JPS6154616A - ガスの排気方法 - Google Patents

ガスの排気方法

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JPS6154616A
JPS6154616A JP17600784A JP17600784A JPS6154616A JP S6154616 A JPS6154616 A JP S6154616A JP 17600784 A JP17600784 A JP 17600784A JP 17600784 A JP17600784 A JP 17600784A JP S6154616 A JPS6154616 A JP S6154616A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガスの排気方法、例えば化学気相成長（ＣＶＤ
）装置におけるガスの排気方法に関する。
半導体装置の製造工程において、例えば試料上に化学気
相成長法によって薄膜を成長することが行われ、それに
は複数の試料を同時に処理するバッチ方式と、１枚の試
料毎に薄膜を成長させる１枚どり方式とがある。本発明
は１枚どり方式における反応ガスの排気方法の改良に関
する。
〔従来の技術〕
従来の１枚どり方式のＣＶＯ装置は第２図に断面図で示
され、同図において、１１は反応室、１２はガス噴出口
、１３はガス噴出口に反応ガス（以下ガスといつ）ヲ供
給するマスフローコントローラー（ＭＦＣ）　、１４は
その上に試料（例えばウェハ）１５がのせられるヒータ
ー、１６は排気口、１６ａは排気管を示し、ガスは図に
矢印で示す方向に流れる。
ガスはＢｔ類のガスのこともあり、または何種類かのガ
スの混杏ガスのこともある。ガス噴出口の試料１５に面
する側には複数の孔１２ａがあけられ、これらの孔１２
ａからガスが噴出する構成となっている。ヒーター１４
には図に模式的に示す如く複数の加熱用電線１４ａが埋
設されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第２図を参照してなされた上記の説明から理解されるよ
うに、反応室１１内でのガスの流れは噴出口から排気口
に向けほぼ一定方向であり、特に試料の上でガスの乱流
が発生したりすることはない。
従って、試料からみると、より多量のガスと接触する部
分とより少量のガスと接触する部分とがあり、試料上に
成長する薄膜の膜厚が、試料全面にわたって均一でない
ことが見出された。第３図を参照すると、試料上に成長
する薄膜１７が、同図ｆ８）とｆｂ）に示す如く中央で
薄くなったりまたは厚くなったりすることが確認された
。
最近、半導体集積回路の集積度を高める目的で集積回路
は微細化される傾向にある一方で、ウェハは大口径化し
、例えば直径６インチ、８インチのウェハが用いられる
ようになってきた。そこで、ウェハ上に成長される薄膜
の膜厚がウェハ全面にわたって均一であることが要望さ
れている。更には、第２図に示す例では、ガス噴出口や
反応室の上部から試料上にゴミが落下して試料を汚染す
る問題もある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解消したＣＶＤ装置におけるガ
スの排気方法の改良を提供するもので、その手段は、反
応室に反応ガスを送り反応室内に配置された試料上に薄
膜を成長する方法において、前記試料に対向したガス噴
出口から反応ガスを噴出し、かつ、前記噴出口と同一側
に配置された排気口から反応ガスを排気することを特徴
とするガスの排気方法によってなされる。
〔作用〕
上記した方法では、ガスの噴出口と排気口とを同一側に
設け、ガスの流れを一方向とせずガスの流れを乱すこと
により、何種類かのガスを使用する場合にはその混合を
良くし、また、反応室内でのガスの回りを均一にするこ
とにより膜厚の均一性を向上させる。更に、ガスの噴出
口と排気口とを一方側に集中させるため、反対側が自由
になり、余分の部品を配置しなくてもすむからゴミ対策
上有利である。例えば、下からガスを噴出し、下方向に
排気する場合は、上面が自由になるから、そこに試料を
セットすると、ゴミの落下による試料の汚染を防止する
ことができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
第１図に本発明の方法を実施するに用いるＣＶＤ装置が
断面図で示され、同図において、１は反応室、２は試料
（例えばウェハ）、３はヒーター、４はガス噴出口、５
はガス供給管、６は排気口を示し、ガス供給管５は従来
例の場合の如＜ＭＦＣ７に連結され、ヒーター３は従来
例と同じ構造の加熱電線３ａが配置されている。ガス噴
出口４は従来例のガス噴出口と同じ構成のもので、図に
見て上側には複数の孔４ａがあけである。
操作においては、ヒーター３上に試料２をセットした後
に、ガス噴出口４から図に見て上向に矢印方向にガスを
噴出する。排気口６は噴出口４と同じ側（図に見て下方
）に配置され、そこからガスを排気するから、ガスの流
れは図に矢印で示す如くになり、試料２の下で向きを変
えようとするから、試料２と接触するガスは乱流状態に
ある。
その結果、試料２はその全部分がほぼ均一量のガスと接
触することになり、試料上には均一の厚さで薄膜が成長
する。そしてガスが混合ガスであるときは、この乱流に
よって何種類かのガスの混合状態が良くなり、均質な薄
膜が成長する。
また、試料２は反応室の上方に位置しその表面は下に向
いているので、反応室の土壁やガス噴出口にあるゴミが
試料上に落下することは全く無く、ゴミによる試料の汚
染は完全に防止される。
上記例では、ウェハ上に薄膜を成長する場合であったが
、本発明の適用範囲はその場合に′限定されるものでな
く、その他の試料上に薄膜を成長する場合に及ぶ。また
、ガス噴出口と試料の配置は図示の場合に限定されるも
のでなく、その他の配置をとってもよい。要は、ガスの
噴出口と排気口とが同一側に配置されることである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、化学気相成長装置
において、反応ガスの噴出口と排気口とを同一側に配置
し、試料と接触するガスの乱気流を発生させることによ
り、試料上に均一の膜厚の薄膜を成長することが可能と
なり、本発明の方法は大口径ウェハ上の薄膜成長などに
特に有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例の断面図、第２図は従来のＣＶＤ
装置の断面図、第３図ｆ８）とｆｂ）は従来方法により
ウェハ上に成長した薄膜を模式的に示す断面図である。 図中、１は反応室、２は試料、３はヒーター、４はガス
噴出口、５はガス供給管、６は排気口、７はマスフロー
コントローラー、をそれぞれ示す。 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 反応室に反応ガスを送り反応室内に配置された試料上に
    薄膜を成長する方法において、前記試料に対向したガス
    噴出口から反応ガスを噴出し、かつ、前記噴出口と同一
    側に配置された排気口から反応ガスを排気することを特
    徴とするガスの排気方法。
JP59176007A 1984-08-24 1984-08-24 薄膜成長装置 Expired - Lifetime JPH0777197B2 (ja)

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JPS6154616A true JPS6154616A (ja) 1986-03-18
JPH0777197B2 JPH0777197B2 (ja) 1995-08-16

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222526A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
EP1143034A1 (de) * 2000-04-06 2001-10-10 Angewandte Solarenergie - ASE GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder Behandeln eines Substrates

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51124353U (ja) * 1975-03-31 1976-10-07

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