支持される。
　液供給部１３０は、一端側において枠体１７０の貯留空間Ｒに連通し、他端側において供給管１３１に接続される。供給管１３１には、供給機器群１３２を介して洗浄液供給源１３３が接続される。
　洗浄液供給源１３３は、洗浄液として、たとえば純水を供給する。なお、洗浄液供給源１３３から供給される洗浄液は、純水に限定されない。たとえば、気体処理装置１００では、後述するドレインタンク１６１に貯留された使用済みの洗浄液を再利用してもよい。この場合、洗浄液供給源１３３は、使用済みの洗浄液、すなわち、排ガスから除去された対象成分を含んだ水を供給する。また、洗浄液供給源１３３から供給される洗浄液は、純水や水に限らず、対象成分の種類に応じて適宜選択可能である。供給機器群１３２は、たとえば、供給管１３１を開閉する開閉バルブやマスフローコントローラなどを含む。
　液供給部１３０は、洗浄液供給源１３３から供給される洗浄液を枠体１７０の貯留空間Ｒに供給する。
　貯留空間Ｒに供給された洗浄液は、貯留空間Ｒに貯留される。貯留空間Ｒに貯留された洗浄液は、液供給部１３０から供給される洗浄液の圧力によって、貯留空間Ｒに面する不織布１２０の一方の板面から不織布１２０内部の多孔質構造を通って内部空間Ｓに面する不織布１２０の他方の板面へしみ出る。そして、不織布１２０の他方の板面に到達した洗浄液は、不織布１２０が有する親液性によって不織布１２０の他方の板面に液膜Ｌを形成する。
　液排出部１６０は、内部空間Ｓに形成される集液部１１５に連通し、集液部１１５に集められた洗浄液を内部空間Ｓから排出する。液排出部１６０には、ドレインタンク１６１が接続され、内部空間Ｓから排出された洗浄液は、ドレインタンク１６１に貯留される。ドレインタンク１６１の底部には、排液管１６２が接続され、排液管１６２にはバルブ１６３が設けられる。また、ドレインタンク１６１には、ドレインタンク１６１内の洗浄液の液面を検出する液面検出部１６４が設けられる。この例では、排液管１６２に排液ポンプ１６５が設けられる。排液ポンプ１６５は、ドレインタンク１６１に貯留された排液をバルブ１６３の下流に流す。特に排ガスの排気流量が高い場合に、排液が流れにくくなるため、排液ポンプ１６５が必要になる。この場合、気体処理装置１００に導入される排ガスの種類に応じて排液ポンプ１６５の動作を制御してもよい。例えば、排ガスがＩＰＡなどの揮発しやすい成分を含む場合、排液を比較的早く排出した方がよいので、排液ポンプ１６５を連続的に動作させてバルブ下流に積極的に流す。一方で、アルカリ成分など洗浄液に溶けやすい成分を含む排ガスの場合には、連続的に排液ポンプ１６５を動作させず、排液の薬液成分濃度が一定以上になった時に排液ポンプ１６５を動作させるようにしてもよい。
　また、気体処理装置１００は、第１濃度検出部１４１と、第２濃度検出部１５１とを備える。第１濃度検出部１４１は、気体導入部１４０に設けられ、気体導入部１４０によって内部空間Ｓに供給される前の排ガスに含まれる対象成分の濃度を検出する。また、第２濃度検出部１５１は、気体排出部１５０によって内部空間Ｓから排出された後の排ガスに含まれる対象成分の濃度を検出する。
　第１濃度検出部１４１、第２濃度検出部１５１および液面検出部１６４による検出結果は、制御部１８に出力される。また、供給機器群１３２およびバルブ１６３は、制御部１８によって制御される。
　液面検出部１６４によってドレインタンク１６１の液面が検出された場合、制御部１８は、バルブ１６３を開放する。これにより、ドレインタンク１６１に貯留された使用済みの洗浄液は、排液管１６２を通って外部に排出される。
　また、制御部１８は、第１濃度検出部１４１や第２濃度検出部１５１の検出結果に基づいて供給機器群１３２を制御することにより、液供給部１３０から枠体１７０の貯留空間Ｒに供給される洗浄液の流量を調整する流量調整処理を行う。流量調整処理の内容については後述する。
　気体処理装置１００は上記のように構成され、気体導入部１４０から筐体１１０の内部空間Ｓへ導入された排ガスは、不織布１２０と筐体１１０との隙間を筐体１１０の一端側から他端側へ向かって流れる。
　不織布１２０の内部空間Ｓに面する他方の面には、洗浄液の液膜Ｌが形成されている。したがって、排ガスは、不織布１２０と筐体１１０との隙間を通過する間に、洗浄液の液膜Ｌと接触する。
　排ガスが液膜Ｌに接触することで、排ガスに含まれる対象成分が洗浄液に吸着される。これにより、排ガスから対象成分が除去される。対象成分が除去された排ガスは、気体排出部１５０によって内部空間Ｓから下流側排気管５４ｂ（図２参照）に排出される。また、対象成分を吸着した洗浄液は、不織布１２０の他方の面を流れ落ちて集液部１１５に集められた後、液排出部１６０によって内部空間Ｓからドレインタンク１６１に排出される。
　このように、第１の実施形態に係る気体処理装置１００は、親液性を有する不織布１２０の表面に洗浄液の液膜Ｌを形成し、かかる液膜Ｌに排ガスを接触させることにより、排ガスから対象成分を除去することとした。
　不織布１２０が有する親液性により、液膜Ｌを形成する洗浄液は、その場に留まろうとするため、上方から洗浄液を絶えず噴霧するスクラバと比較して、洗浄液をより長い時間内部空間Ｓに留めておくことができる。したがって、第１の実施形態に係る気体処理装置１００によれば、スクラバと比較して洗浄液の使用量を削減することができる。
　また、第１の実施形態に係る気体処理装置１００では、筐体１１０を０度よりも大きく９０度よりも小さい角度で傾斜した状態で配置することで、洗浄液を不織布１２０に浸透させる際に洗浄液の自重を利用することができるため、液供給部１３０から加える圧力を小さく抑えることができる。
　また、筐体１１０を傾斜させることで、対象成分を吸着した洗浄液が不織布１２０の表面を流れ落ちるようになる。したがって、筐体１１０を水平に配置した場合と比較して、使用済みの洗浄液を効率よく内部空間Ｓから排出することができる。
　次に、制御部１８による洗浄液の流量調整処理について図５を参照して説明する。図５は、流量調整処理の手順を示すフローチャートである。
　図５に示すように、制御部１８は、第２濃度検出部１５１による検出濃度、すなわち、気体排出部１５０を流れる排ガスに含まれる対象成分の濃度が、予め決められた上限値を上回るか否かを判定する（ステップＳ１０１）。そして、第２濃度検出部１５１による検出濃度が予め決められた上限値を上回ると判定した場合（ステップＳ１０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、供給機器群１３２を制御して、液供給部１３０から枠体１７０の貯留空間Ｒに供給される洗浄液の流量を増加させる（ステップＳ１０２）。
　液供給部１３０から枠体１７０の貯留空間Ｒに供給される洗浄液の流量を増加させるほど、貯留空間Ｒに加わる圧力が増加することで、対象成分を吸着した使用済み洗浄液がより短期間で新鮮な洗浄液と交換されるようになる。これにより、液膜Ｌによる対象成分の吸着効率が高まることで、気体排出部１５０から排出される排ガスに含まれる対象成分の濃度を下げることができる。
　一方、ステップＳ１０１において第２濃度検出部１５１による検出濃度が、予め決められた上限値を上回っていない場合（ステップＳ１０１，Ｎｏ）、制御部１８は、第２濃度検出部１５１による検出濃度が、予め決められた下限値を下回るか否かを判定する（ステップＳ１０３）。そして、第２濃度検出部１５１による検出濃度が予め決められた下限値を下回ると判定した場合（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、制御部１８は、供給機器群１３２を制御して、液供給部１３０から貯留空間Ｒに供給される洗浄液の流量を低下させる（ステップＳ１０４）。
　ステップＳ１０２，Ｓ１０４の処理を終えたとき、あるいは、ステップＳ１０３において第２濃度検出部１５１による検出濃度が予め決められた下限値を下回っていない場合（ステップＳ１０３，Ｎｏ）、制御部１８は、処理をステップＳ１０１に戻し、ステップＳ１０１～Ｓ１０４の処理を繰り返す。
　第２濃度検出部１５１による検出濃度が予め決められた下限値を下回る場合、排ガスから対象成分が必要以上に除去されていることになる。このような場合には、洗浄液の流量を低下させて、液膜Ｌによる対象成分の吸着効率を低くしても構わない。このようにすることで、洗浄液の過剰使用を抑えることができる。
　なお、ここでは、第２濃度検出部１５１の検出結果に基づいて流量調整を行うこととしたが、制御部１８は、第１濃度検出部１４１の検出結果に基づいてステップＳ１０１～Ｓ１０４の流量調整処理を行ってもよい。また、制御部１８によるステップＳ１０１～Ｓ１０４の流量調整処理は、筐体１１０の内部空間Ｓを通過する排ガスに含まれる対象成分の濃度を検出する第３濃度検出部（図示せず）による検出濃度に基づいてステップＳ１０１～Ｓ１０４の流量調整処理を行ってもよい。
　上述してきたように、第１の実施形態に係る気体処理装置１００は、筐体１１０と、親液性の不織布１２０と、液供給部１３０と、気体導入部１４０と、気体排出部１５０とを備える。筐体１１０は、内部空間Ｓを有する。親液性の不織布１２０は、内部空間Ｓに配置される。液供給部１３０は、不織布１２０に洗浄液を供給する。気体導入部１４０は、内部空間Ｓに排ガスを導入する。気体排出部１５０は、排ガスを内部空間Ｓから排出する。そして、第１の実施形態に係る気体処理装置１００は、不織布１２０の表面に形成された洗浄液の液膜Ｌに気体導入部１４０から導入された排ガスを接触させる。
　具体的には、第１の実施形態に係る気体処理装置１００は、不織布１２０を平板状に保持し、保持した不織布１２０を介して内部空間Ｓに連通する貯留空間Ｒを有する枠体１７０を備える。また、液供給部１３０は、貯留空間Ｒに洗浄液を供給することにより、不織布１２０における一方の板面に洗浄液を供給する。そして、気体導入部１４０は、不織布１２０における一方の板面から他方の板面にしみ出した洗浄液によって他方の板面に形成された洗浄液の液膜Ｌに排ガスを接触させる。
　したがって、第１の実施形態に係る気体処理装置１００によれば、洗浄液の使用量を削減することができる。
　また、第１の実施形態に係る基板処理システム１は、処理ユニット１６（処理部の一例）と、排気管５４（排気経路の一例）と、気体処理装置１００とを備える。処理ユニット１６は、処理流体（薬品の一例）を用いてウェハＷ（基板の一例）を処理する。排気管５４は、処理ユニット１６から排出される排ガス（気体の一例）が流通する。気体処理装置１００は、排気管５４に設けられ、排気管５４を流通する排ガスに含まれる対象成分を排ガスから除去する。
　したがって、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、対象成分が除去されたクリーンな排ガスを基板処理システム１の外部へ排出することができる。
（第２の実施形態）
　次に、第２の実施形態に係る気体処理装置の構成について図６を参照して説明する。図６は、第２の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。なお、図６においては、図３と同様に、排ガスの流れを破線の矢印で示し、洗浄液の流れを実線の矢印で示している。
　図６に示すように、第２の実施形態に係る気体処理装置１００Ａは、筐体１１０Ａと、複数（ここでは、５枚）の親液性の不織布１２０Ａと、複数の液供給部１３０Ａと、気体導入部１４０Ａと、気体排出部１５０Ａと、液排出部１６０Ａと、枠体１７０Ａとを備える。
　筐体１１０Ａおよび筐体１１０Ａの内部空間ＳＡは、直方体形状を有し、筐体１１０Ａの一端側を下方に向け、他端側を上方に向けた状態で基板処理システム１内に配置される。
　気体導入部１４０Ａは、筐体１１０Ａの一端側、すなわち、筐体１１０Ａの下部に接続され、上流側排気管５４ａ（図２参照）を流れる排ガスを筐体１１０Ａの内部空間ＳＡに導入する。
　気体排出部１５０Ａは、筐体１１０Ａの他端側、すなわち、筐体１１０Ａの上部に接続され、筐体１１０Ａの内部空間ＳＡを通過した排ガスを筐体１１０Ａから排出して下流側排気管５４ｂ（図２参照）へ送る。これにより、内部空間ＳＡには、内部空間ＳＡの下部から上部へ向かう排ガスの流れが形成される。
　不織布１２０Ａとしては、たとえば上述した第１の実施形態に係る不織布１２０と同様の材質で不織布１２０よりも薄型に形成されたものが使用される。
　枠体１７０Ａは、複数の不織布１２０Ａを互いに隙間をあけた状態で平板状に保持する。ここで、枠体１７０Ａの構成について図７および図８を参照して説明する。図７は、第２の実施形態に係る枠体１７０Ａの構成を示す図である。また、図８は、枠体１７０Ａおよび枠体１７０Ａに保持された複数の不織布１２０Ａの模式拡大図である。
　図７に示すように、枠体１７０Ａは、複数（ここでは１０個）のスペーサー１７１と、２つの側板１７２とを備える。
　複数のスペーサー１７１は、不織布１２０Ａよりも厚く形成された長板状の部材であり、たとえば樹脂で形成される。複数のスペーサー１７１は、たとえば超音波溶着により、矩形状に形成された各不織布１２０Ａの左右両辺に１つずつ取り付けられる。また、２つの側板１７２は、不織布１２０Ａとほぼ同形の平板であり、たとえば樹脂で形成される。
　左右両辺にスペーサー１７１が取り付けられた複数の不織布１２０Ａは、互いに重ね合わされ、さらに、２枚の側板１７２によって挟み込まれて固定される。これにより、図８に示すように、枠体１７０Ａは、複数の不織布１２０Ａを矩形の平板状に保持した状態となる。また、各不織布１２０Ａは、スペーサー１７１によって互いに間隔をあけた状態で枠体１７０Ａに保持される。なお、各不織布１２０Ａ間の間隔は、たとえば１～１０ｍｍであり、スペーサー１７１の厚みにより適宜調整可能である。
　第１の実施形態に係る不織布１２０と同様に、複数の不織布１２０Ａは、内部空間ＳＡの一端側から他端側に沿って延在する。したがって、複数の不織布１２０Ａ間の隙間は、内部空間ＳＡの一端側から他端側に沿って、すなわち、上下方向に沿って延在する。
　複数の液供給部１３０Ａは、枠体１７０Ａに保持された複数の不織布１２０Ａの上方に配置される。具体的には、複数の液供給部１３０Ａは、筐体１１０Ａの天板１１１に取り付けられる（図６参照）。
　複数の液供給部１３０Ａは、先端にノズル１３５を有し、洗浄液供給源１３３から供給される洗浄液を下方の不織布１２０Ａへ向けてノズル１３５から噴霧する。これにより、複数の不織布１２０Ａに洗浄液が供給され、各不織布１２０Ａの両板面に洗浄液の液膜が形成される。
　液排出部１６０Ａは、筐体１１０Ａの底部に設けられ、筐体１１０Ａの底部に溜まった洗浄液をドレインタンク１６１へ排出する。
　図９は、複数の不織布１２０Ａおよび側板１７２の模式的な断面図である。図９に示すように、各不織布１２０Ａの両板面には洗浄液の液膜Ｌが形成される。
　気体導入部１４０Ａから内部空間ＳＡに導入された排ガスは、不織布１２０Ａ間の隙間および不織布１２０Ａおよび側板１７２間の隙間を内部空間ＳＡの一端側から他端側へ、すなわち、下方から上方へ向かって流れる。この間に、排ガスと液膜Ｌとが接触して排ガスから対象成分が除去される。対象成分が除去された排ガスは、気体排出部１５０Ａによって内部空間ＳＡから下流側排気管５４ｂ（図２参照）に排出される。また、対象成分を吸着した洗浄液は、筐体１１０Ａの底部に落下し、液排出部１６０Ａによって内部空間ＳＡからドレインタンク１６１に排出される。
　図１０は、図９に示すＨ部の模式的な拡大図である。図１０に示すように、側板１７２の不織布１２０Ａとの対向面には、不織布１２０Ａとの対向面に向けて突出する複数の突起１７３が設けられてもよい。複数の突起１７３は、筐体１１０Ａの一端側から他端側に沿って間隔をあけて並べて配置される。
　かかる突起１７３を設けることで、側板１７２と不織布１２０Ａとの隙間が部分的に狭まることとなる。これにより、洗浄液の液膜Ｌに接触することなく側板１７２と不織布１２０Ａとの隙間を通過する排ガスの量を減らすことができる。したがって、液膜Ｌによる対象成分の吸着効率を高めることができる。なお、複数の突起１７３は、第１の実施形態に係る気体処理装置１００が備える筐体１１０における不織布１２０との対向面に設けられてもよい。
　上述したように、第２の実施形態に係る気体処理装置１００Ａは、枠体１７０Ａを備える。枠体１７０Ａは、複数の不織布１２０Ａを互いに間隔をあけた状態で平板状に保持する。また、筐体１１０Ａは、内部空間ＳＡの他端側を上方に向けた状態で配置され、液供給部１３０Ａは、複数の不織布１２０Ａの上方から複数の不織布１２０Ａに向けて洗浄液を供給する。
　第１の実施形態に係る気体処理装置１００と同様、第２の実施形態に係る気体処理装置１００Ａは、不織布１２０Ａの板面に洗浄液の液膜Ｌを形成し、かかる液膜Ｌに排ガスを接触させる。したがって、第２の実施形態に係る気体処理装置１００Ａによれば、洗浄液の使用量を削減することができる。
　なお、ここでは、気体処理装置１００Ａが複数の不織布１２０Ａを備える場合の例を示したが、気体処理装置１００Ａは、１つの不織布１２０Ａを備える構成であってもよい。
（第３の実施形態）
　次に、第３の実施形態に係る気体処理装置の構成について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、第３の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。また、図１２は、第３の実施形態に係る複数の不織布の形状および配置を示す図である。
　図１１に示すように、第３の実施形態に係る気体処理装置１００Ｂは、筐体１１０Ｂと、複数の親液性の不織布１２０Ｂと、複数の液供給部１３０Ｂと、気体導入部１４０Ｂと、気体排出部１５０Ｂと、液排出部１６０Ｂとを備える。
　筐体１１０Ｂおよび筐体１１０Ｂの内部空間ＳＢは、円柱形状を有し、筐体１１０Ｂの一端側を下方に向け、他端側を上方に向けた状態で基板処理システム１内に配置される。
　気体導入部１４０Ｂは、筐体１１０Ｂの一端側、すなわち、筐体１１０Ｂの下部に接続され、上流側排気管５４ａ（図２参照）を流れる排ガスを筐体１１０Ｂの内部空間ＳＢに導入する。
　気体排出部１５０Ｂは、筐体１１０Ｂの他端側、すなわち、筐体１１０Ｂの上部に接続され、筐体１１０Ｂの内部空間ＳＢを通過した排ガスを筐体１１０Ｂから排出して下流側排気管５４ｂ（図２参照）へ送る。これにより、内部空間ＳＢには、内部空間ＳＢの下部から上部へ向かう排ガスの流れが形成される。
　第３の実施形態に係る複数の不織布１２０Ｂの各々は、蛇腹形状を有する。具体的には、図１２に示すように、不織布１２０Ｂは、円柱形状を有する内部空間ＳＢの周方向に沿って山折部１２１と谷折部１２２とが円周上に交互に並んだ蛇腹形状を有する。そして、複数の不織布１２０Ｂは、内部空間ＳＢの径方向に多段に間隔をあけて配置される。なお図１２には、２つの不織布１２０Ｂのみを示しているが、実際には、３つ以上の不織布１２０Ｂが設けられてもよい。
　上述した不織布１２０，１２０Ａと同様、複数の不織布１２０Ｂは、内部空間ＳＢの一端側から他端側に沿って延在する。したがって、複数の不織布１２０Ｂ間の隙間は、内部空間ＳＢの一端側から他端側に沿って、すなわち、上下方向に沿って延在する。
　液供給部１３０Ｂは、複数の不織布１２０Ｂの上方に配置される。液供給部１３０Ｂは、先端にノズル１３５を有し、洗浄液供給源１３３から供給される洗浄液を下方の不織布１２０Ｂへ向けてノズル１３５から噴霧する。これにより、複数の不織布１２０Ｂに洗浄液が供給され、各不織布１２０Ｂの両板面に洗浄液の液膜Ｌが形成される。
　液排出部１６０Ｂは、筐体１１０Ｂの底部に設けられ、筐体１１０Ｂの底部に溜まった洗浄液をドレインタンク１６１へ排出する。
　第３の実施形態に係る不織布１２０Ｂは、蛇腹形状を有するため、蛇腹形状を有しない不織布と比べて表面積を稼ぐことができることから、気体処理装置１００Ｂの小型化を図ることができる。また、不織布１２０Ｂの形状を山折部１２１と谷折部１２２とが円周上に交互に並ぶ蛇腹形状とすることで、不織布１２０Ｂを自立させることができる。したがって、枠体を用いることなく不織布１２０Ｂの形状を維持することができる。
　なお、ここでは、気体処理装置１００Ｂが複数の不織布１２０Ｂを備える場合の例を示したが、気体処理装置１００Ｂは、１つの不織布１２０Ｂを備える構成であってもよい。
（第４の実施形態）
　次に、第４の実施形態に係る処理ユニット１６の排気経路の構成について図１３Ａを参照して説明する。図１３Ａは、第４の実施形態に係る処理ユニット１６の排気経路の構成を示す図である。
　図１３Ａに示すように、第４の実施形態に係る基板処理システム１Ｃは、排気管５４Ｃを備える。排気管５４Ｃは、処理ユニット１６の排気口５３に接続され、中途部には気体処理装置１００が設けられる。なお、基板処理システム１Ｃは、気体処理装置１００に代えて気体処理装置１００Ａまたは気体処理装置１００Ｂを備える構成であってもよい。
　排気管５４Ｃは、気体処理装置１００よりも上流側に位置し、排気口５３と気体処理装置１００とを接続する上流側排気管５４Ｃａと、気体処理装置１００よりも下流側に位置し、気体処理装置１００から排出された排ガスを基板処理システム１Ｃの外部へ排出する下流側排気管５４Ｃｂとを備える。
　また、下流側排気管５４Ｃｂは、分岐管５４Ｃｃを有し、この分岐管５４Ｃｃは、給気管２２Ｃの中途部に接続される。
　第４の実施形態に係る処理ユニット１６の排気経路は上記のように構成されており、気体処理装置１００によって対象成分が除去されたクリーンな排ガスは、下流側排気管５４Ｃｂから分岐管５４Ｃｃを介して給気管２２Ｃに供給される。また、給気管２２Ｃに供給された排ガスは、気体供給源２３から供給される新鮮な気体と混合されてＦＦＵ２１からチャンバ２０内に再び供給される。なお、給気管２２Ｃには、給気管２２Ｃを流れる気体の温度および湿度を調整する温湿度調整部２５が設けられる。
　このように、第４の実施形態に係る基板処理システム１Ｃにおいて、処理ユニット１６の排気経路である排気管５４Ｃは、処理ユニット１６から排出された排ガスを処理ユニット１６へ戻す循環経路の一部を構成し、気体処理装置１００は、かかる排気管５４Ｃに設けられる。
　したがって、第４の実施形態に係る基板処理システム１Ｃによれば、気体処理装置１００によって対象成分が除去されたクリーンな排ガスを再利用することができることから、処理ユニット１６における気体の使用量を削減することができる。
　なお、従来のスクラバは、基板処理装置とは別体に、しかも、屋上などの基板処理装置から遠く離れた場所に設置されていた。このため、仮に、スクラバから排出されるクリーンな排ガスを再び基板処理装置に供給しようとした場合、配管距離が長くなるという問題があった。これに対し、第４の実施形態に係る基板処理システム１Ｃによれば、気体処理装置１００を内部に備えるため、従来のスクラバから排出される排ガスを再利用する場合と比べ、配管距離を短くすることができる。
　図１３Ａに示す例では、気体処理装置１００から排出される排ガスの一部をチャンバ２０内に戻し、残りを基板処理システム１Ｃから排出する排気経路の構成を示したが、排気経路は、基板処理システムから排出される全ての排ガスをチャンバ２０内に戻してもよい。
　図１３Ｂは、第４の実施形態における変形例に係る処理ユニット１６の排気経路の構成を示す図である。
　変形例に係る基板処理システム１Ｄは、排気管５４Ｄを備える。排気管５４Ｄは、処理ユニット１６の排気口５３に接続され、中途部には気体処理装置１００が設けられる。なお、基板処理システム１Ｄは、気体処理装置１００に代えて気体処理装置１００Ａまたは気体処理装置１００Ｂを備える構成であってもよい。
　排気管５４Ｄは、気体処理装置１００よりも上流側に位置し、排気口５３と気体処理装置１００とを接続する上流側排気管５４Ｄａと、気体処理装置１００よりも下流側に位置し、気体処理装置１００から排出された排ガスをＦＦＵ２１へ供給する下流側排気管５４Ｄｂとを備える。すなわち、排気管５４Ｄにより、処理ユニット１６から排出された排ガスを処理ユニット１６へ戻す循環経路が構成される。なお、下流側排気管５４Ｄｂには、温湿度調整部２５が設けられる。
　このように、基板処理システム１Ｄは、処理ユニット１６から排出された気体を再び処理ユニット１６へ戻す循環経路を備え、かかる循環経路に気体処理装置１００を設けることとしてもよい。
（第５の実施形態）
　次に、第５の実施形態に係る気体処理装置の構成について図１４を参照して説明する。図１４は、第５の実施形態に係る気体処理装置の構成を示す図である。なお、図１４においては、図３と同様に、排ガスの流れを破線の矢印で示し、洗浄液の流れを実線の矢印で示している。
　図１４に示すように、第５の実施形態に係る気体処理装置１００Ｅは、筐体１１０Ｅと、複数（ここでは、６枚）の親液性の不織布１２０Ｅと、複数の液供給部１３０Ｅと、気体導入部１４０Ｅと、気体排出部１５０Ｅと、液排出部１６０Ｅと、棚体１７０Ｅとを備える。
　筐体１１０Ｅおよび筐体１１０Ｅの内部空間ＳＥは、直方体形状を有し、筐体１１０Ｅの一端側を下方に向け、他端側を上方に向けた状態で基板処理システム１内に配置される。
　気体導入部１４０Ｅは、筐体１１０Ｅの一端側、すなわち、筐体１１０Ｅの下部に接続され、上流側排気管５４ａ（図２参照）を流れる排ガスを筐体１１０Ｅの内部空間ＳＥに導入する。
　気体排出部１５０Ｅは、筐体１１０Ｅの他端側、すなわち、筐体１１０Ｅの上部に接続され、筐体１１０Ｅの内部空間ＳＥを通過した排ガスを筐体１１０Ｅから排出して下流側排気管５４ｂ（図２参照）へ送る。これにより、内部空間ＳＥには、内部空間ＳＥの下部から上部へ向かう排ガスの流れが形成される。
　不織布１２０Ｅとしては、たとえば上述した第１の実施形態に係る不織布１２０と同様の材質で不織布１２０よりも薄型に形成されたものが使用される。
　棚体１７０Ｅは、複数の不織布１２０Ｅを互いに隙間をあけた状態で平板状に保持する。
　ここで、棚体１７０Ｅの構成について図１５Ａおよび図１５Ｂを参照して説明する。図１５Ａは、第５の実施形態に係る棚体１７０Ｅの構成を示す断面図である。また、図１５Ｂは、棚体１７０Ｅおよび棚体１７０Ｅに保持された複数の不織布１２０Ｅの模式拡大図である。なお、図１５Ａでは、気体導入部１４０Ｅおよび気体排出部１５０Ｅを省略して示している。
　図１５Ａに示すように、棚体１７０Ｅは、複数（ここでは６個）の棚板部１５０１を備える。また、棚体１７０Ｅの内部及び外部には複数の中間液供給部１５０２と液循環部１５０３が設けられている。
　複数の棚板部１５０１は、筐体１１０Ｅと一体化されかつ同じ素材で形成された平板である。それぞれの棚板部１５０１の上面には不織布１２０Ｅが１つずつ取り付けられている。
　上面に不織布１２０Ｅが取り付けられた棚板部１５０１は、互いに重ね合わされ、筐体１１０Ｅに対して固定される。これにより、棚体１７０Ｅは、複数の不織布１２０Ｅを鉛直方向に互いに間隔をあけた状態で保持した状態となる。なお、各不織布１２０Ｅ間の間隔は、たとえば１００ｍｍであり適宜調整可能である。
　複数の棚板部１５０１は、内部空間ＳＥの一端側から他端側に沿って水平に延在する。各棚板部１５０１の端部のうち、一方は筐体１１０Ｅの内壁に接触し、他方は筐体１１０Ｅの内壁との間に間隙を有している。この隙間は、筐体１１０Ｅに供給された洗浄液および気体を通過させるための開口１５０４である。筐体１１０Ｅに供給された洗浄液は、それぞれの棚板部１５０１と同一平面上にある開口１５０４を介して下方向に通過可能であり、筐体１１０Ｅに供給された気体は、開口１５０４を解して介して上方向に通過可能である。
　複数の液供給部１３０Ｅは、棚体１７０Ｅを構成する複数の棚板部１５０１のうち最上段の棚板部の上方に配置される。具体的には、複数の液供給部１３０Ｅは、筐体１１０Ｅの天板１１１に取り付けられる（図１５Ａ参照）。
　複数の液供給部１３０Ｅは、先端にノズルを有し、洗浄液供給源１３３から供給される洗浄液を下方の不織布１２０Ｅへ向けてノズルから噴霧する。これにより、最上段の不織布１２０Ｅに洗浄液が供給される。
　第５の実施形態では、図１５Ｂに示すように、棚板部１５０１の開口１５０４側の端部において壁部１５０５が設けられている。したがって、不織布１２０Ｅに供給された洗浄液は棚板部１５０１に液だまりＬを形成した後、オーバーフローを起こして落下する。これにより、下段の棚板部１５０１へと洗浄液が供給されるようになっている。
　下段の棚板部１５０１に供給された処理液は、同様に液だまりＬを形成した後、そのまた下段の棚板部１５０１へと供給される。以上の処理を繰り返した後、処理液は筐体１１０Ｅの底部まで流れ込む。そして、筐体１１０Ｅの底部に溜まった洗浄液は、液排出部１６０Ｅからドレインタンク１６１へ排出される。
　図１５Ｂに示すように、洗浄液の液だまりＬは、各不織布１２０Ｅの表面に形成される。
　気体導入部１４０Ｅから内部空間ＳＥに導入された排ガスは、棚板部１５０１のうち最下段側から最上段側へ、すなわち、下方から上方へ向かって流れる。この間に、各段の棚板部１５０１において、排ガスと液だまりＬとが接触して排ガスから対象成分が除去される。対象成分が除去された排ガスは、気体排出部１５０Ｅによって内部空間ＳＥから下流側排気管５４ｂ（図２参照）に排出される。また、対象成分を吸着した洗浄液は、筐体１１０Ｅの底部に落下し、液排出部１６０Ｅによって内部空間ＳＥからドレインタンク１６１に排出される。
　第５の実施形態では、筐体１１０Ｅの底部に落下して一旦貯留した洗浄液を液循環部１５０３を用いて中間液供給部１５０２へと戻すようにしている。図１５Ａに示すように、液循環部１５０３は、排出側循環液管１５０６とポンプ１５０７と供給側循環液管１５０８から構成されている。
　排出側循環液管１５０６は、筐体１１０Ｅの底部に貯留された洗浄液に接液され、ポンプ１５０７は、排出側循環液管１５０６を介して洗浄液を引き上げて供給側循環液管１５０８に向けて圧送する。例えば、筐体１１０Ｅに供給された洗浄液のうち半分を液循環部１５０３を用いて循環させる。複数の中間液供給部１５０２は複数の棚板部１５０１のうち中間の段（ここでは上から４段目）の上方に設けられており、複数の液供給部１３０Ｅと同様に４段目の棚板部１５０１に向けて循環された洗浄液を供給する。このように循環ラインを設けることにより、除外効率を向上させることができる。
　上述したように、第５の実施形態に係る気体処理装置１００Ｅは、棚体１７０Ｅを備える。棚体１７０Ｅは、複数の棚板部１５０１を垂直方向に互いに間隔をあけた状態で保持する。また、液供給部１３０Ｅは、最上段の棚板部１５０１の上方から不織布１２０Ｅに向けて洗浄液を供給する。
　第１の実施形態に係る気体処理装置１００と同様、第５の実施形態に係る気体処理装置１００Ｅは、不織布１２０Ｅの板面に洗浄液の液だまりＬを形成し、かかる液だまりＬに排ガスを接触させる。したがって、第５の実施形態に係る気体処理装置１００Ｅによれば、洗浄液の使用量を削減することができる。
　なお、第１の実施形態に係る気体処理装置１００と同様、気体導入部１４０Ｅに第１濃度検出部１４１を設け、気体排出部１５０Ｅに第２濃度検出部１５１を設けて、第１濃度検出部１４１および第２濃度検出部１５１の検出結果に基づき、液供給部１３０Ｅから不織布１２０Ｅに供給される洗浄液の流量を制御することも可能である。また、図１３Ａおよび図１３Ｂに示す気体処理装置１００を第５の実施形態に係る気体処理装置１００Ｅに置き換えることも可能である。
　また、第５の実施形態にかかる気体処理装置１００Ｅは、必ずしも不織布１２０Ｅを備えることを要しない。すなわち、第５の実施形態にかかる気体処理装置１００Ｅによれば、棚板部１５０１上に洗浄液の液だまりＬを形成し、形成した液だまりＬに排ガスを接触させることにより、排ガスから酸成分、アルカリ成分、有機成分のうち少なくともいずれか一つを含む対象成分を除去することが可能である。
（第６の実施形態）
　次に、第６の実施形態に係る気体処理装置について説明する。まず、第６の実施形態に係る処理ユニット１６の排気経路の構成について図１６を参照して説明する。図１６は、第６の実施形態に係る処理ユニット１６の排気経路の構成を示す図である。
　図１６に示すように、第６の実施形態に係る基板処理システム１Ｆは、複数の排気管５４Ｆを備える。複数の排気管５４Ｆの一端は、複数の処理ユニット１６の排気口５３に接続され、他端は、集合排気管５５に接続される。
　集合排気管５５は、排気管５４Ｆよりも大径の配管であり、中途部には気体処理装置１００Ｆが設けられる。具体的には、集合排気管５５は、気体処理装置１００Ｆよりも上流側に位置し、複数の排気管５４Ｆに接続される上流側集合排気管５５ａと、気体処理装置１００Ｆよりも下流側に位置し、気体処理装置１００Ｆから排出された排ガスを基板処理システム１Ｆの外部へ排出する下流側集合排気管５５ｂとを備える。
　ここで、従来の気体処理装置においては、排ガスの流速が速くなるほど、排ガスと洗浄液との接触時間が短くなり、対象成分の除去効率が低下するおそれがある。そこで、気体処理装置の容積を大きくして排ガスの流速を低下させることが考えられるが、気体処理装置の容積を大きくすると気体処理装置が大型化するという問題がある。特に、集合排気管に接続される気体処理装置は、各排気管に接続される気体処理装置と比較して大流量の排ガスを処理する必要があるため、気体処理装置の大型化の問題は顕著となる。
　このように、従来の気体処理装置においては、装置の大型化を抑制しつつ、排ガスの流速の増加に伴う除去効率の低下を抑制するという点でさらなる改善の余地がある。なお、かかる課題は、上述した第１～第５の実施形態のように排気管に気体処理装置を設ける場合にも同様に生じ得る課題である。
　そこで、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆでは、排ガスの流れによって回転する羽根車を設け、かかる羽根車に洗浄液を供給し、羽根車の回転によって洗浄液の液膜を形成することにより、排ガスと洗浄液とを接触させて排ガスから対象成分を除去することとした。
　羽根車は、排ガスの流れによって回転するため、排ガスの流速が速くなるほど、羽根車の回転速度は速くなる。したがって、排ガスの流速が速くなるほど、排ガスと洗浄液とが羽根車の回転によってより攪拌されるようになる。すなわち、排ガスと洗浄液とがより長時間より高頻度で接触するようになる。したがって、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆによれば、排ガスの流速の増加に伴う除去効率の低下を抑制することができる。
　次に、かかる気体処理装置１００Ｆの構成について図１７を参照して説明する。図１７は、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆの構成を示す図である。
　図１７に示すように、気体処理装置１００Ｆは、内部空間ＳＦを有する筐体１１０Ｆと、気体導入部１４０Ｆと、気体排出部１５０Ｆと、液排出部１６０Ｆとを備える。
　筐体１１０Ｆは、たとえば水平方向を長手とする直方体形状を有する。気体導入部１４０Ｆおよび気体排出部１５０Ｆは、たとえば両端が開放された円筒形状を有しており、両端を上下に向けた状態で、すなわち中心軸を鉛直方向に延在させた状態で、筐体１１０Ｆの上面に設けられる。
　気体導入部１４０Ｆは、集合排気管５５のうち上流側集合排気管５５ａ（図１６参照）と筐体１１０Ｆとを接続し、上流側集合排気管５５ａを流れる排ガスを筐体１１０Ｆの内部空間ＳＦに導入する。また、気体排出部１５０Ｆは、集合排気管５５のうち下流側集合排気管５５ｂ（図１６参照）と筐体１１０Ｆとを接続し、筐体１１０Ｆの内部空間ＳＦを通過した排ガスを筐体１１０Ｆから排出して下流側集合排気管５５ｂへ送る。なお、気体排出部１５０Ｆの内部には、排ガスから水分を除去するミストセパレータ１５５が設けられている。
　液排出部１６０Ｆは、内部空間ＳＦに連通し、内部空間ＳＦに集められた洗浄液を内部空間ＳＦから排出する。
　気体処理装置１００Ｆは、さらに、支柱部１８０と、液供給部１９０と、複数（ここでは３つ）の羽根車２０１～２０３とを備える。
　支柱部１８０は、鉛直方向に延在する部材であり、複数の羽根車２０１～２０３を回転自在に支持する。液供給部１９０は、支柱部１８０を介して複数の羽根車２０１～２０３に洗浄液を供給する。
　ここで、支柱部１８０および液供給部１９０の構成について図１８を参照して説明する。図１８は、支柱部１８０および液供給部１９０の構成を示す図である。
　図１８に示すように、支柱部１８０は、最も内側に配置される円筒状の第１支柱部材１８１と、第１支柱部材１８１の外方において第１支柱部材１８１と同心円状に配置される円筒状の第２支柱部材１８２と、第２支柱部材１８２の外方において第２支柱部材１８２と同心円状に配置される円筒状の第３支柱部材１８３とを備える。
　各支柱部材１８１～１８３の基端部は、内部空間ＳＦの底面に固定される。また、各支柱部材１８１～１８３の先端部は、気体導入部１４０Ｆの内部に到達する。気体導入部１４０Ｆの内部において、第１支柱部材１８１の先端部は、第２支柱部材１８２の先端部よりも高い位置に配置され、第２支柱部材１８２の先端部は、第３支柱部材１８３の先端部よりも高い位置に配置される。
　第１支柱部材１８１の内部には、第１供給路１８１ａが形成され、第１支柱部材１８１の先端部には、第１供給路１８１ａに連通する第１吐出口１８１ｂが形成される。また、第１支柱部材１８１と第２支柱部材１８２とは互いに間隔をあけて配置されており、第２支柱部材１８２の内部には、第１支柱部材１８１の外周面と第２支柱部材１８２の内周面とによって第２供給路１８２ａが形成され、第２支柱部材１８２の先端部には、第２供給路１８２ａに連通する第２吐出口１８２ｂが形成される。また、第２支柱部材１８２と第３支柱部材１８３とは互いに間隔をあけて配置されており、第３支柱部材１８３の内部には、第２支柱部材１８２の外周面と第３支柱部材１８３の内周面とによって第３供給路１８３ａが形成され、第３支柱部材１８３の先端部には、第３供給路１８３ａに連通する第３吐出口１８３ｂが形成される。
　液供給部１９０は、洗浄液供給源１９１と、供給管１９２と、供給機器群１９３とを備える。洗浄液供給源１９１は、洗浄液としてたとえば純水を供給する。供給管１９２の一端は、洗浄液供給源１９１に接続される。また、供給管１９２の他端は、複数に分岐して、それぞれ第１供給路１８１ａ、第２供給路１８２ａおよび第３供給路１８３ａに接続される。供給機器群１９３は、たとえば、供給管１９２を開閉する開閉バルブやマスフローコントローラなどを含む。
　液供給部１９０は上記のように構成されており、洗浄液供給源１９１から供給される洗浄液は、供給管１９２を介して第１供給路１８１ａ、第２供給路１８２ａおよび第３供給路１８３ａにそれぞれ供給される。なお、洗浄液供給源１９１から供給される洗浄液は、純水に限らず、対象成分の種類に応じて適宜選択されてもよい。
　複数の羽根車２０１～２０３は、気体導入部１４０Ｆの内部に配置され、支柱部１８０に回転自在に支持される。複数の羽根車２０１～２０３は、モータ等の駆動源によらず、気体導入部１４０Ｆを流れる排ガスの流れによって回転する。
　ここで、複数の羽根車２０１～２０３の構成について図１９を参照して説明する。図１９は、複数の羽根車２０１～２０３の構成を示す図である。
　図１９に示すように、複数の羽根車２０１～２０３は、上方から羽根車２０１、羽根車２０２および羽根車２０３の順に配置される。
　羽根車２０１は、第１支柱部材１８１に支持される。具体的には、羽根車２０１は、ベアリング等の軸受を介して第１支柱部材１８１に回転自在に支持される本体部２１１と、本体部２１１に取り付けられる複数（ここでは４つ）の羽根２１２とを備える。
　羽根車２０２は、第２支柱部材１８２に支持される。具体的には、羽根車２０２は、ベアリング等の軸受を介して第２支柱部材１８２に回転自在に支持される本体部２２１と、本体部２２１に取り付けられる複数（ここでは８つ）の羽根２２２とを備える。
　羽根車２０３は、第３支柱部材１８３に支持される。具体的には、羽根車２０３は、ベアリング等の軸受を介して第３支柱部材１８３に回転自在に支持される本体部２３１と、本体部２３１に取り付けられる複数（ここでは４つ）の羽根２３２とを備える。
　各羽根車２０１～２０３の本体部２１１，２２１，２３１は、上方に向かって突出するドーム状の上部と、複数の羽根２１２，２２２，２３２が取り付けられる円筒状の下部とを有する。本体部２１１，２２１，２３１の上部の上端は、それぞれ第１吐出口１８１ｂ、第２吐出口１８２ｂおよび第３吐出口１８３ｂと同一の高さ位置またはそれより低い位置に配置される。第１吐出口１８１ｂ、第２吐出口１８２ｂおよび第３吐出口１８３ｂから吐出された洗浄液は、それぞれ本体部２１１，２２１，２３１の上部を伝って下方に流れ、回転する羽根２１２，２２２，２３２によって周囲に飛散される。
　羽根車２０１および羽根車２０３の羽根２１２，２３２は、羽根車２０１および羽根車２０３を第１の回転方向に回転させるピッチ角で取り付けられている。一方、羽根車２０２の羽根２２２は、羽根車２０２を第１の回転方向とは反対の第２の回転方向に回転させるピッチ角で取り付けられている。
　また、羽根車２０２における羽根２２２の枚数（ここでは、８枚）は、他の羽根車２０１，２０３における羽根２１２，２３２の枚数（ここでは、４枚）よりも多い。したがって、羽根車２０２は、他の羽根車２０１，２０３と異なる回転速度で回転する。具体的には、羽根の枚数が多い羽根車ほど低速で回転するため、羽根車２０２は、他の羽根車２０１，２０３よりも低速で回転する。
　次に、気体処理装置１００Ｆの動作について図２０を参照して説明する。図２０は、気体処理装置１００Ｆの動作説明図である。
　図２０に示すように、気体導入部１４０Ｆ内に排ガスが流入すると、気体導入部１４０Ｆの内部に配置された複数の羽根車２０１～２０３が排ガスの流れによって回転する。各羽根車２０１～２０３には、液供給部１９０から洗浄液が供給されており、羽根車２０１～２０３が回転することにより、洗浄液が周囲に飛散して、羽根車２０１～２０３の周囲に洗浄液の液膜が形成される。
　排ガスは、気体導入部１４０Ｆの内部を通過する際に、上記洗浄液の液膜と接触する。これにより、排ガスに含まれる対象成分が洗浄液に吸着され、排ガスから対象成分が除去される。対象成分が除去された排ガスは、筐体１１０Ｆの内部空間ＳＦから気体排出部１５０Ｆを通って下流側集合排気管５５ｂに排出される。一方、対象成分を吸着した洗浄液は、筐体１１０Ｆの内部空間ＳＦに落下して内部空間ＳＦ内に貯留され、液排出部１６０Ｆから内部空間ＳＦの外部に排出される。
　上述したように、複数の羽根車２０１～２０３は、モータ等の駆動源によらず、気体導入部１４０Ｆを流れる排ガスの流れによって回転する。このため、排ガスの流速が速くなるほど、羽根車２０１～２０３が速く回転して、排ガスと洗浄液とがより攪拌されるようになる。すなわち、排ガスと洗浄液とがより長時間より高頻度で接触するようになるため、排ガスの流速が速くなった場合であっても、排ガスと洗浄液との接触時間および接触頻度の低下を抑制することができる。
　このように、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆは、内部空間ＳＦを有する筐体１１０Ｆと、内部空間ＳＦに排ガスを導入する気体導入部１４０Ｆと、排ガスを内部空間ＳＦから排出する気体排出部１５０Ｆとを備える。また、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆは、気体導入部１４０Ｆの内部に配置され、気体導入部１４０Ｆを流れる排ガスによって回転する複数の羽根車２０１～２０３と、複数の羽根車２０１～２０３に洗浄液を供給する液供給部１９０とを備える。したがって、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆによれば、装置の大型化を抑制しつつ、排ガスの流速が速い場合における除去効率の低下を抑制することができる。
　また、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆにおいて、複数の羽根車２０１～２０３は、排ガスの流れによって第１の回転方向に回転する羽根車２０１，２０３と、排ガスの流れによって第１の回転方向とは反対方向の第２の回転方向に回転する羽根車２０２とを含む。
　これにより、複数の羽根車２０１～２０３をすべて同じ方向に回転させる場合と比較して、排ガスの流れをより乱すことができる。言い換えれば、排ガスと洗浄液とがより攪拌されるようになる。したがって、排ガスの流速が速い場合における除去効率の低下をさらに抑制することができる。
　また、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆにおいて、複数の羽根車２０１～２０３は、第１の回転速度で回転する羽根車２０１，２０３と、第１の回転速度と異なる速度で回転する羽根車２０２とを含む。
　これにより、複数の羽根車２０１～２０３がすべて同じ速度で回転する場合と比較して、排ガスの流れをより乱すことができる。言い換えれば、排ガスと洗浄液とがより攪拌されるようになる。したがって、排ガスの流速が速い場合における除去効率の低下をさらに抑制することができる。なお、ここでは、羽根の枚数を異ならせることで、羽根車２０２の回転速度を他の羽根車２０１，２０３の回転速度と異ならせることとしたが、たとえば、本体部２２１と第２支柱部材１８２との抵抗を、他の本体部２１１，２３１と支柱部材１８１，１８３との抵抗と異ならせることで、羽根車２０２の回転速度を他の羽根車２０１，２０３の回転速度と異ならせることとしてもよい。
　また、第６の実施形態に係る気体処理装置１００Ｆにおいて、液供給部１９０は、複数の羽根車２０１～２０３の各々に対して洗浄液を供給する。具体的には、気体処理装置１００Ｆは、先端部において羽根車２０１を回転自在に支持する第１支柱部材１８１と、第１支柱部材１８１の外方に第１支柱部材１８１と同心円状に配置され、羽根車２０１よりも下方に位置する先端部において羽根車２０２を回転自在に支持する第２支柱部材１８２と、第２支柱部材１８２の外方に第２支柱部材１８２と同心円状に配置され、羽根車２０２よりも下方に位置する先端部において羽根車２０３を回転自在に支持する第３支柱部材１８３とを備える。そして、液供給部１９０は、第１支柱部材１８１の内部に形成された第１供給路１８１ａを介して第１支柱部材１８１の先端部に設けられた第１吐出口１８１ｂから羽根車２０１に洗浄液を供給する。また、液供給部１９０は、第１支柱部材１８１と第２支柱部材１８２との間に形成された第２供給路１８２ａを介して第２支柱部材１８２の先端部に設けられた第２吐出口１８２ｂから羽根車２０２に洗浄液を供給する。また、液供給部１９０は、第２支柱部材１８２と第３支柱部材１８３との間に形成された第３供給路１８３ａを介して第３支柱部材１８３の先端部に設けられた第３吐出口１８３ｂから羽根車２０３に洗浄液を供給する。
　これにより、複数の羽根車２０１～２０３の各々に対して新鮮な洗浄液を供給することができる。したがって、たとえば、最も上方に配置される羽根車２０１にのみ洗浄液を供給する場合、すなわち、他の羽根車２０２，２０３については、羽根車２０１から落下する洗浄液を供給することとした場合と比較して、除去効率を向上させることができる。
　また、気体処理装置１００Ｆは、内部空間ＳＦに連通し、内部空間ＳＦに集められた洗浄液を内部空間ＳＦから排出する液排出部１６０Ｆを備え、気体導入部１４０Ｆは、鉛直方向に延在し、筐体１１０Ｆの内部空間ＳＦは、気体導入部１４０Ｆの下方に配置される。
　かかる構成とすることにより、対象成分を吸着した洗浄液を重力により内部空間ＳＦに落下させることができる。また、排ガスは、気体導入部１４０Ｆを上方から下方に向かって流れるため、洗浄液の落下を阻害しない。したがって、対象成分を吸着した洗浄液を内部空間ＳＦから早期に排出することができる。
　なお、複数の羽根車２０１～２０３が有する羽根２１２，２２２，２３２は、撥水性を有することとしてもよい。これにより、対象成分を吸着した洗浄液が羽根２１２，２２２，２３２に残存しにくくなるため、対象成分を吸着した洗浄液を内部空間ＳＦから早期に排出することができる。
　上述した第６の実施形態では、気体処理装置１００Ｆを集合排気管５５に設けることとしたが、気体処理装置１００Ｆは、第１～第５の実施形態と同じように、各処理ユニット１６の排気管５４，５４Ｃ，５４Ｄに１つずつ設けられてもよい。
　また、上述した第６の実施形態では、気体処理装置１００Ｆが３つの羽根車２０１～２０３を備えることとしたが、羽根車の数は３つに限定されるものではなく、１つまたは２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。また、各羽根車２０１～２０３が有する羽根２１２，２２２，２３２の枚数やピッチ角も上記の例に限定されない。
（第６の実施形態における変形例）
　上述したように、複数の羽根車２０１～２０３は、排ガスの流れによって回転する。このため、排ガスの流れが速すぎる場合、複数の羽根車２０１～２０３が必要以上に高速で回転してしまうおそれがある。また、排ガスの流れが遅すぎる場合には、液膜を形成するのに十分な速度で回転することが困難となるおそれがある。
　そこで、気体処理装置１００Ｆは、複数の羽根車２０１～２０３の回転速度に応じて複数の羽根２１２，２２２，２３２のピッチ角を変更することとしてもよい。
　この場合の気体処理装置１００Ｆは、羽根２１２，２２２，２３２を駆動する駆動部、羽根２１２，２２２，２３２のピッチ角を検出する第１検出器、羽根車２０１～２０３の回転速度または回転数を検出する第２検出器等をさらに備える。駆動部、第１検出器、第２検出器等は、たとえば本体部２１１，２２１，２３１の内部に設けられる。
　そして、制御部１８（図１参照）は、第２検出器による検出結果に応じて、第１検出器の検出結果を参照しつつ羽根２１２，２２２，２３２のピッチ角を変更する。たとえば、羽根２１２，２２２，２３２の回転速度または回転数が第１閾値を下回った場合、制御部１８は、羽根２１２，２２２，２３２の回転速度または回転数が上がるように羽根２１２，２２２，２３２のピッチ角を変更する。また、羽根２１２，２２２，２３２の回転速度または回転数が第２閾値（＞第１閾値）を超えた場合、制御部１８は、羽根２１２，２２２，２３２の回転速度または回転数が下がるように羽根２１２，２２２，２３２のピッチ角を変更する。
　これにより、排ガスの流れが遅い場合に羽根車２０１～２０３の回転速度が遅くなり過ぎることを抑制することができるとともに、排ガスの流れが速い場合に羽根車２０１～２０３の回転速度が速くなり過ぎることを抑制することができる。
　さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
Ｌ　液膜
Ｒ　貯留空間
Ｓ　内部空間
１　基板処理システム
１６　処理ユニット
１８　制御部
５４　排気管
１００　気体処理装置
１１０　筐体
１２０　親液性の不織布
１３０　液供給部
１４０　気体導入部
１５０　気体排出部
１６０　液排出部
１７０　枠体

Claims (11)

  1. 　内部空間を有する筐体と、
    　前記内部空間に配置された親液性の不織布と、
    　前記不織布に洗浄液を供給する液供給部と、
    　前記内部空間に気体を導入する気体導入部と、
    　前記気体を前記内部空間から排出する気体排出部と
    　を備え、
    　前記不織布の表面に形成された洗浄液の液膜に前記気体導入部から導入された気体を接触させる、気体処理装置。
  2. 　前記気体導入部は、
    　前記内部空間の一端側から前記内部空間に前記気体を導入し、
    　前記気体排出部は、
    　前記気体を前記内部空間の他端側から排出し、
    　前記不織布は、
    　前記内部空間の前記一端側から前記他端側に沿って延在する、請求項１に記載の気体処理装置。
  3. 　前記不織布を平板状に保持し、保持した前記不織布を介して前記内部空間に連通する貯留空間を有する枠体
    　を備え、
    　前記液供給部は、
    　前記貯留空間に前記洗浄液を供給することにより、前記不織布における一方の板面に前記洗浄液を供給し、
    　前記気体導入部は、
    　前記不織布における前記一方の板面から他方の板面にしみ出した前記洗浄液によって前記他方の板面に形成された前記洗浄液の液膜に前記気体を接触させる、請求項２に記載の気体処理装置。
  4. 　複数の前記不織布を互いに間隔をあけた状態で平板状に保持する枠体
    　を備え、
    　前記筐体は、
    　前記内部空間の他端側を上方に向けた状態で配置され、
    　前記液供給部は、
    　複数の前記不織布の上方から複数の前記不織布に向けて前記洗浄液を供給する、請求項２に記載の気体処理装置。
  5. 　前記不織布は、
    　蛇腹形状を有する、請求項２に記載の気体処理装置。
  6. 　前記内部空間は、
    　円筒形状を有し、
    　前記不織布は、
    　前記内部空間の周方向に沿って山折部と谷折部とが円周上に交互に並んだ蛇腹形状を有する、請求項５に記載の気体処理装置。
  7. 　複数の平板状の前記不織布を垂直方向に互いに間隔をあけた状態で保持する棚体
    　を備え、
    　前記気体導入部は、
    　前記内部空間の一端側から前記内部空間に前記気体を導入し、
    　前記気体排出部は、
    　前記気体を前記内部空間の他端側から排出し、
    　前記筐体は、
    　前記内部空間の他端側を上方に向けた状態で配置され、
    　前記液供給部は、
    　複数の前記不織布のうち最上段の不織布の上方から前記不織布に向けて前記洗浄液を供給する、請求項１に記載の気体処理装置。
  8. 　前記気体に含まれる対象成分の濃度を検出する濃度検出部と、
    　前記濃度検出部の検出結果に基づき、前記液供給部から前記不織布に供給される前記洗浄液の流量を制御する制御部と
    　を備える、請求項１に記載の気体処理装置。
  9. 　薬品を用いて基板を処理する処理部と、前記処理部から排出される気体が流通する排気経路とを内部に有する基板処理装置の前記排気経路に設けられる、請求項１に記載の気体処理装置。
  10. 　薬品を用いて基板を処理する処理部と、
    　前記処理部から排出される気体が流通する排気経路と、
    　前記排気経路に設けられ、前記排気経路を流通する前記気体に含まれる対象成分を前記気体から除去する気体処理装置と
    　を備え、
    　前記気体処理装置は、
    　内部空間を有する筐体と、
    　前記内部空間に配置された親液性の不織布と、
    　前記不織布に洗浄液を供給する液供給部と、
    　前記内部空間に前記気体を導入する気体導入部と、
    　前記気体を前記内部空間から排出する気体排出部と
    　を備え、
    　前記不織布の表面に形成された洗浄液の液膜に前記気体導入部から導入された気体を接触させる、基板処理装置。
  11. 　前記排気経路は、
    　前記処理部から排出された前記気体を前記処理部へ戻す循環経路の少なくとも一部を構成する、請求項１０に記載の基板処理装置。
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