JPH02148841A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH02148841A JPH02148841A JP30256288A JP30256288A JPH02148841A JP H02148841 A JPH02148841 A JP H02148841A JP 30256288 A JP30256288 A JP 30256288A JP 30256288 A JP30256288 A JP 30256288A JP H02148841 A JPH02148841 A JP H02148841A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 35
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にウェーハ又
はウェーハ表面に形成された薄膜を加熱した処理液を用
いて処理するウェット処理装置に関するものである。
はウェーハ表面に形成された薄膜を加熱した処理液を用
いて処理するウェット処理装置に関するものである。
従来、この種のウェット処理装置は主にウェットエッチ
装置、ウェット洗浄装置等があり、−個又は複数の薬液
槽と一個又は複数の純水洗浄槽、及び乾煉系から成って
いる。薬液槽は一般に第３図に示すように処理液３、処
理槽４、ヒーター５、液温計６、液温コントローラ７か
らなり、キャリア１内のウェーハ２を処理する構造とな
っていた。
装置、ウェット洗浄装置等があり、−個又は複数の薬液
槽と一個又は複数の純水洗浄槽、及び乾煉系から成って
いる。薬液槽は一般に第３図に示すように処理液３、処
理槽４、ヒーター５、液温計６、液温コントローラ７か
らなり、キャリア１内のウェーハ２を処理する構造とな
っていた。
処理液３の使用温度は最高でおよそ１７０℃程度迄あり
、ウェットエツチングにおいてはエツチング速度が液温
に強く依存する為、可能な限り高い液温で使用される。
、ウェットエツチングにおいてはエツチング速度が液温
に強く依存する為、可能な限り高い液温で使用される。
ス、洗浄においても液温か高い程、洗浄効果が高い。
上述した従来のウェット処理装置はウェーハの処理速度
が処理液の液温に強く依存するにもかかわらず、大気圧
下で処理する装置構造となっているため、液温を沸点以
上に上げることができず、処理時間の短縮が困難という
欠点がある。又、複数の薬液を混合した処理液を用いた
場合、各々の薬液の蒸気圧の違いにより液組成の経時変
化が大きいという欠点がある。
が処理液の液温に強く依存するにもかかわらず、大気圧
下で処理する装置構造となっているため、液温を沸点以
上に上げることができず、処理時間の短縮が困難という
欠点がある。又、複数の薬液を混合した処理液を用いた
場合、各々の薬液の蒸気圧の違いにより液組成の経時変
化が大きいという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置（７：、
＠遣装置を提供することにある。
＠遣装置を提供することにある。
上述した従来のウェット処理装置に対し、本発明は処理
槽を密閉された加圧雰囲気に保持することにより、処理
液の蒸発を抑えて液組成の変化を抑制し、且つ、処理液
の沸点を上昇させてより高温での処理を可能にするとい
う相違点を有する。
槽を密閉された加圧雰囲気に保持することにより、処理
液の蒸発を抑えて液組成の変化を抑制し、且つ、処理液
の沸点を上昇させてより高温での処理を可能にするとい
う相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明は半導体装置の製造工
程で使用されるウェット処理装置において、密閉された
加圧雰囲気内に処理槽を有するしのである。
程で使用されるウェット処理装置において、密閉された
加圧雰囲気内に処理槽を有するしのである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図である。処理
槽３は、減圧弁８．バルブ（加圧用）１５を経て加圧エ
アー又は窒素等、高圧不活性ガスにより一定圧力に加圧
された処理室９に収納されており、処理室９では大気圧
下の沸点以上の液温でウェーハ２は高速に処理される。
槽３は、減圧弁８．バルブ（加圧用）１５を経て加圧エ
アー又は窒素等、高圧不活性ガスにより一定圧力に加圧
された処理室９に収納されており、処理室９では大気圧
下の沸点以上の液温でウェーハ２は高速に処理される。
５はヒーター６は液温計、７は液温コントローラである
。又、処理室９は隔壁１２を通じてローディング用ロー
ドロック室１０、アンローディング用ロードロック室１
１と連結されており、処理されるウェーハ２はロボット
搬送系１３によってキャリア１ごとローディング用ロー
ドロ・ｙり室１０→処理室９→アンローディング用ロー
ドロック室１１へと搬送される。
。又、処理室９は隔壁１２を通じてローディング用ロー
ドロック室１０、アンローディング用ロードロック室１
１と連結されており、処理されるウェーハ２はロボット
搬送系１３によってキャリア１ごとローディング用ロー
ドロ・ｙり室１０→処理室９→アンローディング用ロー
ドロック室１１へと搬送される。
なお、この搬送の際は処理室９の圧力低下による処理液
４の突沸を防止するため、ローディング用ロードロック
室１０、アンローディング用ロードロック室１１共に、
必要に応じてバルブ（加圧用）１５開により処理室９と
同圧力に加圧、又はバルブ（減圧用）１４開により大気
圧に減圧される。
４の突沸を防止するため、ローディング用ロードロック
室１０、アンローディング用ロードロック室１１共に、
必要に応じてバルブ（加圧用）１５開により処理室９と
同圧力に加圧、又はバルブ（減圧用）１４開により大気
圧に減圧される。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
処理室９から出たキャリアはロボット搬送系１３により
、処理室つと同圧力に昇圧された水洗室１６に入り水洗
槽１８及び水洗［１９にて水洗される。なお、水洗室１
６での水洗は、純水ライン１７のバルブ（給水用）２１
の１次側に昇圧ポンプ２２を設けて、昇圧された水洗室
１６への給水を行ないながら、供給量に応じた純水２３
をバルブ（排水用）２０より排水することで、水洗室７
６を大気圧まで減圧する時間的ロスを出さずに加圧状態
のままで水洗を行なうことができる。
、処理室つと同圧力に昇圧された水洗室１６に入り水洗
槽１８及び水洗［１９にて水洗される。なお、水洗室１
６での水洗は、純水ライン１７のバルブ（給水用）２１
の１次側に昇圧ポンプ２２を設けて、昇圧された水洗室
１６への給水を行ないながら、供給量に応じた純水２３
をバルブ（排水用）２０より排水することで、水洗室７
６を大気圧まで減圧する時間的ロスを出さずに加圧状態
のままで水洗を行なうことができる。
即ち、この実施例では処理４！３から出たキャリア１及
びウェーハ２を加圧状態のままで素早く水洗できるとい
う利点がある。
びウェーハ２を加圧状態のままで素早く水洗できるとい
う利点がある。
以上説明したように本発明は処理槽を密閉された加圧雰
囲気中に保持し、処理液の蒸発を抑えることにより、液
組成の変化を抑制し、且つ、処理液の沸点を上昇させる
ことにより、液温を上げて高速処理できる効果がある。
囲気中に保持し、処理液の蒸発を抑えることにより、液
組成の変化を抑制し、且つ、処理液の沸点を上昇させる
ことにより、液温を上げて高速処理できる効果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図、第２図は本
発明の実施例２を示す縦断面図、第３図は従来の加熱し
た処理液を用いて処理するウェット処理装置の薬液槽を
示す縦断面図である。 １・・・キャリア ２・・・ウェーハ３・・・
処理槽 ４・・・処理液５・・・ヒーター
６・・・液温計７・・・液温コントローラ ８
・・・減圧弁９・・・処理室 １０・・・ローディング用ロードロック室１１・・・ア
ンローディング用ロードロック室１２・・・隔壁
１３・・・ロボット搬送系１４・・・バルブ（
減圧用）１５・・・バルブ（加圧用）１６・・・水洗室
１７・・・純水ライン１８・・・水洗槽
１９・・・水洗槽２ｏ・・・バルブ（排水用
）２１・・・バルブ（給水用）２２・・・昇圧ポンプ
２３・・・純水特許出願人 山形日本電気株
式会社十 ｌ 六ヤリア 浅圧弁 Ｉ７：純水ライン 第２図 氷５兇オ 第３図
発明の実施例２を示す縦断面図、第３図は従来の加熱し
た処理液を用いて処理するウェット処理装置の薬液槽を
示す縦断面図である。 １・・・キャリア ２・・・ウェーハ３・・・
処理槽 ４・・・処理液５・・・ヒーター
６・・・液温計７・・・液温コントローラ ８
・・・減圧弁９・・・処理室 １０・・・ローディング用ロードロック室１１・・・ア
ンローディング用ロードロック室１２・・・隔壁
１３・・・ロボット搬送系１４・・・バルブ（
減圧用）１５・・・バルブ（加圧用）１６・・・水洗室
１７・・・純水ライン１８・・・水洗槽
１９・・・水洗槽２ｏ・・・バルブ（排水用
）２１・・・バルブ（給水用）２２・・・昇圧ポンプ
２３・・・純水特許出願人 山形日本電気株
式会社十 ｌ 六ヤリア 浅圧弁 Ｉ７：純水ライン 第２図 氷５兇オ 第３図
Claims (1)
- （１）半導体装置の製造工程で使用されるウェット処理
装置において、密閉された加圧雰囲気内に処理槽を有す
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302562A JP2927806B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302562A JP2927806B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148841A true JPH02148841A (ja) | 1990-06-07 |
| JP2927806B2 JP2927806B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17910469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63302562A Expired - Fee Related JP2927806B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927806B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5313965A (en) * | 1992-06-01 | 1994-05-24 | Hughes Aircraft Company | Continuous operation supercritical fluid treatment process and system |
| US5331987A (en) * | 1991-11-14 | 1994-07-26 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Apparatus and method for rinsing and drying substrate |
| US5343885A (en) * | 1992-03-04 | 1994-09-06 | Baxter International Inc. | Vacuum air lock for a closed perimeter solvent conservation system |
| US7017637B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
| WO2024195035A1 (ja) * | 2023-03-22 | 2024-09-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4535967B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2010-09-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177928A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置のエツチング方法および装置 |
| JPS6430223A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Wetetching processor |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63302562A patent/JP2927806B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177928A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置のエツチング方法および装置 |
| JPS6430223A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Wetetching processor |
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| US5331987A (en) * | 1991-11-14 | 1994-07-26 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Apparatus and method for rinsing and drying substrate |
| US5343885A (en) * | 1992-03-04 | 1994-09-06 | Baxter International Inc. | Vacuum air lock for a closed perimeter solvent conservation system |
| US5313965A (en) * | 1992-06-01 | 1994-05-24 | Hughes Aircraft Company | Continuous operation supercritical fluid treatment process and system |
| US7017637B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
| WO2024195035A1 (ja) * | 2023-03-22 | 2024-09-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2927806B2 (ja) | 1999-07-28 |
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