JP6998347B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム - Google Patents
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Description
図3、及び図5に示すように、断熱構造体42S、及び断熱構造体42Lは、共に円柱状に形成され、内部に断熱材(図示せず)が設けられている。断熱構造体42S、42Lは、ボート34L,34Sと回転機構32とを離間させている。実施形態のポート34Sと断熱構造体42Sの一部は、一例として、SiC(炭化ケイ素)等の材料で形成されている。
ガス導入管56は、スカベンジャ44を貫通し、一方側が反応管50の側面に沿って上方に敷設されて、反応管50の天井部の上に形成されたバッファ室60に連通するように接続されている。ガス導入管56の他方側には、ガス供給源59が接続されている。
図3に示すように、ヒータ筒48は、反応管50の周囲に配置されている。このヒータ筒48には、以下に説明するように、個別に温度制御可能とされる複数のゾーン64が管軸方向に設定されている。
本実施形態の基板処理装置10を用い、一例として1000℃で基板12を熱処理(例えば酸化膜形成)する工程を説明する。
処理開始前のスタンバイ時は、断熱槽46内は800℃程度に維持されている。ここでは全ての温度センサ68に対応する目標温度を800℃として、温度調節器70によって制御されているものとする。
次に、本実施形態の基板処理装置10を用い、1000°Cを超える温度、一例として、1250℃で基板12を高温熱処理(アルゴンガス等の希ガスや水素ガスを用いたアニール)する工程を説明する。
1250℃で基板12を高温熱処理する場合も、工程の流れは1000°Cと大よそ同じである。昇温は、各ゾーンの温度を一定の昇温レートで上昇させる制御を行う。この際、到達温度が1000℃であるヒータ66subLの昇温レートは、他のヒータ66の昇温レートよりも小さく設定され、全てのヒータが略同時に最終温度に到達するように制御される。最終的には、基板12が配置される中央下部ゾーン64CL、中央ゾーン64C、及び中央上部ゾーン64CUの3つのゾーンが1250℃で一定となり、緩衝ゾーン64Lの上端付近が1250℃となり、サブゾーン64subLの上端付近が中間温度である1000℃、上部ゾーン64Uの下端付近が1250℃となるように、温度調節器70は、温度センサ68subLからの温度測定データ、温度センサ68Lからの温度測定データ、温度センサ68CLからの温度測定データ、温度センサ68Cからの温度測定データ、温度センサ68CUからの温度測定データ、温度センサ68Uからの温度測定データに基づいて、温度調節器70はヒータ66subL、ヒータ66L、ヒータ66CL、ヒータ66C、ヒータ66CU、及びヒータ66Uに供給する電力を制御する。
なお、本開示は以上の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
また、回転機構32に放熱フィンを設け、放熱フィンに向けてブロアで送風を行うことで回転機構32を冷却してもよい。
Claims (10)
- 複数の基板を保持するボートを挿入する炉口を一端に有し内部に前記複数の基板を処理する処理室を構成する反応管と、
前記反応管の外周側に炉口側から前記反応管の他端に渡って設けられ管軸方向に複数のゾーン毎に分割して設けられた複数のヒータと、
前記ゾーンの温度若しくは前記ゾーンに対応する前記ヒータの温度を測定する複数の温度センサと、
前記温度センサで得た温度データに基づいて各々の前記ヒータへ供給する電力を制御して前記ゾーン毎に温度を調節する温度調節器と、
前記炉口を閉塞する蓋を含む炉口アセンブリと、
を備え、
前記温度調節器は、複数の前記ヒータを加熱して前記基板を熱処理する際に、前記基板が配置される前記ゾーンに対応する前記ヒータを予め設定した温度とし、炉口側で前記基板が配置されない2つ以上の前記ゾーンにおいては前記炉口に向けて温度が低下する温度勾配が形成されるように、複数の前記ヒータに供給する電力を前記ヒータ毎に制御するよう構成され、
前記温度勾配が形成される2つ以上の前記ゾーンのうち、炉口側に対して遠いゾーンの管軸方向の長さは、前記2つ以上の前記ゾーンのうち、前記遠いゾーンよりも炉口側に近いゾーンの管軸方向の長さの半分以下に構成される、基板処理装置。 - 最も炉口側で前記基板が配置されない前記ゾーンに対応して設けた前記温度センサは、該ゾーンに対応する前記ヒータのうちで炉口側とは反対側に配置され、
前記炉口側から数えて2番目の前記ゾーンに対応して設けた前記温度センサは、該ゾーンに対応する前記ヒータのうちで炉口側とは反対側に配置され、
前記基板が配置されている前記ゾーンに対応して設けた前記温度センサは、該ゾーンに対応する前記ヒータの前記管軸方向の中央部にそれぞれ配置されている、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記炉口アセンブリは、前記処理室の炉口を塞ぐ蓋を備え、
前記蓋と前記ボートの間には断熱構造体が設けられ、
前記炉口が前記蓋で閉じられたときに、前記断熱構造体の上端が炉口側から数えて2番目の前記ゾーン内に位置するように前記断熱構造体の高さが設定されている、請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記炉口アセンブリは、前記蓋に設けられ前記ボートを回転させる回転機構を備え、
前記回転機構は、前記基板を熱処理する際に、基板上に周方向に沿ってガス流れを生じさせ、前記ボートの半径方向における前記基板の処理の均一性を向上させる速度で前記ボートを回転させ、
前記温度調節器は、前記基板が配置される前記ゾーンに対応する前記ヒータを1250°C以上の処理温度に制御し、最も炉口側で前記基板が配置されない前記ゾーンに対応する前記ヒータを前記処理温度より低い温度に制御し、前記温度勾配が、前記炉口側から数えて2番目の前記ゾーン内に形成される、請求項1~請求項3の何れか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板の処理中に処理室内に希ガスを供給するガス導入管を更に備える請求項1又は4に記載の基板処理装置。
- 前記回転機構は、前記ヒータが1250°C以上の処理温度に制御されている間、前記基板を回転させる請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記回転機構は、前記ヒータが1250°C以上の処理温度に制御されている間、前記基板を回転させず、前記処理温度より低温であってパッシブ酸化とアクティブ酸化の遷移温度を含む温度帯において、前記基板を回転させる請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記複数のゾーンは、1250°C以上の第1処理温度と、第1処理温度より低い第2処理温度の処理で共通に利用されるゾーン配置を有し、最も遠い前記ゾーンは、前記第2処理温度で処理する際に前記温度勾配が形成されない請求項1に記載の基板処理装置。
- 一端に設けた炉口から複数の基板を保持するボートを反応管の内部に挿入する挿入工程と、
前記反応管の外周側に炉口側から前記反応管の他端に渡って設けられ管軸方向に複数のゾーン毎に分割して設けられた複数のヒータで前記反応管の内部に配置された前記基板を加熱する加熱工程と、
前記ゾーンの温度若しくはゾーンに対応する前記ヒータの各々の温度を温度センサで計測する温度計測工程と、
前記基板が配置されている前記ゾーンの前記ヒータを予め設定した温度とし、炉口側で前記基板が配置されていない2つの前記ゾーンの温度を、他の前記ゾーンの温度よりも低くなるように、複数の前記温度センサで得た温度データに基づいて各々の前記ヒータの供給電力を温度調節器で制御し、前記2つのゾーンにおいて前記基板が配置されているゾーン側から炉口側に向けて温度が低下するように温度勾配を形成する温度調整工程と、
を有し、
前記温度勾配が形成される2つ以上の前記ゾーンのうち、炉口側に対して遠いゾーンの管軸方向の長さは、前記2つ以上の前記ゾーンのうち、前記遠いゾーンよりも炉口側に近いゾーンの管軸方向の長さの半分以下に構成される、半導体装置の製造方法。 - 一端に設けた炉口から複数の基板を保持するボートを反応管の内部に挿入する挿入手順と、
前記反応管の外周側に炉口側から前記反応管の他端に渡って設けられ管軸方向に複数のゾーン毎に分割して設けられた複数のヒータで前記反応管の内部に配置された前記基板を加熱する加熱手順と、
前記ゾーンの温度若しくはゾーンに対応する前記ヒータの各々の温度を温度センサで計測する温度計測手順と、
前記基板が配置されている前記ゾーンの前記ヒータを予め設定した温度とし、炉口側で前記基板が配置されていない2つの前記ゾーンの温度を、他の前記ゾーンの温度よりも低くなるように、複数の前記温度センサで得た前記温度のデータに基づいて各々の前記ヒータの供給電力を温度調節器で制御し、前記2つのゾーンにおいて前記基板が配置されているゾーン側から炉口側に向けて温度が低下するように温度勾配を形成する温度調整手順と、
を基板処理装置のコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記温度勾配が形成される2つ以上の前記ゾーンのうち、炉口側に対して遠いゾーンの管軸方向の長さは、前記2つ以上の前記ゾーンのうち、前記遠いゾーンよりも炉口側に近いゾーンの管軸方向の長さの半分以下に構成されている、プログラム。
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