JP2017034159A - 半導体製造装置のヒータ交換判定方法およびヒータ交換判定機能を有する半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ヒータ交換直後に待機温度から目標温度までの昇温にかかる昇温波形21から初期の実昇温時間を取得し、その後定期的に、待機温度から目標温度までの昇温にかかる昇温波形22〜24から実昇温時間を取得し、初期の実昇温時間と比較し合否を判定する。
【選択図】図2
Description
まず、ヒータを用いて半導体ウェハの熱処理を行う半導体製造装置のヒータ交換判定方法において、昇温ステップを有するシーケンスレシピにて前記半導体ウェハを熱処理し、前記昇温ステップにかかる第1の実昇温時間を測定する工程と、前記第1の実昇温時間と交換基準と比較し、合否判定する工程と、からなることを特徴とする半導体製造装置のヒータ交換判定方法を用いた。
また、前記交換基準は、前記第2の実昇温時間の3乃至5倍であることを特徴とする半導体製造装置のヒータ交換判定方法を用いた。
また、前記熱処理における前記半導体ウェハの搭載は、前記半導体製造装置の最大搭載可能枚数とすることを特徴とする半導体製造装置のヒータ交換判定方法を用いた。
2 ヒータ
3 外部熱電対
4 ガス導入管
5 外部温度測定器
6 ウェハ
7 ボート
8 内部熱電対
9 内部温度測定器
10 ガス導入口
11 ガス排気口
12 判定装置
21 昇温波形(初期)
22 昇温波形
23 昇温波形
24 昇温波形(交換前)
A 待機温度ステップ
B 目標温度ステップ
C 昇温ステップ
D 降温ステップ
Claims (6)
- ヒータを用いて半導体ウェハの熱処理を行う半導体製造装置のヒータ交換判定方法であって、
予め定められた昇温ステップを有するシーケンスレシピにて半導体ウェハを熱処理し、前記昇温ステップを実行することで得られた第1の実昇温時間を測定する工程と、
前記第1の実昇温時間と設定された交換の基準値と比較し、合否を判定する工程と、
からなることを特徴とする半導体製造装置のヒータ交換判定方法。 - 前記交換の基準値は、ヒータ交換直後に前記昇温ステップを有するシーケンスレシピにて半導体ウェハを熱処理し、前記昇温ステップを実行することで得られた第2の実昇温時間を元に設定されていることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置のヒータ交換判定方法。
- 前記交換の基準値は、前記第2の実昇温時間の3乃至5倍であることを特徴とする請求項2記載の半導体製造装置のヒータ交換判定方法。
- 前記熱処理における昇温速度は前記半導体製造装置の昇温能力の最大値とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体製造装置のヒータ交換判定方法。
- 前記熱処理される前記半導体ウェハの枚数は、前記半導体製造装置の最大搭載可能枚数とすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体製造装置のヒータ交換判定方法。
- ヒータを用いて半導体ウェハの熱処理を行う半導体製造装置であって、
反応管と、
前記反応管の外側に前記反応管を取り囲んで配置されたヒータと、
前記ヒータの温度を測定するための外部温度測定器と、
前記反応管内部の温度を測定するための内部温度測定器と、
前記外部温度測定器および前記内部温度測定器に電気的に接続された判定装置と、
を有し、
前記判定装置は、外部温度測定器および内部温度測定器の両方あるいはいずれか一方において得られた温度の情報をデータとして受け取り、目標温度に達するまでの実昇温時間を測定し、前記実昇温時間を設定された基準値と比較して、前記実昇温時間が前記基準値を超えたら外部へ報知する機能を有することを特徴とするヒータ交換判定機能を有する半導体製造装置。
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