KR920010789A - 열 처리 방법 - Google Patents

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세이꼬 우세노
껜 나까오
기꾸오 야마베
게이따로 이마이
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이노우에 다케시
도꾜 일렉트론 사가미 가부시끼가이샤
아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

열 처리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 관한 열처리 방법으로 이용한 열확산 장치의 노실을 나타내는 종단면 기구 블록도,
제3도는 히터 유닛을 나타내는 사시도,
제4도는 노실의 히터 주변을 나타내는 횡단면 평면 레이아웃도,
제5도는 본 발명의 실시예에 관한 열처리 방법에 의해 웨이퍼를 열처리 하는 경우를 설명하기 위한 플로챠트,
제6도는 프로세스 튜브내의 온도분포도,
제7도는 웨이퍼면내 온도 분포의 측정 방법을 설명하기 위한 사시도.
제8도는 실시예의 열처리 방법에 의해 가열한 반도체 웨이퍼의 면내 온도분포의 측정결정과의 경시적 변화를 나타내는 그래프도이다.

Claims (8)

  1. 복수의 기판을 그 피처리면이 실질적으로 수행하게 되는 자세에서 서로 평행하게 프로세스튜브내에 형성하는 단계와, 상기 프로서스 튜브의 길이에 따라, 프로세스튜브를 외측부터 둘러싸도록 복수의 저항발열체를 형성하는 단계와, 상기 저항 발열체에 대한 급전량을 조절하고, 기판주변부의 한쪽끝에서 다른쪽 끝측으로 향하는 온도 구배를 기판의 피처리면에 형성하는 단계와, 기판의 피처리면내에서 회전시키는 단계로 구성되는 열처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 또한, 상기 저항 발열체로부터의 방사열을 반사하는 수단을, 상기 저항 발열체의 주위에 형성하는 단계와, 이 열반사 수단에 의해 반사한 열선을 상기 프로세스 튜브에 조사하는 단계로 구성되는 열처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저항 발열체 가운데 일부로의 급전을 정지하는 단계로 구성되는 열처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 저항 발열체 가운데 일부로의 급전을 정지하고 있는 동안에 기판을 회전시키는 단계로 구성되는 열처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 또한, 온도 검출 수단을 형성하고, 프로세스튜브 근방의 검출 온도에 기인하여 상기 저항 발열체로의 급전량을 제어하는 단계로 구성되는 열처리 방법.
  6. 제1항에 있어서, 또한 상기 프로세스 튜브의 외측에 냉기를 공급하는 수단을 형성하고, 상기 프로세스 튜브 및 상기 저항 발열체를 냉각하는 단계로 구성되는 열처리 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저항 발열체는, MoSi2선 히터인 단계로 구성되는 열처리 방법.
  8. 복수의 기판을 그 피처리면이 실질적으로 수평하게 되는 자세에서 서로 평행하게 프로세스 튜브내에 형성하는 단계와, 상기 프로세스 튜브의 길이에 따라 프로세스 튜브를 외측부터 둘러싸도록 복수의 저항발열체를 형성하는 단계와, 기판을 피처리면내에서 회전시키는 단계로 구성되는 열처리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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