JP3015710B2 - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JP3015710B2 JP3015710B2 JP7141994A JP14199495A JP3015710B2 JP 3015710 B2 JP3015710 B2 JP 3015710B2 JP 7141994 A JP7141994 A JP 7141994A JP 14199495 A JP14199495 A JP 14199495A JP 3015710 B2 JP3015710 B2 JP 3015710B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＰ−ＣＶＤ（減圧ＣＶ
Ｄ）装置を構成する半導体製造装置を用いる半導体製造
方法に関する。
Ｄ）装置を構成する半導体製造装置を用いる半導体製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の横型ＬＰ−ＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）
装置を第７図に、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を図８に示す。
図中１はヒーター、２はジクロルシランガスノズル、３
はアンモニアガスノズル、４は反応チューブ、５は排気
口、６はウェーハ、７はアウターチューブ、８はインナ
ーチューブ、９は炉口フランジ、１０はウェーハ、１１
は排気口、１２はジクロルシランガスノズル、１３はア
ンモニアガスノズル、１４はヒーターである。
装置を第７図に、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を図８に示す。
図中１はヒーター、２はジクロルシランガスノズル、３
はアンモニアガスノズル、４は反応チューブ、５は排気
口、６はウェーハ、７はアウターチューブ、８はインナ
ーチューブ、９は炉口フランジ、１０はウェーハ、１１
は排気口、１２はジクロルシランガスノズル、１３はア
ンモニアガスノズル、１４はヒーターである。
【０００３】これら図７や図８の装置を用いて、シリコ
ン窒化膜を成膜する場合、反応管４，７内を２０〜５０
（Ｐａ）の減圧状態に保持し、ジクロルシランガスとア
ンモニアガスをガスノズル２，３や１２，１３から供給
し、ヒータ１や１４の調整で、炉（反応チューブとヒー
タを含めたもの）に７７０℃から７９０℃の温度勾配を
付けて成膜を行っている。この場合図７では炉口４1 側
が低温側、ポンプ側（排気口５側）が高温側で、図８で
は炉口７1 側が低温側、低奥７2 側が高温側で、このよ
うな温度勾配で一定成膜を行なう。
ン窒化膜を成膜する場合、反応管４，７内を２０〜５０
（Ｐａ）の減圧状態に保持し、ジクロルシランガスとア
ンモニアガスをガスノズル２，３や１２，１３から供給
し、ヒータ１や１４の調整で、炉（反応チューブとヒー
タを含めたもの）に７７０℃から７９０℃の温度勾配を
付けて成膜を行っている。この場合図７では炉口４1 側
が低温側、ポンプ側（排気口５側）が高温側で、図８で
は炉口７1 側が低温側、低奥７2 側が高温側で、このよ
うな温度勾配で一定成膜を行なう。
【０００４】図７において反応チューブ４は、ヒータ１
に囲まれて位置し、ジクロルシランガスノズル２からジ
クロルシランを、アンモニアガスノズル３からアンモニ
アガスを供給し、ウェーハ６上に成膜する。反応ガスは
排気口５より排気される。また、図８において、アウタ
ーチューブ７は、ヒータ１４に囲まれて位置し、ジクロ
ルシランガスをジクロルシランガスノズル１２から、ア
ンモニアガスをアンモニアガスノズル１３から供給し、
ウェーハ１０上に成膜する。なお反応ガスは、インナー
チューブ８の外側に位置する排気口１１から排気され
る。また、ボート１５の出し入れは、炉口フランジ９を
エレベーターで上下させることにより行う。
に囲まれて位置し、ジクロルシランガスノズル２からジ
クロルシランを、アンモニアガスノズル３からアンモニ
アガスを供給し、ウェーハ６上に成膜する。反応ガスは
排気口５より排気される。また、図８において、アウタ
ーチューブ７は、ヒータ１４に囲まれて位置し、ジクロ
ルシランガスをジクロルシランガスノズル１２から、ア
ンモニアガスをアンモニアガスノズル１３から供給し、
ウェーハ１０上に成膜する。なお反応ガスは、インナー
チューブ８の外側に位置する排気口１１から排気され
る。また、ボート１５の出し入れは、炉口フランジ９を
エレベーターで上下させることにより行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の横
型、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置は、炉に温度勾配をつけてシ
リコン窒化膜を成膜している。ここで問題点は、 （イ）膜厚の均一性：従来の横型、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装
置を用いて炉に温度勾配をつけずに炉内を温度フラット
にしてデポジションを行うと、膜厚は炉口側が厚く、炉
奥側が薄くなるために、ウェーハ間に膜厚のばらつきを
生じ、問題である。 （ロ）膜質：シリコン窒化膜のエッチング（ＣＤＥ，Ｗ
ＥＴ）速度は成長温度依存性をもっており、成長温度が
高く、成長速度が速い程、エッチング速度は遅くなる傾
向がある。さらに膜のストレス（伸又は縮）について
も、成長温度依存性をもっており、成長温度が高い程、
ストレスは小さくなる傾向があり、炉に温度勾配をつけ
て成膜すると、同一チャージ（ウェーハ配列のこと）内
の膜質が異なるため問題である。 本発明は、同一チャージロット内において、膜厚及び膜
質のそろったシリコン窒化膜を作成することを目的とす
る。
型、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置は、炉に温度勾配をつけてシ
リコン窒化膜を成膜している。ここで問題点は、 （イ）膜厚の均一性：従来の横型、縦型ＬＰ−ＣＶＤ装
置を用いて炉に温度勾配をつけずに炉内を温度フラット
にしてデポジションを行うと、膜厚は炉口側が厚く、炉
奥側が薄くなるために、ウェーハ間に膜厚のばらつきを
生じ、問題である。 （ロ）膜質：シリコン窒化膜のエッチング（ＣＤＥ，Ｗ
ＥＴ）速度は成長温度依存性をもっており、成長温度が
高く、成長速度が速い程、エッチング速度は遅くなる傾
向がある。さらに膜のストレス（伸又は縮）について
も、成長温度依存性をもっており、成長温度が高い程、
ストレスは小さくなる傾向があり、炉に温度勾配をつけ
て成膜すると、同一チャージ（ウェーハ配列のこと）内
の膜質が異なるため問題である。 本発明は、同一チャージロット内において、膜厚及び膜
質のそろったシリコン窒化膜を作成することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦型LP-CVD
（減圧CVD)装置を構成する半導体製造装置を用いる半導
体製造方法であって、ボートに載置されたウエハを収容
する炉内の温度が均一になるように加熱する工程と、第
一ガスと第二ガスを低温領域で混合し、この混合ガスを
前記ボートに沿うガス供給路の奥に配置のウエハ側から
前記ボートに配置のウエハに供給する工程と、前記ボー
トの入口に配置するウエハ側から前記第一ガスと第二ガ
スを供給する工程と、前記ウエハ上にシリコン窒化膜を
成膜する工程と、より成ることを特徴とする半導体製造
方法であることを特徴とする。
（減圧CVD)装置を構成する半導体製造装置を用いる半導
体製造方法であって、ボートに載置されたウエハを収容
する炉内の温度が均一になるように加熱する工程と、第
一ガスと第二ガスを低温領域で混合し、この混合ガスを
前記ボートに沿うガス供給路の奥に配置のウエハ側から
前記ボートに配置のウエハに供給する工程と、前記ボー
トの入口に配置するウエハ側から前記第一ガスと第二ガ
スを供給する工程と、前記ウエハ上にシリコン窒化膜を
成膜する工程と、より成ることを特徴とする半導体製造
方法であることを特徴とする。
【０００７】更に、この発明は、管体と前記管体の周囲
に配置された加熱手段とを有する炉と、前記炉の管体内
に納められ、夫々の膜が形成される複数のウエハを載置
し、前記炉口のフランジに支持されるボート手段と、第
一のガスと第二のガスとの混合ガスを前記管体内に供給
する混合ガス供給手段と、を有する縦型ＬＰ−ＣＶＤ半
導体の製造装置を用いて半導体を製造する方法であっ
て、前記炉内に均一な温度領域を形成する工程と、前記
管体内で、前記均一な温度領域の温度範囲よりも低い温
度範囲において第一のガスと第二のガスを混合する工程
と、前記ボート手段の上半分部分に対し並設された前記
混合ガス供給手段の上半分部分に設けられた複数の孔を
介して前記混合ガスを供給する工程と、前記ボート手段
の炉口端において、前記第一のガスと第二のガスを前記
ボート手段に分離して供給する工程と、より成る半導体
製造方法であることを第２の特徴とする。
に配置された加熱手段とを有する炉と、前記炉の管体内
に納められ、夫々の膜が形成される複数のウエハを載置
し、前記炉口のフランジに支持されるボート手段と、第
一のガスと第二のガスとの混合ガスを前記管体内に供給
する混合ガス供給手段と、を有する縦型ＬＰ−ＣＶＤ半
導体の製造装置を用いて半導体を製造する方法であっ
て、前記炉内に均一な温度領域を形成する工程と、前記
管体内で、前記均一な温度領域の温度範囲よりも低い温
度範囲において第一のガスと第二のガスを混合する工程
と、前記ボート手段の上半分部分に対し並設された前記
混合ガス供給手段の上半分部分に設けられた複数の孔を
介して前記混合ガスを供給する工程と、前記ボート手段
の炉口端において、前記第一のガスと第二のガスを前記
ボート手段に分離して供給する工程と、より成る半導体
製造方法であることを第２の特徴とする。
【０００８】更に、この発明は、管体と前記管体の周囲
に配置された加熱手段とを有する炉と、前記炉の管体内
に納められ、夫々の膜が形成される複数のウエハを載置
するボート手段と、混合ガスを前記管体内に供給する混
合ガス供給手段と、を有する縦型ＬＰ−ＣＶＤ半導体の
製造装置を用いて半導体を製造する方法であって、前記
炉内に均一な温度領域を形成する工程と、前記管体内
で、前記均一な温度領域の温度範囲よりも低い温度範囲
内において第一のガスと第二のガスを混合する工程と、
前記ガス供給端から離れている前記ボート手段の半分の
長さ部分に対し並設されて設けられた複数の孔を介して
前記管体のガス供給端から前記混合ガスを供給する工程
と、前記管体の前記ガス供給端において、前記第一のガ
スと前記第二のガスを前記ボートに分離して供給する工
程と、より成る半導体製造方法であることを第３の特徴
とする。
に配置された加熱手段とを有する炉と、前記炉の管体内
に納められ、夫々の膜が形成される複数のウエハを載置
するボート手段と、混合ガスを前記管体内に供給する混
合ガス供給手段と、を有する縦型ＬＰ−ＣＶＤ半導体の
製造装置を用いて半導体を製造する方法であって、前記
炉内に均一な温度領域を形成する工程と、前記管体内
で、前記均一な温度領域の温度範囲よりも低い温度範囲
内において第一のガスと第二のガスを混合する工程と、
前記ガス供給端から離れている前記ボート手段の半分の
長さ部分に対し並設されて設けられた複数の孔を介して
前記管体のガス供給端から前記混合ガスを供給する工程
と、前記管体の前記ガス供給端において、前記第一のガ
スと前記第二のガスを前記ボートに分離して供給する工
程と、より成る半導体製造方法であることを第３の特徴
とする。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【作用】本発明は、縦型及び横型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用
いて、炉に温度勾配をつけないでシリコン窒化膜を成膜
するために、炉内への反応ガス（ジクロルシランガス、
アンモニアガス）を供給するやり方を、ジクロルシラン
ガスとアンモニアガスを低温領域でミキシングして供給
するガスノズルを設け、ここから反応ガスを供給するこ
とにより、温度がフラットで、且つ同一状態のガスが全
チャージにわたり供給でき、更に炉内に挿入され、複数
のウエハを保持することのできるボート手段の炉口端に
おいて、ジクロルシランガスとアンモニアガスを前記ボ
ート手段に分離して供給することによって、膜厚及び膜
質のそろったシリコン窒化膜を成膜するものである。こ
こで、ジクロルシランガスとアンモニアガスのミキシン
グは、３０〜１８０℃程度の低温領域で行い、ジクロル
シランガスとアンモニアガスをミキシングして供給する
ガスノズルは、ボート全長の１／２程度以上の部分から
ガス排気側に開けた孔から供給して良好な成膜を得るも
のである。
いて、炉に温度勾配をつけないでシリコン窒化膜を成膜
するために、炉内への反応ガス（ジクロルシランガス、
アンモニアガス）を供給するやり方を、ジクロルシラン
ガスとアンモニアガスを低温領域でミキシングして供給
するガスノズルを設け、ここから反応ガスを供給するこ
とにより、温度がフラットで、且つ同一状態のガスが全
チャージにわたり供給でき、更に炉内に挿入され、複数
のウエハを保持することのできるボート手段の炉口端に
おいて、ジクロルシランガスとアンモニアガスを前記ボ
ート手段に分離して供給することによって、膜厚及び膜
質のそろったシリコン窒化膜を成膜するものである。こ
こで、ジクロルシランガスとアンモニアガスのミキシン
グは、３０〜１８０℃程度の低温領域で行い、ジクロル
シランガスとアンモニアガスをミキシングして供給する
ガスノズルは、ボート全長の１／２程度以上の部分から
ガス排気側に開けた孔から供給して良好な成膜を得るも
のである。
【００１４】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。図１は、同実施例に用いられる縦型ＬＰ−ＣＶＤ
装置の断面的構成図であるが、これは図８のものと対応
させた場合の例であるから、対応箇所には同一符号を付
して説明を省略し、特徴とする点の説明を行う。
する。図１は、同実施例に用いられる縦型ＬＰ−ＣＶＤ
装置の断面的構成図であるが、これは図８のものと対応
させた場合の例であるから、対応箇所には同一符号を付
して説明を省略し、特徴とする点の説明を行う。
【００１５】図１において２１はジクロルシランガスと
アンモニアガスのミキシングガスノズル、２３は窒素ブ
ロー用ガスノズル、２４は炉内の温度をコントロールす
るための熱電対カバー、２５は熱しゃへい板を示す。
アンモニアガスのミキシングガスノズル、２３は窒素ブ
ロー用ガスノズル、２４は炉内の温度をコントロールす
るための熱電対カバー、２５は熱しゃへい板を示す。
【００１６】図１で重要なことは、ジクロルシランガス
ノズル１２、アンモニアガスノズル１３に加えて、これ
ら両ガスのミキシングガスノズル２１を用いたこと、こ
のガスのミキシングは低温領域で行なうこと、炉内の温
度を一定にすることである。上記熱電対は炉内４ケ所の
温度を測定した。図２（ａ）はミキシングガスノズル２
１の正面図、同図（ｂ）は同側面図である。この図２に
示すミキシングガスノズル２１は、ガス導入口２１1 か
らジクロルシランガスを、ガス導入口２１2 からアンモ
ニアガスをそれぞれ導入し、途中でミキシングし、孔２
２からミキシングガスを出す構造となっている。孔２２
の開孔領域２６はボート１５の全長の略１／２から上側
になっており、この部分がボードの上側１／２の部分と
対向する。
ノズル１２、アンモニアガスノズル１３に加えて、これ
ら両ガスのミキシングガスノズル２１を用いたこと、こ
のガスのミキシングは低温領域で行なうこと、炉内の温
度を一定にすることである。上記熱電対は炉内４ケ所の
温度を測定した。図２（ａ）はミキシングガスノズル２
１の正面図、同図（ｂ）は同側面図である。この図２に
示すミキシングガスノズル２１は、ガス導入口２１1 か
らジクロルシランガスを、ガス導入口２１2 からアンモ
ニアガスをそれぞれ導入し、途中でミキシングし、孔２
２からミキシングガスを出す構造となっている。孔２２
の開孔領域２６はボート１５の全長の略１／２から上側
になっており、この部分がボードの上側１／２の部分と
対向する。
【００１７】なお、ガス導入口２１1 ，２１2 は炉口フ
ランジ９付近に位置し、３０〜１８０℃の低温部分でガ
スをミキシングしている。これは、低温部でガスをミキ
シングすることにより、ジクロルシランガスの熱分解を
おさえることによりノズルのつまりを防止するためであ
る。
ランジ９付近に位置し、３０〜１８０℃の低温部分でガ
スをミキシングしている。これは、低温部でガスをミキ
シングすることにより、ジクロルシランガスの熱分解を
おさえることによりノズルのつまりを防止するためであ
る。
【００１８】シリコン窒化膜の成膜は、図１に示す構造
の縦型ＣＶＤ装置を用いて、炉内温度をフラットとし、
ジクロルシランガスノズル１２、アンモニアノズル１
３、ジクロルアンモニアガスノズル２１から同時に反応
ガスを供給して行った。
の縦型ＣＶＤ装置を用いて、炉内温度をフラットとし、
ジクロルシランガスノズル１２、アンモニアノズル１
３、ジクロルアンモニアガスノズル２１から同時に反応
ガスを供給して行った。
【００１９】従来の縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置（図８）と本
発明に用いられる縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置（図１）で作成
したシリコン窒化膜の均一性を図３、図４に示す。これ
らの図は、従来の縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置で炉に温度勾配
をつけずに成膜を行った場合の膜の均一性Ａと本発明に
用いられる縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用い炉に温度勾配を
つけずに成膜を行った場合の均一性Ｂである。図３、図
４より本発明の縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いることによ
り炉内温度フラットで均一性のよいシリコン窒化膜を成
膜可能であることがわかる。
発明に用いられる縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置（図１）で作成
したシリコン窒化膜の均一性を図３、図４に示す。これ
らの図は、従来の縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置で炉に温度勾配
をつけずに成膜を行った場合の膜の均一性Ａと本発明に
用いられる縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用い炉に温度勾配を
つけずに成膜を行った場合の均一性Ｂである。図３、図
４より本発明の縦型ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いることによ
り炉内温度フラットで均一性のよいシリコン窒化膜を成
膜可能であることがわかる。
【００２０】また、図５に従来の横型ＣＶＤ装置（図
７）を用いて（炉に温度勾配をつけて）作成したシリコ
ン窒化膜の膜の均一性と、本発明縦型のＣＶＤ装置を用
いて作成したシリコン窒化膜の膜の均一性を示す。図５
より、本発明縦型ＣＶＤ装置の膜の均一性は従来の横型
で温度勾配をつけて成膜したシリコン窒化膜の膜の均一
性に比べても優れていることがわかる。なおこの図５
は、５インチウェーハ１００枚チャージ時における膜ば
らつきを示し、本発明縦型ＣＶＤのデポジション条件
は、成長温度７８０（℃）フラット、成長圧力０．１５
（Ｔｏｒｒ）ジクロルシランガス流量９０（ＳＣＣＭ→
ｃｃ／ｍｉｎのこと）アンモニアガス流量４５０（ＳＣ
ＣＭ）であり、一方従来横型ＣＶＤのデポジション条件
は、成長温度７７０−７８０−７９０（℃）、成長圧力
０．３５（Ｔｏｒｒ）、ジクロルシランガス流量３７
（ＳＣＣＭ）アンモニアガス流量１６０（ＳＣＣＭ）で
ある。
７）を用いて（炉に温度勾配をつけて）作成したシリコ
ン窒化膜の膜の均一性と、本発明縦型のＣＶＤ装置を用
いて作成したシリコン窒化膜の膜の均一性を示す。図５
より、本発明縦型ＣＶＤ装置の膜の均一性は従来の横型
で温度勾配をつけて成膜したシリコン窒化膜の膜の均一
性に比べても優れていることがわかる。なおこの図５
は、５インチウェーハ１００枚チャージ時における膜ば
らつきを示し、本発明縦型ＣＶＤのデポジション条件
は、成長温度７８０（℃）フラット、成長圧力０．１５
（Ｔｏｒｒ）ジクロルシランガス流量９０（ＳＣＣＭ→
ｃｃ／ｍｉｎのこと）アンモニアガス流量４５０（ＳＣ
ＣＭ）であり、一方従来横型ＣＶＤのデポジション条件
は、成長温度７７０−７８０−７９０（℃）、成長圧力
０．３５（Ｔｏｒｒ）、ジクロルシランガス流量３７
（ＳＣＣＭ）アンモニアガス流量１６０（ＳＣＣＭ）で
ある。
【００２１】図６は本発明を横型ＬＰ−ＣＶＤ装置に適
用した場合の実施例である。これは図７のものに加え
て、ミキシングガスノズル２１を用いたこと、炉内温度
をフラットにしたこと等は前実施例の場合と同様であ
り、その他の各条件も前実施例と同様の関係であり、ほ
とんど同様の作用効果が得られるものである。
用した場合の実施例である。これは図７のものに加え
て、ミキシングガスノズル２１を用いたこと、炉内温度
をフラットにしたこと等は前実施例の場合と同様であ
り、その他の各条件も前実施例と同様の関係であり、ほ
とんど同様の作用効果が得られるものである。
【００２２】なお本発明は上記実施例に限られず種々の
応用が可能である。例えばジクロルシランガスとアンモ
ニアガスはノズル１２，１３等から別々に炉内に入れた
が、ミキシングして入れてもよい。また本発明において
は、ジクロルシランガスとアンモニアガスの流量比は
１：５〜１：１５の範囲が実用的である。
応用が可能である。例えばジクロルシランガスとアンモ
ニアガスはノズル１２，１３等から別々に炉内に入れた
が、ミキシングして入れてもよい。また本発明において
は、ジクロルシランガスとアンモニアガスの流量比は
１：５〜１：１５の範囲が実用的である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した如く本発明によれば、温度
フラットでかつ同一状態のガスを全チャージにわたり供
給できるため、シリコン窒化膜の膜厚、膜質がそろい、
かつ低温領域でガスのミキシングを行なうから、ガス管
がつまらない等の利点を有した半導体製造装置が提供で
きるものである。
フラットでかつ同一状態のガスを全チャージにわたり供
給できるため、シリコン窒化膜の膜厚、膜質がそろい、
かつ低温領域でガスのミキシングを行なうから、ガス管
がつまらない等の利点を有した半導体製造装置が提供で
きるものである。
【図１】 本発明の一実施例に用いられる縦型ＬＰ−Ｃ
ＶＤ装置の断面的構成図。
ＶＤ装置の断面的構成図。
【図２】同構成の要部の正面図及び側面図。
【図３】同構成の効果を示す特性図。
【図４】同構成の効果を示す特性図。
【図５】同構成の効果を示す図表。
【図６】 本発明の他の実施例に用いられる縦型ＬＰ−
ＣＶＤ装置の断面的構成図。
ＣＶＤ装置の断面的構成図。
【図７】従来装置の断面的構成図。
【図８】従来装置の断面的構成図。
【符号の説明】 １…ヒータ ２…ジクロルシランガスノズル ３…アンモニアガス ４…反応チューブ ５…排気口 ６…ウェーハ ７…アウタチューブ ８…インナチューブ １０…ウェーハ １１…排気口 １２…ジクロルシランガスノズル １３…アンモニアガスノズル １４…ヒータ １５…ボート ２１…ミキシングガスノズル ２２…ガス供給孔 ２６…開孔領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木下 博 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝多摩川工場内 (56)参考文献 特開 昭60−58608（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−160172（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−267315（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−133623（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−127331（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】縦型LP-CVD（減圧CVD)装置を構成する半導
体製造装置を用いる半導体製造方法であって、ボートに
載置されたウエハを収容する炉内の温度が均一になるよ
うに加熱する工程と、第一ガスと第二ガスを低温領域で
混合し、この混合ガスを前記ボートに沿うガス供給路の
奥に配置のウエハ側から前記ボートに配置のウエハに供
給する工程と、前記ボートの入口に配置するウエハ側か
ら前記第一ガスと第二ガスを供給する工程と、前記ウエ
ハ上にシリコン窒化膜を成膜する工程と、より成ること
を特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項２】前記混合ガスを前記ボートに沿うガス供給
路の奥に配置のウエハ側から前記ボートに配置のウエハ
に供給する工程と、前記ボートの入口に配置するウエハ
側から前記第一ガスと第二ガスを供給する工程とは、略
同時に供給することを特徴とする請求項１に記載の半導
体製造方法。 - 【請求項３】前記第一ガスと第二ガスを低温領域で混合
し、この混合ガスを前記ボートに沿うガス供給炉の奥に
配置のウエハ側から前記ボートに配置のウエハに供給す
る工程は、前記第一のガスが、ジクロルシランガスであ
り、前記第二のガスが、アンモニアガスであり、前記ジ
クロルシランガスと前記アンモニアガスを、約３０℃か
ら約１８０℃の間の低温領域で混合するものであり、且
つ前記ボートの奥に配置のウエハ側に対向する混合ガス
の供給路に設けられた孔から前記混合ガスを供給するこ
とを特徴とする請求項１又は、請求項２に記載の半導体
製造方法。 - 【請求項４】前記ジクロルシランガスと前記アンモニア
ガスとの流量比は、１：５と １：１５との間にあるこ
とを特徴とする請求項３に記載の半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7141994A JP3015710B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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