JP2023105005A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態では、ノズルからの吐出圧が7MPa~15MPaで、隙間Gaは10mm以上、隙間Gbは5mm~10mm、ノズル10aの先端と基板Wの表面との隙間Gcを40mm~60mm、カバー板16a、16bの下端部と基板Wの表面との隙間Gdは、25mm~35mmとした。つまり、Gc>Gd>Ga>Gbとなるように調整したところ、搬送される基板Wの浮き上がりを確実に防止、もしくは抑制することができた。
10 ノズルヘッド
11 チャンネル材
12 仕切り板
13 流体囲い込部材
14 上側処理液管
15 下側処理液管
16 気体引き込み阻害部材
20 搬送装置
21 ローラ
100 処理室
101 搬入口
102 搬出口
103 天井部
104 底部
Claims (13)
- 処理室内において、処理される表面を上向きにして搬送装置により搬送される基板に、前記搬送装置の上方に配置されたノズルから高圧処理流体を吐出させて前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記ノズルの前記基板の搬送方向の下流側に配置され、前記ノズルから前記基板の表面に向けて吐出される前記高圧処理流体の流れに引き込まれるように発生する気流の前記下流側への流れを妨げる仕切り板を有し、
前記仕切り板は、当該仕切り板の上端縁と前記処理室の天井部との間に隙間が形成されるように配置された、基板処理装置。 - 前記仕切り板は、当該仕切り板の下端縁と前記基板の表面との間隔が、前記ノズルの先端と前記基板の表面との間隔より小さくなるように、配置された請求項1記載の基板処理装置。
- 前記仕切り板の上端縁と前記処理室の天井部との間の隙間は、前記仕切り板の下端縁と前記基板の表面との間の隙間より小さい、請求項1または2記載の基板処理装置。
- 処理室内において、処理される表面を上向きにして搬送装置により搬送される基板に、前記搬送装置の上方に配置されたノズルから高圧処理流体を吐出させて前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記搬送装置の下方において前記基板の搬送方向における前記ノズルと対向する領域を含む所定範囲を仕切るとともに、前記所定範囲内に上方から流入する前記ノズルからの高圧処理流体の流れに引き込まれるように発生する気流の、前記搬送装置の上方に向けた巻き上がりを妨げる流体囲い込み部材を有する基板処理装置。 - 前記流体囲い込み部材は、
前記所定範囲を前記搬送方向において仕切る一対の返し板と、
前記一対の返し板のそれぞれの上端部分に形成され、内側に突出する返し部とを有する、請求項4記載の基板処理装置。 - 前記流体囲い込み部材は、更に、
一対の返し板のうちの前記基板の搬送方向における上流側の返し板からその上流側に延びる横板部と、
一対の返し板のうちの前記基板の搬送方向における下流側の返し板からその下流側に延びる横板部と、を有し、
前記上流側に延びる横板部は、前記下流側に延びる横板部より高い位置に設けられた、請求項5記載の基板処理装置。 - 処理室内において、処理される表面を上向きにして搬送装置により搬送される基板に、前記搬送装置の上方に配置されたノズルから高圧処理流体を吐出させて前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記ノズルの先端と前記基板の表面との間の空間を含む前記基板の搬送方向における所定範囲を仕切って、前記ノズルから吐出する高圧処理流体の流れへの気体の引き込みを妨げる気体引き込み阻害部材を有する基板処理装置。 - 前記気体引き込み阻害部材は、
前記所定範囲を仕切る2つのカバー板を有する、請求項7記載の基板処理装置。 - 前記気体引き込み阻害部材は、
更に、前記2つのカバー板の下端部のそれぞれから前記所定範囲の内方に突出し、所定間隔をもって対向する2つの対向板部を有する、請求項8記載の基板処理装置。 - 前記2つのカバー板のそれぞれの内面に設けられ、前記ノズルからの前記高圧処理流体の吐出方向に向かって徐々に張り出すように傾斜する傾斜部材を有する、請求項8記載の基板処理装置。
- 前記ノズルに対向した前記搬送装置の下方の前記基板の搬送方向における所定範囲を仕切るとともに、前記所定範囲内に上方から流入する前記ノズルからの高圧処理流体の流れに引き込まれるように発生する気流の前記搬送装置の上方に向けた巻き上がり妨げる流体囲い込み部材を有する、請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ノズルの先端と前記基板の表面との間の空間の前記基板の搬送方向における所定範囲を仕切って、前記ノズルから吐出する高圧処理流体の流れへの気体の引き込みを妨げる気体引き込み阻害部材を有する、請求項1乃至6及び11のいずれかに記載の基板処理装置。
- 処理室内において、処理される表面を上向きにして搬送装置により搬送される基板に、前記搬送装置の上方に配置されたノズルから高圧処理流体を吐出させて前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記ノズルの前記基板の搬送方向の下流側に配置され、前記ノズルから前記基板の表面に向けて吐出される前記高圧処理流体の流れに引き込まれように発生する気流の前記下流側への流れを妨げる仕切り板と、
前記ノズルに対向した前記搬送装置の下方の前記基板の搬送方向における所定範囲を仕切るとともに、前記所定範囲内に上方から流入する前記ノズルからの高圧処理流体の流れに引き込まれるように発生する気流の前記搬送装置の上方に向けた巻き上がり妨げる流体囲い込み部材と、
前記ノズルの先端と前記基板の表面との間の空間の前記基板の搬送方向における所定範囲を仕切って、前記ノズルから吐出する高圧処理流体の流れへの気体の引き込みを妨げる、2つのカバー板と、を有し、
前記仕切り板の下端縁と前記基板の表面との間の隙間Gaと、前記仕切り板の上端縁と前記処理室の天井部との間の隙間Gbと、前記ノズルの先端と前記基板の表面との間の隙間Gcと、前記各カバー板と前記基板の表面との間の隙間Gdとの関係は、
Gc>Gd>Ga>Gb
である、基板処理装置。
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