KR20180050251A - 유리판의 제조 방법 및 그 제조 장치 - Google Patents

Abstract

급기구(20) 및 배기구(24)를 갖는 하부 구성체(10)의 상면과 상부 구성체(9)의 하면을 대향시켜 배치하고, 대향하는 양면의 상호간에 형성되는 처리 공간(12)에서 급기구(20)로부터 분출되어 배기구(24)로 흡입되는 처리 가스(5)에 의해 수평 방향으로 반송되는 유리판(3)의 하면(3a)에 에칭 처리를 실시함과 아울러, 처리 공간(12)은 급기구(20)가 위치하는 영역의 높이가 배기구(24)가 위치하는 영역의 높이보다 높아지게 된다.

Description

유리판의 제조 방법 및 그 제조 장치

본 발명은 불화수소 등의 처리 가스를 이용하여 유리판에 에칭 처리를 실시하는 공정을 갖는 유리판의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것이다.

주지하는 바와 같이, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 전계 방출 디스플레이 등으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD)나, 스마트폰, 태블릿형 PC 등의 모바일 기기, 기타 각종 전자 디바이스 등에는 다양한 판 두께나 사이즈의 유리판이 포함되어 있다.

이 종의 최종 제품인 유리판을 생산하기 위한 기반이 되는 유리판의 제조공정에서는 정전기의 대전에 기인하는 문제가 생길 수 있다. 예를 들면, 작업대 상에 유리판을 두고 소정의 처리를 실시할 때에는 정전기의 대전에 기인하여 유리판이 작업면에 달라붙는 사태가 생길 수 있다. 그 때문에, 소정의 처리를 마친 유리판을 작업대로부터 박리시킬 때에는 상기 유리판의 파손을 초래할 수 있다.

이러한 문제의 대응책으로서, 불화수소 등의 처리 가스를 유리판에 블로잉하여 에칭 처리를 실시하고, 상기 유리판의 표면을 조화시킴으로써 상기 정전기의 대전에 기인하는 문제를 해결하려는 시도가 추진되고 있다.

그 구체예로서, 특허문헌 1에 의하면, 일정 반송 경로에 따라 반송되는 유리판이 처리 공간을 통과할 때에, 분출 노즐로부터 분출되어 흡인 노즐에 흡입되는 처리 가스에 의해 상기 유리판의 하면에 에칭 처리를 실시하는 것이 개시되어 있다.

상술하면, 동 문헌에 개시된 에칭 장치로는 상부 구성체(상측의 구성부)의 하면과 하부 구성체(하측의 구성부)의 상면 상호간에, 반송 중 유리판의 하면에 에칭 처리를 실시하기 위한 처리 공간이 형성된다. 이 경우, 상부 구성체는 천장판으로만 형성된다. 한편, 하부 구성체는 유리판의 반송 방향 후방측(반송 경로의 상류측)에 배치된 분출 노즐과, 유리판의 반송 방향 전방측(반송 경로의 하류측)에 배치된 흡인 노즐과, 이 양 노즐 사이에 개재하여 설치된 바닥판을 일체화하여 형성된다.

국제공개 제2011/105331호

그런데, 특허문헌 1에 개시된 에칭 장치는 하부 구성체인 분출 노즐과 바닥판과 흡인 노즐의 각 상면이 면일 상태가 되고, 이 각 상면은 천장판의 하면과 평행하게 배열되어 있다. 그 때문에, 하부 구성체의 상면과 천장판의 하면 사이에 형성되는 처리 공간의 상하 방향 치수는 유리판의 반송 방향 전체 길이에 걸쳐서 균일하게 되어 있다. 게다가, 천장판의 하면은 단일 평면이기 때문에, 처리 공간의 높이는 유리판의 반송 방향 전체 길이에 걸쳐서 동일하게 되어 있다.

이 에칭 장치에 의하면, 하부 구성체의 상면과 천장판의 하면 사이의 공간, 상세하게는 분출 노즐의 배치 영역으로부터 흡인 노즐의 배치 영역에 걸치는 처리 공간에, 유리판이 진입하지 않는 경우에는 처리 공간 내에 처리 가스가 가득한 상태가 된다. 이 상태에서, 처리 공간에 유리판이 진입한 경우에는 처리 공간이 유리판에 의해 상측의 공간과 하측의 공간으로 분단되지만, 상측의 공간에서는 흡인 노즐에 의한 처리 가스의 흡인을 행할 수 없다. 그 때문에, 유리판의 반송 방향 전단부의 상면이 이미 충만해 있던 처리 가스에 의해 에칭되지만, 이 처리 가스는 보충되지 않는다.

이 경우, 처리 공간의 높이가 상술한 바와 같이 형성되어 있으면, 이 처리 가스는 상측의 공간에 적량을 모을 수 없는 상태가 되기 때문에, 유리판과 반응하면서 단시간으로 감소해 간다. 그리고, 유리판이 처리 공간으로부터 나가는 도중에 이 처리 가스는 완전히 존재하지 않기 때문에, 유리판의 반송 방향 중앙부가 이 처리 가스에 의해 적절하게 에칭되는 것은 없다. 이 후, 유리판이 처리 공간으로부터 나갈 때에는 유리판의 하면에 블로잉되어 있던 처리 가스가 유리판의 반송 방향 후단으로부터 상측의 공간으로 돌아 들어간다. 그 때문에, 유리판의 반송 방향 후단부의 상면이 처리 가스에 의해 에칭되지만, 이 처리 가스는 유리판의 반송 방향 중앙부에까지 흐르는 것은 없다.

이상과 같이, 유리판이 처리 공간에 진입하고 나서 나갈 때까지의 과정에서는, 유리판의 상면은 우선 반송 방향 전단부가 에칭되고, 반송 방향 중앙부는 거의 에칭되지 않고 다시 반송 방향 후단부가 에칭된다. 또한, 유리판의 반송 방향과 직교하는 폭 방향 양단부에서도 처리 가스가 유리판의 상면측으로 돌아 들어가지만, 이 처리 가스도 유리판의 폭 방향 중앙부까지 흐르는 것은 없다.

따라서, 유리판의 상면은 외주부와 중앙부에서의 에칭에 불균형이 생겨 에칭 처리 후에 있어서의 유리판의 고품질화를 도모하는 것이 곤란하게 된다.

이상의 관점에서, 본 발명의 과제는 처리 공간에서 유리판을 반송하면서 그 하면에 에칭 처리를 실시할 때에, 유리판의 상면에 대해서도 외주부와 중앙부에 균일한 에칭 처리가 실시되도록 하여 에칭 처리 후의 유리판의 고품질화를 도모하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위해서 창안된 본 발명은 급기구 및 배기구를 갖는 하부 구성체의 상면과 상부 구성체의 하면을 대향시켜 배치하고, 대향하는 양면의 상호간에 형성되는 처리 공간에서 급기구로부터 분출되어 배기구에 흡입되는 처리 가스에 의해 수평 방향으로 반송되는 유리판의 하면에 에칭 처리를 실시함과 아울러, 급기구와 배기구를 유리판의 반송 방향으로 이격하여 위치시킨 유리판의 제조 방법에 있어서, 처리 공간은 급기구가 위치하는 영역의 높이가 배기구가 위치하는 영역의 높이보다 높은 것을 특징으로 한다. 여기에서, 「수평 방향으로 반송되는 유리판」이란 유리판이 비경사 방향인 수평 방향으로 반송되는 경우뿐만 아니라, 유리판이 수평면에 대하여 상하로 30° 이하의 각도로 경사진 방향으로 반송되는 경우도 포함한다(이하, 동일). 또한, 이들의 경우에 있어서의 유리판의 자세는 유리판이 반송 방향의 양측방에 대하여 비경사 상태가 되는 자세뿐만 아니라, 유리판이 반송 방향의 일측방으로부터 타측방에 대하여 30° 이하의 각도로 경사 상태가 되는 자세도 포함한다(이하, 동일).

이러한 구성에 의하면, 처리 공간(상세하게는, 급기구가 위치하는 영역으로부터 배기구가 위치하는 영역까지의 공간)에 유리판이 진입하지 않는 경우에는 급기구로부터 상방을 향하여 분출된 처리 가스는 처리 공간의 전역에 걸쳐서 충만되면서 배기구에 이른다. 이 상태에서, 처리 공간 내에 유리판이 진입하고, 처리 공간이 유리판에 의해 상측의 공간과 하측의 공간으로 분단된 경우에는 상측의 공간에 이미 충만해 있던 처리 가스가 상측의 공간에 여전히 충분히 모아진 상태로 될 수 있다. 즉, 처리 공간은 급기구가 위치하는 영역 쪽이 배기구가 위치하는 영역보다 높이가 높기 때문에, 처리 공간의 상측의 공간에 있어서는 높이가 높은 쪽의 영역에 충분한 양의 처리 가스를 모을 수 있다. 추가하여, 높이가 높은 쪽의 영역에 모아진 처리 가스는 높이가 낮은 쪽의 영역에 의해 외방으로부터의 흐름이 저지되므로 처리 가스의 감량이 억제되고, 이것에 의해서도 상측의 공간에 충분한 양의 처리 가스가 모아진 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 유리판이 처리 공간으로부터 나가는 도중에도, 처리 가스는 유리판의 상면과 반응하면서 적당량이 잔존하게 되어, 유리판의 상면에 있어서의 반송 방향 중앙부가 적절하게 에칭된다. 그리고, 이러한 형태이면, 유리판이 처리 공간으로부터 완전히 빠져나올 때까지, 상측의 공간에 모아져 있는 처리 가스에 의해 유리판의 상면이 적절하게 에칭될 수 있다. 따라서, 유리판이 처리 공간에 진입하고 나서 빠져나올 때까지의 사이에 있어서, 유리판의 상면에 있어서의 반송 방향 전단부 및 후단부를 포함하는 외주부뿐만 아니라, 중앙부에 대해서도 적절한 에칭 처리가 실시될 수 있다. 그 결과, 유리판의 상면 전역에 걸쳐서 에칭 처리의 균일화가 도모되고, 유리판의 하면이 본래적으로 적절하고 또한 균일한 에칭 처리를 받는 것과 함께, 에칭 처리 후에 있어서의 유리판의 고품질화가 실현된다.

상기 방법에 있어서, 급기구는 배기구보다 유리판의 반송 방향 후방측에 위치하고 있는 것이 바람직하다.

이와 같이 하면, 상기 효과를 더욱 높은 확률로 향수할 수 있다.

이상의 방법에 있어서, 상부 구성체의 하면은 급기구가 위치하는 영역과 배기구가 위치하는 영역 사이에 고저차를 갖는 2개의 평면부를 구비하고, 이들 2개의 평면부 중, 전자의 영역에 대응하는 평면부가 후자의 영역에 대응하는 평면부보다 높은 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.

이와 같이 하면, 처리 공간에서 유리판의 상측 공간에 존재하는 처리 가스는 모아진 양이 충분하게 될 뿐만 아니라, 2개의 평면부의 단차부가 유통 저항이 되어 외부 방향으로의 흐름이 저지될 수 있다. 그 때문에, 처리 공간의 상측 공간에는 처리 가스가 더욱 충분히 모이기 쉬운 상태가 된다. 따라서, 처리 공간의 상측 공간에서는 유리판의 상면 전역에 대한 처리 가스에 의한 에칭 처리가 더욱 균일화될 수 있다.

이상의 방법에 있어서, 하부 구성체의 상면은 급기구가 위치하는 영역과 배기구가 위치하는 영역 사이에 고저차를 갖지 않는 하나의 평면부를 구비하는 것이 바람직하다.

이와 같이 하면, 하부 구성체의 구조에 대폭적인 개량이나 특수 설계를 추가할 필요가 없어짐과 아울러, 상기 상부 구성체의 하면이 고저차를 갖는 2개의 평면부를 구비하는 기술적 사상과의 조합에 의해 처리 공간의 형태가 바람직하고 의의있는 것이 된다.

이상의 방법에 있어서, 급기구가 위치하는 영역의 높이와 배기구가 위치하는 영역의 높이와의 차가 5∼100㎜인 것이 바람직하다.

이와 같이 하면, 처리 공간에서 유리판의 상측의 공간에 존재하는 처리 가스는 부당하게 감량되지 않고 적량이 확실하게 모아진 상태로 유지될 수 있다. 즉, 상기 고저차가 5㎜ 미만이면, 처리 가스가 모아진 양이 부족함과 아울러, 처리 가스의 처리 공간 외방으로의 흐름을 충분히 저지할 수 없게 되어 유리판의 중앙부를 적절하게 에칭할 수 없게 될 우려가 있다. 한편, 상기 고저차가 100㎜을 초과하면, 처리 가스의 양에 대하여 높은 쪽의 영역이 너무 넓어져 처리 가스의 분포 상태가 드문드문해지기 때문에 균일한 에칭 처리에 지장을 줄 우려가 있다. 따라서, 이 경우의 고저차는 상기 수치 범위 내에 있는 것이 바람직하다.

이상의 방법에 있어서, 상부 구성체의 하면에, 수평 방향으로 반송되는 유리판의 상면에 에칭 처리를 실시하기 위해 처리 가스를 분출시키는 제 2 급기구를 형성해도 좋다.

이와 같이 하면, 제 2 급기구로부터 하방을 향하여 분출된 처리 가스에 의해 유리판의 상면이 전면에 걸쳐서 균일하고 충분한 에칭 처리를 받을 수 있다. 즉, 제 2 급기구가 형성되어 있지 않은 경우에는 에칭 처리의 균일화가 가능하더라도, 유리판의 상면에는 잔존한 소량의 처리 가스가 접촉하여 반응할 뿐이다. 그러나, 제 2 급기구로부터 유리판의 상면을 향하여 처리 가스를 블로잉하면, 유리판의 상면이 충분한 양의 처리 가스와 반응하기 때문에 에칭 부족 등의 불량이 생기기 어려워진다. 또한, 제 2 급기구로부터 분출된 처리 가스가 상술의 배기구로 흡입되도록 하면, 상기 배기구가 공용되는 것으로 되어 부품수의 삭감이나 구성의 간소화가 도모된다. 이 경우에 있어서의 처리 가스의 배기구로의 흡입은 유리판의 폭 방향(반송 방향과 직교하는 방향)의 양단부를 통해서도 행해질 수 있다.

이상의 방법에 있어서, 상부 구성체는 천장판을 갖고, 천장판의 하면과 하부 구성체의 상면과의 상호간에 처리 공간을 형성해도 좋다.

이와 같이 하면, 종래부터 사용되고 있는 기존 장치의 구성요소(상술의 특허문헌 1 참조)인 천장판이 유효하게 이용된다.

이 경우에 있어서, 상기 천장판은 유리판의 반송 방향 전방측의 전방측 천장판과, 반송 방향 후방측의 후방측 천장판으로 분할되어 있고, 전방측 천장판의 하면과 후방측 천장판의 하면 사이에 고저차가 형성되어 있는 것이 바람직하다.

이와 같이 하면, 기존 천장판을 전방측 천장판과 후방측 천장판으로 분할하고 이 양자 사이에 고저차를 형성하여 조립 일체화할 뿐만 아니라, 소망의 형태의 처리 공간을 형성할 수 있기 때문에 구성의 간략화 등이 도모된다.

또한, 이 경우에 있어서, 전방측 천장판과 후방측 천장판의 분할부에, 수평 방향으로 반송되는 유리판의 상면에 에칭 처리를 실시하기 위해 처리 가스를 분출시키는 제 2 급기구를 위치시켜도 좋다.

이와 같이 하면, 제 2 급기구의 설치 위치로서, 전방측 천장판과 후방측 천장판의 분할부가 유효하게 이용되어 부품수의 삭감이나 조립 작업의 용이화 등이 도모된다.

이상의 방법에 있어서, 제 2 급기구를 유리판의 반송 방향에 있어서의 급기구와 배기구 사이에 위치시키는 것이 바람직하다.

이와 같이 하면, 급기구로부터 분출되어 배기구를 향하는 처리 가스의 흐름 방향과, 제 2 급기구로부터 분출되어 배기구를 향하는 처리 가스의 흐름 방향을 동일한 방향으로 할 수 있다. 이에 따라, 처리 가스의 난류 등이 생기기 어려워져 유리판의 상면 및 하면의 전면에 대하여 균일한 에칭 처리를 실시하는데 유리하다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 창안된 본 발명에 의한 장치는 급기구 및 배기구를 갖는 하부 구성체의 상면과 상부 구성체의 하면을 대향시켜 배치하고, 대향하는 양면의 상호간에 형성되는 처리 공간에서 급기구로부터 분출되어 배기구에 도달하는 처리 가스에 의해 수평 방향으로 반송되는 유리판의 하면에 에칭 처리를 실시함과 아울러, 급기구와 배기구를 유리판의 반송 방향으로 이격하여 위치시킨 유리판의 제조 장치에 있어서, 처리 공간은 급기구가 위치하는 영역의 높이가 배기구가 위치하는 영역의 높이보다 높은 것을 특징으로 한다.

이 유리판의 제조 장치는 상술의 본 발명에 의한 유리판의 제조 방법과 실질적으로 동일한 구성요건을 구비하고 있다. 따라서, 이 장치에 대한 설명사항도, 상술의 방법에 대한 설명사항과 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 그 설명을 생략한다.

(발명의 효과)

본 발병에 의하면, 처리 공간에서 유리판을 반송하면서 그 하면에 에칭 처리를 실시할 때에, 유리판의 상면에 대해서도 외주부와 중앙부에 균일한 에칭 처리가 실시되어 에칭 처리 후의 유리판의 고품질화가 도모된다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 전체 개략적인 구성을 나타내는 종단 정면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 요부 구성을 나타내는 확대 종단 정면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 구성요소인 급기구체 및 그 주변을 나타내는 확대 종단 측면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 구성요소인 급기구의 주변 구조를 나타내는 요부 확대 종단 정면도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 작용을 나타내는 요부 확대 종단 정면도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 작용을 나타내는 요부 확대 종단 정면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 요부 구성을 나타내는 확대 종단 정면도이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 작용을 나타내는 요부 확대 종단 정면도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 작용을 나타내는 요부 확대 종단 정면도이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 의한 유리판의 제조 방법 및 그 제조 장치에 대해서 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

<제 1 실시형태>

우선, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치의 전체 개략적인 구성을 설명한다. 도 1은 그 전체 개략적인 구성을 나타내는 종단 정면도이다. 또한, 이하의 설명에 있어서는 도 1에 있어서의 지면과 직교하는 방향을 폭 방향으로 한다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 유리판의 제조 장치(1)는 반입구(2a)로부터 챔버(2) 내에 반입한 유리판(3)을 수평 방향으로 반송하면서, 챔버(2) 내에 있어서의 유리판(3)의 반송 경로 상에 설치한 처리 에리어(4)에서 처리 가스(5)로서 불화수소에 의해 에칭 처리를 실시하는 구성으로 하고 있다. 그리고, 에칭 처리 후의 유리판(3)은 반출구(2b)로부터 챔버(2) 외로 반출된다. 또한, 이 유리판의 제조 장치(1)는 챔버(2) 내외에 배치된 복수의 롤러(6)에 의해 수평 방향으로 일직선상으로 연장된 반송 경로에 따라 유리판(3)을 반송하는 구성으로 하고 있다. 또한, 롤러(6)는 반송 경로를 따르는 방향으로 복수 배치되어 있을 뿐만 아니라, 폭 방향으로도 복수 배치되어 있다(도 3 참조).

챔버(2)는 그 외형이 폭 방향으로 장척한 직육면체 형상으로 형성되어, 그 내부 공간으로부터의 처리 가스(5)의 유출을 방지하고 있다. 그리고, 이 챔버(2)의 측벽부(2c)에, 상술의 반입구(2a)와 반출구(2b)가 형성되어 있다. 또한, 챔버(2)의 재질은 처리 가스(5)(불화수소)에 대한 내식성이 우수한 폴리염화비닐이다.

처리 에리어(4)에는 챔버(2) 내에 설치된 복수의 롤러(6)에 의해 반송되는 유리판(3)에 대하여, 처리 가스(5)를 블로잉함으로써 에칭 처리를 실시하기 위한 에칭 장치(7)가 배치되어 있다. 이 에칭 장치(7)는 챔버(2)의 천장벽(2d) 사이에 간극(8)이 형성되도록 챔버(2)의 바닥(2e)에 설치되어 있다.

도 2는 에칭 장치(7)의 구성을 상세하게 설명하기 위한 확대 종단 정면도이다. 또한, 이하의 설명에 있어서는 도 2에 있어서의 지면과 직교하는 방향을 폭 방향으로 한다. 또한, 도 2에 나타내는 화살표(A) 방향은 유리판(3)의 반송 방향이고, 이 화살표(A) 방향을 단순히 반송 방향으로 한다. 따라서, 도 2에 있어서의 좌측이 반송 방향 전방측(반송 경로의 하류측)이고, 우측이 반송 방향 후방측(반송 경로의 상류측)이다.

도 2에 나타내는 바와 같이, 에칭 장치(7)는 상측에 배치된 상부 구성체(9)와, 하측에 배치된 하부 구성체(10)를 갖고, 이 양 구성체(9, 10)는 폭 방향의 양단에서 연결벽(11)에 의해 연결 일체화되어 있다. 그리고, 상부 구성체(9)의 하면과 하부 구성체(10)의 상면의 상호간에, 반송되는 유리판(3)의 하면에 대하여 처리 가스(5)에 의한 에칭 처리를 실시하기 위한 처리 공간(12)이 형성되어 있다. 또한, 상부 구성체(9) 및 하부 구성체(10)의 재질은 폴리염화비닐이다.

하부 구성체(10)는 상면이 단일인 평면으로 된 바닥판(13)과, 바닥판(13)의 반송 방향 후방부에 수직 하강 고정된 급기구체(14)와, 바닥판(13)의 반송 방향 전방부에 수직 하강 고정된 배기구체(15)로 구성된다. 바닥판(13)의 반송 방향 후방부에는 처리 공간(12)에 통하는 급기 구멍(16)이 형성됨과 아울러, 급기구체(14)에는 급기 구멍(16)에 통하는 급기로(17)가 형성되어 있다. 따라서, 처리 가스(5)를 상방으로 이끌어 처리 공간(12)으로 분출시키기 위한 급기용 통로(18)는 급기 구멍(16)과 급기로(17)로 구성된다. 그리고, 이 급기용 통로(18)의 상단 개구부가 바닥판(13)의 상면(19)에 형성된 급기구(20)가 된다. 또한, 급기 구멍(16)은 상부가 좁혀져 통로 면적이 작아진 급기 작은 구멍부(16a)를 갖고, 이 급기 작은 구멍부(16a)의 상단이 상술의 급기구(20)이다.

바닥판(13)의 반송 방향 전방부에는 처리 공간(12)에 통하는 배기 구멍(21)이 형성됨과 아울러, 배기구체(15)에는 배기 구멍(21)에 통하는 배기로(22)가 형성되어 있다. 따라서, 처리 가스(5)를 처리 공간(12)으로부터 하방으로 흡입되어 회수하기 위한 회수용 통로(23)는 배기 구멍(21)과 배기로(22)로 구성된다. 그리고, 이 회수용 통로(23)의 상단 개구부가 바닥판(13)의 상면(19)에 형성된 배기구(24)가 된다. 또한, 배기 구멍(21)은 상부가 좁혀져 통로 면적이 작아진 배기 작은 구멍부(21a)를 갖고, 이 배기 작은 구멍부(21a)의 상단이 상술의 배기구(24)이다. 그리고, 급기로(17)의 하단 및 배기로(22)의 하단은 챔버(2)의 저벽(2f)에 형성된 관통 구멍(25, 26)을 각각 통하여 챔버(2) 외의 관로(도시생략)에 통하고 있다.

상부 구성체(9)는 천장판(27)로 구성되고, 이 천장판(27)은 반송 방향 전방측의 전방측 천장판(28)과, 반송 방향 후방측의 후방측 천장판(29)으로 분할되고, 이 분할된 양 천장판(28, 29)은 단차(30)(고저차)를 가져서 고정 일체화되어 있다. 따라서, 상부 구성체(9)의 하면은 상대적으로 높은 위치에 존재하는 후방측 천장판(29)의 하면(31)과, 상대적으로 낮은 위치에 존재하는 전방측 천장판(28)의 하면(32)과, 이들 하면(31, 32)에 수직한 단차(단차 형성면)(30)로 이루어진다. 그리고, 후방측 천장판(29)의 하면(31)이 급기구(20)가 위치하는 영역의 상방에 형성되고, 전방측 천장판(28)의 하면(32)이 배기구(24)가 위치하는 영역의 상방에 형성되어 있다. 또한, 전방측 천장판(28)의 하면(32) 및 후방측 천장판(29)의 하면(31)은 모두가 평면이다. 또한, 단차(30)를 구성하는 수직면도 평면이다.

본 실시형태에서는 양 천장판(29, 28)의 하면(31, 32)의 단차(30)에 있어서의 고저차 치수(H)가 5∼100㎜로 설정되어 있다. 따라서, 처리 공간(12)은 급기구(20)가 위치하는 영역의 높이가 배기구(24)가 위치하는 영역의 높이보다 상기 고저차 치수(H)만큼 높게 되어 있다. 또한, 급기구(20)는 배기구(24)보다 반송 방향 후방측에 위치하고, 급기구(20)와 배기구(24) 사이에 있어서의 반송 방향 중간부(본 실시형태에서는 반송 방향 중앙부)에 단차(30)가 위치하고 있다. 또한, 후방측 천장판(29) 및 전방측 천장판(28)의 양 하면(31, 32)은 서로 평행하고, 이들 양쪽 하면(31, 32)은 바닥판(13)의 상면(19)과 평행하다. 게다가, 이들 양 하면(31, 32) 및 상면(19)은 처리 공간(12)으로 반송되어 오는 유리판(3)의 상면(3b) 및 하면(3a)과 평행하다. 여기에서, 처리 공간(12)은 엄밀하게는 상부 구성체(9)의 하면(31, 32)과 하부 구성체(10)의 상면(19)의 상호간에 있어서의 급기구(20)로부터 배기구(24)까지의 반송 방향 이격 범위 내에 형성되는 공간이다.

상부 구성체(9)의 반송 방향 후단부, 즉 후방측 천장판(29)의 반송 방향 후단부에는 후방측 천장판(29)의 하면(31)으로부터 하방으로 돌출하는 볼록부(9a)가 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 이 볼록부(9a)는 후방측 천장판(29)의 반송 방향 후단면에 고정된 단판(29a)의 하단부이다. 그리고, 이 볼록부(9a)는 처리 공간(12)으로부터 반송 방향 후방으로의 처리 가스(5)의 유출을 저지하기 위해서 또는 그 유출의 저지를 확실화하기 위해서 형성된다. 이 볼록부(9a)의 하단면의 높이 위치는 전방측 천장판(28)의 하면(32)의 높이 위치와 동일 또는 대략 동일하다. 또한, 하부 구성체(10)의 급기구체(14) 및 배기구체(15)와, 상부 구성체(9)의 후방측 천장판(29) 및 전방측 천장판(28)에는 처리 가스(5)에 의한 결로의 발생을 방지하기 위한 가열 부재(33)(예를 들면, 히터 등)가 내장되어 있다.

도 3은 급기구체(14) 및 바닥판(13)을 급기용 통로(18)의 흐름 중심 축선을 포함하는 형태로 절단한 확대 종단 측면도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 급기용 통로(18)는 급기구체(14)를 구성하는 제 1∼제 4 판재(14a, 14b, 14c, 14d)와, 바닥판(13)의 반송 방향 후방부로 이루어지는 5층 구조체의 내부에 형성되어 있다. 최하층에 위치하는 제 1 판재(14a)에는 이 제 1 판재(14a)에 처리 가스(5)를 공급하기 위한 공급 유로(14aa)가 형성되어 있다. 그리고, 이 제 1 판재(14a)와, 그 상방에 적층되는 제 2 판재(14b)를 서로 겹침으로써 공급 유로(14aa)로부터 공급된 처리 가스(5)의 분기 유로(14ba)가 형성된다. 또한, 제 2 판재(14b)와, 그 상방에 적층되는 제 3 판재(14c)를 서로 겹침으로써 상기 분기 유로(14ba)를 더욱 분기시키는 분기 유로(14ca)가 형성된다. 제 3 판재(14c)의 상방에 적층되는 제 4 판재(14d)에는 분기한 분기 유로(14ca)를 합류시키기 위한 공간(14da)이 형성된다. 또한, 제 4 판재(14d)에는 처리 가스(5)를 통과시키기 위한 다수의 관통 구멍(14db)이 형성된 다공판(14dc)을 부착된다. 최상층에 위치하는 바닥판(13)에는 처리 공간(12)에 처리 가스(5)를 분출시키기 위한 상술의 급기 작은 구멍부(16a)를 포함하는 급기 구멍(16)이 형성된다.

바닥판(13)의 반송 방향 후방부에 형성되어 있는 급기 구멍(16) 및 급기구(20)와, 바닥판(13)의 반송 방향 전방부에 형성되어 있는 배기 구멍(21) 및 배기구(24)는 모두 폭 방향으로 장척한 슬롯 형상으로 형성된다. 이들 급기 구멍(16), 급기구(20), 배기 구멍(21) 및 배기구(24)의 폭 방향 치수는 유리판(3)의 폭 방향 치수보다 길게 되어 있다. 따라서, 급기구(20) 및 배기구(24)는 모두 유리판(3)의 폭 방향 양단부의 외측 간극을 통해서 유리판(3)의 상면(3b)에 통하고 있다. 환언하면, 유리판(3)의 하측의 공간(하부 공간)(12a)은 유리판(3)의 폭 방향 양단부의 외측 간극을 통해서 유리판(3)의 상측의 공간(상부 공간)(12b)에 연통하고 있다.

도 4는 바닥판(13)에 형성된 급기 구멍(16)의 상부를 구성하는 급기 작은 구멍부(16a)의 주변 구조를 나타내는 요부 확대 종단 정면도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 급기 작은 구멍부(16a)의 반송 방향 치수(L)는 상기 급기 작은 구멍부(16a) 상하 방향 중간에 위치하여 폭 방향으로 복수 설치된 스페이서(34)에 의해 일정 치수가 되도록 조절되어 있다. 즉, 본 실시형태에서는 급기 작은 구멍부(16a)를 포함하는 급기 구멍(16)은 바닥판(13)을 반송 방향 후방부에서 분할한 각 분할 바닥판의 대향 끝면 사이의 간극이고, 이 간극의 크기가 스페이서(34)에 의해 조정되어 있다.

여기에서, 급기 작은 구멍부(16a)에 있어서의 급기구(20)로부터 스페이서(34)까지의 깊이 치수(D)는 10∼100㎜의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 이 깊이 치수(D)가 너무 짧으면, 스페이서(34)의 존재에 의해 급기 작은 구멍부(16a) 내의 처리 가스(5)의 흐름에 혼란이 생기고, 에칭 처리에 의한 유리판(3)의 하면의 조화에 불균일이 생길 우려가 있다. 이에 대하여, 깊이 치수(D)가 너무 길면, 급기구(20)의 반송 방향 치수(L)를 미조절하는 것이 곤란하게 된다. 그 때문에, 급기구(20)로부터 처리 공간(12)까지의 처리 가스(5)의 공급량이 과대 또는 과소가 되어 유리판(3)의 하면을 소망의 표면 조도로 조화할 수 없을 우려가 있다. 따라서, 급기구(20)로부터 스페이서(34)까지의 깊이 치수(D)는 상기 수치 범위 내에 있는 것이 바람직하다.

다음에, 이상의 구성을 구비한 유리판의 제조 장치(1)의 작용, 즉 유리판의 제조 방법에 대해서 설명한다.

우선, 도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 공간(12)에 유리판(3)이 진입하지 않는 상태에서는 처리 공간(12)에서 처리 가스(5)가 하기와 같이 유통한다. 즉, 급기용 통로(18)에 유입한 처리 가스(5)는 급기구(20)로부터 상방(연직 상방)을 향하여 분출되어 처리 공간(12)을 흐른 후, 배기구(24)에 흡입되고 회수용 통로(23)를 통과하여 회수된다. 이 경우, 처리 공간(12)에서 처리 가스(5)가 유통할 때에, 처리 가스(5)는 전체적으로 반송 방향 전방측을 향하여 흐르려고 하지만, 그 유통 경로의 중간에는 단차(30)가 형성되어 있다. 이 단차(30)가 방해부가 되고, 처리 가스(5)는 단차(30)의 주변에 있어서 부호(E)로 나타내는 바와 같이 굴곡 형상으로 방향 변환을 강요당하고, 그 상태에서 처리 가스(5)는 배기구(24)에 흡입된다. 여기에서, 동 도면에 나타내는 화살표가 있는 실선은 처리 가스(5)의 흐름 방향을 나타내고 있다.

이 경우, 처리 가스(5)는 급기구(20)로부터 분출되어 배기구(24)에 흡입되면서, 동 도면에 부호(J1)를 첨부한 쇄선으로 둘러싸여진 영역, 즉 처리 공간(12)의 대략 전체 영역에 충만된 상태가 된다. 이 경우, 처리 공간(12)에서는 급기구(20)가 위치하는 영역의 높이가 배기구(24)가 위치하는 영역의 높이보다 높기 때문에, 급기구(20)가 위치하는 영역에는 다량의 처리 가스(5)가 충만된 상태가 된다. 그리고, 결과적으로는 처리 공간(12)의 전역에 걸쳐서 다량의 처리 가스(5)가 충만된 상태가 된다. 또한, 처리 공간(12)에 충만되어 있는 처리 가스(5)가 처리 공간(12)의 반송 방향 후단으로부터 외부로 유출하려고 해도, 그 유출은 볼록부(9a)에 의해 효과적으로 저지된다.

다음에, 도 5에 나타내는 바와 같이, 유리판(3)이 처리 공간(12)에 진입해 온 경우에는 처리 공간(12)이 유리판(3)에 의해 하부 공간(12a)과 상부 공간(12b)으로 분단되어 간다. 이 상태에서는 상부 공간(12b)에 급기구(20)로부터 처리 가스(5)가 보충되지 않지만, 상부 공간(12b)에서는 부호(J2)를 첨부한 쇄선으로 둘러싸여진 영역에 여전히 충분한 양의 처리 가스(5)가 모아진 상태가 된다. 즉, 처리 공간(12)은 급기구(20)가 위치하는 영역 쪽이 배기구(24)가 위치하는 영역보다 높이가 높기 때문에, 처리 공간(12)의 상부 공간(12b)에 있어서는 높이가 높은 쪽의 영역에 충분한 양의 처리 가스(5)가 모아진 상태가 된다. 게다가, 상부 공간(12b)에 잔존하는 처리 가스(5)는 양쪽 천장판(29, 28)의 하면(31, 32)의 단차(30)가 유통 저항이 되어 반송 방향 전방측으로의 흐름이 저지되고, 처리 공간(12)으로부터 반송 방향 전방측으로 유출되는 것이 억제된다. 그 때문에, 처리 공간(12)의 상부 공간(12b)에는 처리 가스(5)가 보다 충분히 모이기 쉬운 상태가 된다. 따라서, 유리판(3)의 상면(3b)에 있어서의 반송 방향 전단부로부터 중앙부 근방에 이르는 부위는 충분한 양의 처리 가스(5)에 의해 에칭 처리가 실시된다.

다음에, 도 6에 나타내는 바와 같이, 처리 공간(12)에 유리판(3)이 반송됨으로써 처리 공간(12)을 유리판(3)이 하부 공간(12a)과 상부 공간(12b)으로 완전히 분리한 경우에는 처리 가스(5)의 흐름은 하기와 같은 형태가 된다. 즉, 하부 공간(12a)에서는 처리 가스(5)가 급기구(20)로부터 상방을 향하여 분출되고, 유리판(3)의 하면에 따라 하류측에 흐른 후 배기구(24)에 흡입된다. 이에 따라, 수평 방향으로 반송되는 유리판(3)의 하면(3a)에 대하여 적정한 에칭 처리가 실시되어 유리판(3)의 하면(3a)은 전역에 걸쳐서 균일하게 조화된다.

이에 대하여, 상부 공간(12b)에서는 급기구(20)로부터 처리 가스(5)가 보충되지 않는다. 그러나, 상부 공간(12b)에는 상술한 바와 같이 충분한 양의 처리 가스(5)가 이미 모아져 있기 때문에, 유리판(3)의 상면(3b)과의 반응에 따라 처리 가스(5)의 양이 감소하고 있어도, 부호(J3)를 첨부한 쇄선으로 둘러싸여진 영역에 여전히 충분한 양의 처리 가스(5)가 모아진 상태에 있다. 따라서, 이 처리 가스(5)에 의해, 유리판(3)의 상면(3b)에 있어서의 반송 방향 중앙부가 적절하게 에칭된다. 게다가, 이 처리 가스(5)는 유리판(3)이 처리 공간(12)으로부터 완전히 빠져나올 때까지 유리판(3)의 상면(3b)을 적절하게 에칭해 간다. 따라서, 유리판(3)이 처리 공간(12)에 진입하고 나서 빠져나올 때까지의 사이에 있어서, 유리판(3)의 상면(3b) 전역에 걸쳐서 적절한 에칭 처리를 실시해 가는 것이 되어, 유리판(3)의 하면(3a)뿐만 아니라 상면(3b)에 대해서도 에칭 처리의 균일화가 도모된다.

이상의 작용이 행해질 때에, 양 천장판(29, 28)의 하면(31, 32)의 단차(30)의 고저차 치수(H)가 5㎜ 미만이면, 후방측 천장판(29)의 하면(31)의 하방 영역, 즉 처리 공간(12)의 높이가 높은 쪽의 영역에 충분한 처리 가스(5)를 모으는 것이 곤란해진다. 게다가, 모아진 처리 가스(5)가 처리 공간(12)으로부터 반송 방향 전방측의 외방으로 유출하는 것을 저지할 수 없게 될 우려도 있다. 그 때문에, 유리판(3)의 반송 방향 중앙부를 적절하게 에칭하는 것이 곤란하게 될 수 있다. 한편, 상기 고저차가 100㎜를 초과하면, 급기구(20)로부터 분출되는 처리 가스(5)의 양에 대하여 처리 공간(12)의 높은 쪽의 영역이 너무 넓어져 처리 가스(5)의 분포 상태가 드문드문해지기 때문에, 균일한 에칭 처리에 지장을 줄 우려가 있다. 따라서, 단차(30)의 고저차 치수(H)는 5∼100㎜로 설정되어 있지만, 이상과 같은 사항을 감안하면, 이 고저차 치수(H)는 10∼70㎜로 설정되는 것이 바람직하고, 10∼50㎜로 설정되는 것이 보다 바람직하다. 그리고, 이 단차(30)의 고저차 치수(H)의 장단에 따라, 단차(30)의 반송 방향 후방을 향하여 유출하도록 하는 처리 가스(5)의 유량이 변화된다. 그래서, 볼록부(9a)가 후방측 천장판(29)의 하면(31)으로부터 하방으로 돌출하는 치수의 장단을 상기 단차(30)의 고저차 치수(H)에 따르도록 하면, 처리 가스(5)의 유출을 효율적으로 저지할 수 있다.

또한, 상기 단차(30)의 고저차 치수(H)는 바닥판(13)의 상면(19)과 유리판(3)의 하면(3a)과의 상하 방향 이격 치수(S1)에 대하여 0.5∼10.0의 비율, 바람직하게는 2.0∼9.0의 비율이 되도록 설정되어 있다. 또한, 처리 공간(12)을 유리판(3)이 하부 공간(12a)과 상부 공간(12b)으로 분단되어 있는 상태에서, 바닥판(13)의 상면(19)과 유리판(3)의 하면(3a)과의 상하 방향 이격 치수(S1)는 전방측 천장판(28)의 하면(32)과 유리판(3)의 하면(3a)과의 상하 방향 이격 치수(S2)에 대하여 0.5∼2.0의 비율, 바람직하게는 0.7∼1.5의 비율이 되도록 설정되어 있다.

<제 2 실시형태>

다음에, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치(그 제조 방법)에 대해서 설명한다. 또한, 이 제 2 실시형태의 설명에 있어서, 상기 제 1 실시형태에서 이미 설명한 구성요소에 대해서는 참조 도면에 동일한 부호를 첨부함으로써 중복하는 설명을 생략하고, 여기에서는 제 1 실시형태와의 차이점에 대해서만 설명한다.

도 7에 나타내는 바와 같이, 이 제 2 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치(1)가 상기 제 1 실시형태에 의한 유리판의 제조 장치(1)와 상위하고 있는 점은 상부 구성체(9)가 전방측 천장판(28)과 후방측 천장판(29)의 분할부에 제 2 급기구체(40)를 적재 고정하여 구성되어 있는 점이다. 그리고, 제 2 급기구체(40)에 있어서의 급기용 통로(41)의 하단 개구부인 제 2 급기구(42)는 전방측 천장판(28)과 후방측 천장판(29)의 분할부에 위치하고, 불화수소로 이루어지는 처리 가스(43)를 하방(연직 하방)을 향하여 분출시킨다. 이 제 2 급기구(42)는 후방측 천장판(29)의 하면(31)과 동일 높이가 되도록 형성되어 있다. 게다가, 전방측 천장판(28)과 후방측 천장판(29)의 분할부 및 제 2 급기구(42)는 급기구(20)과 배기구(24)의 반송 방향 중간부(본 실시형태에서는 반송 방향 중앙부)에 위치하고 있다. 또한, 제 2 급기구체(40)는 도 3에 나타내는 급기구체(14)를 상하 반대로 한 내부 구조와 실질적으로 동일하다.

이러한 구성에 의하면, 도 7에 나타내는 바와 같이, 처리 공간(12)에 유리판(3)이 진입하지 않는 상태에서는 처리 공간(12)에서 처리 가스(5)가 하기와 같이 유통한다. 즉, 처리 공간(12)에 있어서, 하부 구성체(10)의 급기구(20)로부터 상방을 향하여 분출된 처리 가스(5)와, 상부 구성체(9)의 제 2 급기구(42)로부터 하방(연직 하방)을 향하여 분출된 처리 가스(43)는 모두 하부 구성체(10)의 배기구(24)에 흡입된다. 따라서, 하부 구성체(10)의 급기구(20)로부터의 처리 가스(5)의 흐름과, 상부 구성체(9)의 제 2 급기구(42)로부터의 처리 가스(43)의 흐름은 모두 반송 방향 전방측을 향한다. 그 때문에, 양자의 처리 가스(5, 43)가 정면 충돌하여 난류 등을 초래하는 사태는 발생하지 않는다. 이 상태에서는 처리 가스(5, 43)는 급기구(20) 및 제 2 급기구(42)로부터 분출되어 배기구(24)에 흡입되면서, 처리 공간(12)의 대략 전체 영역에 충만된 상태가 된다. 이 경우에는 상기 제 1 실시형태의 경우보다 다량의 처리 가스(5, 43)가 처리 공간(12)에 충만된 상태가 된다.

그리고, 도 8에 나타내는 바와 같이, 유리판(3)이 처리 공간(12)에 진입해 온 경우에는 처리 공간(12)이 유리판(3)에 의해 하부 공간(12a)과 상부 공간(12b)으로 분단되어 간다. 이 상태 하에서는 급기구(20)로부터 하부 공간(12a)에 분출된 처리 가스(5)가 유리판(3)의 하면(3a)에 에칭 처리를 실시한 후에 배기구(24)에 흡입됨과 아울러, 제 2 급기구(42)로부터 상부 공간(12b)에 분출된 처리 가스(43)가 유리판(3)의 상면(3b)에 에칭 처리를 실시한 후에 배기구(24)에 흡입된다. 따라서, 유리판(3)의 하면(3a)뿐만 아니라 상면(3b)도, 반송 방향 전단부로부터 중앙부 근방까지의 부위가 처리 가스(43)에 의해 균일하게 또한 충분하게 에칭된다.

이러한 처리 가스(5, 43)의 흐름이 발생하는 사이에, 도 9에 나타내는 바와 같이, 유리판(3)이 처리 공간(12)을 하부 공간(12a)과 상부 공간(12b)으로 완전하게 분리된 경우에는 처리 가스(5, 43)의 흐름은 하기와 같은 형태가 된다. 즉, 하부 공간(12a)에서는 급기구(20)로부터 상방을 향하여 분출된 처리 가스(5)가 유리판(3)의 하면(3a)에 적정한 에칭 처리를 실시한 후에 배기구(24)에 흡입된다. 이에 대하여, 상부 공간(12b)에서는 제 2 급기구(42)로부터 하방을 향하여 분출된 처리 가스(43)가 유리판(3)의 상면(3b)에 적정한 에칭 처리를 실시한 후, 유리판(3)의 폭 방향 양단부로부터 외측 간극을 통해서 배기구(24)에 흡입된다. 따라서, 이 상태 하에서도, 유리판(3)의 하면(3a)뿐만 아니라 상면(3b)도, 처리 가스(43)에 의해 균일하게 또한 충분하게 에칭됨과 아울러, 처리 가스(43)의 흡입도 적정하게 행해진다. 그리고, 이 처리 가스(43)는 유리판(3)이 처리 공간(12)로부터 완전히 빠져나올 때까지, 유리판(3)의 상면(3b)을 적절하게 에칭해 간다. 따라서, 유리판(3)이 처리 공간(12)에 진입하고 나서 빠져나올 때까지의 사이에 있어서, 유리판(3)의 상면(3b) 전역에 걸쳐서 적절한 에칭 처리를 실시해 가는 것이 되고, 유리판(3)의 하면(3a)뿐만 아니라 상면(3b)에 대해서도 에칭 처리의 균일화가 도모된다. 또한, 이러한 처리 가스(5, 43)의 흐름이 생기는 것을 고려하면, 전방측 천장판(28)의 반송 방향 전단부에도 그 하면(32)으로부터 하방으로 돌출하는 볼록부(도시 생략)를 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 제 2 급기구(42)로부터 분출되는 처리 가스(43)의 유량은 급기구(20)로부터 분출되는 처리 가스(5)의 유량보다 소량 또는 다량이어도 좋고, 또는 동량이어도 좋다.

또한, 이상의 제 1, 제 2 실시형태에서는 유리판(3)의 반송 방향이 급기구(20)로부터 배기구(24)를 향하는 방향으로 되어 있지만, 이와는 반대로, 유리판(3)의 반송 방향이 배기구(24)로부터 급기구(20)를 향하는 방향이어도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.

또한, 이상의 제 1, 제 2 실시형태에서는 단차(단차 형성면)(30)는 평면으로 이루어지는 수직면으로 구성되어 있지만, 반송 방향 전방측을 향하여 하강 경사하는 경사면 또는 반송 방향 후방측을 향하여 하강 경사하는 경사면이어도 좋고, 또한 만곡면이나 굴곡면이어도 좋다.

또한, 이상의 제 1, 제 2 실시형태에서는 급기구(20)가 위치하는 영역이 평면부(처리 공간(12)을 형성하는 하부 구성체(10)의 반송 방향 후방부의 상면)로 되고, 배기구(24)가 위치하는 영역도 평면부(처리 공간(12)을 형성하는 하부 구성체(10)의 반송 방향 전체부의 상면)으로 되어 있다. 단, 이 양자의 어느 일방 또는 쌍방의 영역은 평면부로서의 기능을 과도하게 손상시키지 않는 범위 내에서 만곡한 만곡면부 등이어도 좋다. 또한 급기구(20)가 위치하는 영역과, 배기구(24)가 위치하는 영역의 넓이는 동일해도 좋지만, 달라도 좋다.

게다가, 이상의 제 1, 제 2 실시형태에서는 급기구체(14)과 배기구체(15)가 별체로 되고, 반송 방향으로 서로 이격하여 배치되어 있지만, 이 양자(14, 15)는 일체화되어 있어도 좋다.

또한, 상기 제 2 실시형태에서는 제 2 급기구(42)를 전방측 천장판(28)과 후방측 천장판(29)의 분할부에 위치시켰지만, 분할부 이외의 개소(단차(30)로부터 반송 방향 후방측 또는 전후방측으로 이격한 개소)에 제 2 급기구(42)를 위치시켜도 좋다.

1 유리판의 제조 장치 3 유리판
3a 유리판의 하면 3b 유리판의 상면
3x 유리판의 반송 방향 후단 5 처리 가스
9 상부 구성체 10 하부 구성체
12 처리 공간 13 바닥판
14 급기구체 15 배기구체
20 급기구 24 배기구
27 천장판 28 전방측 천장판
29 후방측 천장판 30 단차(고저차)
31 후방측 천장판의 하면 32 전방측 천장판의 하면
33 가열 부재 34 스페이서
40 급기구체 42 제 2 급기구
43 처리 가스 H 고저차 치수

Claims (11)

1. 급기구 및 배기구를 갖는 하부 구성체의 상면과 상부 구성체의 하면을 대향시켜 배치하고, 상기 대향하는 양면의 상호간에 형성되는 처리 공간에서 상기 급기구로부터 분출되어 상기 배기구로 흡입되는 처리 가스에 의해 수평 방향으로 반송되는 유리판의 하면에 에칭 처리를 실시함과 아울러, 상기 급기구와 상기 배기구를 상기 유리판의 반송 방향으로 이격하여 위치시킨 유리판의 제조 방법에 있어서,
   상기 처리 공간은 상기 급기구가 위치하는 영역의 높이가 상기 배기구가 위치하는 영역의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 급기구는 상기 배기구보다 상기 유리판의 반송 방향 후방측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 상부 구성체의 하면은 상기 급기구가 위치하는 영역과 상기 배기구가 위치하는 영역 사이에 고저차를 갖는 2개의 평면부를 구비하고, 이들 2개의 평면부 중, 전자의 영역에 대응하는 평면부가 후자의 영역에 대응하는 평면부보다 높은 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 하부 구성체의 상면은 상기 급기구가 위치하는 영역과 상기 배기구가 위치하는 영역 사이에 고저차를 갖지 않는 하나의 평면부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 급기구가 위치하는 영역의 높이와 상기 배기구가 위치하는 영역의 높이의 차가 5∼100㎜인 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 상부 구성체의 하면에, 상기 수평 방향으로 반송되는 유리판의 상면에 에칭 처리를 실시하기 위해 처리 가스를 분출시키는 제 2 급기구를 형성한 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 상부 구성체는 천장판을 갖고, 상기 천장판의 하면과 상기 하부 구성체의 상면의 상호간에 상기 처리 공간을 형성한 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 천장판은 상기 유리판의 반송 방향 전방측의 전방측 천장판과, 반송 방향 후방측의 후방측 천장판으로 분할되어 있고, 상기 전방측 천장판의 하면과 상기 후방측 천장판의 하면 사이에 고저차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 전방측 천장판과 상기 후방측 천장판의 분할부에, 상기 수평 방향으로 반송되는 유리판의 상면에 에칭 처리를 실시하기 위해 처리 가스를 분출시키는 제 2 급기구를 위치시킨 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
10. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 급기구를 상기 유리판의 반송 방향에 있어서의 상기 급기구와 상기 배기구 사이에 위치시킨 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
11. 급기구 및 배기구를 갖는 하부 구성체의 상면과 상부 구성체의 하면을 대향시켜 배치하고, 상기 대향하는 양면의 상호간에 형성되는 처리 공간에서 상기 급기구로부터 분출되어 상기 배기구에 도달하는 처리 가스에 의해 수평 방향으로 반송되는 유리판의 하면에 에칭 처리를 실시함과 아울러, 상기 급기구와 상기 배기구를 상기 유리판의 반송 방향으로 이격하여 위치시킨 유리판의 제조 장치에 있어서,
    상기 처리 공간은 상기 급기구가 위치하는 영역의 높이가 상기 배기구가 위치하는 영역의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 장치.

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