JP6624876B2 - 監視方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
<アニール装置>
図1は、実施の形態1に係わるアニール装置の構成を示した平面図である。アニール装置にはヒーター加熱方式、ランプ加熱方式等が存在する。ランプ加熱方式は一般的にRTPアニール装置としても知られている。スパイクアニールはRTPアニール装置の一種であり、より高温・短時間アニールが可能となっている。この実施の形態1はそのスパイクアニール装置が用いられている。
<スパイクアニール>
ここで、スパイクアニール装置1の特性について説明しておく。図3は、一般的なRTPアニール方法による温度変化とスパイクアニールによる温度変化を示す特性図である。図3において、横軸は時間を示し、縦軸は温度を示している。また、同図において、破線は、一般的なRTPアニール方法による温度変化を示し、実線が、スパイクアニールによる温度変化を示している。一般的なRTPアニール方法では、加熱するとき、例えば75℃/秒で温度が上昇し、冷却するときには、−30℃/秒で、温度が下降する。これに対して、スパイクアニールでは、加熱するときには、例えば200℃/秒で温度が上昇し、冷却するときには、−75℃/秒で温度が下降する。
図6は、実施の形態1に係わるランプRPの構成例を示す平面図である。図2で説明したように、ランプRPは、複数のハロゲンランプを備えている。図6には、そのうち、ハロゲンランプRP(1−0)〜RP(1−n)、RP(13−0)〜RP(13−n)およびRP(14−0)〜RP(14−n)が、代表として示されている。ランプRPは、複数のゾーンを有している。それぞれのゾーンは、互いに異なる位置に割り当てられ、それぞれのゾーンに、複数のハロゲンランプが配置されている。特に制限されないが、図6では、半径が互いに異なる15個の同心円が、ゾーンVcm0〜Vcm14として割り当てられている。図6においては、この15個のゾーンVcm0〜Vcm14のうち、3個のゾーンがVcm1、Vcm13およびVcm14として例示されている。残りの図示されていない12個のゾーン(Vcm0およびVcm2〜Vcm12)についても、例示した3個のゾーンと同様に、半径の異なる同心円に、それぞれ割り当てら、割り当てられたゾーンには、複数のハロゲンランプが配置されている。
図8は、実施の形態1に係わる放射温度計TSNの構成を示す平面図である。この実施の形態1において、放射温度計TSNは、特に制限されないが、1行に配置された7個の温度計TSN(0)〜TSN(6)を備えている。それぞれの温度計TSN(0)〜TSN(6)は、対向する半導体ウェハの領域における温度に従った温度検出信号TSS(0)〜TSS(6)を出力する。
図9は、実施の形態1に係わるコンピュータの構成を示すブロック図である。図2で述べたように、実施の形態1に係わるスパイクアニール装置1には、第1コンピュータFEPCと第2コンピュータEEPCが接続されている。図9を用いて、第1コンピュータFEPCと第2コンピュータEEPCの概要を説明する。
図12は、実施の形態1に係わるランプ電圧(ランプ電圧率)の経時変化を示す波形図である。図12は、第2コンピュータEEPCにおいて、ランプ電圧Vcm(0)〜Vcm(14)を、ステップS20で、100Hzサンプリングをして得た発熱源情報を、所定期間(7月21日から8月29日)プロットして作成した波形図である。図12に示す波形は、第2コンピュータEEPCから管理用コンピュータMPCへ提供された情報を用いて、管理用コンピュータMPCが、生成してもよいし、第2コンピュータEEPCが、管理用コンピュータMPCへ提供する情報を用いて作成してもよい。
図13は、実施の形態2に係わるランプ電圧(ランプ電圧率)の経時変化を示す波形図である。図13は、図12と類似している。ここでは、図12との相違点を主に説明する。図12と同様に、図13の横軸は、所定の期間を示している。一方、図13の縦軸は、ランプ電圧率積分値を示している。ランプ電圧率積分値は、この実施の形態2においては、ゾーンに対応した温度計によって測定された温度が、特定の温度以上となっている期間におけるランプ電圧率を積分した値である。図11を例にして、ランプ電圧率積分値を説明すると、次のようになる。実施の形態2では、特に制限されないが、特定の温度(第1温度)は、950℃である。
図16は、実施の形態2に係わる半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。図16には、半導体装置の製造方法のうち、特にイオン注入工程IPPと、イオン注入工程IPPの後に行われるアニール工程APPが示されている。また、図17は、実施の形態2に係わるイオン注入工程IPPおよびアニール工程APPにおける半導体装置の断面を示す断面図である。
CHW 半導体ウェハ
PCH プロセスチャンバー
RP ランプ
RP(1−0)〜RP(14−n) ハロゲンランプ
TSN 放射温度計
TSN(0)〜TSN(6) 温度計
EEPC 第1コンピュータ
FEPC 第2コンピュータ
MPC 管理用コンピュータ
S10、S20 100Hzサンプリング
Claims (8)
- 複数の温度計からの出力を、第1周波数でサンプリングし、サンプリングにより得られた温度情報に基づいて、複数の発熱源を制御する第1制御装置と、
前記第1周波数でのサンプリングにより得られた温度情報と、前記複数の発熱源のそれぞれからの出力を、前記第1周波数でサンプリングすることにより得られた発熱源情報とに基づいた情報を形成する第2制御装置と、
を備え、
前記第1周波数でのサンプリングにより得られた温度情報と、前記第1周波数でのサンプリングにより得られた発熱源情報とに基づいて、前記複数の発熱源の状態を監視し、
前記第1周波数でのサンプリングにより得られた発熱源情報は、第1期間、積分され、積分によって得られた積分値の変化に基づいて、発熱源の状態が監視され、
前記第1周波数でのサンプリングにより得られた温度情報が、第1温度以上を示している期間が、前記第1期間とされる、監視方法。 - 請求項1に記載の監視方法において、
前記第1制御装置は、前記複数の温度計のうち、所定の温度計からの出力を、前記第1周波数でサンプリングすることにより得られた温度情報を、前記第1周波数よりも周波数が低い第2周波数でサンプリングしたときに相当する温度情報へ変換し、変換により得た温度情報を統計値として、第3制御装置へ出力し、
前記第1制御装置は、前記複数の発熱源からの出力から、前記第2周波数でサンプリングしたときに相当する発熱源情報を生成し、生成した発熱源情報の平均値を統計値として、前記第3制御装置へ出力し、
前記第2制御装置は、前記複数の発熱源によって熱処理された被処理体を特定する特定情報と、前記第1周波数でのサンプリングにより得られた温度情報と、前記第1周波数でのサンプリングにより得られた発熱源情報とを、前記情報として、前記第3制御装置へ供給する、監視方法。 - 請求項2に記載の監視方法において、
前記複数の発熱源のそれぞれは、ハロゲンランプを備え、
前記第1周波数は、100Hzであり、前記第2周波数は、20Hzである、監視方法。 - 請求項1に記載の監視方法において、
前記第1周波数でのサンプリングより得られた発熱源情報の変化に基づいて、発熱源の状態が監視される、監視方法。 - 請求項1に記載の監視方法において、
前記積分値の変化に基づいて、発熱源の予兆を検知する、監視方法。 - 複数の温度計からの出力を、第1周波数でサンプリングし、サンプリングにより得られた温度情報に基づいて、複数の発熱源を制御する第1制御装置と、
前記第1周波数でのサンプリングにより得られた温度情報と、前記複数の発熱源のそれぞれからの出力を、前記第1周波数でサンプリングすることにより得られた発熱源情報とに基づいた情報を形成する第2制御装置と、
を備え、
前記第1周波数でのサンプリングにより得られた温度情報と、前記第1周波数でのサンプリングにより得られた発熱源情報とに基づいて、前記複数の発熱源の状態を監視し、
前記複数の発熱源は、熱処理される被処理体に対向するように配置された複数のハロゲンランプを備え、前記複数のハロゲンランプは、配置された位置によって、複数のゾーンに分けられ、
前記複数のゾーンのそれぞれからのハロゲンランプの出力が、前記第1周波数でサンプリングされ、前記発熱源情報とされ、
前記第1周波数でのサンプリングにより得られた温度情報と、前記複数のゾーンのそれぞれからの発熱源情報とに基づいて、ゾーン単位でハロゲンランプの状態を監視し、
前記温度情報が、第1温度以上を示している期間において、前記複数のゾーンのそれぞれからの発熱源情報は、積分され、積分により得られた積分値の変化に基づいて、ゾーン単位でハロゲンランプの状態が監視される、監視方法。 - 請求項6に記載の監視方法において、
前記積分値の変化に基づいて、ゾーン単位でハロゲンランプの予兆を検知する、監視方法。 - 半導体領域に不純物を注入する不純物注入工程と、アニールを行うアニール工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記アニール工程での熱処理に用いられる複数の発熱源が、請求項1に記載の監視方法によって監視される、半導体装置の製造方法。
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