JP2006156924A - 三槽ワンバス式ウエハ自動洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体の微細化が進み、ウエハをよりクリーンにする必要がある。又、バツヂ処理においてウエハ自動洗浄装置のフツトプリントをより小さくし、洗浄効果をより高める必要がある。
【解決手段】装置全体をクリーン窒素ガス雰囲気下にして、自然酸化膜の発生を抑えると共に、、薬液の使用量を必要最小限とした。又、装置全体は三槽に抑え、フツトプリントを小さくした。
【選択図】図1
【解決手段】装置全体をクリーン窒素ガス雰囲気下にして、自然酸化膜の発生を抑えると共に、、薬液の使用量を必要最小限とした。又、装置全体は三槽に抑え、フツトプリントを小さくした。
【選択図】図1
Description
〔発明の属する技術分野〕今後、半導体はより微細化になっていきますと同時にウエハを今まで以上にクリーンにする.
ウエハ自動洗浄装置をより小さくしたい 各半導体メーカーの共通した見解です
ウエハ自動洗浄装置をより小さくしたい 各半導体メーカーの共通した見解です
〔従来の技術〕バツヂ処理においてRCA洗浄方式又は乾燥も含めて槽が4以上である
〔発明が解決しようとする課題〕
装置全体のフツトブリントをいかに小さくする
よりクリーンにウエハを洗浄するか特に自然酸化膜の発生防止及び除去をするか
装置全体のフツトブリントをいかに小さくする
よりクリーンにウエハを洗浄するか特に自然酸化膜の発生防止及び除去をするか
〔課題を解決する手段〕
薬液の種類をいかに少なくすると同時に洗浄効果をいかにハイレベルにするかである
SCI(NH4OH+H2O2+H2O)とO3水HF水である
洗浄効果を高める為にO3水とHF水の混合液を使用する
装置全体をクリーンN2ガス雰囲気にしました.
薬液の種類をいかに少なくすると同時に洗浄効果をいかにハイレベルにするかである
SCI(NH4OH+H2O2+H2O)とO3水HF水である
洗浄効果を高める為にO3水とHF水の混合液を使用する
装置全体をクリーンN2ガス雰囲気にしました.
〔作用〕装置の中に酸素があると自然酸化膜の発生の原因になります
装置全体をクリーンN2ガス雰囲気にしてロードロツク機構にします
100%近くクリーンN2ガス内でウエハを処理します
SCI(NH4OH+H2O2+H2O)の作用の件 これは半導体メーカーのプロセス技術者にとって常識になっています
つまりSCIでパーテイクル除去 有機物除去です
100℃以上の超純水を使用するのは常温又は70℃位いのホツト超純水にくらべて はるかに洗浄効果が良いからです
常温の超純水プラス超音波だとデザインルールが0.1ミクロン以下においてウエハに対してダメージをあたえるから使用しません
O3水プラスHF水の混合液で金属汚染物の除去 有機物除去及び自然酸化膜の除去です第三槽のファイナル洗浄及び乾燥において 第三槽内にファイナル洗浄用として合成石英槽を使用します
合成石英槽の中にはHF水が入っています ウエハのファイナル洗浄用です
これにより完全に自然酸化膜を除去する為です
乾燥時にクリーンホツトN2ガスプラス水素ラジカル0.1%位いを使用するのはウエハを完全に乾燥させると同時に自然酸化膜の発生防止及びウエハ面を水素で終端させる為です
加圧 減圧 加熱方式で乾燥させます 加圧時(1.5気圧〜1.9気圧)減圧時(0.1気圧以下)
さきほどのガスによりウエハ面を200℃〜240℃に加熱します
すべての水分が完全に気化します
そして加圧、減圧の差圧を活用して水分を完全に除去します
装置全体をクリーンN2ガス雰囲気にしてロードロツク機構にします
100%近くクリーンN2ガス内でウエハを処理します
SCI(NH4OH+H2O2+H2O)の作用の件 これは半導体メーカーのプロセス技術者にとって常識になっています
つまりSCIでパーテイクル除去 有機物除去です
100℃以上の超純水を使用するのは常温又は70℃位いのホツト超純水にくらべて はるかに洗浄効果が良いからです
常温の超純水プラス超音波だとデザインルールが0.1ミクロン以下においてウエハに対してダメージをあたえるから使用しません
O3水プラスHF水の混合液で金属汚染物の除去 有機物除去及び自然酸化膜の除去です第三槽のファイナル洗浄及び乾燥において 第三槽内にファイナル洗浄用として合成石英槽を使用します
合成石英槽の中にはHF水が入っています ウエハのファイナル洗浄用です
これにより完全に自然酸化膜を除去する為です
乾燥時にクリーンホツトN2ガスプラス水素ラジカル0.1%位いを使用するのはウエハを完全に乾燥させると同時に自然酸化膜の発生防止及びウエハ面を水素で終端させる為です
加圧 減圧 加熱方式で乾燥させます 加圧時(1.5気圧〜1.9気圧)減圧時(0.1気圧以下)
さきほどのガスによりウエハ面を200℃〜240℃に加熱します
すべての水分が完全に気化します
そして加圧、減圧の差圧を活用して水分を完全に除去します
〔実施例〕300ミリウエハ1枚 クラス1000のクリーンルームに2日間おいておきます
パターン巾は0.1ミクロンでアスペクト比4です
小さな石英槽があります その中にはSCIの薬液が入っています
テフロン製ピンセットで1枚 槽の中に入れます 時間は5分間です
SCIの薬液比率は
NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5
液温は70℃です
薬液処理合は薬液を回収タンクに収納します その後ウエハ両面及び槽内部を100℃位いのホツト超純水でハンドシャワーで上からブローします
すべてタレ流しです 約20秒位い
その後100℃以上に超純水を入れます
5分間 終了後テフロンピンセットでテフロン槽の中に入れます
テフロン槽の中には事前にO3水とHF水の混合液が入っています
O3水の濃度6PPM H水の濃度0.1%です O3水プラスHF水処理を終了したらSCIと同じ方式で100℃の超純水を使用して処理をしました
その後 ファイナル洗浄と乾燥です
SUS316LプラスPFAコーテイングしたチャンバー内に入れます チャンバー内には小さな合成石英槽が入っています
合成石英槽の中にHF水(0.1%)入っています 約7秒位い処理後加圧 減圧 加熱による乾燥です
もちろん この時は合成石英槽の中にはHF水はありません
加圧時は1.85気圧 減圧時は0.1気圧 ガスはクリーンホットN2ガスプラス水素ラジカル0.1%です
クリーンホツトN2ガスによりウエハ面の温度を200℃になりました
加圧 減圧を2回やりました
乾燥後 各種コンタミが0.07ミクロン以上で7個 但し端面から1ミリ以内の各種コンタミは省略
自然酸化膜の発生 ほとんどなし
あっても2Å〜3Å位いだと思われる
パターン巾は0.1ミクロンでアスペクト比4です
小さな石英槽があります その中にはSCIの薬液が入っています
テフロン製ピンセットで1枚 槽の中に入れます 時間は5分間です
SCIの薬液比率は
NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5
液温は70℃です
薬液処理合は薬液を回収タンクに収納します その後ウエハ両面及び槽内部を100℃位いのホツト超純水でハンドシャワーで上からブローします
すべてタレ流しです 約20秒位い
その後100℃以上に超純水を入れます
5分間 終了後テフロンピンセットでテフロン槽の中に入れます
テフロン槽の中には事前にO3水とHF水の混合液が入っています
O3水の濃度6PPM H水の濃度0.1%です O3水プラスHF水処理を終了したらSCIと同じ方式で100℃の超純水を使用して処理をしました
その後 ファイナル洗浄と乾燥です
SUS316LプラスPFAコーテイングしたチャンバー内に入れます チャンバー内には小さな合成石英槽が入っています
合成石英槽の中にHF水(0.1%)入っています 約7秒位い処理後加圧 減圧 加熱による乾燥です
もちろん この時は合成石英槽の中にはHF水はありません
加圧時は1.85気圧 減圧時は0.1気圧 ガスはクリーンホットN2ガスプラス水素ラジカル0.1%です
クリーンホツトN2ガスによりウエハ面の温度を200℃になりました
加圧 減圧を2回やりました
乾燥後 各種コンタミが0.07ミクロン以上で7個 但し端面から1ミリ以内の各種コンタミは省略
自然酸化膜の発生 ほとんどなし
あっても2Å〜3Å位いだと思われる
〔発明の効果〕今までのバツヂ処理(25枚又は50枚同時処理)のウエハ自動洗浄装置にくらべて装置面積が小さくなりました
必要最小限の薬液を使用しますのでランニングコスト面でも大いにプラスになりました
必要最小限の薬液を使用しますのでランニングコスト面でも大いにプラスになりました
1 第一槽
2 第二槽
3 第三槽
4 搬送ロボツト
5 搬送ロボツト
6 搬送ロボツト
7 300ミリウエハ25枚(フープカセツト)
8 300ミリウエハ25枚(フープカセツト)
9 300ミリウエハ25枚(フープカセツト)
2 第二槽
3 第三槽
4 搬送ロボツト
5 搬送ロボツト
6 搬送ロボツト
7 300ミリウエハ25枚(フープカセツト)
8 300ミリウエハ25枚(フープカセツト)
9 300ミリウエハ25枚(フープカセツト)
Claims (2)
- ウエハ洗浄プロセス技術
装置全体をクリーンN2ガス雰囲気内にしてロードロツク機構とします
第一槽内においてNH4OHとH2O2とH2Oの混合液を使用します
液温は70℃〜80℃位いです
終了後混合液はすべて回収タンクに収納します 完了後ウエハを含めた槽内全体を上からスプレー式でホツト超純水で洗浄します すべてタレ流しとします
その後100℃以上の超純水を槽内全体に注入します 一部オーバフローです
100℃以上のホツト超純水で洗浄後ウエハは第二槽内に移動します
第二槽内においてO3水とHF水の混合液を使用します
O3水の濃度5PPM以上 HF水の濃度0.1%以上です 第一槽と同じ方式で洗浄します
第二槽終了後第三槽に移動します
第三槽はファイナル洗浄と乾燥です
第三槽内には合成石英槽があります
合成石英槽内にはHF水(濃度0.05%以上)が入っています
その中にウエハを収納します
ウエハをファイナル洗浄した後、HF水をクイックドレーンで回収タンクに収納します その後 加圧 減圧 加熱方式で乾燥させます もちろんこの時は第三槽内は完全密閉状態です
加圧 減圧を1回以上やって乾燥します
加圧時は第三槽内1.5気圧〜1.9気圧
減圧時は第三槽内0.1気圧以下
ガスはホツトN2ガスプラス水素ラジカル0.1%位いを使用します
ウエハ面の温度を200℃〜240℃にして水分を完全に気化させると同時に差圧で水分を除去します - 上記第三槽によるファイナル洗浄及び乾燥方式
Priority Applications (3)
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JP2004382428A JP2006156924A (ja) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | 三槽ワンバス式ウエハ自動洗浄装置 |
KR1020050059008A KR20060059785A (ko) | 2004-11-29 | 2005-07-01 | 3베쓰 1배치식 웨이퍼 자동세정장치 |
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JP2004382428A JP2006156924A (ja) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | 三槽ワンバス式ウエハ自動洗浄装置 |
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JP2004382428A Pending JP2006156924A (ja) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | 三槽ワンバス式ウエハ自動洗浄装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011518667A (ja) * | 2008-04-29 | 2011-06-30 | セーフティ・クリーン・システムズ・インコーポレイテッド | 多目的水系部品洗浄装置 |
CN117059534A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-11-14 | 无锡京运通科技有限公司 | 清洗机液位控制方法与系统 |
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KR100909337B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2009-07-24 | 주식회사 동부하이텍 | 습식 세정 방법 및 이를 제어하는 습식 세정 장치 콘트롤러 |
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2004
- 2004-11-29 JP JP2004382428A patent/JP2006156924A/ja active Pending
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2005
- 2005-07-01 KR KR1020050059008A patent/KR20060059785A/ko not_active Application Discontinuation
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CN117059534B (zh) * | 2023-10-12 | 2024-01-19 | 无锡京运通科技有限公司 | 清洗机液位控制方法与系统 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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