TW591687B

TW591687B - Processing system

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Publication number: TW591687B
Application number: TW091119587A
Authority: TW
Inventors: Asami Obara; Yuichi Takenaga
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-08-28
Filing date: 2002-08-28
Publication date: 2004-06-11
Also published as: WO2003021646A1; EP1422743A4; US20040215365A1; DE60227963D1; JP2003067005A; CN1579006A; JP4751538B2; KR100857302B1; EP1422743B1; CN1331192C; KR20040029016A; US7139627B2; EP1422743A1

Description

591687 A7 ______B7 五、發明説明（彳）【發明所屬之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於處理半導體晶圓等的被處理體之控制裝置的控制系統和控制方法；特別是關於可以單一管理多數個處理裝置的控制系統和控制方法。【發明的背景】爲了對半導體晶圓的表面，進行成膜以及摻質（dopant) 的擴散等的各種處理，而使用半導體處理裝置。習知的半導體處理裝置，以獨立操作型爲主流。在設置複數台獨立操作型的處理裝置的工廠中，各裝置係根據被儲存在各裝置的控制器中的控制程式以及控制資料，個別地被控制。又，各裝置的維護也個別地進行。已知有經由網路將複數台處理裝置連接到控制用電腦 ’而藉由該電腦來控制複數台裝置的手段。但是，控制用電腦，僅係單純地對各處理裝置發出指令。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此，各處理裝置，需要重複地具備擁有高度運算處理功能的控制器；裝置成本變高。又，半導體製造裝置，需要定期地進行控制器等的維護（特別是校正）。但是，由於需要將各個裝置個別地維護，需要花費大量的勞力和時間。【發明的揭示】本發明係爲了解決上述課題而開發出來，係以有效率地控制複數台處理裝置爲目的。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'乂297公釐） 0C2558 -4- 591687 A7 B7 五、發明説明（2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明的第2目的，在於藉由減少被設置在各處理裝置中的控制手段的負擔，使控制手段的構成簡單化；藉由此手段，來減少包含複數台處理裝置的處理系統之全體裝置成本以及使用成本。爲了達成上述目的，本發明係藉由將習知的處理裝置的控制手段所具備的運算處理功能中的一部分功能，特別是需要高度運算處理能力的功能，由與處理裝置分開設置的控制用電腦來擔任，實現降低各控制裝置的負擔。本發明，提供一種處理系統，其特徵爲具備：複數台處理裝置，這些裝置分別具備：處理被處理體的處理手段、儲存用來控制前述處理手段的控制資訊之記憶手段、以及根據前述控制資訊來控制前述處理手段的控制手段；以及經濟部智慈財產局S工消費合作社印製具有校正手段的電腦，該電腦係與前述複數台處理裝置分開地設置，構成能夠經由通訊媒體，在與前述各處理裝置之間，進行包含前述控制資訊之資訊的通訊；而且，根據被輸入此電腦中之藉由前述處理裝置所產生的被處理體的處理結果，來校正用來控制該處理裝置的前述控制資訊。針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置的控制手段，係經由前述通訊媒體，接收藉由前述電腦的校正手段而校正後的控制資訊，儲存在前述記憶手段中，構成可以根據校正後的控制資訊來實行處理。針對一個適宜的實施形態，其中前述電腦，具有將對 DC：5u3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591687 A7 B7 五、發明説明（3) 應被儲存在各處理裝置的記憶手段中的前述控制資訊之控制資訊，加以儲存的記憶手段；前述電腦，係構成··當校正用來控制前述複數台的處理裝置之中的其中之一的處理裝置的控制資訊時，可以實行：從前述電腦的記憶手段，取出被儲存在前述電腦的記憶手段中的用來控制前述一台的處理裝置的控制資訊的步驟；將此取出的控制資訊，根據前述一台的處理裝置所產生的被處理體的處理結果，藉由前述校正手段來校正的步驟；將此校正後的控制資訊，儲存在前述電腦的記憶手段中的步驟；以及將前述校正後的控制資訊，經由前述通訊媒體，傳送到前述一台的處理裝置中，使其記憶在前述處理裝置的記憶手段中的步驟。針對一個適宜的實施形態，其中更具備測定根據前述處理裝置所產生的處理結果的測定裝置；前述電腦，構成能夠經由前述通訊媒體，在與前述測定裝置之間，進行資訊通訊； _述處理結果’係經由則述通訊媒體，被輸入前述電月i 。針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置的前述處理手段，具有··其內部收容被處理體並且將其加熱的 1银&(^廉褢愚男_國家標準（〇奶）人4規格（210/297公釐) * — -6 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

591687 A7 __B7 五、發明説明（4) 加熱爐、以及設置在加熱爐中的複數個溫度感測器； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述控制資訊，包含：用來根據前述溫度感測器的輸出’來推定前述被處理體的溫度的模型；以及規定前述被處理體之處理中的溫度變化的製法；前述處理裝置的記憶手段，記憶前述模型以及前述製法；前述處理裝置的控制手段，根據前述溫度感測器的輸出’使用被S彳思在述記憶手段中的模型，來推定前述加熱爐內的被處理體的溫度；而根據此被推定的溫度，爲了使前述被處理體的溫度能夠與被記憶在前述記憶手段中的製法所規定的溫度一致，來控制前述加熱爐。針對一個適宜的實施形態，其中前述電腦，係構成：當校正用來控制前述複數台的處理裝置之中的其中之一的處理裝置的模型時，可以實行：將用來校正前述模型的製法，傳送到前述一台處理裝置中的傳送步驟；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在前述一台處理裝置中，根據用來校正前述模型的製法，實行被處理體的處理的步驟；以及根據則述被處理體的處理結果’藉由則述校正手段來校正前述模型的步驟。針對一個適宜的實施形態，其中前述電腦，係根據處理中的被處理體的實際溫度的測定結果，來校正前述模型〇針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置，將本^^^^0^國國家標準（匸奶）人4規格（21(^297公釐） - " -7- 591687 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5) 被處理體的處理完成之事，通知前述電腦；前述電腦，根據前述通知，計算各處理裝置的處理回數；處理回數，係構成在前回的校正處理後，每到達規定回數，便可以實行前述控制資訊的校正。針對一個適宜的實施形態，其中前述處理裝置，具備向電腦請求資料處理的手段；前述電腦，具有：應從前述處理裝置所接收到的前述請求，實行資料處理，而將該資料處理的結果傳送到前述處理裝置中的手段；前述處理裝置，具有：接收從前述電腦傳送出來的資料處理的結果，根據前述所接收到的處理結果，來動作的手段。針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置，包含：測量藉由該處理裝置所產生的被處理體的處理結果的測定手段；藉由前述測定手段所測定的測定結果，經由前述通訊媒體’從前述處理裝置，可以傳送到前述電腦。【本發明之實施形態】以下，說明關於本發明的處理系統1 。如第1圖所示 •’處理系統1 ，爲半導體處理系統；是由：複數台的處理裝置3、複數（j )台的測定裝置5 ( 5 i〜5 d 、控制 «腦7 '以及將這些設備連接起來的網路（L A N ) 9所構成。在典型的實施形態中，處理系統係被設置在一個半 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-8- 591687 A7 五、發明説明（6) 制電腦7也可以設置台的 C V D (Chemical 31η)、複數（m) 、以及複數（1 )台圖號旁的標示，係表導體製造工廠的建築物內。但是，在離開前述建築物的場所。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 處理裝置3，包含：複數（η Vapor Deposition)裝置 3 1 ( 3 1 1 台的氧化裝置32 (32i〜32m 的擴散裝置33 (33i〜33i) 示裝置號碼。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製各CVD裝置31 (Sli-Sln)，具有實質上相同的構成；分別收容半導體晶圓等的被處理體，在被處理體上，由CVD來進行成膜處理。各氧化裝置32 (3 〜3 2 m )，具有實質上相同的構成，將半導體晶圓等的被處理體的表面區域，進行氧化的處理。各擴散裝置3 3 (33i〜33i)，具有實質上相同的構成，在半導體晶圓等的被處理體的表面區域上，進行使不純物擴散（摻雜 )的處理。測定裝置5 ( 5 i〜5』），將形成在被處理體上的膜的膜厚以及被包含在擴散區域中的規定元素的濃度等的被處理體的處理結果，顯示出來而進行各種數値的測定。參考第2圖來說明CVD裝置3 1的構成。CVD裝置3 1 ，爲分批式處理的裝置。CVD裝置3 1 ，具有由內管3 0 2 a和外管3 0 2 b所組成的雙重管構造的反應管3 0 2。在反應管3 0 2的下側，設置金屬性的筒狀歧管 3 2 1。在反應管3 0 2內，多數枚，例如1 5 0枚的半導體本紙§芒度國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 -9 - 591687 Α7 Β7 五、發明説明（7) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶圓W (亦即被處理體），在水平狀態下，上下隔開間隔地被承載在晶圓螺桿3 2 3上。此晶圓螺桿3 2 3，係經由保溫筒325，而被保持在蓋體324上。在反應管3 0 2的周圍，於上下方向的相異位置，配置5個加熱器331〜335。加熱器331〜335，藉由電力控制器3 3 6〜3 4 0，分別獨立地被供給電力而可以獨立地控制。依據反應管3 0 2、歧管3 2 1、加熱器3 31〜3 3 5來構成加熱爐。如第3圖所示，反應管3 0 2，被區分成分別對應各加熱器3 3 1〜3 3 5的 5個區域。如第2圖所示，在歧管3 2 1上，配置將氣體供應到內管302a內的3根氣體供給管341、342、 3 4 3。各氣體供給管3 4 1 、3 4 2、3 4 3中，經由質量流控制器（M F C ) 3 4 4、3 4 5、3 4 6，分別經濟部智慧財產局®工消費合作社印製被供應二氯矽烷、氨、氮氣等的成膜用的處理氣體（原料氣體）以及運載氣體。進而，在歧管3 2 1上，爲了能經由內管3 0 2 a和外管3 0 2 b之間的間隙來使反應管 3 0 2排氣，而連接排氣管3 2 7。排氣管3 2 7，係經由壓力調整部3 2 8等，而被連接到真空泵。在內管3 0 2 a的內面，配置往垂直方向排成一列的 5個溫度感測器（熱電偶）S i η 1〜S i η 5。各溫度感測器S i η 1〜S i η 5，爲了防止晶圓W的金屬污染，利用石英管（未圖示）等加以保護。溫度感測器 S i η 1〜S i η5，分別被配置在第3圖所不的5個區 -10- 591687 A7 B7 五、發明説明（8) 域中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在外管3 0 2 b的外面，也配置往垂直方向排成一列的5個溫度感測器（熱電偶）S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5。溫度感測器S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5，也分別被配置在第 3圖所示的5個區域中。 CVD裝置3 1 ，具備用來控制反應管3 0 2內的處理氣氛的溫度、氣體流量以及壓力等的處理參數之控制器 4〇0。控制器4 0 0，接收溫度感測器S i η 1〜 S 1 η 5和S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5的輸出訊號，而對加熱器33 1〜3 35的電力控制器336〜340、壓力調整部3 2 8、質量流控制器3 4 4〜3 4 6 ，輸出控制訊號。參照第4圖來詳細地說明控制器4 0 0的構成。如圖所示，控制器4 0 0，係由：控制部4 1 1、記憶部 4 1 2、I / ◦埠4 1 3、操作面板4 1 4、以及通訊部 4 1 5所構成。記憶部4 1 2 ，係由：R A Μ、R〇Μ、快閃式記憶經濟部智慧財產局員工消費合作社印製體以及碟片記憶裝置等所構成；具備：模型記憶部4 1 2 a '製法記憶部4 1 2 b、程式記憶部4 1 2 c以及運算區 4 1 2 d。模型記憶部4 1 2 a，根據溫度感測器s i n 1〜 5 1 η 5以及S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5的輸出訊號（測定溫度）以及傳到電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値（對應電力控制器3 3 6〜3 4 0供應給加熱器3 3 1〜本蛾着國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 591687 A7 B7 五、發明説明（9) 3 3 5的電力的値），推定（計算）出被配置在各區域的晶圓W的溫度；進而，爲了把被推定的溫度作爲目標値，記憶求出應該供應給加熱器3 3 1〜3 3 5的電力之模型 (數學模型；高次、多次元函數）。作爲此模型，例如可以利用在美國專利第5 5 1 7 5 9 4號公報中所揭示者。製法記憶部4 1 2 b，記憶根據在C V D裝置3 1中所實行的成膜處理的種類而決定控制順序的製程處方。各製程處方，包含：以處理對象即晶圓W所應經過的溫度變化爲目標的溫度製法，此溫度製法’能夠以第5圖（a ) 〜（c )所不的溫度-時間曲線來表現。通常的分批式處理裝置的情況，就全部的晶圓W，準備一個溫度製法。相對於此，在本實施形態中，爲了使圓的面內，處理結果能成爲均勻域，準備預先調整過的溫度製法。在晶圓W之間以及各晶對第3圖所示的每個區第5圖（a )係表示用來一邊將晶圓w的溫度維持一定，一邊實行成膜處理的溫度製法的例子。第5圖（b ) 係表示用來一邊使晶圓W的溫度下降，一邊實行成膜處理 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製的溫度製法的例子。第5圖（c )係表示用來一邊使晶圓 W的溫度上升，一邊實行成膜處理的溫度製法據第5圖（a )所示的製法，藉由一邊將晶圓持一定邊實行成膜處理，能夠在使晶圓W 持在大致相同的溫度之狀態下，進行成膜處理邊使晶圓W w的中心部第5圖（b )所示的製法，藉由一，一邊實行成膜處理，能夠在晶圓的例子。根 W的溫度維的整個面維。又，根據的溫度下降的溫度比周國國家標準 (〇刚八4規格（210'/297公釐） 12- 591687 A7 _ B7 五、發明説明（4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 邊部的溫度高的狀態下，進行成膜處理。另一方面，根據第5圖（c )所示的製法，藉由一邊使晶圓W的溫度上升，一邊實行成膜處理，能夠在晶圓W的中心部的溫度比周邊部的溫度低的狀態下，進行成膜處理。程式記憶部4 1 2 c，記憶控制部4 1 1的動作、控制程式等的程式。運算區4 ]_ 2 d，係作爲控制部4 1 1 的運算區等，而發揮其功能。 I /〇埠4 1 3 ，將溫度感測器S i η 1〜S 1 η 5 以及S o u t 1〜S o u t 5的測量訊號傳送到控制部 4 1 1 ，同時將控制部4 1 1所輸出的控制訊號，輸出到電力控制器3 3 6〜3 4 0、質量流控制器3 4 4〜 346、以及壓力調整部328等。又，操作面板414 連接到I /〇埠4 1 3。操作面板4 1 4，具備顯示部和操作部，經由I / ◦埠4 1 3 ，顯示出控制部4 1 1所提供的影像、將使用者的指令傳到控制部4 1 1。通訊部4 1 5，係經由網路9，進行C V D裝置3 1 和控制電腦7之間的通訊。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製控制部4 1 1具備處理器，根據被記憶在程式記憶部 4 1 2 c中的動作、控制程式來動作。具體而言，控制部 4 1 1，讀取溫度感測器Sinl〜Sin5、Soutl〜Sout5的輸出値以及傳給電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値（對應供給加熱器3 3 1〜3 3 5的電力的値）、應用被記憶在模型記憶部4 1 2 a中的模型，將各區域的晶圓W的溫度，以一定時間間隔來加以推定、或是實質上以即時模式來加本紙肜麵國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 591687 A7 B7 五、發明説明（d 以推定。進而，控制部4 1 1 ，爲了使推定的溫度與被言己 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 憶在製法記憶部4 1 2 b中的溫度製法所指示的値一致，而對電力控制器3 3 6〜3 4 0指示供給電力。又，控制部4 1 1，也進行對質量流控制器3 4 4〜 3 4 6的指示以及對壓力調整部3 2 8的指示等，根據製法來控制原料氣體的供給之開始和停止、原料氣體的流量以及反應管302內的壓力等。第1圖的氧化裝置3 2以及擴散裝置3 3 ，也爲分批式處理裝置；與C V D裝置3 1相同，係根據溫度感測器的測定値來推定晶圓W的溫度，而爲了使推定的晶圓溫度與製法所規定的溫度一致，控制加熱器等，來實行所希望的製程。控制電腦7，爲管理處理裝置3 1〜3 3以及測定裝置5全體的裝置；實行各裝置的運轉次數的管理、模型的更新（微調整）、製法的更新等的控制處理。參照第6圖來說明控制電腦7的構成例。控制電腦7 ，係由：控制部7 1、通訊部7 2、顯示部7 3、輸入部經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 4、裝置資料庫（D B ) 7 5、以及記憶部7 6所構成〇通訊部7 2，係經由與處理裝置3 1〜3 3以及測定裝置5之間的網路9來進行通訊。顯示部7 3 ，提供使用者關於此控制電腦的各種資訊。輸入部7 4，係用來將使用者的指令或資料等，輸入控制部7 1中。裝置資料庫（DB) 75，係由硬碟裝置等所構成；本紙國家標準 (〇奶）八4規格（210父297公釐） 14 591687 A7 _ B7 五、發明説明（^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於處理裝置3 1〜3 3，依處理裝置的種類，而記憶著管理表格，該表格登記著用來管理各裝置所必要的資料。管理表格，例如在C V D裝置3 1的情況，如第7圖所示，包含：裝置I D、總處理回數(裝置設置後的總處理實行回數）、模型校正後處理回數（校正前次模型之後的處理回數）、模型（該裝置中目前所儲存的模型）、製法校正後處理回數（校正前次製法之後的處理回數）、製法（該裝中目前所儲存的製法）、設定膜厚（想要形成的膜的厚度）等的資料。又，在C V D裝置3 1中，記憶著共通的基本模型（相同規格的裝置所共通的基本模型）和基本製法（相同規格的裝置，用來進行相同條件的成膜之共通的基本製法）。記憶部7 ’6 ，記憶控制部7 1的動作程式等；又，發揮作爲控制部7 1的運算區的功能。控制部7 1 ，根據在記憶部7 6中所記憶的控制程式來動作，管理處理系統1全體。特別是，在此實施形態中 ’控制部7 1 ，計算各處理裝置3 1〜3 3的處理實行次經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製數，爲了在每個規定的處理回數，能夠適切地實行處理，進行校正（修正）各裝置的模型和製法之處理。關於具體的內容，詳見後述。接著，說明處理系統1的動作。在構成此處理系統1的各裝置的設計階段等，根據各處理裝置3的構造和特性，設計基本模型。伹是，此基本模型，其設計規格爲在相同裝置中的共通模型；並沒有反本紙良^|§巧勢國家標準（〇奶）人4規格（210、/297公釐） -15- 591687 A7 B7 五、發明説明（^ 映出各裝置的實際構造或是動作使用環境的差異。因此，當將此基本模型照原樣地使用的情況，使用模型，所推定的晶圓溫度和實施的晶圓溫度之間，會有產生偏移的情況〇同樣的’在製程的設計階段等，爲了要得到作爲目標的處理結果（作爲目標的膜厚、膜質、元素濃度等），設計定義出在各處理裝置3中所應該實行的處理過程（製程 )的基本製法。但是，基本製法，係在設計上相同且進行相同的處理之裝置中的共通製法，並沒有反映出各裝置的實際構造或是動作使用環境的差異。因此，當將此基本模型照原樣地使用的情況，當將此基本模型照原樣地使用的情況’反映出各裝置的實際構造或是動作使用環境的差異。因此’當將此基本製法照原樣地使用的情況，、實際上所製造的膜或層的成分、厚度、元素濃度等，會產生偏移。因此’在處理系統1的導入等之時，爲了使推定的晶圓溫度和實際的晶圓溫度一致且能夠得到作爲目標的處理結果，如第8圖所示，依序校正各處理裝置3的基本模型和基本製法（適當地校正）。此校正處理，以C V D裝置3 1爲例來加以詳細地說明。首先，在事前，在控制電腦7的裝置資料庫（D B ) 7 5中，如第7圖所示，登記各CVD裝置3 1的裝置 I D ’作爲該C V D裝置3 1的模型以及製法，登記基本模型以及基本製法。而且，將總處理回數、模型校正後處理回數、製法校正後處理回數，設定爲〇。本紙國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |嫌_

、1T 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 -16- 591687 A7 ___ B7 五、發明説明（^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，參照第9圖來說明模型的校正順序。控制電腦 7的操作者，指定C V D裝置3 1的裝置I D和其種類，指示模型的校正處理的開始。響應此指示，控制部7 1從記憶部7 6讀出模型校正用的專用的製法（步驟S 1 1 1 )。接著，控制部7 1 ，將開始模型的校正處理的指示和校正用製法，傳送到校正對象的C V D裝置3 1 (步驟S 1 1 2 )。校正對象的 c V D裝置3 1 ，接收從控制電腦7來的指示和校正用製法，將所接收的校正用製法暫時地儲存在製法記憶部 4 1 2 b 中（步驟 S 1 1 3 )。處理擔任者，將晶圓收容在盒內，然後安置在C V D 裝置3 1的接受部中。C V D裝置3 1的控制部4 1 1 ，響應從控制電腦7來的指示，將晶圓W移載至晶圓螺桿 3 2 3 ’然後將此晶圓螺桿3 2 3安置在保溫筒3 2 5上〇接著，控制部4 1 1，根據被記憶在製法記憶部經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1 2 b中的校正用製法，實行製程（步驟s 1 1 4 )。具體而言，控制部4 1 1，讀取溫度感測器S i η 1〜 5 i η 5以及S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5的輸出以及傳給各電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値，根據模型（首次爲基本模型），推定各區域之晶圓W的溫度。進而，控制部 4 1 1 ，爲了使所推定的溫度與校正用製法所定義的溫度一致，調整傳送給各電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値。進而，控制部4 1 1 ，根據校正用製法，供給氣體，進 ^^^#^^國國家標準（〇奶）八4規格（210>< 297公釐） -17- 591687 A7 _B7____ 五、發明説明（^ 行成膜處理。. 一旦處理完成後（步驟s 1 1 5 ) ’控制部4 1 1通 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 知控制電腦7成膜已經完成（步驟S 1 1 6 )。控制電腦 7，接收通知，然後等待接收從測定裝置5來的測定値（步驟S 1 1 7 )。處理擔任者，從C V D裝置3 1取出處理完成的晶圓 W (步驟S 1 1 8 )。然後，將各區的晶圓W安置在測定裝置5中（步驟S118)，指定CVD裝置31的裝置 I D，來測量其膜厚。測定裝置5 _，附加上裝置I D，將所測定的膜厚通知控制電腦’ 7 (步驟S 1 1 9 )。控制電腦7的控制部7 1 ，比較被通知的測定膜厚和校正用製法之作爲目標的膜厚，根據比較結果，來修正登記在裝置資料庫（D B ) 7 5中的該C V D裝置用的模型 (步驟S 1 2 1 )。具體而言，當所測定的膜厚，比作爲目標的膜厚薄的情況，修正現在的模型來使推定溫度下降 ;而當所測定的膜厚，比作爲目標的膜厚更厚的情況，修正現在的模型來使推定溫度上升（適當地校正）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以如此的手段，比較根據校正用製法來實行處理所得到的膜厚和作爲目標的膜厚，然後根據其差異，調整模型而能夠推定出適當的溫度。控制部7 1 ，將校正後的模型，登記在裝置資料庫（DB) 7 5的該CVD裝置3 1的欄位中，同時傳送到校正對象的C V D裝置3 1中（步驟 s 1 2 2 ) 。c V D裝置3 1 ，接收校正後的模型，將該模型寫在模型記憶部4 1 2 a中（步驟S 1 2 3 )。國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 591687 A7 B7 五、發明説明（4 控制電腦7和C V D裝置3 1 ，藉由以規定回數，反覆進行如此的校正處理，將基本模型，校準成反映出各個裝置的特性的模型。再者，第2次以後的校正處理，係使用藉由前一回校正處理所校正的模型來進行。控制部7 1 ，當所形成的膜厚和預定膜厚的差異在規定標準以下時、以及反覆進行規定回數的校正處理之後，完成模型的校正處理，而轉移到製法的校正（適當地校正 )處理。接著，參照第1 0圖來說明關於製法的校正處理。控制電腦7的操作者，指定校正對象裝置，然後指定開始製法校正處理。響應該指定，控制電腦7的控制部7 1 ，對校正對象的CVD裝置31 ，傳送指示（步驟S211) 。C V D裝置3 1，接收從控制電腦7來的指示（步驟 S 2 1 2 ) ° 處理擔任者，將晶圓收容在盒內，然後安置在C V D 裝置3 1的接受部中。CVD裝置3 1 ，將晶圓W移載至晶圓螺桿3 2 3 ，然後將此晶圓螺桿3 2 3安置在保溫筒 3 2 5 上。接著，C V D裝置3 1根據被記憶在製法記憶部 4 1 2 b中的製法（初次爲基本製法），實行製程（步驟 5 2 1 3 )。具體而言，控制部4 1 1 ，讀取溫度感測器 S i nl〜S i n5以及Sou t 1〜Sou t 5的輸出以及傳給各電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値，根據模型，推定位於各區域中之晶圓W的溫度。進而，控制部中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 Γ 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 -19- 591687 A7 B7 五、發明説明（4 4 1 1 ，爲了使所推定的溫度與利用製法所規定的溫度一致，調整傳送給各電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 進而’控制部4 1 1 ，根據製法，供給氣體，進行成膜處理。一旦成膜處理完成後（步驟S 2 1 4 )，控制部 4 1 1通知控制電腦7成膜已經完成（步驟S 2 1 5 )。控制電腦7，接收通知，然後等待接收從測定裝置5來的測定結果（步驟S 2 1 6 )。应理擔任者’從CVD裝置31取出處理完成的晶圓 W，安置在測定裝置5中，然後輸入CVD裝置3 1的裝置I D。再者，膜厚的測定，關於分別從5個區域抽出的晶圓W，如第1 1圖所示，測量複數處例如9處的膜厚。測定裝置5 ，附加上被輸入的C V D裝置3 1的裝置 I D，將所測定的膜厚通知控制電腦7 (步驟S 2 1 8 ) 〇控制電腦7的控制部7 1 ，接收測定値，將該測定値經濟部智慧財產局員工消費合作社印製記憶在記憶部7 6中（步驟S 2 1 9 );接著，控制部 7 1 ，根據測定値來進行校正製法的處理（步驟s 2 2〇 )。再者，製法的校正手法本身，雖爲任意，但是在此實施形態中，係作成實行以下的校正處理。首先，求出在從5個區域抽出的晶圓W上所形成的膜的平均膜厚，爲了使平均膜厚與作爲目標的膜厚一致，來調整全部區域的製法所規定的溫度。例如，當平均膜厚，比作爲目標的膜厚薄的情況，提高全部區域的製法所規定本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 002573 -20- 591687 A7 _ B7 五、發明説明（^ 的處理溫度；而當平均膜厚，比作爲目標的膜厚更厚的情況，降低全部區域的製法所規定的處理溫度。接著，求出各區域的平均膜厚，爲了使平均膜厚與作爲目標的膜厚一致，來調整各區域的製法所規定的溫度。例如，當形成在某個區域的晶圓W上的膜的平均膜厚，比作爲目標的膜厚薄的情況，提高該區域用的製法所規定的處理溫度；而當平均膜厚，比作爲目標的膜厚更厚的情況，降低該區域用的製法所規定的處理溫度。接者’控制部’爲了減少形成在各區域的晶圓W上的膜的膜厚之面內的偏差，而調整製法。如前所述，對於第 2圖所示的裝置構成，當使晶圓W升溫的時候，晶圓中心部的溫度比周邊部的溫度高。另一方面，當使晶圓W降溫的時候，晶圓中心部的溫度比周邊部的溫度低。在成膜處理的情況，通常，若其他的條件相同，晶圓W的溫度越高則成膜越容易，形成厚膜。當在從某個區域抽出的晶圓W上所形成的膜，其周邊部厚而其中心部薄（杯型）的情況，若使晶圓W的周邊部的溫度，比形成該膜時的溫度低，來進行成膜處理，則可能形成厚度均勻的膜。爲此，只要變更成膜中（處理氣體供給中）的溫度變化率（在第5圖的處理氣體供給中的圖形的線之斜度）便可以。例如，在第5圖（a )的製法的情況，使處理氣體供給中的圖形的線之斜度從〇調整成負値；在第5圖（b )的製法的情況，使處理氣體供給中的圖形的線之斜度變大；而在第5圖（c )的製法的情況， ^^尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210父297公釐） _ ' 漁574 各 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .Li - --- - 經濟部智慧財產局D貝工消費合作社印製 591687 A7 B7 五、發明説明（4 使處理氣體供給中的圖形的線之斜度變小，以如此的方式來調整該區域用的溫度製法便可以。相反的，當在從某個區域抽出的晶圓W上所形成的膜的膜厚，其周邊部薄而其中心部厚（蓋型）的情況，若使晶圓w的周邊部的溫度，比形成該膜時的溫度高，來進行成膜處理，則可能形成厚度更均勻的膜。爲此，只要與上述相反地變更溫度變化率便可以。以如此的手段，控制部7 1 ，校正目前被收容在校正對象的C V D裝置3 1中的製法。控制部7 1 ，將校正後的製法，寫在裝置DB 7 5的該CVD裝置3 1用的製法儲存區域中來加以保存，同時傳送到校正對象的C V D裝置3 1中（步驟S 2 2 1 ) 。C V D裝置3 1的控制部 4 1 1，接收校正後的製法，將該製法寫在製法記憶部 412b中來加以保存（步驟S222)。反覆進行數次如此的製法校正處理，可以將全部 CVD裝置3 1所共通的基本製法，校準成反映出各個裝置的特性的製法。再者，第2次以後的校正處理，係使用藉由前一回校正處理所校正的製法來進行。控制部7 1 ，當所形成的膜厚和預定膜厚的差異在規定標準以下時、以及反覆進行規定回數的校正處理之後，完成製法的校正處理，將該完成的意旨從顯示部7 3通知操作者，經由網路9也通知校正完成的處理裝置3。處理裝置3，將該意旨顯示在操作面板4 1 4上，向處理擔任者報告校正已完成。根據上述，完成初期設定時的校正處張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -0^575 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-22- 591687 進行通常動作（例如，對製品經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（义理，然後，CVD裝置3 晶圓之成膜處理）。再者，以上的校正處理，對於複數台處理裝置3，能夠並列地實行。又，第1圖所示的處理系統1 ，當追加新的處理裝置3的時候，僅就所追加的處理裝置3，進行上述的校正處理。此時，其他的處理裝置3，能夠進行通常的動作。接著，參照第1 2圖來說明各處理裝置3進行通常動作時的處理系統1的動作。通常動作時，各處理裝置3的控制部4 1 1 ，當1回的處理完成，便通知控制電腦7，處理完成。控制電腦7的控制部7 1 ，響應處理完成的通知，將被記憶在裝置資料庫（D B ) 7 5的管理表格（第7圖）中的該裝置的總處理回數、模型校正後處理回數、以及製法校正後處理回數，分別加1 (步驟S 2 1 )。接著，控制部7 1 ’辨別模型校正後處理回數是否到達預定値（例如1 3回）（步驟S 2 2 )。當辨別到達預定回數的情況，控制部7 1 ，判斷該處理裝置的模型需要校正，而經由顯示部7 3，將其意旨通知操作者。以後的動作，基本上與第9圖所示之初期設定時的模型校正動作相同；控制電腦7，從記憶部7 6讀出校正對象之處理裝置3的校正用製法（步驟S 1 1 1 )，將應該開始模型的校正處理的指示和校正用製法，傳送到校正對本§^$^^國國家標準（〇奶）八4規格（210'乂297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-23- 591687 A7 B7 五、發明説明（2)| 象的處理裝置3 (步驟S 1 1 2 )。處理裝置3，接收從 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 控制電腦7來的指示和校正用製法，將校正用製法儲存在製法記憶部4 1 2 b中（步驟S 1 1 3 )。接著，校正對象的處理裝置3 ，根據被記憶在製法記憶部4 1 2 b中的校正用製法，實行成膜處理（步驟S 1 1 4 )。一旦成膜處理完成（步驟S 1 1 5 )，控制部4 1 1 ’將成膜處理完成之事，通知控制電腦7 (步驟S 1 1 6 )。控制電腦7，接收通知，等待接收從測定裝置來的測疋結果（步驟S 1 1 7 )。處理擔任者，將處理完成的晶圓W安置在測定裝置5 中，指定處理裝置3的裝置I D，來測量處理結果。測定裝置5，將所測定的膜厚和裝置I D，傳送給控制電腦7 (步驟 S 1 1 9 )。控制電腦7的控制部7 1 ，接收被傳送的膜厚（步驟’ S 1 2 0 )，實行模型的校正（步驟S 1 2 1 )。控制部 7 1 ，將校正後的模型，寫在裝置D B 7 5上的管理表格經濟部智慧財產局員工消費合作社印製內的該處理裝置3用的模型區域中，同時傳送到校正對象的處理裝置3 (步驟S122)。處理裝置3 ，接收校正後的模型，將該模型寫在模型記憶部4 1 2 a來加以保存。一旦以上的校正處理完成，控制電腦7，將被記錄在裝置D B 7 5中的管理表格的該處理裝置用的模型校正後處理回數的欄位，重設爲〇 (第1 2圖、步驟S 2 4 )。接著，控制部7 1 ，辨別被儲存在管理表格中的該裝本，國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 591687 A7 ___ B7 五、發明説明（置的製法校正後處理回數，是否到達規定値（步驟s 2 5 )° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 若未到達，控制部7 1照原樣地使對應此處理完成通知的處理完成。另一方面，一旦辨別出已到達，控制部 7 1 ’判斷該處理裝置3的製法需要修正，經由顯示部 7 3 ’將其意旨通知操作者。以後的動作，基本上與第1 〇圖所示之初期設定時的製法校正處理相同；控制電腦7的控制部7 1 ，將應該開始製法的校正處理的指示，傳送到校正對象的處理裝置3 (步驟 S 2 1 1 )。處理裝置3 1，接收從控制電腦7來的指示（步驟 S 2 1 2 );接著，根據被記憶在製法記憶部4 1 2 b中的校正對象的製法，實行製程（步驟S 2 1 3 )。一旦製程完成，控制部4 1 1 ，將成膜處理完成之事，通知控制電腦7 (步驟S 2 1 4 )。控制電腦，接收通知，等待接收從測定裝置5來的測定結果（步驟S 2 1 6 )° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製處理擔任者，將處理完成的晶圓W安置在測定裝置5 中，指定處理裝置3的裝置I D，來測量處理結果。測定裝置5，將所測定的膜厚和裝置I D，傳送給控制電腦7 (步驟S 2 1 8 )。再者，測定對象的晶圓W或是測定點的位置或個數，與初期設定時相同。控制部7 1 ，從管理表格讀出校正對象處理裝置3的現在的製法。然後，根據測定値，（1)爲了使全部晶圓W的 -25- 本紙巧户丨本if；%·"^國家標準（CNS ) M規格（21〇X297公釐 591687 A7 B7 五、發明説明（4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 平均膜厚能夠等於作爲目標的膜厚，來調整全部區域的製法；（2)爲了使各區域的晶圓W的平均膜厚能夠等於作爲目標的膜厚，來調整各區域的製法；（3)爲了能夠減少晶圓W 之間以及晶圓W內的膜厚的偏移，來調整各區域的製法（步驟S 2 2 0 )。以如此的手段，控制電腦7校正處理裝置3的製法，將該校正後的製法，寫在被記錄在裝置D B 7 5中的管理表格之該處理裝置用的製法儲存區域中來加以保存，同時傳送到校正對象的處理裝置3中（步驟S 2 2 1 )。處理裝置3，接收校正後的製法，將該製法儲存在製法記憶部中（步驟S 2 2 2 )。一旦以上的校正處理完成後，控制電腦7，將被記錄在裝置D B 7 5中的管理表格上的該裝置用的製法校正後處理回數的欄位，重設爲〇 (第1 2圖、步驟S 2 7 )。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如以上所說明，處理系統1 ，利用控制電腦7將複數台處理裝置3集中地管理。因此，管理處理與以往相比，大幅地效率化。又，將模型的校正、製法的校正等的處理負擔大的部分，藉由控制電腦7來加以負擔，可以使各處理裝置3的軟體構成以及硬體構成簡單化。進而，藉由進行前述的校正處理，適當地實行製程，能夠得到所希望的品質。本發明並不被限定於上述實施形態，可以做各種變化以及應用。例如，在上述實施形態中，係實行製程，根據該處理結果來校正模型。但是，例如也可以組合溫度感測本矣ή®國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 591687 Α7 Β7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 器，將仿真晶圓配置在各區域，直接求出各晶圓的溫度而加以記錄，爲了使此實測溫度與使用模型所推定的溫度能夠一致，來校正模型。又，在上述實施形態中，在每當進行規定回數的處理時，實行校正專用的製程，來校正模型和製法。但是，也可以一邊實行通常的處理，一邊調整模型或製法。例如，當進行通常的處理之際，也可以將組合有溫度感測器的仿真晶圓與製品晶圓一起配置在各區域中，直接求出各仿真晶圓的溫度，加以記錄；控制電腦7，爲了使使用模型所推定的溫度與實測溫度一致，而校正模型，在下次處理開始前，更新處理裝置3的模型。又，也可以做成將各區域的晶圓W，從在通常處理時被處理的製品中，作爲樣品加以抽出，測量樣品晶圓上的膜厚等，使用該測量値，控制電腦7校正模型，而在下次處理開始前，更新處理裝置3的模型或是製法。若根據此手段，不用停止處理裝置3，便可以校正模型或製法。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，在上述實施形態中，係利用控制電腦7來進行模型以及製法的校正處理，但是，也可以利用控制電腦7來實行其他的處理。例如，可以使控制電腦7具有在複數台處理裝置中所共通的運算處理功能。而且，如第1 3圖所示’處理擔任者，操作處理裝置3的操作面板4 1 4 (參照第4圖），若輸入一些資訊，則該資訊經由網路9 ，與裝置I D —同傳送到控制電腦7 (步驟S 3 1 1 )。控制電腦7根據輸入資訊的解析（步驟S 3 1 2 )或輸入資訊本狄國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一一 -27- 591687 A7 B7 經濟部智慈財產局：貝工消費合作社印製五、發明説明（2 ’進行處理（例如’裝置設定變更用的運算等的處理）（步驟S 3 1 3 )。該結果，回信給處理裝置3。在處理裝置3所收到的資料’係被利用在處理裝置3的控制變更或是控制等之中’而被顯示在操作面板4 1 4上。在此情況 ’也可以將各處理裝置的構成簡單化。又，處理擔任者，不用意識控制電腦，便能夠進行處理裝置的操作。在上述實施形態中，測定裝置5與處理裝置3係分開的裝置。但是，測定裝置5也可以被組合在各處理裝置3 中。若根據此構成，能夠將根據測定裝置5之被處理體的測定結果’從處理裝置3 ，經由網路9，傳送到控制電腦。又，當傳送處理結果之際，能夠將裝置I D自動地附加在該結果資料中，能夠更加地省力化。在上述實施形態中，作爲通訊媒體，係以網路9爲例 ’但是通訊手段的構成可以任意地組成；例如，也可以作成經由軟碟、快閃記憶體等的記錄媒體，在裝置之間，傳達資料或指示。在上述實施形態中，作爲被鴇理體，係以半導體晶圓爲例；被處理體，也可以爲液晶顯示元件或是P D P的玻璃基板等。【圖面之簡單說明】第1圖係表示關於本發明的實施形態的處理系統的構成之圖。第2圖係表示在第1圖中所示的C V D裝置的構成例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •嫌· 訂费量中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 591687 A7 __B7 五、發明説明（4 的圖。第3圖係表示反應管內的區域構成的圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖係表示在第2圖中所示的控制器的構成例的方塊圖。第5圖係表示溫度製法的例子的圖。第6圖係表示在第1圖中所示的控制電腦的構成例之方塊圖。第7圖係表示被儲存在第6圖的裝置D B中的管理表格之例子的圖。第8圖係用來說明系統初期引進時的校正程序的圖。第9圖係用來說明模型校正處理的圖。第1 0圖係用來說明製法校正處理的圖。第1 1圖係用來說明晶圓上的測定點的圖。第1 2圖係用來說明控制電腦，響應處理裝置完成處理時所輸出的處理完成通知，來進行處理的圖。第1 3圖係表示處理系統的其他動作例的圖。經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製【符號說明】 1 :處理系統 .3 :處理裝置 5 :測定裝置 7 :控制電腦 9 :網路 1 : c v D 裝置本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -29- 591687 A7 B7 五、發明説明（& 3 2 :氧化裝置 3 3 :擴散裝置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 1 :控制部 7 2 :通訊部 7 3 :顯示部 7 4 :輸入部 7 5 :裝置資料庫（D B ) 7 6 :記憶部 3〇2 :反應管 3 2 1 :歧管 3 2 3 :晶圓螺桿 3 2 5 :保溫筒 3 2 7 :排氣管 3 2 8 :壓力調整部 331〜335:加熱器 336〜340:電力控制器 3 4 1、3 4 2、3 4 3 :氣體供給管經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4 4、3 4 5、3 4 6 :質量流控制器 4〇0 :控制器 4 1 1 :控制部 4 1 2 :記憶部 4 1 2 a :模型記憶部 4 1 2 b :製法記憶部 ‘ 4 1 2 c :程式記憶部用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 591687 A7 B7 五、發明説明（^ 4 1 2 d :運算區 4 1 3 : I /〇埠 4 5 1± 1± 4 4 板面部作訊操通 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A

釐公 7 9 2 X 3

Claims

591687 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1 1 . 一種處理系統，其特徵爲具備： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 複數台處理裝置，這些裝置分別具備：處理被處理體的處理手段、儲存用來控制前述處理手段的控制資訊之記憶手段、以及根據前述控制資訊來控制前述處理手段的控制手段；以及具有校正手段的電腦，該電腦係與前述複數台處理裝置分開地設置，構成能夠經由通訊媒體，在與前述各處理裝置之間，進行包含前述控制資訊之資訊的通訊；而且，根據被輸入此電腦中之藉由前述處理裝置所產生的被處理體的處理結果，來校正用來控制該處理裝置的前述控制資訊。 2 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前述各處理裝置的控制手段，係經由前述通訊媒體，接收藉由前述電腦的校正手段而校正後的控制資訊，儲存在前述· 記憶手段中，構成可以根據校正後的控制資訊來實行處理〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前述電腦，具有將對應被儲存在各處理裝置的記憶手段中的前述控制資訊之控制資訊，加以儲存的記憶手段；前述電腦，係構成：當校正用來控制前述複數台的處理裝置之中的其中之一的處理裝置的控制資訊時，可以實行丨從前述電腦的記憶手段，取出被儲存在前述電腦的記憶手段中的用來控制前述一台的處理裝置的控制資訊的步本紙在國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） 32- 591687 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍2 驟； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將此取出的控制資訊，根據前述一台的處理裝置所產生的被處理體的處理結果，藉由前述校正手段來校正的步驟；將此校正後的控制資訊，儲存在前述電腦的記憶手段中的步驟；以及將前述校正後的控制資訊，經由前述通訊媒體，傳送到前述一台的處理裝置中，使其記憶在前述處理裝置的記憶手段中的步驟。 · 4 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中更具備測定根據前述處理裝置所產生的處理結果的測定裝置前述電腦，構成能夠經由前述通訊媒體，在與前述測定裝置之間，進行資訊通訊； S丨J述處理結果5係經由則述通訊媒體’被輸入前述電腦。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前述各處理裝置的前述處理手段，具有：其內部收容被處理體並且將其加熱的加熱爐、以及設置在加熱爐中的複數個溫度感測器；前述控制資訊，包含：用來根據前述溫度感測器的輸出，來推定前述被處理體的溫度的模型；以及規定前述被處理體之處理中的溫度變化的製法；前述處理裝置的記憶手段，記憶前述模型以及前述製 _^〇rf)3G_ — 本紙張尺度適用+國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 591687 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3 法； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述處理裝置的控制手段，根據前述溫度感測器的輸出，使用被記憶在前述記憶手段中的模型，來推定前述加熱爐內的被處理體的溫度；而根據此被推定的溫度，爲了使前述被處理體的溫度能夠與被記憶在前述記憶手段中的製法所規定的溫度一致，來控制前述加熱爐。 6 ·如申請專利範圍第5項所述的處理系統，其中前述電腦，係構成：當校正用來控制前述複數台的處理裝置之中的其中之一的處理裝置的模型時，可以實行：、將用來校正前述模型的製法，傳送到前述一台處理裝置中的傳送步驟；在前述一台處理裝置中，根據用來校正前述模型的製法，實行被處理體的處理的步驟；以及根據前述被處理體的處理結果，藉由前述校正手段來. 校正前述模型的步驟。 7 ·如申請專利範圍第6項所述的處理系統，其中前述電腦，係根據處理中的被處理體的實際溫度的測定結果經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製，來校正前述模型。 8 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前述各處理裝置，將被處理體的處理完成之事，通知前述電腦；前述電腦，根據前述通知，計算各處理裝置的處理回數；處理回數，係構成在前回的校正處理後，每到達規定回數，便可以實行前述控制資訊的校正。 9 ·如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前關家料（CNS ) ( 21GX297公*7 -34- 591687 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 述處理裝置，具備向電腦請求資料處理的手段；前述電腦，具有：應從前述處理裝置所接收到的前述請求’實行資料處理，而將該資料處理的結果傳送到前述處理裝置中的手段；前述處理裝置，具有：接收從前述電腦傳送出來的資料處理的結果，根據前述所接收到的處理結果，來動作的手段。 1 ◦•如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前述各處理裝置，包含：測量藉由該處理裝置所產生的被處理體的處理結果的測定手段；藉由前述測定手段所測定的測定結果，經由前述通訊媒體，從前述處理裝置，可以傳送到前述電腦。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S S 5 C“ ο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35-