JP2927806B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JP2927806B2 JP2927806B2 JP63302562A JP30256288A JP2927806B2 JP 2927806 B2 JP2927806 B2 JP 2927806B2 JP 63302562 A JP63302562 A JP 63302562A JP 30256288 A JP30256288 A JP 30256288A JP 2927806 B2 JP2927806 B2 JP 2927806B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にウェーハ
又はウェーハ表面に形成された薄膜を加熱した処理液を
用いて処理するウェット処理装置に関するものである。
又はウェーハ表面に形成された薄膜を加熱した処理液を
用いて処理するウェット処理装置に関するものである。
従来、この種のウェット処理装置は主にウェットエッ
チ装置、ウェット洗浄装置等があり、一個又は複数の薬
液槽と一個又は複数の純水洗浄槽、及び乾燥系から成っ
ている。薬液槽は一般に第３図に示すように処理槽３、
処理液４、ヒーター５、液温計６、液温コントローラ７
からなり、キャリア１内のウェーハ２を処理する構造と
なっていた。処理液４の使用温度は最高でおよそ170℃
程度迄あり、ウェットエッチングにおいてはエッチング
速度が液温に強く依存する為、可能な限り高い液温で使
用される。又、洗浄においても液温が高い程、洗浄効果
が高い。
チ装置、ウェット洗浄装置等があり、一個又は複数の薬
液槽と一個又は複数の純水洗浄槽、及び乾燥系から成っ
ている。薬液槽は一般に第３図に示すように処理槽３、
処理液４、ヒーター５、液温計６、液温コントローラ７
からなり、キャリア１内のウェーハ２を処理する構造と
なっていた。処理液４の使用温度は最高でおよそ170℃
程度迄あり、ウェットエッチングにおいてはエッチング
速度が液温に強く依存する為、可能な限り高い液温で使
用される。又、洗浄においても液温が高い程、洗浄効果
が高い。
上述した従来のウェット処理装置はウェーハの処理速
度が処理液の液温に強く依存するにもかかわらず、大気
圧下で処理する装置構造となっているため、液温を沸点
以上に上げることができず、処理時間の短縮が困難とい
う欠点がある。又、複数の薬液を混合した処理液を用い
た場合、各々の薬液の蒸気圧の違いにより液組成の経時
変化が大きいという欠点がある。
度が処理液の液温に強く依存するにもかかわらず、大気
圧下で処理する装置構造となっているため、液温を沸点
以上に上げることができず、処理時間の短縮が困難とい
う欠点がある。又、複数の薬液を混合した処理液を用い
た場合、各々の薬液の蒸気圧の違いにより液組成の経時
変化が大きいという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置の製造
装置を提供することにある。〔発明の従来技術に対する
相違点〕 上述した従来のウェット処理装置に対し、本発明は処
理槽を密閉された加圧雰囲気に保持することにより、処
理液の蒸発を抑えて液組成の変化を抑制し、且つ、処理
液の沸点を上昇させてより高温での処理を可能にすると
いう相違点を有する。
装置を提供することにある。〔発明の従来技術に対する
相違点〕 上述した従来のウェット処理装置に対し、本発明は処
理槽を密閉された加圧雰囲気に保持することにより、処
理液の蒸発を抑えて液組成の変化を抑制し、且つ、処理
液の沸点を上昇させてより高温での処理を可能にすると
いう相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の
製造装置は、処理室と水洗室とを有し、半導体装置のウ
ェット処理工程で使用される半導体装置の製造装置であ
って、 前記処理室は、密閉された加圧雰囲気内に処理槽を有
し、ウェット処理を行なうものであり、 前記水洗室は、前記処理室に隣接して設置され、該処
理室と同圧力に昇圧された加圧雰囲気中に水洗槽を有
し、前記処理室から搬入された処理物を水洗処理するも
のである。
製造装置は、処理室と水洗室とを有し、半導体装置のウ
ェット処理工程で使用される半導体装置の製造装置であ
って、 前記処理室は、密閉された加圧雰囲気内に処理槽を有
し、ウェット処理を行なうものであり、 前記水洗室は、前記処理室に隣接して設置され、該処
理室と同圧力に昇圧された加圧雰囲気中に水洗槽を有
し、前記処理室から搬入された処理物を水洗処理するも
のである。
次に本発明について図面を参照にして説明する。
（参考例） 第１図は本発明の参考例を示す縦断面図である。処理
槽３は、減圧弁8,バルブ（加圧用）15を経て加圧エアー
又は窒素等、高圧不活性ガスにより一定圧力に加圧され
た処理室９に収納されており、処理室９では大気圧下の
沸点以上の液温でウェーハ２は高速に処理される。５は
ヒーター、６は液温計、７は液温コントローラである。
又、処理室９は隔壁12を通じてローディング用ロードロ
ック室10、アンローディング用ロードロック室11と連結
されており、処理されるウェーハ２はロボット搬送系13
によってキャリア１ごとローディング用ロードロック室
10→処理室９→アンローディング用ロードロック室11へ
と搬送される。
槽３は、減圧弁8,バルブ（加圧用）15を経て加圧エアー
又は窒素等、高圧不活性ガスにより一定圧力に加圧され
た処理室９に収納されており、処理室９では大気圧下の
沸点以上の液温でウェーハ２は高速に処理される。５は
ヒーター、６は液温計、７は液温コントローラである。
又、処理室９は隔壁12を通じてローディング用ロードロ
ック室10、アンローディング用ロードロック室11と連結
されており、処理されるウェーハ２はロボット搬送系13
によってキャリア１ごとローディング用ロードロック室
10→処理室９→アンローディング用ロードロック室11へ
と搬送される。
なお、この搬送の際は処理室９の圧力低下による処理
液４の突沸を防止するため、ローディング用ロードロッ
ク室10、アンローディング用ロードロック室11共に、必
要に応じてバルブ（加圧用）15開により処理室９と同圧
力に加圧、又はバルブ（減圧用）14開により大気圧に減
圧される。
液４の突沸を防止するため、ローディング用ロードロッ
ク室10、アンローディング用ロードロック室11共に、必
要に応じてバルブ（加圧用）15開により処理室９と同圧
力に加圧、又はバルブ（減圧用）14開により大気圧に減
圧される。
第２図に示すように、本発明の一実施例においては、
処理室９から出たキャリアはロボット搬送系13により、
処理室９と同圧力に昇圧された水洗室16に入り水洗槽18
及び水洗槽19にて水洗される。なお、水洗室16での水洗
は、純水ライン17のバルブ（給水用）21の１次側に昇圧
ポンプ22を設けて、昇圧された水洗室16への給水を行な
いながら、供給量に応じた純水23をバルブ（排水用）20
より排水することで、水洗室16を大気圧まで減圧する時
間的ロスを出さずに加圧状態のままで水洗を行なうこと
ができる。
処理室９から出たキャリアはロボット搬送系13により、
処理室９と同圧力に昇圧された水洗室16に入り水洗槽18
及び水洗槽19にて水洗される。なお、水洗室16での水洗
は、純水ライン17のバルブ（給水用）21の１次側に昇圧
ポンプ22を設けて、昇圧された水洗室16への給水を行な
いながら、供給量に応じた純水23をバルブ（排水用）20
より排水することで、水洗室16を大気圧まで減圧する時
間的ロスを出さずに加圧状態のままで水洗を行なうこと
ができる。
即ち、この実施例では処理槽３から出たキャリア１及
びウェーハ２を加圧状態のままで素早く水洗できるとい
う利点がある。
びウェーハ２を加圧状態のままで素早く水洗できるとい
う利点がある。
以上説明したように本発明は処理槽を密閉された加圧
雰囲気中に保持し、処理液の蒸発を抑えることにより、
液組成の変化を抑制し、且つ、処理液の沸点を上昇させ
ることにより、液温を上げて高速処理できる効果があ
る。
雰囲気中に保持し、処理液の蒸発を抑えることにより、
液組成の変化を抑制し、且つ、処理液の沸点を上昇させ
ることにより、液温を上げて高速処理できる効果があ
る。
第１図は本発明の参考例を示す縦断面図、第２図は本発
明の一実施例を示す縦断面図、第３図は従来の加熱した
処理液を用いて処理するウェット処理装置の薬液槽を示
す縦断面図である。 １……キャリア、２……ウェーハ ３……処理槽、４……処理液 ５……ヒーター、６……液温計 ７……液温コントローラ、８……減圧弁 ９……処理室 10……ローディング用ロードロック室 11……アンローディング用ロードロック室 12……隔壁、13……ロボット搬送系 14……バルブ（減圧用）、15……バルブ（加圧用） 16……水洗室、17……純水ライン 18……水洗槽、19……水洗槽 20……バルブ（排水用）、21……バルブ（給水用） 22……昇圧ポンプ、23……純水
明の一実施例を示す縦断面図、第３図は従来の加熱した
処理液を用いて処理するウェット処理装置の薬液槽を示
す縦断面図である。 １……キャリア、２……ウェーハ ３……処理槽、４……処理液 ５……ヒーター、６……液温計 ７……液温コントローラ、８……減圧弁 ９……処理室 10……ローディング用ロードロック室 11……アンローディング用ロードロック室 12……隔壁、13……ロボット搬送系 14……バルブ（減圧用）、15……バルブ（加圧用） 16……水洗室、17……純水ライン 18……水洗槽、19……水洗槽 20……バルブ（排水用）、21……バルブ（給水用） 22……昇圧ポンプ、23……純水
Claims (1)
- 【請求項１】処理室と水洗室とを有し、半導体装置のウ
ェット処理工程で使用される半導体装置の製造装置であ
って、 前記処理室は、密閉された加圧雰囲気内に処理槽を有
し、ウェット処理を行なうものであり、 前記水洗室は、前記処理室に隣接して設置され、該処理
室と同圧力に昇圧された加圧雰囲気中に水洗槽を有し、
前記処理室から搬入された処理物の水洗処理するもので
あることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302562A JP2927806B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63302562A JP2927806B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02148841A JPH02148841A (ja) | 1990-06-07 |
| JP2927806B2 true JP2927806B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17910469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63302562A Expired - Fee Related JP2927806B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927806B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100426457C (zh) * | 2005-08-19 | 2008-10-15 | 大日本网目版制造株式会社 | 衬底处理设备和衬底处理方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2639771B2 (ja) * | 1991-11-14 | 1997-08-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
| US5343885A (en) * | 1992-03-04 | 1994-09-06 | Baxter International Inc. | Vacuum air lock for a closed perimeter solvent conservation system |
| US5313965A (en) * | 1992-06-01 | 1994-05-24 | Hughes Aircraft Company | Continuous operation supercritical fluid treatment process and system |
| JP3883929B2 (ja) | 2001-09-25 | 2007-02-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177928A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置のエツチング方法および装置 |
| JPS6430223A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Wetetching processor |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63302562A patent/JP2927806B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100426457C (zh) * | 2005-08-19 | 2008-10-15 | 大日本网目版制造株式会社 | 衬底处理设备和衬底处理方法 |
| US7541285B2 (en) | 2005-08-19 | 2009-06-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02148841A (ja) | 1990-06-07 |
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Legal Events
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