JP5014740B2 - 信頼性試験装置および信頼性試験方法 - Google Patents
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Description
例えば、半導体デバイスの信頼性を維持できる寿命は、高温下で通電試験を行なって電気的特性がある値まで変化するまでの時間を試験することにより寿命を評価することができる。
そのため、温度を複数変化させて長時間動作させようとすると、例えば一つの温度環境での評価時間が1000時間である場合n個の温度環境では1000n時間を要する等、試験に膨大な時間が必要になる。
"Bias temperature instability assessment of n- and p-channel MOS transistors using a polysilicon resistive heated scribe lane test structure"Microelectronics Reliability、Werner Muth and Wolfgang Walter、44(2004) p.1251-1262.
例えば、図2−(a)に示すように信頼性試験に必要な時間が短縮され(※印の期間)、半導体デバイスの生産に至るまでの全工程時間を、図2−(b)に示す従来の工程時間よりも大幅に短縮することが可能である。
Wd≦0.2W …(1)
Ld≦0.28L…(2)
ポリシリコンは通電すると自己発熱し、この発熱でデバイス動作領域は加熱される。このとき、ポリシリコンを長時間(例えば50時間以上)加熱し続ける限界電力は、ポリシリコンの自己発熱温度によって決まるが、この自己発熱温度はポリシリコンの通電時の抵抗で求められる。そして、通電前と通電時のポリシリコンの抵抗値の比が1.5であることを利用し、前記寸法関係を満たす構成とすることで、ポリシリコンの短時間での劣化や破壊を抑制できるので、デバイス動作領域を高温(例えば400℃)下で例えば50時間以上の長時間にわたる信頼性試験を行なうことができる。
Wd≦0.2W …(1)
Ld≦0.28L…(2)
半導体デバイス15の中央部には、図3に示すように、MOSFET構造を有するデバイス動作領域であるデバイス構造部位21を備え、このデバイス構造部位21の加熱が可能なようにポリシリコンヒータ22が設けられている。
本発明においては、デバイス動作領域(ここではデバイス構造部位21)とポリシリコンヒータ22とが、Wd≦0.2WかつLd≦0.28Lの寸法関係を満たすように構成される。WdおよびW並びにLdおよびLが前記関係にあると、ポリシリコンの劣化促進を抑え、短時間での破壊を抑制できる。その結果、デバイス動作領域を特に400℃までの温度で50時間以上の長時間にわたる信頼性試験が行なえる。
まず、上記のように、あらかじめポリシリコンヒータ22を有する半導体デバイス15が作り込まれたウエハ16をウエハプローバ上に配置する。室温環境下、半導体デバイス15のポリシリコンヒータ22にヒータ電力用電源12から通電して半導体デバイスの加熱を行なうと共に、通電試験用電源11から半導体デバイス15に電力を投入し、半導体デバイスを動作させる。このようにすることで、室温下で所望の温度に加熱された半導体デバイスに対して通電試験を行なうことができる。
ここで、ダイオードの電流−電圧特性の温度依存性を図4に示す。図4に示すように、電流一定では、温度上昇と共に電圧VFは変化する。これより、pn接合ダイオードの順方向電圧と温度との関係を示したグラフが図5である。図5のように、順方向電圧は温度に対して直線的に変化しており、下記の関係が得られる。
VF/VF0=1−β・(T−T0)
〔T:pn接合ダイオードの温度、T0:雰囲気温度、VF:順方向電圧、VF0:雰囲気温度T0でのVF、β:温度係数〕
したがって、上記の式より半導体デバイスの温度は、
T=(1−VF/VF0)/β+T0
となり、ポリシリコンヒータに電力を投入したときのVFを測定することにより、電力と温度との関係を求めることができる。
Ts=Rth・P+T0
〔Rth:滅抵抗、P:投入電力(Power;W)〕
で表される。
したがって、投入電力Pを一定にすれば、一定の雰囲気温度の環境であればデバイスの温度も一定になる。よって、ポリシリコンヒータの投入電力を一定にすることで、デバイス領域の温度を一定に保つことができる。そして、ポリシリコンヒータに投入する電力を一定にするには、一般には、印加する電圧あるいは電流を一定にすればよい。しかし、ポリシリコンの発熱により、ポリシリコン自身の抵抗が変化する。したがって、投入電力を一定にするには、絶えず電力値をモニターして、電力が一定になるように電圧あるいは電流のフィードバック制御を行なうことが好ましい。
パラーメータは、しきい値電圧、電流増幅率などが適用可能である。
また、上記のように、半導体デバイスの高温加熱下での動作信頼性を評価する試験を、所望とする半導体デバイスに対して選択的に、環境温度以上の温度で、しかも従来困難であった200℃以上の温度(例えば250℃や300℃、350℃など)にまで上げて行なうことが可能であり、異なる温度環境で行なう複数の信頼性試験を短時間に行なうことができる。
図9に示すように、閾値電圧の時間変化は通電試験を行なうときのデバイス温度が高いほど短時間で変化していることがわかる。また、閾値電圧の変化量が10mVとなるときの時間(time:ΔVth=10mV)を温度の逆数に対してプロットすると、活性化エネルギーが求められる。これを図10に示す。活性化エネルギーは0.79eVであった。この値を用いることにより、低い温度での半導体デバイスの寿命を見積もることが可能である。
ここでは、この値を求めるのに要した試験時間は、250℃で100秒、200℃で1000秒、150℃で1万秒であり、合計で約3時間程度であった。
このように、評価ボードを用いて行なった信頼性試験では、試験時間に約1000時間を要した。すなわち本実施例では、従来の試験時間に比し、1/100以下の試験時間で評価することができた。
しかも、評価用ボードの耐熱性が保てず、200℃以上では長時間にわたる通電試験は行なえなかった。
12…ヒータ電力用電源
13…制御装置
15…半導体デバイス、パワーMOSFET
16…ウエハ
21…デバイス構造部位、
22…ポリシリコンヒータ
Claims (6)
- 半導体プロセスで作製された加熱ヒータを有する半導体デバイスが形成されたウエハの前記加熱ヒータより選ばれる少なくとも一部に、前記加熱ヒータと前記半導体デバイスのデバイス動作領域とが下記(1)及び(2)の関係を満たす範囲においてウエハ状態のまま通電し、通電された加熱ヒータを有する半導体デバイスを選択的に加熱することにより、半導体デバイスの信頼性試験を行なう信頼性試験装置。
Wd≦0.2W …(1)
Ld≦0.28L…(2)
〔L:加熱ヒータの長さ、W:加熱ヒータの幅、Ld:デバイス動作領域の長さ、Wd:デバイス動作領域の幅〕 - 前記加熱ヒータに通電する通電手段と、
前記半導体デバイスに通電する通電手段と、
前記半導体デバイスの所望のパラメータの初期値に対する通電後の変化率が所定値以下であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記変化率が所定値を超えていると判定されたときに、前記加熱ヒータおよび前記半導体デバイスへの通電を終了する通電制御手段と、
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の信頼性試験装置。 - 前記加熱ヒータは、ポリシリコンヒータであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の信頼性試験装置。
- 半導体プロセスで作製された加熱ヒータを有する半導体デバイスが形成されたウエハを準備し、ウエハ上の前記加熱ヒータの少なくとも一部に、前記加熱ヒータと前記半導体デバイスのデバイス動作領域とが下記(1)及び(2)の関係を満たす範囲においてウエハ状態のまま通電し、通電された加熱ヒータを有する半導体デバイスを選択的に加熱しながら通電することにより、半導体デバイスの信頼性試験を行なう信頼性試験方法。
Wd≦0.2W …(1)
Ld≦0.28L…(2)
〔L:加熱ヒータの長さ、W:加熱ヒータの幅、Ld:デバイス動作領域の長さ、Wd:デバイス動作領域の幅〕 - 前記加熱ヒータおよび前記半導体デバイスへの通電は、前記半導体デバイスの所望のパラメータの初期値に対する通電後の変化率が所定値以下である範囲で電力を投入して行なうことを特徴とする請求項4に記載の信頼性試験方法。
- 前記加熱ヒータは、ポリシリコンヒータであることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の信頼性試験方法。
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