CN114682548A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供基板处理装置，该基板处理装置能够高效地对由搬送装置搬送的基板进行处理。实施方式的基板处理装置在处理室(100)内从配置于搬送装置的上方的喷嘴(10a)向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板(W)的表面进行处理，其中，所述基板处理装置具有分隔板(12)，该分隔板(12)配置于所述喷嘴(10a)的所述基板(W)的搬送方向(Dt)的下游侧，阻碍以被从所述喷嘴(10a)朝向所述基板(W)的表面喷出的所述高压处理流体的流动引入的方式产生的气流向所述下游侧流动，所述分隔板(12)配置为在该分隔板(12)的上端缘与所述处理室(100)的顶部(103)之间形成有间隙(Gb)。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及对由搬送辊或搬送带等搬送装置搬送的基板进行处理的基板处理装置。

背景技术

例如，公知有在液晶显示装置的制造工序中从喷嘴头向基板的表面提供处理液(例如纯水)而对基板的表面进行处理的基板清洗装置(基板处理装置)。在该基板清洗装置中，与以待处理的表面朝上的方式由搬送装置搬送的基板的表面对置配置有喷嘴头。从喷嘴头喷出高压的清洗液(高压处理流体)，利用该高压的清洗液对被搬送的基板的表面进行清洗。

专利文献1：日本特开平10-15462号公报

然而，当实现从喷嘴头喷出的处理流体的高压化时，产生了基板的特别是前端部和后端部从搬送面浮起的现象。特别是在薄型(例如，厚度为0.5mm左右)的基板(玻璃基板、液晶基板等)中，浮起量大，该基板有可能与喷嘴头或处理室的搬出口碰撞或在搬送中抖动等，从而导致作为处理对象的基板破损。另外，由于基板浮起，喷嘴头所具有的喷嘴与基板的距离发生变化，因此有可能无法均匀地向基板提供处理液，处理变得不充分。因此，无法实现处理液体的充分的高压化。

发明内容

本发明提供能够高效地对被搬送的基板进行处理的基板处理装置。

本发明的一个方式的基板处理装置构成为：在处理室内从配置于搬送装置的上方的喷嘴向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板的表面进行处理，其中，所述基板处理装置具有分隔板，该分隔板配置于所述喷嘴的所述基板的搬送方向的下游侧，阻碍以被从所述喷嘴朝向所述基板的表面喷出的所述高压处理流体的流动引入的方式产生的气流向所述下游侧流动，所述分隔板配置为在该分隔板的上端缘与所述处理室的顶部之间形成有间隙。

另外，本发明的一个方式的基板处理装置的一个方式构成为：在处理室内从配置于搬送装置的上方的喷嘴向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板的表面进行处理，其中，所述基板处理装置具有流体包围部件，该流体包围部件在所述搬送装置的下方分隔出所述基板的搬送方向上的包含与所述喷嘴对置的区域的规定的范围，并且阻碍从上方流入到所述规定的范围内的以被从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入的方式产生的气流朝向所述搬送装置的上方卷起。

另外，本发明的一个方式的基板处理装置构成为：在处理室内从配置于搬送装置的上方的喷嘴向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板的表面进行处理，其中，所述基板处理装置具有气体引入阻碍部件，该气体引入阻碍部件分隔出包含所述喷嘴的前端与所述基板的表面之间的空间的所述基板的搬送方向上的规定的范围，阻碍将气体向从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入。

附图说明

图1是用于对由搬送装置搬送的基板从搬送面浮起的原理(其一)进行说明的图。

图2是用于对由搬送装置搬送的基板从搬送面浮起的原理(其二)进行说明的图。

图3是示出本发明的第1实施方式的基板处理装置的侧视图。

图4是对图3的分隔板的作用进行说明的示意图。

图5是对图3的分隔板的作用进行说明的示意图。

图6是对图3的分隔板的作用进行说明的示意图。

图7是示出本发明的第2实施方式的基板处理装置的侧视图。

图8是示出本发明的第3实施方式的基板处理装置的俯视图。

图9是示出图8的气体引入阻碍部件的构造的侧视图。

图10是示出气体引入阻碍部件的第1变形例的侧视图。

图11是示出气体引入阻碍部件的第2变形例的侧视图。

图12是示出气体引入阻碍部件的第3变形例的侧视图。

图13是示出本发明的第4实施方式的基板处理装置的侧视图。

标号说明

1、1a：基板处理装置；10：喷嘴头；11：槽型件；12：分隔板；13：流体包围部件；14：上侧处理液管；15：下侧处理液管；16：气体引入阻碍部件；20：搬送装置；21：辊；100：处理室；101：搬入口；102：搬出口；103：顶部；104：底部。

具体实施方式

在对本发明的实施方式进行说明之前，对例如在从喷嘴头所具有的喷雾喷嘴向基板喷吹高压的处理流体时该基板从搬送面浮起的原因进行讨论。

如图1和图2所示，在基板处理装置所具有的处理室100内，由具有从下方支承基板W(玻璃基板、液晶基板等)的多个辊21的搬送装置20将基板W以水平状态从搬入口101朝向搬出口102搬送。与这样被搬送的基板W的朝向上方的表面对置配置有喷嘴头10。

在这样的基板处理装置中，首先，参照图1对第1原因进行说明。如涂黑粗箭头所示，从喷嘴头10朝向基板W的表面喷出高压的清洗液(处理流体)。当清洗液被喷出时，如空心粗箭头所示，以被清洗液的流动引入的方式在喷出的清洗液的周围产生气流。该气流被基板W遮挡，沿着基板W的表面极高速地流动。通过该高速气流，基板W的表面附近的上侧部分根据伯努利定理而成为负压状态。其结果为，向上的力F作用于基板W，由于该向上的力F，被搬送的基板W的通过了喷嘴头10的正下方位置的前端部分(参照图1的虚线椭圆部分)有可能浮起。

接着，参照图2对第2原因进行说明。当基板W的后端通过喷嘴头10的正下方位置后，从喷嘴头10喷出的高压的清洗液如涂黑粗箭头所示那样通过相邻的辊21之间的间隙而高速地向比搬送装置20所形成的搬送面靠下方的位置流动。在该情况下，也与上述同样地，通过清洗液的流动，将其周围的气体(空气)引入，在喷出的清洗液的周围产生气流(空心粗箭头)。该气流在到达了处理室100内的底部附近后以反弹的方式卷起，产生向上的气流。由于该向上的气流，通过了喷嘴头10的正下方位置的基板W的后端部分有可能浮起。

本发明考虑上述的基板W浮起的原因，通过防止或抑制该基板W的浮起而能够高效地对基板进行处理，使用附图对本发明的实施方式进行说明。

本发明的第1实施方式的基板处理装置构成为图3所示那样。该基板处理装置1的特征在于，具有用于防止或抑制由于基于图1所说明的原因而有可能产生的基板W的浮起的结构(后述的分隔板12)。

在图3中，基板处理装置1具有处理室100。处理室100是在基板W被搬送的方向Dt上具有形成有搬入口101的侧壁和形成有搬出口102的侧壁，并且在上下方向上具有顶部103和底部104的密闭空间。在处理室100内设置有从搬入口101延伸到搬出口102的搬送装置20。搬送装置20具有沿与基板W的搬送方向Dt垂直并且与水平面平行的方向(与图3的纸面垂直的方向：以下，称为“与搬送方向垂直的方向”)延伸的轴(未图示)以及安装于该轴的多个辊21。该未图示的轴和多个辊21的组为多组，是在搬送方向Dt上以规定的间隔排列的构造。各辊21的上表面形成基板的搬送面。从搬入口101投入的作为处理对象的基板W(例如，厚度为0.5mm、一条边为3m的矩形形状)在被搬送装置20的各辊21支承的同时朝向搬出口102被搬送。

在处理室100内具有利用清洗液(处理流体的一例)对基板W进行高压清洗的清洗处理部110以及利用冲洗液(纯水)对基板W进行冲洗处理的冲洗处理部120。在处理室100内，清洗处理部110位于比冲洗处理部120靠基板W的搬送方向Dt的上游侧的位置。

在清洗处理部110中，在与搬送方向垂直的方向上排列的多个喷嘴头10配置为与由搬送装置20搬送的基板W的朝向上方的表面对置。这些多个喷嘴头10在处理室100内以规定的间隔固定于沿与搬送方向垂直的方向延伸的槽型件11。各喷嘴头10通过配管而与清洗液的供给源(省略图示)结合。通过从供给源提供高压的清洗液，从喷嘴头10所具有的喷嘴10a朝向下方(在图3中沿铅垂方向)喷出高压(例如，设定在7MPa～15MPa的范围内)的清洗液(高压处理流体)(参照图3的涂黑粗箭头)。另外，调整在与搬送方向垂直的方向上排列的多个喷嘴头10而使其配置为与构成搬送装置20的1根轴和被该轴支承的辊21对置。

另外，在清洗处理部110内设置有分隔板12，通过该分隔板12而在基板W的搬送方向Dt上形成了比分隔板12靠上游侧的空间A和比分隔板12靠下游侧的空间B。分隔板12设置为在基板W的搬送方向Dt上的比喷嘴头10靠下游侧的规定的位置沿垂直方向延伸，并在与搬送方向垂直的方向上至少具有与全部喷嘴头10对置的长度(全部喷嘴头10量的长度或这以上的长度)。在该分隔板12的下端缘与由搬送装置20搬送的基板W之间形成有规定的间隙Ga，并且，在分隔板12的上侧缘与处理室100的顶部103之间形成有规定的间隙Gb。间隙Ga形成得比从喷嘴10a喷出的清洗液在基板W的表面上形成的膜厚稍大，形成得比喷嘴头10所具有的喷嘴10a的前端与基板W的表面之间的间隙(例如40mm～60mm)小(间隙Ga例如为10mm以上)。间隙Gb形成得比间隙Ga小(例如5mm～10mm)。另外，也可以设置间隙Ga和Gb的调整装置。例如，可以将分隔板12以能够上下滑动调整的方式支承于托架。或者，也可以构成为，将分隔板12在高度方向的中央部分隔成2个部件，将各部件以能够上下滑动调整的方式支承于托架，由此能够单独调整间隙Ga和Gb。

对在这样构成的基板处理装置1中防止或抑制基板W浮起进行讨论。

关于最佳的分隔板12的配置位置以及间隙Ga、Gb，以喷嘴10a的前端与基板W的表面之间的间隙、从喷嘴10a喷出的清洗液的喷出压、喷出速度等作为主要原因，并且也考虑了以下情况，能够通过实验等来求取。另外，如果使喷嘴头10无限接近基板W的表面，则与喷出的清洗液接触的气体变少，被卷入的周围气体变少，因此可以认为不会出现基板W浮起。但是，如果使喷嘴头10过于接近基板W，则存在由于从喷嘴10a喷出的高压的清洗液而使基板上的图案等产生损伤的危险性。另一方面，如果使喷嘴头10过于远离基板W，则无法向基板W提供所需压力的清洗液，难以进行高效的清洗处理。

如上所述，优选为，间隙Ga比形成在基板W的表面上的清洗液膜的膜厚稍大，从喷嘴10a喷出的清洗液的流动不会被分隔板12阻止。在本实施方式中，间隙设为遮断(阻碍)由于清洗液喷出而被引入并成为气流的气流层的厚度的例如75％左右。如果使间隙Ga比这宽，则与以往没有差别(即，会产生图1、图2所示的基板W的浮起)。

关于间隙Gb，图4是不设置间隙Gb的情况的示意图，图5是间隙Gb过大的情况的示意图，图6是间隙Gb为优选大小的情况的示意图。在图4中，虽然由于存在间隙Ga而限制了气流通过，但在空间B中成为涡流，该涡流的流动成为基板W浮起的原因。在图5中，通过了间隙Ga后的气流在空间B中成为涡流，在该涡流流动的中途通过间隙Gb，变化为包围分隔板12那样大的涡流，该涡流的流动成为基板W浮起的原因。与此相对，在图6中也是，由于存在分隔板12(间隙Ga小)而限制了气流通过。而且，通过了间隙Ga后的气流在空间B中在基板W的上方成为涡流。但是，由于间隙Gb的大小形成得适度，从而沿分隔板12的与喷嘴10a对置的一侧的面上升的气流使间隙Gb产生强吸引力。通过该吸引力，作为在空间B中形成涡流的基础的气体的一部分经由间隙Gb从空间B移动到空间A。因此，在图6中，即使在基板W的上方产生了涡流，也能够抑制为对基板W的浮起没有影响的程度，由此，可以认为能够抑制作为基板W浮起的原因的气流。

另外，分隔板12在搬送方向Dt上设置在比喷嘴头10靠下游侧并且比可能发生基板W的浮起的位置靠上游侧的位置。可能发生基板W的浮起的位置能够预先通过实验等来求取。例如，以图1、图2所示的结构来求取可能发生基板W的浮起的位置。

另外，间隙Ga、Gb也可以通过在分隔板12上形成一个或多个长孔来设置。例如，也可以是，以分隔板12的顶部103侧的端部与顶部103接触的状态设置，在分隔板12的顶部103侧的规定的部分设置作为间隙Gb的长孔。设置长孔的位置和数量以及长孔的尺寸像先前所述那样设定为具有与图6所示的实施方式相同的效果。

返回到图3，在冲洗处理部120中，隔着搬送装置20而在上侧设置有多个上侧处理液管14，在下侧设置有多个下侧处理液管15。多个上侧处理液管14的每一个以及多个下侧处理液管15的每一个沿与搬送方向垂直的方向延伸。多个上侧处理液管14在基板W的搬送方向Dt上以规定的间隔排列，多个下侧处理液管15分别配置为与多个上侧处理液管14中的任意上侧处理液管14对置。在各上侧处理液管14上以规定的间隔形成有朝向下方开口的多个喷嘴14a，在各下侧处理液管15上以规定的间隔形成有朝向上方开口的多个喷嘴15a。上侧处理液管14和下侧处理液管15分别通过配管而与冲洗液的供给源(省略图示)结合。来自供给源的冲洗液提供给上侧处理液管14，从该上侧处理液管14的各喷嘴14a朝向下方喷出冲洗液，来自供给源的冲洗液提供给下侧处理液管15，从该下侧处理液管15的各喷嘴15a朝向上方喷出冲洗液。利用从上侧处理液管14的各喷嘴14a喷出的冲洗液以及从下侧处理液管15的各喷嘴15a喷出的冲洗液而对由搬送装置20搬送的基板W的表面和背面这两面进行处理(冲洗处理)。

在上述那样的构造的基板处理装置1中，从搬入口101搬入并由搬送装置20搬送的基板W进入清洗处理部110。在清洗处理部110中，从喷嘴10a喷出的高压的清洗液(处理流体)提供给由搬送装置20搬送的基板W的表面，去除(清洗)基板W的表面的异物。然后，结束清洗处理部110中的处理，由搬送装置20搬送的基板W进入接下来的冲洗处理部120。在冲洗处理部120中，利用从上侧处理液管14和下侧处理液管15各自的各喷嘴14a、15a喷出的冲洗液而对由搬送装置20搬送的基板W的表面和背面这两面进行处理，并从搬出口102搬出，移动到接下来的处理工序(例如，干燥工序)。

在上述的清洗处理部110的处理中，周围的气体被从喷嘴10a喷出的高压的清洗液(参照图3的涂黑粗箭头)引入，该以被引入的方式产生的气流沿着基板W的表面高速流动(参照图3的空心粗箭头)。但是，在基板W的表面上向搬送方向Dt的下游侧流动的气流的一部分碰到分隔板12，只有存在于分隔板12的下端与基板W之间的间隙Ga所容许的气流(例如，气流层的厚度的25％左右)进一步向下游侧流动。即，被从喷嘴头10喷出的高压的清洗液引入的气体的一部分由于存在分隔板12而被阻碍进一步向下游侧流动。由此，在基板的搬送方向上的比分隔板12的配置位置靠下游侧的位置，沿着基板W的表面的气流变少。而且，如使用图6所说明的那样，在空间B中，虽然在基板W的上方成为涡流，但由于存在适度的间隙Gb，能够抑制为对基板W的浮起没有影响的程度。由此，能够降低在基板W的表面附近的上侧部分产生的负压(与不设置分隔板12的情况相比，能够使负压接近于零)。其结果为，作用于基板W的向上的力(图1所示的F)变小，能够防止或抑制被搬送的基板W的通过了喷嘴头10的正下方位置的部分(前端部分)浮起。

根据上述的本发明的第1实施方式的基板处理装置，能够高效地对基板进行处理。这是因为，通过能够防止基板W与喷嘴头10的喷嘴10a或搬出口102周围的侧壁等碰撞、或者抑制基板W抖动，能够防止基板破损。或者，通过能够防止或抑制基板浮起，从而能够以更接近平坦的状态搬送基板，因此能够一边向基板W均匀地提供处理流体一边进行清洗处理，能够大致均匀地对基板的表面进行处理。

接下来，本发明的第2实施方式的基板处理装置构成为图7所示那样。该基板处理装置的特征在于，具有防止由于基于图2所说明的原因而可能发生的基板W的浮起的结构(后述的流体包围部件13)。

在图7中，该基板处理装置1a与上述的第1实施方式(参照图3)同样地具有处理室100，在处理室100内具有清洗处理部110和冲洗处理部120。在处理室100内设置有从搬入口101延伸到搬出口102的搬送装置20。冲洗处理部120与第1实施方式(参照图3)同样，隔着搬送装置20而在上侧设置有分别形成有多个喷嘴14a的多个上侧处理液管14，在下侧设置有分别形成有多个喷嘴15a的多个下侧处理液管15。从上侧处理液管14的各喷嘴14a朝向下方喷出冲洗液，从下侧处理液管14的各喷嘴15a朝向上方喷出冲洗液。

另外，在清洗处理部110中，与第1实施方式(参照图3)同样地，以规定的间隔固定于槽型件11的多个喷嘴头10配置为与由搬送装置20搬送的基板W的朝向上方的表面对置。然后，从喷嘴头10所具有的喷嘴10a朝向下方喷出高压的清洗液。

而且，在清洗处理部110中，代替在第1实施方式(参照图3)中所说明的分隔板12，而在搬送装置20的下方以与固定于槽型件11的多个喷嘴头10对置的方式设置有流体包围部件13。流体包围部件13具有在与多个喷嘴头10对置的辊21的下方分隔出基板W的搬送方向Dt上的规定的范围的2个折返板13a、13b。在一个折返板13a的上端部形成有向内侧弯折并突出的折返部13c，在另一个折返板13b的上端部也形成有向内侧弯折并突出的折返部13d。在2个折返板13a、13b中的位于搬送方向Dt的上游侧的一个折返板13a的下端部与折返部13c之间形成有横板部13e。在另一个折返板13b的下端部也形成有横板部13f。横板部13e以从折返板13a朝向搬送方向Dt的上游侧即搬入口101侧延伸(例如，沿水平方向延伸)的方式设置于折返板13a。横板部13f以从折返板13b朝向搬送方向Dt的下游侧延伸(例如，沿水平方向延伸)的方式设置于折返板13b。横板部13e设置在比横板部13f高的位置(接近搬送装置20的位置)，端部设置在不会与下侧处理液管15干涉的位置。折返部13c、13d的各顶部与被搬送的基板W的下表面之间的间隙为5mm～10mm左右。另外，与喷嘴头10对置的辊子21位于流体包围部件13的2个折返部13c、13d之间。各折返板13a、13b彼此平行对置，并以至少与全部喷嘴头10对置的方式(以具有全部喷嘴头10量的长度或这以上的长度的方式)沿与搬送方向垂直的方向延伸，折返板13a、13b各自的下方部分为与底部104大致平行的形状，在处理室100的底部104附近形成有空间。横板部13e、13f与折返板13a、13b同样地形成为以至少与全部喷嘴头10对置的方式(以具有全部喷嘴头10量的长度或这以上的长度的方式)沿与搬送方向垂直的方向延伸。

在上述的清洗处理部110(基板处理装置)中，当基板W的后端通过喷嘴头10的正下方位置后，从喷嘴头10的喷嘴10a喷出的高压清洗液通过搬送装置20的辊子21之间的间隙而高速流入到流体包围部件13内。然后，产生以被高速流入到流体包围部件13内的清洗液引入的方式流入到流体包围部件13内的气流。产生的气流的大半部分以向处理室100的底部扩散的方式扩散。另外，从底部104反弹流动的气流由于折返板13a、13b的横板部13e、13f、折返部13c、13d而向下方转换方向，阻碍了气流从底部104朝向搬送装置20的上方卷起(参照图7的空心粗箭头)。这样，通过设置流体包围部件13，阻碍了由于从喷嘴10a喷出高压的清洗液而产生的气流在处理室100(清洗处理部110)内卷起，因此能够防止或者抑制通过了喷嘴头10的正下方位置的基板W的后端部分浮起(参照图2)。

另外，如图7所示，横板部13e设置为一端与折返板13a接触，另一端与形成有搬入口101的侧壁接触。横板部13f的一端设置于折返板13b，另一端设置为使得在冲洗部120侧形成流体包围部件13的开口。流体包围部件13阻止由于从喷嘴头10的喷嘴10a喷出清洗液而产生的气流与处理室100的底部碰撞从而该气流反弹朝向搬送装置20侧。由于从喷嘴10a喷出清洗液而产生的气流以沿着折返板13a、13b的方式朝向处理室100的底部。在处理室100的底部发生了反弹的气流的一部分朝向横板部13e，一部分朝向横板部13f。与横板部13e发生了碰撞的气流被限制在流体包围部件13内，不会朝向处理室100的上方(搬送装置20侧)。虽然与横板部13f发生了碰撞的气流的一部分会流入冲洗部120侧，但该横板部13f能够阻碍强气流流入冲洗部120侧。

这里，如上所述，横板部13e设置在比横板部13f高的位置。这是因为：由于从喷嘴10a喷出清洗液而产生的气流与处理室100的底部发生碰撞，利用横板部13e、13f、折返部13c、13d而使其停留在流体包围部件13内。这样，流体包围部件13内的气压会逐渐升高，从横板部13f的冲洗部120侧端部流入到冲洗部120的气流的量增加。由此，由搬送装置20搬送的基板W有时会抖动。通过将横板部13e设置在较高的位置，能够防止流体包围部件13内的气压显著增高。

根据上述的第2实施方式的发明，能够防止或抑制利用从喷嘴10a喷出的高压的清洗液进行清洗处理的基板W的后端部分浮起，以稳定的姿势被搬送装置20搬送。因此，与上述的本发明的第1实施方式同样地，能够防止基板W与喷嘴10a或搬出口102周围的侧壁等碰撞，并且抑制基板W抖动，因此能够防止基板破损。另外，通过能够防止或抑制基板W浮起，从而能够以更接近平坦的状态搬送基板W，因此能够一边向基板W均匀地提供处理流体一边进行清洗处理。基于这些理由，能够高效地对基板W进行处理。

接下来，使用图8和图9对本发明的第3实施方式的基板处理装置进行说明。该基板处理装置的特征在于，代替上述的分隔板12(参照图3)和流体包围部件13(参照图7)，而具有用于阻碍空气被从喷嘴10a高速喷出的清洗液的流动引入的结构(后述的气体引入阻碍部件16)。

本发明的第3实施方式的基板处理装置与上述各实施方式(参照图3、图7)同样地具有处理室100，在处理室100内具有清洗处理部110和冲洗处理部120。在处理室100内设置有从搬入口101延伸到搬出口102的搬送装置20。而且，在清洗处理部110中设置有固定于槽型件11的多个喷嘴头10，并且，在冲洗处理部120中，在搬送装置20的上侧设置有分别形成有多个喷嘴14a的多个上侧处理液管14，并且在搬送装置20的下侧设置有分别形成有多个喷嘴15a的多个下侧处理液管15。

如图8、图9所示，在上述结构的基板处理装置的清洗处理部110中设置有气体引入阻碍部件16。另外，在图8中，为了简化附图，省略了记载槽型件11、上侧处理液管14、下侧处理液管15。该气体引入阻碍部件16具有分别沿与搬送方向垂直的方向(与图9的纸面垂直的方向)延伸的板状的2个罩板16a、16b。这2个罩板16a、16b具有至少与全部喷嘴头10对置的长度，以在与搬送方向Dt平行的方向上夹着该槽型件11的方式固定于槽型件11，在该槽型件11上固定有在与搬送方向垂直的方向上排列的多个喷嘴头10。通过这2个罩板16a、16b分隔出搬送方向Dt上的规定的范围，该搬送方向Dt上的规定的范围包含各喷嘴头10的前端与由搬送装置20搬送的基板W的表面之间的空间。另外，如图9所示，2个罩板16a、16b的下端部设置为延伸到比喷嘴头10的喷嘴10a(喷出口)靠下方的位置。另外，在本实施方式中，喷嘴10a与基板的表面之间的间隙例如为40mm～60mm，与此相对，罩板16a、16b的下端部与基板W的表面之间的间隙设定为25mm～35mm左右。

在这样的清洗处理部110(基板处理装置)中，能够阻碍从喷嘴10a喷出的高压的清洗液喷出时周围的气体(参照图9中的虚线箭头)被清洗液的高速流动引入。即，防止或减轻作为气流产生的原因的从喷嘴10a喷出的高压清洗液的周围的气体的引入。由此，能够遮断以被清洗液的高速流动引入的方式产生的气流，能够抑制产生气流。

因此，在由搬送装置20搬送基板W的过程中，能够抑制基板W的通过了喷嘴头10的正下方位置的前端部分浮起(参照图1)，并且抑制通过了喷嘴头10的正下方位置的基板W的后端部分浮起(参照图2)。由此，与上述的本发明的第1实施方式、第2实施方式同样地，能够高效地对基板进行处理。

上述的气体引入阻碍部件16优选设置为使罩板16a、16b与喷嘴头10的距离尽可能小。喷嘴头10与罩板16a、16b之间的空间越大，存在于该空间的气体越容易被从喷嘴头10的喷嘴10a喷出的清洗液喷出的势头引入，越容易产生气流。另外，如果喷嘴头10与罩板16a、16b之间宽，则容易从罩板16a、16b与基板W的表面之间的间隙进入新的气体，该气体被清洗液喷出的势头引入。因此，罩板16a、16b的设置位置优选设为从喷嘴10a喷出的高压状清洗液的喷出宽度程度。作为防止新的气体流入到罩板16a、16b与喷嘴头10之间的空间并由于从喷嘴10a喷出的清洗液喷出而将气体引入的例子，也可以构成为图10～图12分别所示那样。

图10所示的气体引入阻碍部件16(第1变形例)具有2个对置板部16c、16d，该2个对置板部16c、16d分别从2个罩板16a、16b的下端部向由该2个罩板16a、16b分隔出的规定的范围(空间)的内侧突出，并以规定的间隔对置。2个对置板部16c、16d设置在各罩板16a、16b的长度方向的整个长度范围。2个对置板部16c、16d的间隔设定为从喷嘴10a喷出的高压状清洗液的喷出宽度程度。根据这样的气体引入阻碍部件16，能够进一步减轻将周围的气体引入，而从喷嘴10a喷出的压缩处理流体的供给不会受到任何妨碍。因此，能够进一步抑制基板W浮起。

图11所示的气体引入阻碍部件16(第2变形例)具有倾斜部16e、16f(倾斜部件)，该倾斜部16e、16f设置于2个罩板16a、16b的内表面，以朝向从喷嘴10a喷出的高压清洗液的喷出方向逐渐突出的方式倾斜。2个倾斜部16e、16f设置在各罩板16a、16b的长度方向的整个长度范围。倾斜部16e、16f的下端部的间隙设定为从喷嘴10a喷出的高压清洗液的喷出宽度程度。在这样的气体引入阻碍部件16中，也能够得到与图10所示的对置板部16c、16d相同的效果。

如图12所示，构成气体引入阻碍部件16的2个罩板16a、16b配置于槽型件11的内侧，能够将2个罩板16a、16b的间隔设定为从喷嘴10a喷出的高压清洗液的喷出宽度程度(第3变形例)。根据这样的气体引入阻碍部件16，即使不设置图10所示的对置板部16c、16d或图11所示的倾斜部16e、16f，也能够得到同等的效果。

根据上述的第3实施方式的发明，能够防止或者减轻在从喷嘴10a喷出的高压的清洗液被喷出时周围的气体被清洗液的高速流动引入的情况本身。由此，能够防止或抑制基板浮起，能够高效地对基板进行处理。

在上述各实施方式中，分隔板12(第1实施方式：参照图3)、流体包围部件13(第2实施方式：参照图4)以及气体引入阻碍部件16(第3实施方式：参照图8～图12)分别设置于清洗处理部110。但是，不限于此，能够将分隔板12、流体包围部件13以及气体引入阻碍部件16中的任意2个或这3个组合应用于清洗处理部110(基板处理装置)。通过这些组合，能够更可靠地防止被搬送的基板W浮起。

图13是在图3所说明的第1实施方式中组合了第2实施方式的流体包围部件13(参照图7)和第3实施方式的气体引入阻碍部件16(参照图9)的例子。各个功能如在各实施方式中所述那样，因此省略。

在本实施方式中，喷嘴的喷出压为7MPa～15MPa，间隙Ga为10mm以上，间隙Gb为5mm～10mm，喷嘴10a的前端与基板W的表面之间的间隙Gc为40mm～60mm，罩板16a、16b的下端部与基板W的表面之间的间隙Gd为25mm～35mm。即，调整为Gc＞Gd＞Ga＞Gb时，能够可靠地防止或抑制所搬送的基板W浮起。

在上述的各实施方式中，使用清洗液作为处理流体，但不限于此，处理流体可以是基板W的处理所需的任何液体、气体以及气体和液体的混合体中的任一种。

上述的基板处理装置是对基板W的表面进行清洗处理的基板清洗装置(清洗处理部110)，但只要是利用从喷嘴头喷出的高压处理流体对基板进行处理的装置即可，没有特别限定。

另外，在实施方式中，由辊构成了搬送装置，但也可以是带搬送。特别是在通过带搬送来实施第2实施方式时，可以使用透气性的带，或者构成为一边由不同的搬送带支承基板的与搬送方向垂直的方向的两端一边进行搬送。另外，以水平状态搬送基板，但也可以相对于水平方向具有倾斜(例如10度左右)地进行搬送。

另外，在各实施方式中，将多个喷嘴头10配置为一列，但也可以在与搬送方向垂直的方向上设置多列。

另外，例如在图3中，被从喷嘴10a喷出的清洗液的流动引入而朝向基板W的搬送方向Dt的上游侧的气流会从搬入口101向处理室100的外部逸出，因此对基板W的搬送几乎没有影响。因此，在不具备输入口那样的排出口的情况下，也可以将分隔板12相对于喷嘴10a配置在上游侧。另外，也可以在处理室100内设置排气装置。

以上，对本发明的几个实施方式及各部分的变形例进行了说明，但这些实施方式或各部的变形例是作为一例来提示的，并不意图限定发明的范围。上述的这些新的实施方式能够以其他各种方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨内，并且包含于在权利要求书中记载的发明内。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其在处理室内从配置于搬送装置的上方的喷嘴向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板的表面进行处理，其中，

所述基板处理装置具有分隔板，该分隔板配置于所述喷嘴的所述基板的搬送方向的下游侧，阻碍以被从所述喷嘴朝向所述基板的表面喷出的所述高压处理流体的流动引入的方式产生的气流向所述下游侧流动，

所述分隔板配置为在该分隔板的上端缘与所述处理室的顶部之间形成有间隙。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述分隔板配置为该分隔板的下端缘与所述基板的表面之间的间隔小于所述喷嘴的前端与所述基板的表面之间的间隔。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述分隔板的上端缘与所述处理室的顶部之间的间隙小于所述分隔板的下端缘与所述基板的表面之间的间隙。

4.一种基板处理装置，其在处理室内从配置于搬送装置的上方的喷嘴向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板的表面进行处理，其中，

所述基板处理装置具有流体包围部件，该流体包围部件在所述搬送装置的下方分隔出所述基板的搬送方向上的包含与所述喷嘴对置的区域的规定的范围，并且阻碍从上方流入到所述规定的范围内的以被从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入的方式产生的气流朝向所述搬送装置的上方卷起。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，

所述流体包围部件具有：

一对折返板，该一对折返板在所述搬送方向上分隔出所述规定的范围；以及

折返部，其形成于所述一对折返板各自的上端部分，并向内侧突出。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

所述流体包围部件还具有：

从一对折返板中的所述基板的搬送方向的上游侧的折返板向其上游侧延伸的横板部；以及

从一对折返板中的所述基板的搬送方向的下游侧的折返板向其下游侧延伸的横板部，

向上游侧延伸的所述横板部设置在比向下游侧延伸的所述横板部高的位置。

7.一种基板处理装置，其在处理室内从配置于搬送装置的上方的喷嘴向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板的表面进行处理，其中，

所述基板处理装置具有气体引入阻碍部件，该气体引入阻碍部件分隔出包含所述喷嘴的前端与所述基板的表面之间的空间的所述基板的搬送方向上的规定的范围，阻碍将气体向从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

所述气体引入阻碍部件具有2个罩板，该2个罩板分隔出所述规定的范围。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，

所述气体引入阻碍部件还具有2个对置板部，该2个对置板部从2个所述罩板的下端部分别向所述规定的范围的内侧突出，并以规定的间隔对置。

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，

所述基板处理装置具有倾斜部件，该倾斜部件设置于2个所述罩板各自的内表面，以朝向从所述喷嘴喷出的所述高压处理流体的喷出方向逐渐突出的方式倾斜。

11.根据权利要求1至3中的任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述基板处理装置具有流体包围部件，该流体包围部件分隔出与所述喷嘴对置的所述搬送装置的下方的所述基板的搬送方向上的规定的范围，并且阻碍从上方流入到所述规定的范围内的以被从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入的方式产生的气流朝向所述搬送装置的上方卷起。

12.根据权利要求1至6、11中任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述基板处理装置具有气体引入阻碍部件，该气体引入阻碍部件分隔出包含所述喷嘴的前端与所述基板的表面之间的空间的所述基板的搬送方向上的规定的范围，阻碍将气体向从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入。

13.一种基板处理装置，其在处理室内从配置于搬送装置的上方的喷嘴向以待处理的表面朝上的方式由所述搬送装置搬送的基板喷出高压处理流体而对所述基板的表面进行处理，其中，

所述基板处理装置具有：

分隔板，其配置于所述喷嘴的所述基板的搬送方向的下游侧，阻碍以被从所述喷嘴朝向所述基板的表面喷出的所述高压处理流体的流动引入的方式产生的气流向所述下游侧流动；

流体包围部件，其分隔出与所述喷嘴对置的所述搬送装置的下方的所述基板的搬送方向上的规定的范围，并且阻碍从上方流入到所述规定的范围内的以被从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入的方式产生的气流朝向所述搬送装置的上方卷起；以及

2个罩板，该2个罩板分隔出包含所述喷嘴的前端与所述基板的表面之间的空间的所述基板的搬送方向上的规定的范围，阻碍将气体向从所述喷嘴喷出的高压处理流体的流动引入，

所述分隔板的下端缘与所述基板的表面之间的间隙Ga、所述分隔板的上端缘与所述处理室的顶部之间的间隙Gb、所述喷嘴的前端与所述基板的表面之间的间隙Gc以及各所述罩板与所述基板的表面之间的间隙Gd的关系是Gc＞Gd＞Ga＞Gb。

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