JPH0971866A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH0971866A JPH0971866A JP22498695A JP22498695A JPH0971866A JP H0971866 A JPH0971866 A JP H0971866A JP 22498695 A JP22498695 A JP 22498695A JP 22498695 A JP22498695 A JP 22498695A JP H0971866 A JPH0971866 A JP H0971866A
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- gas
- diffusion
- chamber
- diffusion chamber
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ガスの拡散室，成膜室などからなり、原料ガス
の種類に応じた拡散室を個別に設けた。 【効果】成膜部以外で発生するタングステンパーティク
ルなどが減少し、不良低減，成膜における選択性の向上
が図られる。
の種類に応じた拡散室を個別に設けた。 【効果】成膜部以外で発生するタングステンパーティク
ルなどが減少し、不良低減，成膜における選択性の向上
が図られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は減圧ＣＶＤ装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＶＤ装置では、例えば特開平1
−117315 号公報に記載のように、均一に分布した小孔
を多数有する仕切り板を通して、ガスを層流として複数
の半導体結晶基板に当てる構成となっていた。また、２
重管構造を用いた従来例は、特開昭61−135114号公報に
記載のように、ガスの導入と排気の循環のための構造例
がある。さらに、渦巻型の構造を用いた実施例として、
特開昭61−251595号公報に記載のように、ベルジャーの
冷却用に孔径を調整して使用する例がある。
−117315 号公報に記載のように、均一に分布した小孔
を多数有する仕切り板を通して、ガスを層流として複数
の半導体結晶基板に当てる構成となっていた。また、２
重管構造を用いた従来例は、特開昭61−135114号公報に
記載のように、ガスの導入と排気の循環のための構造例
がある。さらに、渦巻型の構造を用いた実施例として、
特開昭61−251595号公報に記載のように、ベルジャーの
冷却用に孔径を調整して使用する例がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体素子の製造過程に用いられる金属配線の形成に於て、
ガスの反応によって生じる成膜部以外に付着するパーテ
ィクルを減少させ、また、配線上に付着するごみの低減
を図り、品質の良い成膜を行うことにある。
体素子の製造過程に用いられる金属配線の形成に於て、
ガスの反応によって生じる成膜部以外に付着するパーテ
ィクルを減少させ、また、配線上に付着するごみの低減
を図り、品質の良い成膜を行うことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は導入したガスの拡散室を、ガスの種類毎に
設けたものである。
に、本発明は導入したガスの拡散室を、ガスの種類毎に
設けたものである。
【０００５】また、均一なガスの流速を実現するため
に、拡散室内にガスの拡散板を設けた。
に、拡散室内にガスの拡散板を設けた。
【０００６】さらに、拡散室及び拡散室を構成するガス
の吹き出し板のメンテナンス性向上のために吹き出し板
を分離可能とし、かつ、拡散室の密閉性を向上させるた
め、及びガスの吹き出しの均一性向上のために、吹き出
し板の結合部材にガス導入機能を付加した。
の吹き出し板のメンテナンス性向上のために吹き出し板
を分離可能とし、かつ、拡散室の密閉性を向上させるた
め、及びガスの吹き出しの均一性向上のために、吹き出
し板の結合部材にガス導入機能を付加した。
【０００７】
【作用】図１に示すように、ベローズ１５などで上下移
動可能に支えられた導入管２からガスａが拡散室６に導
入され、拡散板４に当り、拡散する。充満したガスａ
は、拡散室６から連絡管を通してガスａが降りてきて、
吹き出し板８の孔から吹き出す。一方、２重管構造とな
った導入管３からガスｂが拡散室６を素通りして拡散室
７に導かれる。そこで、拡散板１０に当り、拡散する。
その後、吹き出し板８のガスａと交互に配置された孔か
ら成膜室１０５へと吹き出していく。ガスの流速はそれ
ぞれの拡散室に配置された拡散板によって、それぞれの
孔から吹き出す流速が一定となるように、シミュレーシ
ョンにより最適形状が決められ、成膜室１０５に吹き出
す時点で、均一な混合が実現できる。従って、それぞれ
の原料ガスは、成膜室１０５に出るまでは、完全に分離
した状態を保つことができ、ガスが混合することによる
反応で生じるパーティクルの発生が防止でき、清浄な環
境で成膜が実現できる。
動可能に支えられた導入管２からガスａが拡散室６に導
入され、拡散板４に当り、拡散する。充満したガスａ
は、拡散室６から連絡管を通してガスａが降りてきて、
吹き出し板８の孔から吹き出す。一方、２重管構造とな
った導入管３からガスｂが拡散室６を素通りして拡散室
７に導かれる。そこで、拡散板１０に当り、拡散する。
その後、吹き出し板８のガスａと交互に配置された孔か
ら成膜室１０５へと吹き出していく。ガスの流速はそれ
ぞれの拡散室に配置された拡散板によって、それぞれの
孔から吹き出す流速が一定となるように、シミュレーシ
ョンにより最適形状が決められ、成膜室１０５に吹き出
す時点で、均一な混合が実現できる。従って、それぞれ
の原料ガスは、成膜室１０５に出るまでは、完全に分離
した状態を保つことができ、ガスが混合することによる
反応で生じるパーティクルの発生が防止でき、清浄な環
境で成膜が実現できる。
【０００８】
【実施例】以下、タングステンを化学気相成長法により
形成する装置（タングステン−ＣＶＤ装置）に本発明
を、適用した実施例について図表を用いて説明する。こ
こでは、六弗化タングステン（ＷＦ6）とモノシラン
（ＳｉＨ4）とを反応させて（ＳｉＨ4 還元法と呼ぶ）
Ｓｉウエハ上の金属が露出した部分のみにタングステン
を形成する方法（選択タングステン−ＣＶＤ法）を用い
た。
形成する装置（タングステン−ＣＶＤ装置）に本発明
を、適用した実施例について図表を用いて説明する。こ
こでは、六弗化タングステン（ＷＦ6）とモノシラン
（ＳｉＨ4）とを反応させて（ＳｉＨ4 還元法と呼ぶ）
Ｓｉウエハ上の金属が露出した部分のみにタングステン
を形成する方法（選択タングステン−ＣＶＤ法）を用い
た。
【０００９】図１はタングステンＣＶＤ装置の正面図で
あり、図２は拡散室の吹き出し板の平面図である。
あり、図２は拡散室の吹き出し板の平面図である。
【００１０】チェンバ１の上部のフランジ５などからベ
ローズ１５などを介して導入管２が支持されている。導
入管２はガスの拡散室６とつながっており、その中にガ
スの拡散板４が保持されている。２重管構造となってい
る内側の導入管３は、拡散室６を素通りして、拡散室７
へと接続されている。拡散室７の下部は、多数の孔が空
いた吹き出し板８で形成されており、ねじ１３などで結
合されている。吹き出し板８の下部には、ヒータ１１で
加熱できる構造をもつ、Ｓｉウエハ１２が設置されてい
る。チェンバ１の両側には、ガスの排気を行うポート９
及び１４が取り付けられている。
ローズ１５などを介して導入管２が支持されている。導
入管２はガスの拡散室６とつながっており、その中にガ
スの拡散板４が保持されている。２重管構造となってい
る内側の導入管３は、拡散室６を素通りして、拡散室７
へと接続されている。拡散室７の下部は、多数の孔が空
いた吹き出し板８で形成されており、ねじ１３などで結
合されている。吹き出し板８の下部には、ヒータ１１で
加熱できる構造をもつ、Ｓｉウエハ１２が設置されてい
る。チェンバ１の両側には、ガスの排気を行うポート９
及び１４が取り付けられている。
【００１１】導入管２から供給されるガス、例えば、Ｗ
Ｆ6 が導入口１０２から拡散室６へ入って来る。そし
て、拡散板４に当り、拡散室内１０３へと広がってい
く。そして、成膜室１０５への連絡孔１０１を通り、吹
き出し板８を介して成膜室１０５へと導かれる。２重管
構造となっている導入管３からＳｉＨ4 などのガスが供
給され、拡散室６は素通りして導入口１０６から拡散室
７へと達する。そこで拡散板１０に当り、拡散室６から
の連絡孔１０１の構成部材の間を抜けて拡散室内１０４
へと拡散していく。拡散室７は、例えば、アルミニウム
の一体構造で連絡孔１０１の構成部材が形成されてお
り、拡散室７の蓋の役割をする吹き出し板８が六角孔付
きボルトなどのねじ１３等で結合される。
Ｆ6 が導入口１０２から拡散室６へ入って来る。そし
て、拡散板４に当り、拡散室内１０３へと広がってい
く。そして、成膜室１０５への連絡孔１０１を通り、吹
き出し板８を介して成膜室１０５へと導かれる。２重管
構造となっている導入管３からＳｉＨ4 などのガスが供
給され、拡散室６は素通りして導入口１０６から拡散室
７へと達する。そこで拡散板１０に当り、拡散室６から
の連絡孔１０１の構成部材の間を抜けて拡散室内１０４
へと拡散していく。拡散室７は、例えば、アルミニウム
の一体構造で連絡孔１０１の構成部材が形成されてお
り、拡散室７の蓋の役割をする吹き出し板８が六角孔付
きボルトなどのねじ１３等で結合される。
【００１２】このねじ１３による密着性を向上させるた
めに、図２のように、拡散室７の外壁への固定孔１１１
の他、吹き出し板８には多数の座ぐり孔１１０があけら
れているが、そこはガスＷＦ6 の通り道でもあるため、
ねじ１３の中心付近には、ガスの通り道となる孔が形成
される。そして、連絡孔１０１から降りてきたガスＷＦ
6は吹き出し板８に開けられた孔１０８を通り、また、
ガスＳｉＨ4は吹き出し板８の孔１０９と通り成膜室１
０５へと吹き出していく。これらの吹き出し孔は、同心
円状交互に配置されており、成膜室１０５内での均一な
混合が実現できるようにしてある。
めに、図２のように、拡散室７の外壁への固定孔１１１
の他、吹き出し板８には多数の座ぐり孔１１０があけら
れているが、そこはガスＷＦ6 の通り道でもあるため、
ねじ１３の中心付近には、ガスの通り道となる孔が形成
される。そして、連絡孔１０１から降りてきたガスＷＦ
6は吹き出し板８に開けられた孔１０８を通り、また、
ガスＳｉＨ4は吹き出し板８の孔１０９と通り成膜室１
０５へと吹き出していく。これらの吹き出し孔は、同心
円状交互に配置されており、成膜室１０５内での均一な
混合が実現できるようにしてある。
【００１３】また、均一性を向上させるためにガスの流
れのシミュレーションを行い、例えば、拡散室の直径の
半分程度の直径を持つ拡散板を挿入することにより、吹
き出し板８から吹き出すガスの流速をほぼ一定にするこ
とが可能である。成膜室105内に吹き出してきたガスＷ
Ｆ6及びＳｉＨ4はそこで初めて混合され、還元反応が起
こり、ヒータ１１で２５０℃に加熱されているウエハ１
２上にタングステンＷの金属膜が形成される。この時の
反応形態の最適な条件を設定できるように、ガスの吹き
出し位置はベローズ１５によって、移動可能となってい
る。ウエハ１２に達したガスは排気用のポート９および
１４の方向へ流れていく。この時、排気用のポンプやガ
スの流量との関係からガスの流れがポート９と１４の方
向へ偏る問題が考えられる。このことは、ウエハ１２上
での膜厚分布などとなって現れるため、その対策として
ポート９及び１４とウエハ１２の間にガスの流れを抑え
る整流板などを入れることも考慮する。
れのシミュレーションを行い、例えば、拡散室の直径の
半分程度の直径を持つ拡散板を挿入することにより、吹
き出し板８から吹き出すガスの流速をほぼ一定にするこ
とが可能である。成膜室105内に吹き出してきたガスＷ
Ｆ6及びＳｉＨ4はそこで初めて混合され、還元反応が起
こり、ヒータ１１で２５０℃に加熱されているウエハ１
２上にタングステンＷの金属膜が形成される。この時の
反応形態の最適な条件を設定できるように、ガスの吹き
出し位置はベローズ１５によって、移動可能となってい
る。ウエハ１２に達したガスは排気用のポート９および
１４の方向へ流れていく。この時、排気用のポンプやガ
スの流量との関係からガスの流れがポート９と１４の方
向へ偏る問題が考えられる。このことは、ウエハ１２上
での膜厚分布などとなって現れるため、その対策として
ポート９及び１４とウエハ１２の間にガスの流れを抑え
る整流板などを入れることも考慮する。
【００１４】本装置を用いてタングステン−ＣＶＤの選
択性を調べる実験を以下の要領で行った。直径６インチ
のＳｉウエハ１２０の表面にテトラエチルオルソシリケ
ート（ＴＥＯＳ）を原料とするプラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ2膜１２１を０.５μｍ形成する（図３）。その
後、本装置内で、ＷＦ6流量＝２０sccm，ＳｉＨ4流量＝
２０sccm，圧力＝２.７Ｐａ ，ウエハ温度＝２５０℃の
条件で１２０秒間ウエハ１２０に原料ガスをさらした。
その後、ウエハ１２上に発生したタングステンのパーテ
ィクル１２２の数を計測した。また、拡散室内で二つの
原料ガスが混合されるような構造のガス吹き出しノズル
（図４）を用いて、従来技術による選択性を同様にして
調べた。その結果を表１に示した。
択性を調べる実験を以下の要領で行った。直径６インチ
のＳｉウエハ１２０の表面にテトラエチルオルソシリケ
ート（ＴＥＯＳ）を原料とするプラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ2膜１２１を０.５μｍ形成する（図３）。その
後、本装置内で、ＷＦ6流量＝２０sccm，ＳｉＨ4流量＝
２０sccm，圧力＝２.７Ｐａ ，ウエハ温度＝２５０℃の
条件で１２０秒間ウエハ１２０に原料ガスをさらした。
その後、ウエハ１２上に発生したタングステンのパーテ
ィクル１２２の数を計測した。また、拡散室内で二つの
原料ガスが混合されるような構造のガス吹き出しノズル
（図４）を用いて、従来技術による選択性を同様にして
調べた。その結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】本実施例を用いれば、従来の技術に比べタ
ングステンのパーティクル数が１／５以下になってお
り、選択性が向上することが分かる。これは、以下のよ
うな理由によると考えられる。ＳｉＨ4還元法では、Ｗ
Ｆ6の流量に対するＳｉＨ4 の流量の比（ＳｉＨ4／ＷＦ
6流量比）が１.５ 以上になると、原料ガスのＷＦ6 と
ＳｉＨ4 が気相中で反応してタングステンの微小なパー
ティクルが発生することが知られている。発生したパー
ティクルはウエハ表面に付着して、選択性を劣化させ
る。そのため通常、ＳｉＨ4／ＷＦ6流量比が１以下の条
件でタングステンを形成している。しかし、従来の吹き
出しノズルでは二つのガスの混合が均一になっていない
ため、ＳｉＨ4／ＷＦ6流量比が１以下の条件の場合で
も、局所的にＳｉＨ4／ＷＦ6流量比が１.５ 以上にな
り、その部分で気相反応が起こり、選択性が劣化する。
一方本実施例では、原料ガスを均一に混合することがで
きるため選択性が向上する。
ングステンのパーティクル数が１／５以下になってお
り、選択性が向上することが分かる。これは、以下のよ
うな理由によると考えられる。ＳｉＨ4還元法では、Ｗ
Ｆ6の流量に対するＳｉＨ4 の流量の比（ＳｉＨ4／ＷＦ
6流量比）が１.５ 以上になると、原料ガスのＷＦ6 と
ＳｉＨ4 が気相中で反応してタングステンの微小なパー
ティクルが発生することが知られている。発生したパー
ティクルはウエハ表面に付着して、選択性を劣化させ
る。そのため通常、ＳｉＨ4／ＷＦ6流量比が１以下の条
件でタングステンを形成している。しかし、従来の吹き
出しノズルでは二つのガスの混合が均一になっていない
ため、ＳｉＨ4／ＷＦ6流量比が１以下の条件の場合で
も、局所的にＳｉＨ4／ＷＦ6流量比が１.５ 以上にな
り、その部分で気相反応が起こり、選択性が劣化する。
一方本実施例では、原料ガスを均一に混合することがで
きるため選択性が向上する。
【００１７】上記実施例では、本発明により選択タング
ステン−ＣＶＤ装置を作製した例について説明したが、
本発明はこれに限るものではなく、例えば窒化チタン(T
iN）のＣＶＤ装置にも適用することができる。この場
合、原料の四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）とアンモニア
（ＮＨ3）を低温で混合させると塩化アンモニウムのパ
ーティクルを生じ、これがウエハに付着する。これを防
止するためには、原料ガスを２００℃程度に加熱する必
要がある。そのために、パイプ２，３と拡散室６，７に
はシースヒータ（図示せず）などを内部や周囲に配置し
てある。さらに、拡散室６，７は、５００℃程度に加熱
されたウエハ１２からの輻射熱で逆に温度が上がりすぎ
ることも予想されるので、拡散室の材質としては、アル
ミニウムなどの熱伝導性の高い材料で構成することによ
って積極的に熱の移動を図ることも必要となる。
ステン−ＣＶＤ装置を作製した例について説明したが、
本発明はこれに限るものではなく、例えば窒化チタン(T
iN）のＣＶＤ装置にも適用することができる。この場
合、原料の四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）とアンモニア
（ＮＨ3）を低温で混合させると塩化アンモニウムのパ
ーティクルを生じ、これがウエハに付着する。これを防
止するためには、原料ガスを２００℃程度に加熱する必
要がある。そのために、パイプ２，３と拡散室６，７に
はシースヒータ（図示せず）などを内部や周囲に配置し
てある。さらに、拡散室６，７は、５００℃程度に加熱
されたウエハ１２からの輻射熱で逆に温度が上がりすぎ
ることも予想されるので、拡散室の材質としては、アル
ミニウムなどの熱伝導性の高い材料で構成することによ
って積極的に熱の移動を図ることも必要となる。
【００１８】また本発明を、ＴＥＯＳとオゾンを反応さ
せてＳｉＯ2 膜を形成するＣＶＤ装置に適用すると、同
様にウエハ上に付着するパーティクル数を低減すること
ができる。
せてＳｉＯ2 膜を形成するＣＶＤ装置に適用すると、同
様にウエハ上に付着するパーティクル数を低減すること
ができる。
【００１９】本実施例によれば、ウエハ１２の大きさに
対応した拡散室６，７に導入された原料ガスは成膜室１
０５に入るまで完全に分離しているために、ウエハ１２
に達する前に反応によって生じるタングステン等のパー
ティクルの減少が図られ、半導体装置の製造歩留まりが
向上する。
対応した拡散室６，７に導入された原料ガスは成膜室１
０５に入るまで完全に分離しているために、ウエハ１２
に達する前に反応によって生じるタングステン等のパー
ティクルの減少が図られ、半導体装置の製造歩留まりが
向上する。
【００２０】第２の実施例を図５及び図６を用いて説明
する。図５は２種類のガスの拡散を行う拡散室の断面図
であり、図６は、その中間部分の断面図である。
する。図５は２種類のガスの拡散を行う拡散室の断面図
であり、図６は、その中間部分の断面図である。
【００２１】成膜を行うための原料ガスが、パイプ１６
及び１７を通り、導入口１１２及び１１３から拡散室１
８に供給される。拡散室１８は、図６で示すとおり壁２
０で仕切られた渦巻形状をしており、その中心にそれぞ
れのパイプ１６，１７が配置されている。そして、拡散
室１８は渦巻の通り道の上に配置された多数の孔を伴う
吹き出し板１９によって空間を構成している。
及び１７を通り、導入口１１２及び１１３から拡散室１
８に供給される。拡散室１８は、図６で示すとおり壁２
０で仕切られた渦巻形状をしており、その中心にそれぞ
れのパイプ１６，１７が配置されている。そして、拡散
室１８は渦巻の通り道の上に配置された多数の孔を伴う
吹き出し板１９によって空間を構成している。
【００２２】パイプ１６から供給されるガス、例えば、
アルゴンＡｒをキャリアとしたWF6は、導入口１１２か
ら拡散室１８へ入り、壁２０で仕切られた空間１１７を
通り、渦巻の外周方向へと流れていく。そして、その過
程で吹き出し板１９に多数開けられた孔１１４を通り、
成膜室へと吹き出していく。また、もう一方のパイプか
らは、例えばＳｉＨ4 が供給され、同じように空間１１
６を通り渦巻の外周方向へと拡散していく。そして、そ
の途中に多数開けられた孔１１５から成膜室へと吹き出
していく。そして、成膜室では半径方向に交互に吹き出
したガスが均一に混合されるので、ＳｉＨ4 還元反応が
起こり、タングステン膜がウエハ上に良好な選択性で形
成される。
アルゴンＡｒをキャリアとしたWF6は、導入口１１２か
ら拡散室１８へ入り、壁２０で仕切られた空間１１７を
通り、渦巻の外周方向へと流れていく。そして、その過
程で吹き出し板１９に多数開けられた孔１１４を通り、
成膜室へと吹き出していく。また、もう一方のパイプか
らは、例えばＳｉＨ4 が供給され、同じように空間１１
６を通り渦巻の外周方向へと拡散していく。そして、そ
の途中に多数開けられた孔１１５から成膜室へと吹き出
していく。そして、成膜室では半径方向に交互に吹き出
したガスが均一に混合されるので、ＳｉＨ4 還元反応が
起こり、タングステン膜がウエハ上に良好な選択性で形
成される。
【００２３】本実施例によれば、ガスの拡散室の形状を
薄くすることが可能であり、また、その形状の実現もＮ
Ｃ工作機械などを用いれば、容易に実現可能であり、成
膜を行うチェンバを小型化でき、かつ、パーティクルの
発生を抑えられる。
薄くすることが可能であり、また、その形状の実現もＮ
Ｃ工作機械などを用いれば、容易に実現可能であり、成
膜を行うチェンバを小型化でき、かつ、パーティクルの
発生を抑えられる。
【００２４】第３の実施例を図７を用いて説明する。減
圧チェンバ１の上部のフランジ２１に減圧チェンバの一
部を構成するガス吹き出し用の吹き出し板８が結合され
ている。第１のガスの拡散室６にガスを供給するパイプ
２が取り付けられており、そのパイプ２の内側には第２
のガスの拡散室にガスを供給するパイプ３が配置されて
いる。それぞれの拡散室６及び７内にはガスを拡散させ
る拡散板４及び１０が設置されている。成膜室１０５内
には、ベローズ２３で上下に移動可能なウエハ載置台２
２があり、ヒータ１１などにより加熱，温度制御可能な
ウエハ１２が上部中央に設置される。
圧チェンバ１の上部のフランジ２１に減圧チェンバの一
部を構成するガス吹き出し用の吹き出し板８が結合され
ている。第１のガスの拡散室６にガスを供給するパイプ
２が取り付けられており、そのパイプ２の内側には第２
のガスの拡散室にガスを供給するパイプ３が配置されて
いる。それぞれの拡散室６及び７内にはガスを拡散させ
る拡散板４及び１０が設置されている。成膜室１０５内
には、ベローズ２３で上下に移動可能なウエハ載置台２
２があり、ヒータ１１などにより加熱，温度制御可能な
ウエハ１２が上部中央に設置される。
【００２５】パイプ２から供給されるガス例えばＴｉＣ
ｌ4 が導入口１０２から拡散室６へ入って来る。そし
て、拡散板４に当り、拡散室内１０３へと広がってい
く。そして、成膜室１０５への連絡孔１０１を通り、吹
き出し板８を介して成膜室１０５へと導かれる。２重管
構造となっているパイプ３からＮＨ3 などのガスが供給
され、拡散室６は素通りして導入口１０６から拡散室７
へと達する。そこで拡散板１０に当り、拡散室６からの
連絡孔１０１の構成部材の間を抜けて拡散室内104へと
拡散していく。拡散室６，７及びその導入用のパイプ
２，３はヒータなどを用いて、加熱，温度調節可能な構
造とし、原料のガスの特性を維持する機能を備えてい
る。拡散室６及び７に拡散，充満したガスは、吹き出し
板８の孔１０８及び１０９から成膜室１０５へと入り込
み、その時点で初めて反応し、加熱されたウエハ上にＴ
ｉＮ膜を均一に形成する。
ｌ4 が導入口１０２から拡散室６へ入って来る。そし
て、拡散板４に当り、拡散室内１０３へと広がってい
く。そして、成膜室１０５への連絡孔１０１を通り、吹
き出し板８を介して成膜室１０５へと導かれる。２重管
構造となっているパイプ３からＮＨ3 などのガスが供給
され、拡散室６は素通りして導入口１０６から拡散室７
へと達する。そこで拡散板１０に当り、拡散室６からの
連絡孔１０１の構成部材の間を抜けて拡散室内104へと
拡散していく。拡散室６，７及びその導入用のパイプ
２，３はヒータなどを用いて、加熱，温度調節可能な構
造とし、原料のガスの特性を維持する機能を備えてい
る。拡散室６及び７に拡散，充満したガスは、吹き出し
板８の孔１０８及び１０９から成膜室１０５へと入り込
み、その時点で初めて反応し、加熱されたウエハ上にＴ
ｉＮ膜を均一に形成する。
【００２６】本実施例によると、ガスの拡散を行う拡散
室が減圧チェンバの外に配置することができるので、拡
散室の温度制御を行うためのヒータが大気用のものを使
用することが可能となり、装置構成の自由度が増し、装
置のメンテナンス性が大幅に向上する。また、拡散室の
冷却も容易である。さらに、ウエハの寸法の変更による
対応も吹き出し板８のみの変更で可能となり、装置のフ
レキシビリティも上がるという効果もある。また、減圧
を行う体積の減少も図られるので、装置の立ち上げ時間
も短縮できる。
室が減圧チェンバの外に配置することができるので、拡
散室の温度制御を行うためのヒータが大気用のものを使
用することが可能となり、装置構成の自由度が増し、装
置のメンテナンス性が大幅に向上する。また、拡散室の
冷却も容易である。さらに、ウエハの寸法の変更による
対応も吹き出し板８のみの変更で可能となり、装置のフ
レキシビリティも上がるという効果もある。また、減圧
を行う体積の減少も図られるので、装置の立ち上げ時間
も短縮できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＶＤ法によるウエハ
上への金属膜やＳｉＯ2 膜の形成工程で、原料ガスの混
合が成膜を行う試料近くまで来て初めて実行されるの
で、半導体装置の不良の原因となるパーティクルの低減
が可能となり、半導体装置製造の歩留まりが向上する。
上への金属膜やＳｉＯ2 膜の形成工程で、原料ガスの混
合が成膜を行う試料近くまで来て初めて実行されるの
で、半導体装置の不良の原因となるパーティクルの低減
が可能となり、半導体装置製造の歩留まりが向上する。
【図１】本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置の断面図。
【図２】第１の実施例の成膜室へのガスの吹き出し板の
平面図。
平面図。
【図３】ＣＶＤ膜の模式図。
【図４】本発明の第１の実施例のガスの拡散室の断面
図。
図。
【図５】本発明の第２の実施例のガスの拡散室の断面
図。
図。
【図６】本発明の第２の実施例のガス拡散室の横断面
図。
図。
【図７】本発明の第３の実施例のＣＶＤ装置の断面図。
１…チェンバ本体、２…導入管、３…導入管、４…拡散
板、５…上部フランジ、６…拡散室、７…拡散室、８…
吹き出し板、９…排気ポート、１０…拡散板、１１…基
板加熱ヒータ、１２…ウェハ、１３…ねじ、１４…排気
ポート、１５…ベローズ。
板、５…上部フランジ、６…拡散室、７…拡散室、８…
吹き出し板、９…排気ポート、１０…拡散板、１１…基
板加熱ヒータ、１２…ウェハ、１３…ねじ、１４…排気
ポート、１５…ベローズ。
Claims (3)
- 【請求項１】ガス導入孔からの数種類のガスを成膜室へ
吹き出すための拡散室を備え、ウエハを載置する加熱試
料台，試料取り出し口，排気孔を含む装置に於いて、複
数種類のガスを分離して導入し、前記成膜室に拡散する
時点で、混合される構造を備えたことを特徴とする減圧
ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】導入されたガスが拡散するように前記拡散
室にガスの拡散板を設け、前記拡散室に多数個あけた孔
から前記成膜室へガスが流入する際の流入速度が均一に
なるように前記拡散板を配置した請求項１に記載の減圧
ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】ガスが前記拡散室から前記成膜室に流入す
る際の吹き出し板は、前記拡散室から分離可能とし、前
記拡散室に組付けを行う際に用いる組付け部材に、ガス
導入機能を付加した請求項１に記載の減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22498695A JPH0971866A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22498695A JPH0971866A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971866A true JPH0971866A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16822314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22498695A Pending JPH0971866A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971866A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002518839A (ja) * | 1998-06-16 | 2002-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアルチャネル・ガス分配プレート |
| WO2004109785A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不純物導入方法、不純物導入装置およびこれを用いて形成された半導体装置 |
| KR101340612B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2013-12-11 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유기물 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22498695A patent/JPH0971866A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002518839A (ja) * | 1998-06-16 | 2002-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアルチャネル・ガス分配プレート |
| WO2004109785A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 不純物導入方法、不純物導入装置およびこれを用いて形成された半導体装置 |
| JP2005005328A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不純物導入方法、不純物導入装置およびこれを用いて形成された半導体装置 |
| KR101340612B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2013-12-11 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유기물 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
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