JP2009076533A - 半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法及び半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成でヒータの交換時期を判定して、ヒータの不具合による被処理基板の
不良を防止することができる半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法及び半導体製造装置
を提供する。
【解決手段】縦型拡散炉は、筐体の内部には筒状ヒータ１１を有している。筒状ヒータ１
１の各ブロック２０Ａ〜２０Ｄには、それぞれ電熱線２４Ａ〜２４Ｄ及び温度センサ２６
Ａ〜２６Ｄが備えられている。例えば、Ｕブロック２０Ｄが所定温度から目標温度に昇温
されたとき、所定温度と目標温度との温度差と、所定温度から目標温度への変化に要した
第１経過時間とから単位時間当たりの第１温度変化量を算出する。そして、第１温度変化
量が、交換が必要な程度に劣化した上部電熱線２４ＤによりＵブロック２０Ｄが所定温度
から目標温度に昇温された場合の単位時間当たりの劣化温度変化量よりも小さい場合には
、上部電熱線２４Ｄが劣化していると判定する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法及び半導体製造装置に関するもので
ある。

従来から、半導体素子を含む集積回路を形成する半導体ウエハ等（被処理基板）の製造
工程に使用される半導体製造装置の一つとして熱処理装置がある。熱処理装置は、その内
部の処理室に格納した被処理基板を所定の高温にすることによって、該被処理基板に所定
の処理を施す装置である。被処理基板が熱処理装置にて施される処理としては、アニール
処理、薄膜などの成膜処理、及び不純物の拡散を行なう拡散処理等があげられる。

熱処理装置は、処理室周囲に配置されたヒータ（電熱線）を発熱させて、被処理基板が
格納された処理室の温度を目的の高温まで昇温させる。ところで、電熱線は、使用してい
ると使用に伴う経年変化などによる劣化を生じる。そして、劣化した電熱線は、発熱量の
低下や断線などの不具合を生じ、これらの不具合によって処理室の温度を好適に目的の高
温にすることができなくなる。電熱線の不具合、特に断線が被処理基板を処理中に生じる
と処理室内部の温度を高温にすることができなくなり、処理中の被処理基板を不良にする
虞が大きかった。

そこで、ヒータ（電熱線）の断線により被処理基板に不良が生じることを防止するため
に、ヒータ（電熱線）の断線を好適に予知して必要に応じてヒータ交換ができる方法が提
案されている（特許文献１）。

特許文献１は、交流電源からヒータに電力を供給する電力調整用サイリスタ回路を、電
力フィードバック部が、制御するようになっている。詳述すると、電力フィードバック部
は、測定したヒータに供給された電流及び電圧と、温度制御部から入力されるヒータの測
定温度に対応した温度制御信号とに基づいて、電力調整用サイリスタ回路を介してヒータ
に供給する電力をフィードバック制御している。また、温度制御部は、断線予知機能を備
えている。断線予知機能は、測定温度及び抵抗温度係数から論理的なヒータ抵抗値を求め
、電力フィードバック部から送られる測定電流及び測定電圧から実際のヒータ抵抗値を求
め、求められた論理的なヒータ抵抗値に対する実際のヒータ抵抗値の変化率に基づいてヒ
ータの断線の虞を判定するものであった。
特開２００６−８５９０７号公報

しかしながら、特許文献１は、ヒータの断線の虞を判断するために、電流、電圧及び温
度を測定しなければならないとともに、抵抗温度係数といった電熱線固有の情報を必要と
し、ヒータの断線の虞を判定するシステム構成を複雑にしていた。

本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、簡単な構
成でヒータの交換時期を判定して、ヒータの不具合による被処理基板の不良を防止するこ
とができる半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法及び半導体製造装置を提供することに
ある。

本発明の半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法は、電熱線を備えたヒータを有する半
導体製造装置の電熱線の劣化判定方法であって、前記電熱線の熱により前記ヒータ内部の
温度を所定温度から変更された目標温度に追従させるときに、前記所定温度から前記目標
温度への変化に要した経過時間に基づいて算出される算出値を、予め求めた前記電熱線の
劣化を示す値である劣化値と比較して、前記算出値と前記劣化値の比較に基づいて前記電
熱線が劣化していることを判定することを特徴とする。

本発明の半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法によれば、算出値と劣化値の比較に基
づいて電熱線の劣化を判定できる。従って、劣化の判断が容易でなかった電熱線に対して
、その劣化を、電熱線に劣化による不具合が生じる以前に知ることができる。その結果、
電熱線に生じた劣化による不具合によって、被処理基板に不良が生じることを防ぐことが
できる。

また、劣化値として、交換が必要なほどに劣化した電熱線を示す値を用いれば、劣化し
た電熱線の交換時期を知ることができる。
この半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法は、前記算出値は、前記目標温度と前記所
定温度とから温度差を求め、該温度差を前記経過時間にて除して求められた単位時間当た
りの温度変化量であり、前記劣化値は、劣化した前記電熱線が前記ヒータ内部の温度を前
記所定温度から前記目標温度に変化させる場合の前記ヒータ内部の温度の単位時間当たり
の温度変化量であり、前記算出値と前記劣化値とを比較して、前記算出値が前記劣化値よ
り小さい場合には前記電熱線が劣化していると判定することが好適である。

この半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法によれば、算出値を、ヒータ内部の温度を
所定温度から目標温度に変化させた場合の温度変化を平準化した値として得られる温度変
化量とする。この算出値と劣化を示す劣化値との比較によって、電熱線の劣化を好適に判
定することができる。

また、算出値を温度変化量としたことで、任意の目標温度と任意の所定温度との温度差
から算出値を算出することができる。
この半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法は、前記算出値は、前記経過時間の時間で
あり、前記劣化値は、劣化した前記電熱線が前記ヒータの内部の温度を前記所定温度から
前記目標温度へ変化させるのに要する時間であり、前記算出値と前記劣化値とを比較して
、前記算出値が前記劣化値より大きい場合には前記電熱線が劣化していると判定すること
も好ましい。

この半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法によれば、算出値を、ヒータ内部の温度を
所定温度から目標温度に変化させた場合の経過時間とする。この算出値と劣化を示す劣化
値との比較によって、電熱線の劣化を安定的に判定することができる。

また、算出値を経過時間としたことで、算出値の算出を容易にすることができる。
この半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法は、前記目標温度が前記所定温度よりも高
い温度に変更されたときに、前記電熱線の劣化を判定することがより好ましい。

この半導体製造装置の電熱線劣化判定方法によれば、電熱線の発熱量の違いによる影響
を受け易いヒータ内部の昇温時に電熱線の劣化の判定をする。その結果、より好適に電熱
線に生じた劣化を判定することができる。

本発明の半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法は、前記電熱線の熱により前記ヒータ
の内部の温度を降温させて目標温度に追従させるときに、前記目標温度を通過して一時的
に到達する最も低いズレ温度と、予め求めた劣化した前記電熱線にて前記ヒータの内部の
温度を降温させた時に該目標温度を通過して一時的に到達する最も低い劣化温度とを比較
して、前記ズレ温度が前記劣化温度より低い温度の場合には前記電熱線が劣化していると
判定することを特徴とする。

本発明の半導体製造装置の電熱線劣化判定方法によれば、温度を降温させる場合におい
ても、ズレ温度と劣化温度の比較により、電熱線の劣化の判定を行うことができる。
本発明の半導体製造装置は、ヒータに備えられた断熱筒と、前記断熱筒の内側面に沿っ
て螺旋状に配設された電熱線と、前記電熱線の内側に設けられ、内部に配置される被処理
基板を外気と隔離することができる内管と、前記電熱線の劣化を判定するために前記断熱
筒の内部の温度を測定する温度センサと、前記ヒータ内部の温度を所定温度から目標温度
へ変化させたときに、前記温度センサにより測定した前記所定温度から該温度センサによ
り測定した前記目標温度への変化に要した経過時間に基づいて算出される算出値を、予め
求めた前記電熱線の劣化を示す劣化値と比較して、該算出値と該劣化値の比較に基づいて
前記電熱線が劣化していることを判定する劣化判定手段と、を備えることを特徴とする。

本発明の半導体製造装置によれば、算出値と劣化値の比較に基づいて電熱線の劣化を判
定できる。従って、断熱筒と内管の間に配設されて、通常は容易に劣化の判断をすること
ができない電熱線に対して、電熱線に劣化による不具合が生じる以前に劣化による交換の
時期を知ることができる。その結果、電熱線に生じた劣化による不具合によって、被処理
基板に不良が生じることを防ぐことができる。

また、算出値を温度変化量としたことで、任意の目標温度と任意の所定温度との温度差
から算出値を算出することができる。

以下、本発明を具体化した実施形態を図１〜図６に従って説明する。
図１は、半導体製造装置としての縦型拡散炉１の断面構造を示す断面図である。
図１に示すように、縦型拡散炉１は、被処理基板を熱処理する装置であり、筐体１０を
有している。筐体１０の内部には、筒状ヒータ１１と、その筒状ヒータ１１の内部に設け
た筒状ヒータ１１と同心円筒形状の内管１２を有している。そして、内管１２の内部には
、複数の被処理基板（ワーク）Ｗを搭載したボート１３が配置されるようになっている。

筐体１０は、保守などに用いられる図示しない扉を有していて、その扉を開けると筐体
１０内部に配設されている筒状ヒータ１１の外側面１１Ａ等を筐体１０の外側から見るこ
とができるようになっている。

筐体１０の内側面には、ヒータ支持部１０Ａが延出形成され、そのヒータ支持部１０Ａ
の中心位置には、内管１２の外径と略同じ大きさの穴１０Ｂが貫通形成されている。そし
て、ヒータ支持部１０Ａは、筐体１０の天板１０Ｃとの間において、筒状ヒータ１１など
を配設可能に設けられていて、ヒータ支持部１０Ａの上面は、略水平に構成されている。

ヒータ支持部１０Ａの上面には、筒状ヒータ１１の底面と略同じ大きさの環状のヒータ
基台１４が固設されている。ヒータ基台１４の上面には、筒状ヒータ１１の底面が支持固
定されている。また、筒状ヒータ１１の上面には、筒状ヒータ１１の上面開口部を覆う断
熱材１４Ａが固定されている。

前記ヒータ支持部１０Ａに貫通形成された穴１０Ｂの内周面には、環状の炉口フランジ
１５が嵌合固着されている。
炉口フランジ１５の上部は、ヒータ支持部１０Ａの上面よりも上方に延出されるととも
に、内管１２の径と略同じ大きさの環状に形成されている。そして、炉口フランジ１５の
上部には、内管１２の底部が気密固定されている。また、炉口フランジ１５の内径は、内
管１２の内径と略同じ大きさに形成されている。

内管１２の内部（処理室１２Ａ）には、ボート１３が挿抜可能に配設されている。ボー
ト１３は、そのフレーム１３Ａによって支持された天板１３Ｂと底板１３Ｃの間に複数の
ワークＷを搭載するようになっている。

ボート１３は、シールキャップ１６に断熱キャップ１７を介して載置固定されている。
断熱キャップ１７の上面は、ボート１３の底板１３Ｃを着脱可能に載置固定するようにな
っている。断熱キャップ１７の下面は、シールキャップ１６に固着されている。

シールキャップ１６は、炉口フランジ１５の下部を下方から蓋状に覆うことができる大
きさに形成されていて、図示しない昇降装置によって上下動されることで炉口フランジ１
５の下部に対して接離可能に構成されている。シールキャップ１６の上面周辺部は、炉口
フランジ１５の下部と接触するようになっていて、炉口フランジ１５の下面と接触すると
炉口フランジ１５との間を気密するようになっている。すなわち、内管１２の内部（処理
室１２Ａ）は、炉口フランジ１５にシールキャップ１６が接触すると外部から気密封止さ
れるようになっている。

つまり、ボート１３は、シールキャップ１６が最も下動したときに断熱キャップ１７の
上面に載置固定されて、シールキャップ１６の上動により内管１２に挿入されるとともに
処理室１２Ａに気密封止されるようになっている。また、ボート１３は、処理室１２Ａに
気密封止された状態から、シールキャップ１６の下動により内管１２から離脱されて、シ
ールキャップ１６が最も下動したときに断熱キャップ１７の上面から取り外すことができ
るようになっている。

処理室１２Ａには、内管１２の外部からのガス導入管１８及び排気管１９が連通されて
いる。ガス導入管１８は、炉口フランジ１５の外部から処理室１２Ａの上部まで連通され
ている。排気管１９は、処理室１２Ａから炉口フランジ１５の外部に連通されている。

上記構成により、縦型拡散炉１は、ボート１３に搭載された各ワークＷを処理室１２Ａ
に密封して筒状ヒータ１１により加熱処理する。また、縦型拡散炉１は、密封された処理
室１２Ａにガス導入管１８からガスを導入するとともに、処理室１２Ａのガスを排気管１
９から排出できるようになっている。

筒状ヒータ１１は、図２及び図３に示すように、断熱材からなる円筒形状の断熱筒とし
ての断熱層２１を有している。断熱層２１の内側面には、その内側面を上下方向に延びる
電熱線保持部材２２が複数個等角度間隔に配置固定されている。電熱線保持部材２２には
、その上下方向に所定の間隔で、複数の保持穴２３が貫通形成されている。

筒状ヒータ１１は、上下方向に連続した４つのブロックに区分されていて、下から順番
にＬ（Ｌｏｗｅｒ）ブロック２０Ａ、ＣＬ（Ｃｅｎｔｅｒ Ｌｏｗｅｒ）ブロック２０Ｂ
、ＣＵ（Ｃｅｎｔｅｒ Ｕｐｐｅｒ）ブロック２０Ｃ、及び、Ｕ（Ｕｐｐｅｒ）ブロック
２０Ｄに区分されている。すなわち、Ｌブロック２０Ａは、筒状ヒータ１１の最下部に割
り当てられており、ＣＬブロック２０Ｂは、Ｌブロック２０Ａの上側に隣接して筒状ヒー
タ１１の中央下部に割り当てられている。また、ＣＵブロック２０Ｃは、ＣＬブロック２
０Ｂの上側に隣接して筒状ヒータ１１の中央上部に割り当てられており、Ｕブロック２０
Ｄは、ＣＵブロック２０Ｃの上側に隣接して筒状ヒータ１１の最上部に割り当てられてい
る。

Ｌブロック２０Ａの内側面には、一本の下部電熱線２４Ａが電熱線保持部材２２に形成
した各保持穴２３を挿通することによって、螺旋状に配設されている。下部電熱線２４Ａ
は、各電熱線保持部材２２の保持穴２３を所定の順番で挿通保持されることで、Ｌブロッ
ク２０Ａの下部から上部までの間に配設されている。

下部電熱線２４Ａの上端と下端は、それぞれ別々の端子２５Ａの基端に電気的に接続さ
れている。各端子２５Ａは、それぞれＬブロック２０Ａの上部と下部において、断熱層２
１に貫通支持されるとともに、各端子２５Ａの先端を断熱層２１の外部に延出されている
。すなわち、各端子２５Ａには、外部から電力の供給が可能になっており、各端子２５Ａ
間に電力が供給されると下部電熱線２４Ａに電力が供給され、該電力により同電熱線２４
Ａが発熱するようになっている。

また、Ｌブロック２０Ａには、下部温度センサ２６Ａ及び第２温度センサ２７Ａがそれ
ぞれ設けられている。各温度センサ２６Ａ，２７Ａは、それぞれ棒状に形成されていて、
それぞれの先端部に温度を測定するための熱電対が設けられている。そして、各温度セン
サ２６Ａ，２７Ａは、筒状ヒータ１１の外部から筒状ヒータ１１の内部へ貫通支持され、
それぞれの先端部を内管１２の近傍に配置させて、内管１２の近傍の温度を測定できるよ
うになっている。尚、第２温度センサ２７Ａは、測定した温度が所定の温度以上になると
、各端子２５Ａ間へ供給されている電力を遮断して、下部電熱線２４Ａへの電力供給を強
制的に遮断させるようになっている。

ＣＬブロック２０Ｂの内側面には、一本の中央下部電熱線２４Ｂが電熱線保持部材２２
に形成した各保持穴２３を挿通することによって、螺旋状に配設されている。中央下部電
熱線２４Ｂは、各電熱線保持部材２２の保持穴２３を所定の順番で挿通保持されることで
、ＣＬブロック２０Ｂの下部から上部までの間に配設されている。

中央下部電熱線２４Ｂの上端と下端は、それぞれ別々の端子２５Ｂの基端に電気的に接
続されている。各端子２５Ｂは、それぞれＣＬブロック２０Ｂの上部と下部において、断
熱層２１に貫通支持されるとともに、各端子２５Ｂの先端を断熱層２１の外部に延出され
ている。すなわち、各端子２５Ｂには、外部から電力の供給が可能になっており、各端子
２５Ｂ間に電力が供給されると中央下部電熱線２４Ｂに電力が供給され、該電力により同
電熱線２４Ｂが発熱するようになっている。

また、ＣＬブロック２０Ｂには、中央下部温度センサ２６Ｂ及び第２温度センサ２７Ｂ
がそれぞれ設けられている。各温度センサ２６Ｂ，２７Ｂは、それぞれ棒状に形成されて
いて、それぞれの先端部に温度を測定するための熱電対が設けられている。そして、各温
度センサ２６Ｂ，２７Ｂは、筒状ヒータ１１の外部から筒状ヒータ１１の内部へ貫通支持
され、それぞれの先端部を内管１２の近傍に配置させて、内管１２の近傍の温度を測定で
きるようになっている。尚、第２温度センサ２７Ｂは、測定した温度が所定の温度以上に
なると、各端子２５Ｂ間へ供給されている電力を遮断して、中央下部電熱線２４Ｂへの電
力供給を強制的に遮断させるようになっている。

ＣＵブロック２０Ｃの内側面には、一本の中央上部電熱線２４Ｃが電熱線保持部材２２
に形成した各保持穴２３を挿通することによって、螺旋状に配設されている。中央上部電
熱線２４Ｃは、各電熱線保持部材２２の保持穴２３を所定の順番で挿通保持されることで
、ＣＵブロック２０Ｃの下部から上部までの間に配設されている。

中央上部電熱線２４Ｃの上端と下端は、それぞれ別々の端子２５Ｃの基端に電気的に接
続されている。各端子２５Ｃは、それぞれＣＵブロック２０Ｃの上部と下部において、断
熱層２１に貫通支持されるとともに、各端子２５Ｃの先端を断熱層２１の外部に延出され
ている。すなわち、各端子２５Ｃには、外部から電力の供給が可能になっており、各端子
２５Ｃ間に電力が供給されると中央上部電熱線２４Ｃに電力が供給され、該電力により同
電熱線２４Ｃが発熱するようになっている。

また、ＣＵブロック２０Ｃには、中央上部温度センサ２６Ｃ及び第２温度センサ２７Ｃ
がそれぞれ設けられている。各温度センサ２６Ｃ，２７Ｃは、それぞれ棒状に形成されて
いて、それぞれの先端部に温度を測定するための熱電対が設けられている。そして、各温
度センサ２６Ｃ，２７Ｃは、筒状ヒータ１１の外部から筒状ヒータ１１の内部へ貫通支持
され、それぞれの先端部を内管１２の近傍に配置させて、内管１２の近傍の温度を測定で
きるようになっている。尚、第２温度センサ２７Ｃは、測定した温度が所定の温度以上に
なると、各端子２５Ｃ間へ供給されている電力を遮断して、中央上部電熱線２４Ｃへの電
力供給を強制的に遮断させるようになっている。

Ｕブロック２０Ｄの内側面には、一本の上部電熱線２４Ｄが電熱線保持部材２２に形成
した各保持穴２３を挿通することによって、螺旋状に配設されている。上部電熱線２４Ｄ
は、各電熱線保持部材２２の保持穴２３を所定の順番で挿通保持されることで、Ｕブロッ
ク２０Ｄの下部から上部までの間に配設されている。

上部電熱線２４Ｄの上端と下端は、それぞれ別々の端子２５Ｄの基端に電気的に接続さ
れている。各端子２５Ｄは、それぞれＵブロック２０Ｄの上部と下部において、断熱層２
１に貫通支持されるとともに、各端子２５Ｄの先端を断熱層２１の外部に延出されている
。すなわち、各端子２５Ｄには、外部から電力の供給が可能になっており、各端子２５Ｄ
間に電力が供給されると上部電熱線２４Ｄに電力が供給され、該電力により同電熱線２４
Ｄが発熱するようになっている。

また、Ｕブロック２０Ｄには、上部温度センサ２６Ｄ及び第２温度センサ２７Ｄがそれ
ぞれ設けられている。各温度センサ２６Ｄ，２７Ｄは、それぞれ棒状に形成されていて、
それぞれの先端部に温度を測定するための熱電対が設けられている。そして、各温度セン
サ２６Ｄ，２７Ｄは、筒状ヒータ１１の外部から筒状ヒータ１１の内部へ貫通支持され、
それぞれの先端部を内管１２の近傍に配置させて、内管１２の近傍の温度を測定できるよ
うになっている。尚、第２温度センサ２７Ｄは、測定した温度が所定の温度以上になると
、各端子２５Ｄ間へ供給されている電力を遮断して、上部電熱線２４Ｄへの電力供給を強
制的に遮断させるようになっている。

尚、本実施形態では、各電熱線２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄは、電力を供給される
と発熱する電熱線、例えば、ニクロム線であって、太さ２０ｍｍの電線形状に形成されて
いる。

次に、上記のように構成した縦型拡散炉１の電気的構成を図４に従って説明する。
縦型拡散炉１は、図４に示すように、劣化判定手段としての制御装置３０を備えている
。

制御装置３０には、ＣＰＵ（中央演算装置）、ＲＯＭ及びＲＡＭが備えられている。そ
して、制御装置３０のＣＰＵは、ＲＯＭやＲＡＭに記憶された各種データ及び各種制御プ
ログラムに従って各種処理などを実行する。

尚、本実施形態では、ＣＰＵは、ＲＯＭやＲＡＭに記憶されたプログラム、及び、各種
データに基づいて、上部電熱線２４Ｄの発熱によるＵブロック２０Ｄの単位時間当たりの
温度変化量から上部電熱線２４Ｄの劣化の判断をする劣化判定処理を行なう。また、ＣＰ
Ｕは、上部電熱線２４Ｄの場合と同様に、各電熱線２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃの発熱による
それぞれに対応する各ブロック２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃの単位時間当たりの温度変化量か
ら各電熱線２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃの劣化の判断をする劣化判定処理をそれぞれ行なう。
また、ＲＡＭには、各電熱線２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄの劣化状態をそれぞれ記録
するための劣化状態フラグ用のアドレスがそれぞれ確保されている。

制御装置３０は、上部温度センサ２６Ｄと電気的に接続されている。制御装置３０は、
上部温度センサ２６Ｄから入力される温度信号２６Ｄｔから、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔ
ｍ４を算出するようになっている。

制御装置３０は、中央上部温度センサ２６Ｃと電気的に接続されている。制御装置３０
は、中央上部温度センサ２６Ｃから入力される温度信号２６Ｃｔから、ＣＵブロック２０
Ｃの温度Ｔｍ３を算出するようになっている。

制御装置３０は、中央下部温度センサ２６Ｂと電気的に接続されている。制御装置３０
は、中央下部温度センサ２６Ｂから入力される温度信号２６Ｂｔから、ＣＬブロック２０
Ｂの温度Ｔｍ２を算出するようになっている。

制御装置３０は、下部温度センサ２６Ａと電気的に接続されている。制御装置３０は、
下部温度センサ２６Ａから入力される温度信号２６Ａｔから、Ｌブロック２０Ａの温度Ｔ
ｍ１を算出するようになっている。

外部電源２９は、上部電熱線駆動回路３１と電気的に接続されていて、上部電熱線駆動
回路３１に所定の電力ＰＷを供給する。
制御装置３０は、上部電熱線駆動回路３１と電気的に接続されている。上部電熱線駆動
回路３１は、制御装置３０から入力された上部電熱線制御信号３１Ｃに基づいて外部電源
２９から供給される電力ＰＷから生成した駆動電流３１Ｄを上部電熱線２４Ｄに供給して
同電熱線２４Ｄを駆動制御する。

外部電源２９は、中央上部電熱線駆動回路３２と電気的に接続されていて、中央上部電
熱線駆動回路３２に所定の電力ＰＷを供給する。
制御装置３０は、中央上部電熱線駆動回路３２と電気的に接続されている。中央上部電
熱線駆動回路３２は、制御装置３０から入力された中央上部電熱線制御信号３２Ｃに基づ
いて外部電源２９から供給される電力ＰＷから生成した駆動電流３２Ｄを中央上部電熱線
２４Ｃに供給して同電熱線２４Ｃを駆動制御する。

外部電源２９は、中央下部電熱線駆動回路３３と電気的に接続されていて、中央下部電
熱線駆動回路３３に所定の電力ＰＷを供給する。
制御装置３０は、中央下部電熱線駆動回路３３と電気的に接続されている。中央下部電
熱線駆動回路３３は、制御装置３０から入力された中央下部電熱線制御信号３３Ｃに基づ
いて外部電源２９から供給される電力ＰＷから生成した駆動電流３３Ｄを中央下部電熱線
２４Ｂに供給して同電熱線２４Ｂを駆動制御する。

外部電源２９は、下部電熱線駆動回路３４と電気的に接続されていて、下部電熱線駆動
回路３４に所定の電力ＰＷを供給する。
制御装置３０は、下部電熱線駆動回路３４と電気的に接続されている。下部電熱線駆動
回路３４は、制御装置３０から入力された下部電熱線制御信号３４Ｃに基づいて外部電源
２９から供給される電力ＰＷから生成した駆動電流３４Ｄを下部電熱線２４Ａに供給して
同電熱線２４Ａを駆動制御する。

制御装置３０は、入出力装置３９と電気的に接続されている。制御装置３０は、入出力
装置３９から縦型拡散炉１がワークＷを加熱処理するための各種データＤＴ等を入力され
てＲＡＭに保存する。また、制御装置３０は、縦型拡散炉１の各種状態を示す表示信号Ｐ
Ｓを入出力装置３９に出力する。入出力装置３９は、入力された表示信号ＰＳに基づいて
各種情報を状態表示器３９Ｄに表示するようになっている。尚、本実施形態では、表示信
号ＰＳに基づいて各電熱線２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄの交換時期をそれぞれ状態表
示器３９Ｄに表示させるようになっている。

次に、上記のように構成した縦型拡散炉１において、上部電熱線２４Ｄの劣化を判断す
る方法について説明する。尚、下部電熱線２４Ａ、中央下部電熱線２４Ｂ及び中央上部電
熱線２４Ｃの劣化の判断は上部電熱線２４Ｄの場合と同様の方法で判断することができる
ので、以下では上部電熱線２４Ｄの劣化を判断する方法についての説明のみをし、下部電
熱線２４Ａ、中央下部電熱線２４Ｂ及び中央上部電熱線２４Ｃの劣化の判断の方法につい
ての説明は省略する。

一般的に、新品など劣化の少ない上部電熱線２４Ｄの発熱量は多く、一方、劣化が進行
した上部電熱線２４Ｄの発熱量は少ないことが知られている。すなわち、劣化の少ない上
部電熱線２４Ｄを用いた場合、Ｕブロック２０Ｄは、単位時間当たりの温度上昇が大きく
なる。一方、劣化が進行した上部電熱線２４Ｄを用いた場合、Ｕブロック２０Ｄは、単位
時間当たりの温度上昇が小さくなる。そこで、本実施形態では、Ｕブロック２０Ｄの温度
Ｔｍ４の単位時間当たりの温度変化量から上部電熱線２４Ｄの交換時期を判断する。

図５は、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を所定温度の８００度から目標温度の１０００
度の温度差の間で変化させた場合における、温度Ｔｍ４の経過時間に対する変化をグラフ
４０及びグラフ４１にそれぞれ示している。

例えば、グラフ４０に示す場合、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４は、時間ｔ１において
８００度からの昇温が開始されて、時間ｔ２において１０００度に到達する。その後、時
間ｔ４において１０００度から降温を開始されて、時間ｔ５において８００度に到達する
。すなわち、この時の上部電熱線２４Ｄは、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を８００度か
ら１０００度まで昇温時間ｔ１２（＝ｔ２−ｔ１）の時間にて昇温させる。この場合、温
度Ｔｍ４は、単位時間当たり温度変化量ΔＨ１２（＝２００／ｔ１２）の大きさで変化す
る。

一方、グラフ４１に示す場合、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４は、時間ｔ１において８
００度からの昇温を開始されて、時間ｔ３において１０００度に到達する。その後、時間
ｔ４において１０００度から降温を開始されて、時間ｔ５において８００度に到達する。
すなわち、この時の上部電熱線２４Ｄは、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を８００度から
１０００度まで昇温時間ｔ１３（＝ｔ３−ｔ１）の時間にて昇温させる。この場合、温度
Ｔｍ４は、単位時間当たりの温度変化量ΔＨ１３（＝２００／ｔ１３）の大きさで変化す
る。なお、昇温時間ｔ１３は、昇温時間ｔ１２の約１．５倍の長さの時間であるから、温
度変化量ΔＨ１３は温度変化量ΔＨ１２の３分の２の大きさとなる。このことは、グラフ
４１の時の上部電熱線２４Ｄの発熱量は、グラフ４０の時の上部電熱線２４Ｄの発熱量の
３分の２であることを示している。

すなわち、温度変化量ΔＨ１２と温度変化量ΔＨ１３との比較から、グラフ４０の時の
上部電熱線２４Ｄに対して、グラフ４１の時の上部電熱線２４Ｄは、その劣化が進行して
いることが分かる。

そこで、上部電熱線２４ＤがＵブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を単位時間当たりに昇温さ
せる温度の変化量から上部電熱線２４Ｄの劣化を判断する手順について図６に示すフロー
チャート図に従って説明する。

制御装置３０は、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を所定温度（昇温を開始するときの筒
状ヒータ１１内の温度（開始温度α１））から目標温度（例えば１０００度であって昇温
を停止する温度（終了温度α２））に昇温を開始すると劣化判定処理を開始する。尚、Ｕ
ブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４の昇温中には、制御装置３０のＲＡＭに設けられた昇温中フ
ラグのアドレスの値が「１」に設定されるようになっている。

劣化判定処理が開始されると、制御装置３０は、経過時間タイマをクリアする（ステッ
プＳ１０）とともに、このとき測定されるＵブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４（所定温度）を
開始温度α１としてＲＡＭの所定のアドレスに保存する（ステップＳ１１）。尚、本実施
形態では、経過時間タイマは、ＣＰＵに設けられたタイマを用いていて、該タイマは、ク
リアされると直ぐに新たに経過時間の計測を開始するものとする。

ＲＡＭの所定のアドレスに開始温度α１を保存したら、制御装置３０は、昇温中フラグ
を参照してＵブロック２０Ｄが昇温中かどうかを判断する（ステップＳ１２）。昇温中フ
ラグが「１」の場合（ステップＳ１２でＹＥＳ）、制御装置３０は、ステップＳ１２に戻
り、Ｕブロック２０Ｄが昇温中かどうかを判断することを繰り返す。

一方、Ｕブロック２０Ｄが目標温度（終了温度α２（１０００度））に到達し、昇温が
停止されて昇温中フラグが「１」から「０」になると（ステップＳ１２でＮＯ）、制御装
置３０は、経過時間タイマからその時の時間を取得して第１経過時間ｔｐ１に保存する（
ステップＳ１３）。

第１経過時間ｔｐ１を保存したら、制御装置３０は、単位時間当たりの算出値としての
第１温度変化量Δα（＝（α２−α１）／ｔｐ１）を算出する（ステップＳ１５）。つま
り、単位時間当たりの第１温度変化量Δαは、開始温度α１と終了温度α２との差を第１
経過時間ｔｐ１で除して求められる。

単位時間当たりの第１温度変化量Δαが算出されると、制御装置３０は、第１温度変化
量Δαが劣化値としての劣化判断用閾値β１より小さいかどうかを判断する（ステップＳ
１６）。劣化判断用閾値β１は、予め試験により求められた値であって、交換が必要な程
度に劣化した上部電熱線２４ＤによりＵブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を上昇させた場合の
単位時間当たりの温度変化量の値である。また、劣化判断用閾値β１は、予め入出力装置
３９を通じて、制御装置３０のＲＡＭの所定のアドレスに記憶されている。

第１温度変化量Δαが劣化判断用閾値β１より小さい場合（ステップＳ１６でＹＥＳ）
、制御装置３０は、劣化フラグに「１」を設定する（ステップＳ１７）とともに、表示信
号ＰＳに上部電熱線２４Ｄが劣化していることを示す信号を付加して入出力装置３９に出
力する（ステップＳ１８）。そして、制御装置３０は、劣化判定処理を終了する。

一方、第１温度変化量Δαが劣化判断用閾値β１より小さくない場合（ステップＳ１６
でＮＯ）、制御装置３０は、劣化フラグに「０」を設定して（ステップＳ１９）から、劣
化判定処理を終了する。

上記構成によって、縦型拡散炉１は、上部電熱線２４Ｄの劣化による交換時期を、第１
温度変化量Δαと劣化判断用閾値β１との比較により、上部電熱線２４Ｄに切断などの不
具合が生ずる前に知ることができる。

次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、上部温度センサ２６Ｄから測定される筒状ヒータ１１内部
の第１温度変化量Δαと劣化判断用閾値β１との比較に基づいて上部電熱線２４Ｄの劣化
による交換時期を判定した。従って、断熱層２１と内管１２の間に配設されて、通常は容
易に劣化の判断をすることができない上部電熱線２４Ｄに対して、上部電熱線２４Ｄに劣
化による不具合が生じる以前に劣化による交換の時期を知ることができる。その結果、上
部電熱線２４Ｄに生じた劣化による不具合によって、ワークＷに不良が生じることを防ぐ
ことができた。

（２）本実施形態によれば、劣化判断用閾値β１を交換が必要な程度に劣化した上部電
熱線２４ＤによりＵブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を上昇させた場合の単位時間当たりの温
度変化量の値とした。従って、第１温度変化量Δαを劣化判断用閾値β１と比較するだけ
で容易に上部電熱線２４Ｄの交換時期を判定することができる。

（３）本実施形態によれば、第１温度変化量Δαを劣化判断用閾値β１と比較して劣化
の判断を行なった。従って、筒状ヒータ１１の温度を所定温度から目標温度に変化させた
場合の温度変化を平準化した第１温度変化量Δαに基づいて上部電熱線２４Ｄの劣化を好
適に判定することができる。

（４）本実施形態によれば、第１温度変化量Δαを単位時間当たりの温度変化量の値と
した。従って、第１温度変化量Δαを任意の所定温度と任意の目標温度との間の温度差か
ら求めることができる。

（５）本実施形態によれば、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を昇温させるときに劣化の
判断を行なった。従って、上部電熱線２４Ｄの発熱量の違いによる影響を受け易い温度Ｔ
ｍ４の昇温時に上部電熱線２４Ｄの劣化の判定をすることで、好適に交換時期の判定をす
ることができる。

なお、上記実施形態は以下の様に変更してもよい。
・上記実施形態では、筒状ヒータ１１は、上下方向に４つのブロックに区分されていた
が、４つ以外に区分されていてもよい。また、筒状ヒータ１１は、区分されていなくても
よい。

・上記実施形態では、各電熱線２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄについて劣化による交
換時期の判断を行なったが、一部の電熱線について劣化による交換時期の判断を行っても
よい。

・上記実施形態では、第１温度変化量Δαを、交換が必要な程度に劣化した上部電熱線
２４ＤによりＵブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４が上昇する場合の単位時間当たりの温度変化
量である劣化判断用閾値β１と比較した。しかし、これに限らず、劣化判断用閾値β１は
、その他の判定したい状態の値でもよい。また、劣化の状態を段階的に示す複数の劣化判
断用閾値を用いて、劣化の状態を段階的に表せるようにしても良い。

・上記実施形態では、昇温時に劣化判定処理を行なったが、降温時に劣化判定処理を行
なってもよい。
・上記実施形態では、所定温度を、昇温を開始する時の筒状ヒータ１１内の温度（開始
温度α１）とした。これを、筒状ヒータ１１内の昇温を開始した後に通過する温度（例え
ば筒状ヒータ１１内の温度が８００度）を所定温度としてもよい。

その場合は、まず、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４が所定温度（８００度）に到達した
とき、図７に示すように、第２劣化判定処理を開始する。第２劣化判定処理が開始される
と、制御装置３０は、経過時間タイマをクリアする（ステップＳ２１）。

経過時間タイマをクリアしたら、制御装置３０は、昇温中フラグを参照してＵブロック
２０Ｄが昇温中かどうかを判断する（ステップＳ２２）。昇温中フラグが「１」ではなく
「０」の場合（ステップＳ２２でＮＯ）、制御装置３０は、劣化の判断を行わずに第２劣
化判定処理を終了する。

一方、昇温中フラグが「１」の場合（ステップＳ２２でＹＥＳ）、制御装置３０は、Ｕ
ブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４が所定の目標温度（終了温度α２（１０００度））に達した
かどうかを判断する（ステップＳ２３）。Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４が所定の目標温
度に達していない場合（ステップＳ２３でＮＯ）、制御装置３０は、ステップＳ２２に戻
り、昇温中かどうかの判断を繰り返す。

一方、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４が所定の目標温度（終了温度α２（１０００度）
）に達した場合（ステップＳ２３でＹＥＳ）、制御装置３０は、経過時間タイマからその
時の時間を取得して算出値としての第２経過時間ｔｐ２に保存する（ステップＳ２４）。

第２経過時間ｔｐ２を保存したら、制御装置３０は、第２経過時間ｔｐ２が劣化値とし
ての劣化判断用閾値β２より大きいかどうかを判断する（ステップＳ２５）。劣化判断用
閾値β２は、予め試験により求められた値であって、交換が必要な程度に劣化した上部電
熱線２４Ｄにおいて、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を所定の開始温度（８００度）から
所定の目標温度（１０００度）に昇温するために要する時間の値である。

第２経過時間ｔｐ２が劣化判断用閾値β２より大きい場合（ステップＳ２５でＹＥＳ）
、制御装置３０は、劣化フラグに「１」を設定する（ステップＳ２６）とともに、上部電
熱線２４Ｄが劣化していることを示す信号を表示信号ＰＳに付加して入出力装置３９に出
力する（ステップＳ２７）。そして、制御装置３０は、第２劣化判定処理を終了する。

一方、第２経過時間ｔｐ２が劣化判断用閾値β２より大きくない場合（ステップＳ２５
でＮＯ）、制御装置３０は、劣化フラグに「０」を設定して（ステップＳ２８）から、第
２劣化判定処理を終了する。

・上記実施形態では、交換時期の判断を第１温度変化量Δαに基づいて行なったが、交
換時期の判断を目標温度に対するアンダーシュートの大きさによって行なってもよい（第
３劣化判定処理）。そうすれば、温度を降温させる場合においても、電熱線の劣化の判断
を容易に行うことができる。

その場合は、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を所定温度（例えば１０００度）から目標
温度（例えば８００度）に降温を開始すると、図８に示すように、第３劣化判定処理を開
始する。第３劣化判定処理が開始されると、制御装置３０は、最低温度保存用メモリの値
をクリアする（ステップＳ３０）。

最低温度保存用メモリをクリアしたら、制御装置３０は、目標温度に達した温度がその
目標温度に安定すると考えられる所定時間が経過したかどうか、つまり、降温が終了した
かどうかを判断する（ステップＳ３１）。降温が終了していない場合（ステップＳ３１で
ＮＯ）、制御装置３０は、温度Ｔｍ４が最低温度保存用メモリに記録されたズレ温度とし
ての最低温度よりも低いかどうかを判断する（ステップＳ３２）。温度Ｔｍ４が最低温度
保存用メモリに記録された最低温度よりも低くない場合（ステップＳ３２でＮＯ）、制御
装置３０は、ステップＳ３１に戻り、降温が終了したかどうかの判断を繰り返す。尚、ス
テップＳ３２において、最低温度保存用メモリがクリアされた状態の場合には、特別にス
テップＳ３３を実行するようにしている。

一方、温度Ｔｍ４が最低温度保存用メモリに記録された最低温度よりも低い場合（ステ
ップＳ３２でＹＥＳ）、制御装置３０は、最低温度保存用メモリにその時の温度Ｔｍ４を
新たな最低温度として保存して（ステップ３３）から、ステップＳ３１に戻り、降温が終
了したかどうかの判断を繰り返す。これにより、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を所定温
度から目標温度に降温させた時に、温度Ｔｍ４が一時的に到達する最も低い温度を最低温
度保存用メモリに保存するようになっている。

一方、降温が終了した場合（ステップＳ３１でＹＥＳ）、制御装置３０は、最低温度が
劣化温度としての劣化判断用閾値β３より小さいかどうかを判断する（ステップＳ３４）
。劣化判断用閾値β３は、予め試験により求められた値であって、交換が必要な程度に劣
化した上部電熱線２４Ｄにおいて、Ｕブロック２０Ｄの温度Ｔｍ４を目標温度まで降温さ
せた場合に目標温度をアンダーシュートする温度で、目標温度よりも低い温度の値である
。

最低温度が劣化判断用閾値β３より小さい場合（ステップＳ３４でＹＥＳ）、制御装置
３０は、劣化フラグに「１」を設定する（ステップＳ３５）とともに、表示信号ＰＳに上
部電熱線２４Ｄが劣化していることを示す信号を付加して入出力装置３９に出力する（ス
テップＳ３６）。そして、制御装置３０は、第３劣化判定処理を終了する。

一方、最低温度が劣化判断用閾値β３より小さくない場合（ステップＳ３４でＮＯ）、
制御装置３０は、劣化フラグに「０」を設定して（ステップＳ３７）から、第３劣化判定
処理を終了する。

・上記実施形態では、縦型拡散炉１の各電熱線２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄの劣化
判定を行なったが、電熱線の劣化判定は、電熱線を用いる他の半導体製造装置、例えば横
型拡散炉、恒温槽、洗浄槽、乾燥炉又はバーンイン炉に用いてもよい。

本実施形態における半導体製造装置の断面構造を示す断面図。 本実施形態における半導体製造装置の筒状ヒータの断面構造を示す断面図。 本実施形態における半導体製造装置の筒状ヒータの一部を断面にした斜視構造を示す斜視図。 本実施形態における半導体製造装置の筒状ヒータに関する部分の電気的構成を示すブロック図。 本実施形態における半導体製造装置の温度変化の例を示すグラフ図。 本実施形態における半導体製造装置の劣化判定手順を示すフローチャート図。 他の例における半導体製造装置の劣化判定手順を示すフローチャート図。 さらに他の例における半導体製造装置の劣化判定手順を示すフローチャート図。

符号の説明

Ｗ…被処理基板（ワーク）、ＤＴ…データ、ＰＳ…表示信号、ＰＷ…電力、ｔ１，ｔ２
，ｔ３，ｔ４，ｔ５…時間、ｔ１２，ｔ１３…昇温時間、１…縦型拡散炉、１０…筐体、
１０Ａ…ヒータ支持部、１０Ｂ…穴、１０Ｃ…天板、１１…筒状ヒータ、１１Ａ…外側面
、１２…内管、１２Ａ…処理室、１３…ボート、１３Ａ…フレーム、１３Ｂ…天板、１３
Ｃ…底板、１４…ヒータ基台、１４Ａ…断熱材、１５…炉口フランジ、１６…シールキャ
ップ、１７…断熱キャップ、１８…ガス導入管、１９…排気管、２０Ａ…Ｌブロック、２
０Ｂ…ＣＬブロック、２０Ｃ…ＣＵブロック、２０Ｄ…Ｕブロック、２１…断熱層、２２
…電熱線保持部材、２３…保持穴、２４Ａ…下部電熱線、２４Ｂ…中央下部電熱線、２４
Ｃ…中央上部電熱線、２４Ｄ…上部電熱線、２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄ…端子、２
６Ａ…下部温度センサ、２６Ｂ…中央下部温度センサ、２６Ｃ…中央上部温度センサ、２
６Ｄ…上部温度センサ、２６Ａｔ，２６Ｂｔ，２６Ｃｔ，２６Ｄｔ…温度信号、２７Ａ，
２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄ…第２温度センサ、２９…外部電源、３０…制御装置、３１…上
部電熱線駆動回路、３１Ｃ…上部電熱線制御信号、３１Ｄ，３２Ｄ，３３Ｄ，３４Ｄ…駆
動電流、３２…中央上部電熱線駆動回路、３２Ｃ…中央上部電熱線制御信号、３３…中央
下部電熱線駆動回路、３３Ｃ…中央下部電熱線制御信号、３４…下部電熱線駆動回路、３
４Ｃ…下部電熱線制御信号、３９…入出力装置、３９Ｄ…状態表示器、４０，４１…グラ
フ。

Claims (6)

1. 電熱線を備えたヒータを有する半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法であって、
   前記電熱線の熱により前記ヒータ内部の温度を所定温度から変更された目標温度に追従
   させるときに、前記所定温度から前記目標温度への変化に要した経過時間に基づいて算出
   される算出値を、予め求めた前記電熱線の劣化を示す値である劣化値と比較して、前記算
   出値と前記劣化値の比較に基づいて前記電熱線が劣化していることを判定することを特徴
   とする半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法。
2. 請求項１に記載の半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法において、
   前記算出値は、前記目標温度と前記所定温度とから温度差を求め、該温度差を前記経過
   時間にて除して求められた単位時間当たりの温度変化量であり、
   前記劣化値は、劣化した前記電熱線が前記ヒータ内部の温度を前記所定温度から前記目
   標温度に変化させる場合の前記ヒータ内部の温度の単位時間当たりの温度変化量であり、
   前記算出値と前記劣化値とを比較して、前記算出値が前記劣化値より小さい場合には前
   記電熱線が劣化していると判定することを特徴とする半導体製造装置の電熱線の劣化判定
   方法。
3. 請求項１に記載の半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法において、
   前記算出値は、前記経過時間の時間であり、
   前記劣化値は、劣化した前記電熱線が前記ヒータの内部の温度を前記所定温度から前記
   目標温度へ変化させるのに要する時間であり、
   前記算出値と前記劣化値とを比較して、前記算出値が前記劣化値より大きい場合には前
   記電熱線が劣化していると判定することを特徴とする半導体製造装置の電熱線の劣化判定
   方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法において
   、
   前記目標温度が前記所定温度よりも高い温度に変更されたときに、前記電熱線の劣化を
   判定することを特徴とする半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法。
5. 電熱線を備えたヒータを有する半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法であって、
   前記電熱線の熱により前記ヒータの内部の温度を降温させて目標温度に追従させるとき
   に、前記目標温度を通過して一時的に到達する最も低いズレ温度と、予め求めた劣化した
   前記電熱線にて前記ヒータの内部の温度を降温させた時に該目標温度を通過して一時的に
   到達する最も低い劣化温度とを比較して、前記ズレ温度が前記劣化温度より低い温度の場
   合には前記電熱線が劣化していると判定することを特徴とする半導体製造装置の電熱線の
   劣化判定方法。
6. ヒータに備えられた断熱筒と、
   前記断熱筒の内側面に沿って螺旋状に配設された電熱線と、
   前記電熱線の内側に設けられ、内部に配置される被処理基板を外気と隔離することがで
   きる内管と、
   前記電熱線の劣化を判定するために前記断熱筒の内部の温度を測定する温度センサと、
   前記ヒータ内部の温度を所定温度から目標温度へ変化させたときに、前記温度センサに
   より測定した前記所定温度から該温度センサにより測定した前記目標温度への変化に要し
   た経過時間に基づいて算出される算出値を、予め求めた前記電熱線の劣化を示す劣化値と
   比較して、該算出値と該劣化値の比較に基づいて前記電熱線が劣化していることを判定す
   る劣化判定手段と、
   を備えることを特徴とする半導体製造装置。

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