JPS62177928A - 半導体装置のエツチング方法および装置 - Google Patents
半導体装置のエツチング方法および装置Info
- Publication number
- JPS62177928A JPS62177928A JP1787886A JP1787886A JPS62177928A JP S62177928 A JPS62177928 A JP S62177928A JP 1787886 A JP1787886 A JP 1787886A JP 1787886 A JP1787886 A JP 1787886A JP S62177928 A JPS62177928 A JP S62177928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- liquid
- semiconductor device
- semiconductor
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は半導体装置のエツチング方法およびエツチン
グ装置の改良に関する。
グ装置の改良に関する。
〈従来の技術〉
たとえば半導体装置の保護膜あるいは眉間膜を形成する
窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ４）をエツチングする従来法
は、例えば総合電子出版社発行の単行本「ホトエツチン
グと微細加工」（樽岡清蔵および二瓶公志著）に記載し
ているように環流冷却管付エツチング装置１ （第２図
参照）を用いていた。
窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ４）をエツチングする従来法
は、例えば総合電子出版社発行の単行本「ホトエツチン
グと微細加工」（樽岡清蔵および二瓶公志著）に記載し
ているように環流冷却管付エツチング装置１ （第２図
参照）を用いていた。
このエツチング装置１は耐食性の分離可能形石英フラス
コ２内に被エツチング半導体ウェハ３ （Ｓｉウェハ
）とエツチング液４を入れ、加熱ヒータ５によってフラ
スコ２内エソチンダ液を煮沸させると共に、フラスコ２
の上部開口２ａにセットした環流冷却器６内に冷却水を
流し、フラスコ内Ｈ，３ＰＯ＜液の蒸発液を冷却滴下さ
せ、エツチング液の蒸発に伴なうＨ２ＰＯ４の組成変化
を防いでいた。
コ２内に被エツチング半導体ウェハ３ （Ｓｉウェハ
）とエツチング液４を入れ、加熱ヒータ５によってフラ
スコ２内エソチンダ液を煮沸させると共に、フラスコ２
の上部開口２ａにセットした環流冷却器６内に冷却水を
流し、フラスコ内Ｈ，３ＰＯ＜液の蒸発液を冷却滴下さ
せ、エツチング液の蒸発に伴なうＨ２ＰＯ４の組成変化
を防いでいた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上述した装置を使用して半導体ウェハをエツチ
ングしようとすると、エツチング液は加熱により１００
℃以上に加熱されているので、環流冷却器で冷却された
水滴はエツチング液中に滴下した瞬間に沸点（１００℃
）以上に加熱され、突沸をまねく欠点があった。
ングしようとすると、エツチング液は加熱により１００
℃以上に加熱されているので、環流冷却器で冷却された
水滴はエツチング液中に滴下した瞬間に沸点（１００℃
）以上に加熱され、突沸をまねく欠点があった。
また、装置構造が複雑な石英細工の組合せからなってお
り、破損しやすい欠点があった。
り、破損しやすい欠点があった。
この発明は、このような従来の半導体エツチング方法お
よびエツチング装置の欠点を除去するためになされたも
のであって、熱によってもエツチング液の組成が変化し
ない半導体装置エツチング方法およびこのような半導体
装置のエツチング方法の実施に使用する装置を提供しよ
うとするものである。
よびエツチング装置の欠点を除去するためになされたも
のであって、熱によってもエツチング液の組成が変化し
ない半導体装置エツチング方法およびこのような半導体
装置のエツチング方法の実施に使用する装置を提供しよ
うとするものである。
く問題点を解決するための手段〉
上述の問題を解決するための、この発明のエツチング方
法は密閉された空間内で加熱されたエツチング液で半導
体装置をエツチングすることを特徴とするものである。
法は密閉された空間内で加熱されたエツチング液で半導
体装置をエツチングすることを特徴とするものである。
また、上記エツチング方法を実施するためのエツチング
装置は、圧力釜と、圧力釜中に収納されエツチング液を
高圧下で煮沸すると共に半導体装置をエツチングする耐
熱耐食容器と、この耐熱耐食容器を加熱する手段とで構
成したことを特徴とするものである。
装置は、圧力釜と、圧力釜中に収納されエツチング液を
高圧下で煮沸すると共に半導体装置をエツチングする耐
熱耐食容器と、この耐熱耐食容器を加熱する手段とで構
成したことを特徴とするものである。
〈作 用〉
したがって、高圧下でエツチング液を加熱するから、液
の沸点が上昇し、水の蒸発が殆んどなく、しかもエツチ
ング液を高温で半導体装置に接触させるから、円滑かつ
迅速にエツチングすることができる。
の沸点が上昇し、水の蒸発が殆んどなく、しかもエツチ
ング液を高温で半導体装置に接触させるから、円滑かつ
迅速にエツチングすることができる。
また、エツチング装置は使用する圧力釜としてたとえば
ＳＵＳ鋼等を使用するごとにより、強度を高くし、かつ
エツチング液のみを耐熱、耐食性の容器（例えば石英製
）に入れることによって、エツチング液を清浄に保つこ
とができる。
ＳＵＳ鋼等を使用するごとにより、強度を高くし、かつ
エツチング液のみを耐熱、耐食性の容器（例えば石英製
）に入れることによって、エツチング液を清浄に保つこ
とができる。
く実 施 例〉
次に、この発明のエツチング装置ｆｌａを第１図に示し
、この装置１ａを使用して半導体ウェハ３をエツチング
する方法について説明する。
、この装置１ａを使用して半導体ウェハ３をエツチング
する方法について説明する。
第１図のエツチング装置１ ａは、圧力釜７内に石英製
エツチング容器８中に、被エツチング半導体ウェハ３と
エツチング液４ ＣＨｓＰＯ４）を入れ、圧力釜７の下
部に配した加熱ヒータ５でエツチング液４を加熱し、エ
ツチング液４の温度は液中に挿入した温度計９により測
温可能にしている。
エツチング容器８中に、被エツチング半導体ウェハ３と
エツチング液４ ＣＨｓＰＯ４）を入れ、圧力釜７の下
部に配した加熱ヒータ５でエツチング液４を加熱し、エ
ツチング液４の温度は液中に挿入した温度計９により測
温可能にしている。
また、温度計９の温度上昇による出力信号を温調器１０
に送り、予め設定した温度Ｔと比較し、その差信号をヒ
ータ５に送り、加熱温度を一定に調節する構造にしても
よい。
に送り、予め設定した温度Ｔと比較し、その差信号をヒ
ータ５に送り、加熱温度を一定に調節する構造にしても
よい。
また、圧力釜７には圧力計１１が設けられ釜７内の圧力
を測定可能に構成されている。
を測定可能に構成されている。
この装置１ａによって、半導体ウェハ３をエツチングす
るときは、圧力釜の蓋７ａを開け、容器８内に、エツチ
ングすべき半導体ウェハ３およびＨ３ＰＯ４液を入れて
から、蓋７ａを閉じた後、温度計９を圧力釜ｌａ内に挿
入し、その測温部をＨｓＰＯａ液中に浸漬させる。
るときは、圧力釜の蓋７ａを開け、容器８内に、エツチ
ングすべき半導体ウェハ３およびＨ３ＰＯ４液を入れて
から、蓋７ａを閉じた後、温度計９を圧力釜ｌａ内に挿
入し、その測温部をＨｓＰＯａ液中に浸漬させる。
しかる後、温調器１０にＨ３Ｐ０Ｊ液を加熱しようとす
る温度値にセントすると、ヒータ５により容器８内Ｈｓ
ＰＯａ液は加熱され、半導体ウェハ３はエツチングされ
る。このときの、圧力釜７内の圧力と、Ｈ，ＰＯ，液４
温度（”Ｃ）の関係を示すと、表−１の関係のようにな
る。
る温度値にセントすると、ヒータ５により容器８内Ｈｓ
ＰＯａ液は加熱され、半導体ウェハ３はエツチングされ
る。このときの、圧力釜７内の圧力と、Ｈ，ＰＯ，液４
温度（”Ｃ）の関係を示すと、表−１の関係のようにな
る。
表−１
したがって、このような性質から、温調用の温度計の代
りに圧力センサを用いることもできる。この場合は、エ
ツチング液中Ｇ：圧力センサを浸漬させる必要がないの
で、異物によってエツチング液が汚されることがないか
ら、エツチング液をその分だけ清浄に保つことができる
。
りに圧力センサを用いることもできる。この場合は、エ
ツチング液中Ｇ：圧力センサを浸漬させる必要がないの
で、異物によってエツチング液が汚されることがないか
ら、エツチング液をその分だけ清浄に保つことができる
。
また、装置１ａには複雑な石英容器の組合せ構造部がな
いので、破損するおそれがない。
いので、破損するおそれがない。
また、本実施例で使用したエツチング液はシリコン窒化
膜のエツチングのため、Ｈ３ＰＯ３液を使用した例につ
いて示したが、他の液、たとえばＳｉのエツチングには
エチレンジアミン、ピロカテコール、および水との混合
液を使用することができる。
膜のエツチングのため、Ｈ３ＰＯ３液を使用した例につ
いて示したが、他の液、たとえばＳｉのエツチングには
エチレンジアミン、ピロカテコール、および水との混合
液を使用することができる。
以上の実施例ではシリコン窒化膜のエツチングにＨｓＰ
Ｏ４液を、またシリコンウェハのエツチングに（エチレ
ンジアミン）＋（ピロカテコール）＋（水）の混合液を
使用した例を示したが、これに限らず、適当なエツチン
グ液を使用し他の半導体装置をエツチングすることも、
同様に行うことができる。
Ｏ４液を、またシリコンウェハのエツチングに（エチレ
ンジアミン）＋（ピロカテコール）＋（水）の混合液を
使用した例を示したが、これに限らず、適当なエツチン
グ液を使用し他の半導体装置をエツチングすることも、
同様に行うことができる。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、この発明は密閉された
高圧下でエッチシダ液を加熱し、半導体装置をエツチン
グするので、エツチング液中の水分の蒸発が殆んどなく
、高温のエツチング液で半導体装置をエツチングするの
で、エツチング液組成の変化が殆んどなく、かつ半導体
のエツチングが容易かつ迅速に行なうことができる。
高圧下でエッチシダ液を加熱し、半導体装置をエツチン
グするので、エツチング液中の水分の蒸発が殆んどなく
、高温のエツチング液で半導体装置をエツチングするの
で、エツチング液組成の変化が殆んどなく、かつ半導体
のエツチングが容易かつ迅速に行なうことができる。
第１図はこの発明の半導体装置のエツチング装置の一実
施例の概略構成図、第２図は従来の半導体装置のエツチ
ング装置の概略構成図である。 図中、 １．１ａ・・・エツチング装置、 ３・・・被エツチング半導体ウェハ１ ．８・・・エツチング容器、 ４・・・エツチング液 ５・・・加熱ヒータ、 ７・・・圧力釜、 ７ａ・・・圧力釜の蓋。
施例の概略構成図、第２図は従来の半導体装置のエツチ
ング装置の概略構成図である。 図中、 １．１ａ・・・エツチング装置、 ３・・・被エツチング半導体ウェハ１ ．８・・・エツチング容器、 ４・・・エツチング液 ５・・・加熱ヒータ、 ７・・・圧力釜、 ７ａ・・・圧力釜の蓋。
Claims (2)
- （１）密閉された高圧空間内で加熱したエッチング液内
で半導体装置をエッチングすることを特徴とする半導体
装置のエッチング方法。 - （２）圧力釜と、圧力釜中に収納されエッチング液を高
圧下で煮沸すると共に半導体装置をエッチングする耐熱
耐食容器と、この耐熱耐食容器を加熱する手段とを設け
たことを特徴とする半導体装置のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1787886A JPS62177928A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体装置のエツチング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1787886A JPS62177928A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体装置のエツチング方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177928A true JPS62177928A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=11955947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1787886A Pending JPS62177928A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体装置のエツチング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177928A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148841A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| US5188701A (en) * | 1990-09-05 | 1993-02-23 | Fujitsu Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| JP2015053333A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1787886A patent/JPS62177928A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148841A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| US5188701A (en) * | 1990-09-05 | 1993-02-23 | Fujitsu Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| JP2015053333A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ambrose et al. | The ebulliometric method of vapour-pressure measurement: vapour pressures of benzene, hexafluorobenzene, and naphthalene | |
| KR970067750A (ko) | 반도체 웨이퍼 평가방법과 열처리방법 및 장치 | |
| SE9301027D0 (sv) | Saett och anordning foer kontinuerlig sterilisering av en flytande mjoelkbaserad produkt | |
| JPS62177928A (ja) | 半導体装置のエツチング方法および装置 | |
| Kalinowska et al. | Heat capacities of liquids at temperatures between 90 and 300 K and at atmospheric pressure I. Method and apparatus, and the heat capacities of n-heptane, n-hexane, and n-propanol | |
| GB1534820A (en) | Method and apparatus for transferring liquid from a storage container to a vessel | |
| JPS59131619A (ja) | エポキシ樹脂の重合方法 | |
| FR2303350A1 (fr) | Recipient de protection en temperature pour installation de mesure | |
| Busfield et al. | Studies in the thermochemistry of sulphones. Part 3.—Fusion and vaporization heats of sulphones of the type RSO 2 CH 3 | |
| ES2020239B3 (es) | Dispositivo enfriador de gas a medir | |
| US3504525A (en) | Apparatus for measuring thermic characteristics of extremely small amounts of test material | |
| JP2814025B2 (ja) | 加熱冷却装置 | |
| SU581962A1 (ru) | Способ регулировани процесса кристаллизации | |
| SU1427250A1 (ru) | Способ создани заданной концентрации газа в оптической кювете | |
| Fujii et al. | Experimental study of gravity controlled condensation of binary vapor mixtures on a smooth horizontal tube | |
| AU628086B2 (en) | Ebulliometer | |
| JPS6217484Y2 (ja) | ||
| JPS54128988A (en) | Preparation of single crystal | |
| DE60127957D1 (de) | Zelle zur Messung der Konzentration einer Komponente einer zwei-komponenten Flüssigkeitsmischung, eine Vorrichtung und eine Ätzanlage | |
| JP2022153821A (ja) | 測温装置及び加熱処理装置 | |
| JPS5794574A (en) | Etching vessel | |
| US1193911A (en) | Pykometeb | |
| SU504936A1 (ru) | Способ измерени уровн низкокип щих жидкостей в закрытых сосудах | |
| SU1483290A1 (ru) | Способ измерени плотности теплового потока и устройство дл его осуществлени | |
| JPH0710294Y2 (ja) | 骨材のアルカリ反応早期判定試験容器 |