KR970067750A - 반도체 웨이퍼 평가방법과 열처리방법 및 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 평가방법과 열처리방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

슬립 발생의 가능 여부에 관한 지표를 제공할 수 있는 반도체 웨이퍼 평가방법이 제공될 수 있다, 반도체 웨이퍼의 면내 온도 분포는 소정의 온도에서 변화되며, 그리고 슬립 라인을 발생하는 온도 분포 조건이 검출된다. 이 방법으로, 슬립 라인을 발생시키지 않는 소정 범위와 허용 열 응력이 특정된다.

Description

반도체 웨이퍼 평가방법과 열처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도는 슬립 발생없이 열처리를 행하는 열 처리 장치의 개념도.

Claims (14)

  1. 반도체 웨이퍼 평가 방법에 있어서, 소정의 온도로 반도체 웨이퍼의 면내 온도 분포를 변화시키는 단계; 및 슬립 라인을 발생시키지 않는 허용 열 응력 범위를 특정하기 위해, 슬립라인이 발생되는 온도 분포 조건을 검출하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 평가 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 온도를 변화시키는 단계; 및 온도의 함수인, 슬립라인을 발생시키지 않는 슬립 발생 임계 응력을 구하기 위해, 각각의 온도에 대응하는 상기 허용 열 응력의 범위를 구하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 평가 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 상기 온도 분포를 제공하기 위해, 상기 반도체 웨이퍼의 에지는 제1히터에 의해 가열되고, 상기 반도체 웨이퍼의 중심은 제2 히터에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 평가 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1히터는 상기 제2히터를 둘러싸도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 평가 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 슬립라인의 발생 유/무는 상기 반도체 웨이퍼의 표면의 형상 변화를 검출함으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 평가 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 슬립라인의 발생 유/무는 레이저 짐으로 상기 반도체 웨이퍼의 표면을 조사함으로써 그리고 반사된 광을 검출함으로써 관찰되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 평가 방법.
  7. 반도체 웨이퍼 열처리 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 슬립 라인을 발생시키지 않은 허용 열 응력의 범위를 특정하는 단계; 및 상기 허용 열응력의 범위내에서 처리되도록 상기 반도체 웨이퍼의 온도 증가/감소 속도를 제어하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 열처리 방법.
  8. 반도체 웨이퍼열처리 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼(21)를 지지하는 서셉터(30); 상기 반도체 웨이퍼에 온도 분포를 제공하는 가열수단(14, 15, 16); 상기 반도체 웨이퍼(21)의 온도 분포를 측정하는 수단(11, 12, 13) 및 상기 온도 분포를 제어하는 수단(14a, 15a, 16a)을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 열처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 가열수단(14, 15, 16)은 상기 반도체 웨이퍼의 에지를 가열하는 제1히터(14)와 상기 반도체 웨이퍼의 중심을 가열하는 제2히터(16)를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 열처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1히터(14)는 상기 제2히터(16)를 둘러싸도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 열처리 장치.
  11. 반도체 웨이퍼 평가 방법에 있어서, 평가될 반도체 웨이퍼(21)를 준비하는 제1단계; 상기 반도체 웨이퍼에 특정 온도 분포를 인가하는 제2단계; 및 상기 반도체 웨이퍼(21)에의 슬립라인 발생 여부를 관찰하는 제3단계를 포함하고 있고, 상기 제2단계의 온도 분포 조건에 관한 정보 및 상기 제3단계의 상기 슬립 라인 발생 유/무에 관한 정보를 기초로, 상기 반도체 웨이퍼(21)의 주변부에서 접선 인장 방향으로의 잔류 응력이 존재하는지 아니면 접선 압축 방향으로의 잔류 응력이 존재하는지가 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 평가방법.
  12. 반도체 웨이퍼 열처리 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼에 잔류한 잔류 응력의 방향을 결정하는 단계; 및 상기 잔류 응력의 방향과 반대 방향으로 응력이 인가되도록, 상기 반도체 웨이퍼의 주변부에 대한 온도와 상기 반도체 웨이퍼의 중심에 대한 온도를 선택함으로써 상기 반도체 웨이퍼를 열처하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 열처리 방법.
  13. 반도체 웨이퍼의 주변부에서 접선 인장 방향으로 응력을 일으키기 위해 반도체 웨이퍼를 처리하는 반도체 웨이퍼 열처리 방법에 있어서, 상기 주변부에 잔류하는 접선 압축 방향으로의 잔류 응력을 가지고 있는 반도체 웨이퍼가 상기 반도체 웨이퍼로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 열처리 방법.
  14. 반도체 웨이퍼의 주변부에 접선 압축 방향으로 응력을 일으키기 위해 반도체 웨이퍼를 처리하는 반도체 웨이퍼 열처리 방법에 있어서, 상기 주변부에 잔류하는 접선 인장 방향으로의 잔류 응력을 가지고 있는 반도체 웨이퍼가 상기 반도체 웨이퍼로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 열처리 방법.
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