TW591687B - Processing system - Google Patents

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591687 A7 ______B7 五、發明説明（彳） 【發明所屬之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於處理半導體晶圓等的被處理體之控制裝 置的控制系統和控制方法；特別是關於可以單一管理多數 個處理裝置的控制系統和控制方法。 【發明的背景】 爲了對半導體晶圓的表面，進行成膜以及摻質（dopant) 的擴散等的各種處理，而使用半導體處理裝置。習知的半 導體處理裝置，以獨立操作型爲主流。在設置複數台獨立 操作型的處理裝置的工廠中，各裝置係根據被儲存在各裝 置的控制器中的控制程式以及控制資料，個別地被控制。 又，各裝置的維護也個別地進行。 已知有經由網路將複數台處理裝置連接到控制用電腦 ’而藉由該電腦來控制複數台裝置的手段。但是，控制用 電腦，僅係單純地對各處理裝置發出指令。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，各處理裝置，需要重複地具備擁有高度運算處 理功能的控制器；裝置成本變高。又，半導體製造裝置， 需要定期地進行控制器等的維護（特別是校正）。但是， 由於需要將各個裝置個別地維護，需要花費大量的勞力和 時間。 【發明的揭示】 本發明係爲了解決上述課題而開發出來，係以有效率 地控制複數台處理裝置爲目的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'乂297公釐） 0C2558 -4- 591687 A7 B7 五、發明説明（2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明的第2目的，在於藉由減少被設置在各處理裝 置中的控制手段的負擔，使控制手段的構成簡單化；藉由 此手段，來減少包含複數台處理裝置的處理系統之全體裝 置成本以及使用成本。 爲了達成上述目的，本發明係藉由將習知的處理裝置 的控制手段所具備的運算處理功能中的一部分功能，特別 是需要高度運算處理能力的功能，由與處理裝置分開設置 的控制用電腦來擔任，實現降低各控制裝置的負擔。 本發明，提供一種處理系統，其特徵爲具備： 複數台處理裝置，這些裝置分別具備：處理被處理體 的處理手段、儲存用來控制前述處理手段的控制資訊之記 憶手段、以及根據前述控制資訊來控制前述處理手段的控 制手段；以及 經濟部智慈財產局S工消費合作社印製 具有校正手段的電腦，該電腦係與前述複數台處理裝 置分開地設置，構成能夠經由通訊媒體，在與前述各處理 裝置之間，進行包含前述控制資訊之資訊的通訊；而且， 根據被輸入此電腦中之藉由前述處理裝置所產生的被處理 體的處理結果，來校正用來控制該處理裝置的前述控制資 訊。 針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置的控 制手段，係經由前述通訊媒體，接收藉由前述電腦的校正 手段而校正後的控制資訊，儲存在前述記憶手段中，構成 可以根據校正後的控制資訊來實行處理。 針對一個適宜的實施形態，其中前述電腦，具有將對 DC：5u3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591687 A7 B7 五、發明説明（3) 應被儲存在各處理裝置的記憶手段中的前述控制資訊之控 制資訊，加以儲存的記憶手段； 前述電腦，係構成··當校正用來控制前述複數台的處 理裝置之中的其中之一的處理裝置的控制資訊時，可以實 行： 從前述電腦的記憶手段，取出被儲存在前述電腦的記 憶手段中的用來控制前述一台的處理裝置的控制資訊的步 驟； 將此取出的控制資訊，根據前述一台的處理裝置所產 生的被處理體的處理結果，藉由前述校正手段來校正的步 驟； 將此校正後的控制資訊，儲存在前述電腦的記憶手段 中的步驟；以及 將前述校正後的控制資訊，經由前述通訊媒體，傳送 到前述一台的處理裝置中，使其記憶在前述處理裝置的記 憶手段中的步驟。 針對一個適宜的實施形態，其中更具備測定根據前述 處理裝置所產生的處理結果的測定裝置； 前述電腦，構成能夠經由前述通訊媒體，在與前述測 定裝置之間，進行資訊通訊； _述處理結果’係經由則述通訊媒體，被輸入前述電 月i 。 針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置的前 述處理手段，具有··其內部收容被處理體並且將其加熱的 1银&(^廉褢愚男_國家標準（〇奶）人4規格（210/297公釐) * — -6 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

591687 A7 __B7 五、發明説明（4) 加熱爐、以及設置在加熱爐中的複數個溫度感測器； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述控制資訊，包含：用來根據前述溫度感測器的輸 出’來推定前述被處理體的溫度的模型；以及規定前述被 處理體之處理中的溫度變化的製法； 前述處理裝置的記憶手段，記憶前述模型以及前述製 法； 前述處理裝置的控制手段，根據前述溫度感測器的輸 出’使用被S彳思在述記憶手段中的模型，來推定前述加 熱爐內的被處理體的溫度；而根據此被推定的溫度，爲了 使前述被處理體的溫度能夠與被記憶在前述記憶手段中的 製法所規定的溫度一致，來控制前述加熱爐。 針對一個適宜的實施形態，其中前述電腦，係構成： 當校正用來控制前述複數台的處理裝置之中的其中之一的 處理裝置的模型時，可以實行： 將用來校正前述模型的製法，傳送到前述一台處理裝 置中的傳送步驟； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在前述一台處理裝置中，根據用來校正前述模型的製 法，實行被處理體的處理的步驟；以及 根據則述被處理體的處理結果’藉由則述校正手段來 校正前述模型的步驟。 針對一個適宜的實施形態，其中前述電腦，係根據處 理中的被處理體的實際溫度的測定結果，來校正前述模型 〇 針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置，將 本^^^^0^國國家標準（匸奶）人4規格（21(^297公釐） - " -7- 591687 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5) 被處理體的處理完成之事，通知前述電腦；前述電腦，根 據前述通知，計算各處理裝置的處理回數；處理回數，係 構成在前回的校正處理後，每到達規定回數，便可以實行 前述控制資訊的校正。 針對一個適宜的實施形態，其中前述處理裝置，具備 向電腦請求資料處理的手段； 前述電腦，具有：應從前述處理裝置所接收到的前述 請求，實行資料處理，而將該資料處理的結果傳送到前述 處理裝置中的手段； 前述處理裝置，具有：接收從前述電腦傳送出來的資 料處理的結果，根據前述所接收到的處理結果，來動作的 手段。 針對一個適宜的實施形態，其中前述各處理裝置，包 含：測量藉由該處理裝置所產生的被處理體的處理結果的 測定手段； 藉由前述測定手段所測定的測定結果，經由前述通訊 媒體’從前述處理裝置，可以傳送到前述電腦。 【本發明之實施形態】 以下，說明關於本發明的處理系統1 。如第1圖所示 •’處理系統1 ，爲半導體處理系統；是由：複數台的處理 裝置3、複數（j )台的測定裝置5 ( 5 i〜5 d 、控制 «腦7 '以及將這些設備連接起來的網路（L A N ) 9所 構成。在典型的實施形態中，處理系統係被設置在一個半 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-8- 591687 A7 五、發明説明（6) 制電腦7也可以設置 台的 C V D (Chemical 31η)、複數（m) 、以及複數（1 )台 圖號旁的標示，係表 導體製造工廠的建築物內。但是， 在離開前述建築物的場所。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 處理裝置3，包含：複數（η Vapor Deposition)裝置 3 1 ( 3 1 1 台的氧化裝置32 (32i〜32m 的擴散裝置33 (33i〜33i) 示裝置號碼。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 各CVD裝置31 (Sli-Sln)，具有實質上相 同的構成；分別收容半導體晶圓等的被處理體，在被處理 體上，由CVD來進行成膜處理。各氧化裝置32 (3 〜3 2 m )，具有實質上相同的構成，將半導體晶圓等的 被處理體的表面區域，進行氧化的處理。各擴散裝置3 3 (33i〜33i)，具有實質上相同的構成，在半導體晶 圓等的被處理體的表面區域上，進行使不純物擴散（摻雜 )的處理。測定裝置5 ( 5 i〜5』），將形成在被處理體 上的膜的膜厚以及被包含在擴散區域中的規定元素的濃度 等的被處理體的處理結果，顯示出來而進行各種數値的測 定。 參考第2圖來說明CVD裝置3 1的構成。CVD裝 置3 1 ，爲分批式處理的裝置。CVD裝置3 1 ，具有由 內管3 0 2 a和外管3 0 2 b所組成的雙重管構造的反應 管3 0 2。在反應管3 0 2的下側，設置金屬性的筒狀歧 管 3 2 1。 在反應管3 0 2內，多數枚，例如1 5 0枚的半導體 本紙§芒度國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 -9 - 591687 Α7 Β7 五、發明説明（7) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶圓W (亦即被處理體），在水平狀態下，上下隔開間隔 地被承載在晶圓螺桿3 2 3上。此晶圓螺桿3 2 3，係經 由保溫筒325，而被保持在蓋體324上。 在反應管3 0 2的周圍，於上下方向的相異位置，配 置5個加熱器331〜335。加熱器331〜335， 藉由電力控制器3 3 6〜3 4 0，分別獨立地被供給電力 而可以獨立地控制。依據反應管3 0 2、歧管3 2 1、加 熱器3 31〜3 3 5來構成加熱爐。如第3圖所示，反應 管3 0 2，被區分成分別對應各加熱器3 3 1〜3 3 5的 5個區域。 如第2圖所示，在歧管3 2 1上，配置將氣體供應到 內管302a內的3根氣體供給管341、342、 3 4 3。各氣體供給管3 4 1 、3 4 2、3 4 3中，經由 質量流控制器（M F C ) 3 4 4、3 4 5、3 4 6，分別 經濟部智慧財產局®工消費合作社印製 被供應二氯矽烷、氨、氮氣等的成膜用的處理氣體（原料 氣體）以及運載氣體。進而，在歧管3 2 1上，爲了能經 由內管3 0 2 a和外管3 0 2 b之間的間隙來使反應管 3 0 2排氣，而連接排氣管3 2 7。排氣管3 2 7，係經 由壓力調整部3 2 8等，而被連接到真空泵。 在內管3 0 2 a的內面，配置往垂直方向排成一列的 5個溫度感測器（熱電偶）S i η 1〜S i η 5。各溫度 感測器S i η 1〜S i η 5，爲了防止晶圓W的金屬污染 ，利用石英管（未圖示）等加以保護。溫度感測器 S i η 1〜S i η5，分別被配置在第3圖所不的5個區 -10- 591687 A7 B7 五、發明説明（8) 域中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在外管3 0 2 b的外面，也配置往垂直方向排成一列 的5個溫度感測器（熱電偶）S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5。 溫度感測器S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5，也分別被配置在第 3圖所示的5個區域中。 CVD裝置3 1 ，具備用來控制反應管3 0 2內的處 理氣氛的溫度、氣體流量以及壓力等的處理參數之控制器 4〇0。控制器4 0 0，接收溫度感測器S i η 1〜 S 1 η 5和S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5的輸出訊號，而對加 熱器33 1〜3 35的電力控制器336〜340、壓力 調整部3 2 8、質量流控制器3 4 4〜3 4 6 ，輸出控制 訊號。 參照第4圖來詳細地說明控制器4 0 0的構成。如圖 所示，控制器4 0 0，係由：控制部4 1 1、記憶部 4 1 2、I / ◦埠4 1 3、操作面板4 1 4、以及通訊部 4 1 5所構成。 記憶部4 1 2 ，係由：R A Μ、R〇Μ、快閃式記憶 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 體以及碟片記憶裝置等所構成；具備：模型記憶部4 1 2 a '製法記憶部4 1 2 b、程式記憶部4 1 2 c以及運算 區 4 1 2 d。 模型記憶部4 1 2 a，根據溫度感測器s i n 1〜 5 1 η 5以及S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5的輸出訊號（測定 溫度）以及傳到電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値（對 應電力控制器3 3 6〜3 4 0供應給加熱器3 3 1〜 本蛾着國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 591687 A7 B7 五、發明説明（9) 3 3 5的電力的値），推定（計算）出被配置在各區域的 晶圓W的溫度；進而，爲了把被推定的溫度作爲目標値， 記憶求出應該供應給加熱器3 3 1〜3 3 5的電力之模型 (數學模型；高次、多次元函數）。作爲此模型，例如可 以利用在美國專利第5 5 1 7 5 9 4號公報中所揭示者。 製法記憶部4 1 2 b，記憶根據在C V D裝置3 1中 所實行的成膜處理的種類而決定控制順序的製程處方。各 製程處方，包含：以處理對象即晶圓W所應經過的溫度變 化爲目標的溫度製法，此溫度製法’能夠以第5圖（a ) 〜（c )所不的溫度-時間曲線來表現。通常的分批式處 理裝置的情況，就全部的晶圓W，準備一個溫度製法。相 對於此，在本實施形態中，爲了使 圓的面內，處理結果能成爲均勻 域，準備預先調整過的溫度製法。 在晶圓W之間以及各晶 對第3圖所示的每個區 第5圖（a )係表示用來一邊將晶圓w的溫度維持一 定，一邊實行成膜處理的溫度製法的例子。第5圖（b ) 係表示用來一邊使晶圓W的溫度下降，一邊實行成膜處理 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的溫度製法的例子。第5圖（c )係表示用來一邊使晶圓 W的溫度上升，一邊實行成膜處理的溫度製法 據第5圖（a )所示的製法，藉由一邊將晶圓 持一定 邊實行成膜處理，能夠在使晶圓W 持在大致相同的溫度之狀態下，進行成膜處理 邊使晶圓W w的中心部 第5圖（b )所示的製法，藉由一 ，一邊實行成膜處理，能夠在晶圓 的例子。根 W的溫度維 的整個面維 。又，根據 的溫度下降 的溫度比周 國國家標準 (〇刚八4規格（210'/297公釐） 12- 591687 A7 _ B7 五、發明説明（4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 邊部的溫度高的狀態下，進行成膜處理。另一方面，根據 第5圖（c )所示的製法，藉由一邊使晶圓W的溫度上升 ，一邊實行成膜處理，能夠在晶圓W的中心部的溫度比周 邊部的溫度低的狀態下，進行成膜處理。 程式記憶部4 1 2 c，記憶控制部4 1 1的動作、控 制程式等的程式。運算區4 ]_ 2 d，係作爲控制部4 1 1 的運算區等，而發揮其功能。 I /〇埠4 1 3 ，將溫度感測器S i η 1〜S 1 η 5 以及S o u t 1〜S o u t 5的測量訊號傳送到控制部 4 1 1 ，同時將控制部4 1 1所輸出的控制訊號，輸出到 電力控制器3 3 6〜3 4 0、質量流控制器3 4 4〜 346、以及壓力調整部328等。又，操作面板414 連接到I /〇埠4 1 3。操作面板4 1 4，具備顯示部和 操作部，經由I / ◦埠4 1 3 ，顯示出控制部4 1 1所提 供的影像、將使用者的指令傳到控制部4 1 1。 通訊部4 1 5，係經由網路9，進行C V D裝置3 1 和控制電腦7之間的通訊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 控制部4 1 1具備處理器，根據被記憶在程式記憶部 4 1 2 c中的動作、控制程式來動作。具體而言，控制部 4 1 1，讀取溫度感測器Sinl〜Sin5、Soutl〜Sout5的輸出 値以及傳給電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値（對應供 給加熱器3 3 1〜3 3 5的電力的値）、應用被記憶在模 型記憶部4 1 2 a中的模型，將各區域的晶圓W的溫度， 以一定時間間隔來加以推定、或是實質上以即時模式來加 本紙肜麵國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 591687 A7 B7 五、發明説明（d 以推定。進而，控制部4 1 1 ，爲了使推定的溫度與被言己 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 憶在製法記憶部4 1 2 b中的溫度製法所指示的値一致， 而對電力控制器3 3 6〜3 4 0指示供給電力。 又，控制部4 1 1，也進行對質量流控制器3 4 4〜 3 4 6的指示以及對壓力調整部3 2 8的指示等，根據製 法來控制原料氣體的供給之開始和停止、原料氣體的流量 以及反應管302內的壓力等。 第1圖的氧化裝置3 2以及擴散裝置3 3 ，也爲分批 式處理裝置；與C V D裝置3 1相同，係根據溫度感測器 的測定値來推定晶圓W的溫度，而爲了使推定的晶圓溫度 與製法所規定的溫度一致，控制加熱器等，來實行所希望 的製程。 控制電腦7，爲管理處理裝置3 1〜3 3以及測定裝 置5全體的裝置；實行各裝置的運轉次數的管理、模型的 更新（微調整）、製法的更新等的控制處理。 參照第6圖來說明控制電腦7的構成例。控制電腦7 ，係由：控制部7 1、通訊部7 2、顯示部7 3、輸入部 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 4、裝置資料庫（D B ) 7 5、以及記憶部7 6所構成 〇 通訊部7 2，係經由與處理裝置3 1〜3 3以及測定 裝置5之間的網路9來進行通訊。顯示部7 3 ，提供使用 者關於此控制電腦的各種資訊。輸入部7 4，係用來將使 用者的指令或資料等，輸入控制部7 1中。 裝置資料庫（DB) 75，係由硬碟裝置等所構成； 本紙 國家標準 (〇奶）八4規格（210父297公釐） 14 591687 A7 _ B7 五、發明説明（^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於處理裝置3 1〜3 3，依處理裝置的種類，而記憶著 管理表格，該表格登記著用來管理各裝置所必要的資料。 管理表格，例如在C V D裝置3 1的情況，如第7圖所示 ，包含：裝置I D、總處理回數(裝置設置後的總處理實 行回數）、模型校正後處理回數（校正前次模型之後的處 理回數）、模型（該裝置中目前所儲存的模型）、製法校 正後處理回數（校正前次製法之後的處理回數）、製法（ 該裝中目前所儲存的製法）、設定膜厚（想要形成的膜的 厚度）等的資料。又，在C V D裝置3 1中，記憶著共通 的基本模型（相同規格的裝置所共通的基本模型）和基本 製法（相同規格的裝置，用來進行相同條件的成膜之共通 的基本製法）。 記憶部7 ’6 ，記憶控制部7 1的動作程式等；又，發 揮作爲控制部7 1的運算區的功能。 控制部7 1 ，根據在記憶部7 6中所記憶的控制程式 來動作，管理處理系統1全體。特別是，在此實施形態中 ’控制部7 1 ，計算各處理裝置3 1〜3 3的處理實行次 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 數，爲了在每個規定的處理回數，能夠適切地實行處理， 進行校正（修正）各裝置的模型和製法之處理。關於具體 的內容，詳見後述。 接著，說明處理系統1的動作。 在構成此處理系統1的各裝置的設計階段等，根據各 處理裝置3的構造和特性，設計基本模型。伹是，此基本 模型，其設計規格爲在相同裝置中的共通模型；並沒有反 本紙良^|§巧勢國家標準（〇奶）人4規格（210、/297公釐） -15- 591687 A7 B7 五、發明説明（^ 映出各裝置的實際構造或是動作使用環境的差異。因此， 當將此基本模型照原樣地使用的情況，使用模型，所推定 的晶圓溫度和實施的晶圓溫度之間，會有產生偏移的情況 〇 同樣的’在製程的設計階段等，爲了要得到作爲目標 的處理結果（作爲目標的膜厚、膜質、元素濃度等），設 計定義出在各處理裝置3中所應該實行的處理過程（製程 )的基本製法。但是，基本製法，係在設計上相同且進行 相同的處理之裝置中的共通製法，並沒有反映出各裝置的 實際構造或是動作使用環境的差異。因此，當將此基本模 型照原樣地使用的情況，當將此基本模型照原樣地使用的 情況’反映出各裝置的實際構造或是動作使用環境的差異 。因此’當將此基本製法照原樣地使用的情況，、實際上所 製造的膜或層的成分、厚度、元素濃度等，會產生偏移。 因此’在處理系統1的導入等之時，爲了使推定的晶 圓溫度和實際的晶圓溫度一致且能夠得到作爲目標的處理 結果，如第8圖所示，依序校正各處理裝置3的基本模型 和基本製法（適當地校正）。 此校正處理，以C V D裝置3 1爲例來加以詳細地說 明。首先，在事前，在控制電腦7的裝置資料庫（D B ) 7 5中，如第7圖所示，登記各CVD裝置3 1的裝置 I D ’作爲該C V D裝置3 1的模型以及製法，登記基本 模型以及基本製法。而且，將總處理回數、模型校正後處 理回數、製法校正後處理回數，設定爲〇。 本紙國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |嫌_

、1T 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 -16- 591687 A7 ___ B7 五、發明説明（^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，參照第9圖來說明模型的校正順序。控制電腦 7的操作者，指定C V D裝置3 1的裝置I D和其種類， 指示模型的校正處理的開始。 響應此指示，控制部7 1從記憶部7 6讀出模型校正 用的專用的製法（步驟S 1 1 1 )。接著，控制部7 1 ， 將開始模型的校正處理的指示和校正用製法，傳送到校正 對象的C V D裝置3 1 (步驟S 1 1 2 )。校正對象的 c V D裝置3 1 ，接收從控制電腦7來的指示和校正用製 法，將所接收的校正用製法暫時地儲存在製法記憶部 4 1 2 b 中（步驟 S 1 1 3 )。 處理擔任者，將晶圓收容在盒內，然後安置在C V D 裝置3 1的接受部中。C V D裝置3 1的控制部4 1 1 ， 響應從控制電腦7來的指示，將晶圓W移載至晶圓螺桿 3 2 3 ’然後將此晶圓螺桿3 2 3安置在保溫筒3 2 5上 〇 接著，控制部4 1 1，根據被記憶在製法記憶部 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1 2 b中的校正用製法，實行製程（步驟s 1 1 4 )。 具體而言，控制部4 1 1，讀取溫度感測器S i η 1〜 5 i η 5以及S 〇 u t 1〜S 〇 u t 5的輸出以及傳給各 電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値，根據模型（首次爲 基本模型），推定各區域之晶圓W的溫度。進而，控制部 4 1 1 ，爲了使所推定的溫度與校正用製法所定義的溫度 一致，調整傳送給各電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値 。進而，控制部4 1 1 ，根據校正用製法，供給氣體，進 ^^^#^^國國家標準（〇奶）八4規格（210>< 297公釐） -17- 591687 A7 _B7____ 五、發明説明（^ 行成膜處理。. 一旦處理完成後（步驟s 1 1 5 ) ’控制部4 1 1通 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 知控制電腦7成膜已經完成（步驟S 1 1 6 )。控制電腦 7，接收通知，然後等待接收從測定裝置5來的測定値（ 步驟S 1 1 7 )。 處理擔任者，從C V D裝置3 1取出處理完成的晶圓 W (步驟S 1 1 8 )。然後，將各區的晶圓W安置在測定 裝置5中（步驟S118)，指定CVD裝置31的裝置 I D，來測量其膜厚。測定裝置5 _，附加上裝置I D，將 所測定的膜厚通知控制電腦’ 7 (步驟S 1 1 9 )。 控制電腦7的控制部7 1 ，比較被通知的測定膜厚和 校正用製法之作爲目標的膜厚，根據比較結果，來修正登 記在裝置資料庫（D B ) 7 5中的該C V D裝置用的模型 (步驟S 1 2 1 )。具體而言，當所測定的膜厚，比作爲 目標的膜厚薄的情況，修正現在的模型來使推定溫度下降 ;而當所測定的膜厚，比作爲目標的膜厚更厚的情況，修 正現在的模型來使推定溫度上升（適當地校正）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以如此的手段，比較根據校正用製法來實行處理所得 到的膜厚和作爲目標的膜厚，然後根據其差異，調整模型 而能夠推定出適當的溫度。控制部7 1 ，將校正後的模型 ，登記在裝置資料庫（DB) 7 5的該CVD裝置3 1的 欄位中，同時傳送到校正對象的C V D裝置3 1中（步驟 s 1 2 2 ) 。c V D裝置3 1 ，接收校正後的模型，將該 模型寫在模型記憶部4 1 2 a中（步驟S 1 2 3 )。 國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 591687 A7 B7 五、發明説明（4 控制電腦7和C V D裝置3 1 ，藉由以規定回數，反 覆進行如此的校正處理，將基本模型，校準成反映出各個 裝置的特性的模型。再者，第2次以後的校正處理，係使 用藉由前一回校正處理所校正的模型來進行。 控制部7 1 ，當所形成的膜厚和預定膜厚的差異在規 定標準以下時、以及反覆進行規定回數的校正處理之後， 完成模型的校正處理，而轉移到製法的校正（適當地校正 )處理。 接著，參照第1 0圖來說明關於製法的校正處理。控 制電腦7的操作者，指定校正對象裝置，然後指定開始製 法校正處理。響應該指定，控制電腦7的控制部7 1 ，對 校正對象的CVD裝置31 ，傳送指示（步驟S211) 。C V D裝置3 1，接收從控制電腦7來的指示（步驟 S 2 1 2 ) ° 處理擔任者，將晶圓收容在盒內，然後安置在C V D 裝置3 1的接受部中。CVD裝置3 1 ，將晶圓W移載至 晶圓螺桿3 2 3 ，然後將此晶圓螺桿3 2 3安置在保溫筒 3 2 5 上。 接著，C V D裝置3 1根據被記憶在製法記憶部 4 1 2 b中的製法（初次爲基本製法），實行製程（步驟 5 2 1 3 )。具體而言，控制部4 1 1 ，讀取溫度感測器 S i nl〜S i n5以及Sou t 1〜Sou t 5的輸出 以及傳給各電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値，根據模 型，推定位於各區域中之晶圓W的溫度。進而，控制部 中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 Γ 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 -19- 591687 A7 B7 五、發明説明（4 4 1 1 ，爲了使所推定的溫度與利用製法所規定的溫度一 致，調整傳送給各電力控制器3 3 6〜3 4 0的指示値。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 進而’控制部4 1 1 ，根據製法，供給氣體，進行成膜處 理。 一旦成膜處理完成後（步驟S 2 1 4 )，控制部 4 1 1通知控制電腦7成膜已經完成（步驟S 2 1 5 )。 控制電腦7，接收通知，然後等待接收從測定裝置5來的 測定結果（步驟S 2 1 6 )。 应理擔任者’從CVD裝置31取出處理完成的晶圓 W，安置在測定裝置5中，然後輸入CVD裝置3 1的裝 置I D。再者，膜厚的測定，關於分別從5個區域抽出的 晶圓W，如第1 1圖所示，測量複數處例如9處的膜厚。 測定裝置5 ，附加上被輸入的C V D裝置3 1的裝置 I D，將所測定的膜厚通知控制電腦7 (步驟S 2 1 8 ) 〇 控制電腦7的控制部7 1 ，接收測定値，將該測定値 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 記憶在記憶部7 6中（步驟S 2 1 9 );接著，控制部 7 1 ，根據測定値來進行校正製法的處理（步驟s 2 2〇 )。再者，製法的校正手法本身，雖爲任意，但是在此實 施形態中，係作成實行以下的校正處理。 首先，求出在從5個區域抽出的晶圓W上所形成的膜 的平均膜厚，爲了使平均膜厚與作爲目標的膜厚一致，來 調整全部區域的製法所規定的溫度。例如，當平均膜厚， 比作爲目標的膜厚薄的情況，提高全部區域的製法所規定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 002573 -20- 591687 A7 _ B7 五、發明説明（^ 的處理溫度；而當平均膜厚，比作爲目標的膜厚更厚的情 況，降低全部區域的製法所規定的處理溫度。 接著，求出各區域的平均膜厚，爲了使平均膜厚與作 爲目標的膜厚一致，來調整各區域的製法所規定的溫度。 例如，當形成在某個區域的晶圓W上的膜的平均膜厚，比 作爲目標的膜厚薄的情況，提高該區域用的製法所規定的 處理溫度；而當平均膜厚，比作爲目標的膜厚更厚的情況 ，降低該區域用的製法所規定的處理溫度。 接者’控制部’爲了減少形成在各區域的晶圓W上的 膜的膜厚之面內的偏差，而調整製法。如前所述，對於第 2圖所示的裝置構成，當使晶圓W升溫的時候，晶圓中心 部的溫度比周邊部的溫度高。另一方面，當使晶圓W降溫 的時候，晶圓中心部的溫度比周邊部的溫度低。在成膜處 理的情況，通常，若其他的條件相同，晶圓W的溫度越高 則成膜越容易，形成厚膜。 當在從某個區域抽出的晶圓W上所形成的膜，其周邊 部厚而其中心部薄（杯型）的情況，若使晶圓W的周邊部 的溫度，比形成該膜時的溫度低，來進行成膜處理，則可 能形成厚度均勻的膜。爲此，只要變更成膜中（處理氣體 供給中）的溫度變化率（在第5圖的處理氣體供給中的圖 形的線之斜度）便可以。例如，在第5圖（a )的製法的 情況，使處理氣體供給中的圖形的線之斜度從〇調整成負 値；在第5圖（b )的製法的情況，使處理氣體供給中的 圖形的線之斜度變大；而在第5圖（c )的製法的情況， ^^尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210父297公釐） _ ' 漁574 各 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .Li - --- - 經濟部智慧財產局D貝工消費合作社印製 591687 A7 B7 五、發明説明（4 使處理氣體供給中的圖形的線之斜度變小，以如此的方式 來調整該區域用的溫度製法便可以。相反的，當在從某個 區域抽出的晶圓W上所形成的膜的膜厚，其周邊部薄而其 中心部厚（蓋型）的情況，若使晶圓w的周邊部的溫度， 比形成該膜時的溫度高，來進行成膜處理，則可能形成厚 度更均勻的膜。爲此，只要與上述相反地變更溫度變化率 便可以。 以如此的手段，控制部7 1 ，校正目前被收容在校正 對象的C V D裝置3 1中的製法。控制部7 1 ，將校正後 的製法，寫在裝置DB 7 5的該CVD裝置3 1用的製法 儲存區域中來加以保存，同時傳送到校正對象的C V D裝 置3 1中（步驟S 2 2 1 ) 。C V D裝置3 1的控制部 4 1 1，接收校正後的製法，將該製法寫在製法記憶部 412b中來加以保存（步驟S222)。 反覆進行數次如此的製法校正處理，可以將全部 CVD裝置3 1所共通的基本製法，校準成反映出各個裝 置的特性的製法。再者，第2次以後的校正處理，係使用 藉由前一回校正處理所校正的製法來進行。 控制部7 1 ，當所形成的膜厚和預定膜厚的差異在規 定標準以下時、以及反覆進行規定回數的校正處理之後， 完成製法的校正處理，將該完成的意旨從顯示部7 3通知 操作者，經由網路9也通知校正完成的處理裝置3。處理 裝置3，將該意旨顯示在操作面板4 1 4上，向處理擔任 者報告校正已完成。根據上述，完成初期設定時的校正處 張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -0^575 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-22- 591687 進行通常動作（例如，對製品 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（义 理，然後，CVD裝置3 晶圓之成膜處理）。 再者，以上的校正處理，對於複數台處理裝置3，能 夠並列地實行。又，第1圖所示的處理系統1 ，當追加新 的處理裝置3的時候，僅就所追加的處理裝置3，進行上 述的校正處理。此時，其他的處理裝置3，能夠進行通常 的動作。 接著，參照第1 2圖來說明各處理裝置3進行通常動 作時的處理系統1的動作。通常動作時，各處理裝置3的 控制部4 1 1 ，當1回的處理完成，便通知控制電腦7， 處理完成。 控制電腦7的控制部7 1 ，響應處理完成的通知，將 被記憶在裝置資料庫（D B ) 7 5的管理表格（第7圖） 中的該裝置的總處理回數、模型校正後處理回數、以及製 法校正後處理回數，分別加1 (步驟S 2 1 )。接著，控 制部7 1 ’辨別模型校正後處理回數是否到達預定値（例 如1 3回）（步驟S 2 2 )。 當辨別到達預定回數的情況，控制部7 1 ，判斷該處 理裝置的模型需要校正，而經由顯示部7 3，將其意旨通 知操作者。 以後的動作，基本上與第9圖所示之初期設定時的模 型校正動作相同；控制電腦7，從記憶部7 6讀出校正對 象之處理裝置3的校正用製法（步驟S 1 1 1 )，將應該 開始模型的校正處理的指示和校正用製法，傳送到校正對 本§^$^^國國家標準（〇奶）八4規格（210'乂297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-23- 591687 A7 B7 五、發明説明（2)| 象的處理裝置3 (步驟S 1 1 2 )。處理裝置3，接收從 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 控制電腦7來的指示和校正用製法，將校正用製法儲存在 製法記憶部4 1 2 b中（步驟S 1 1 3 )。接著，校正對 象的處理裝置3 ，根據被記憶在製法記憶部4 1 2 b中的 校正用製法，實行成膜處理（步驟S 1 1 4 )。 一旦成膜處理完成（步驟S 1 1 5 )，控制部4 1 1 ’將成膜處理完成之事，通知控制電腦7 (步驟S 1 1 6 )。控制電腦7，接收通知，等待接收從測定裝置來的測 疋結果（步驟S 1 1 7 )。 處理擔任者，將處理完成的晶圓W安置在測定裝置5 中，指定處理裝置3的裝置I D，來測量處理結果。測定 裝置5，將所測定的膜厚和裝置I D，傳送給控制電腦7 (步驟 S 1 1 9 )。 控制電腦7的控制部7 1 ，接收被傳送的膜厚（步驟’ S 1 2 0 )，實行模型的校正（步驟S 1 2 1 )。控制部 7 1 ，將校正後的模型，寫在裝置D B 7 5上的管理表格 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 內的該處理裝置3用的模型區域中，同時傳送到校正對象 的處理裝置3 (步驟S122)。 處理裝置3 ，接收校正後的模型，將該模型寫在模型 記憶部4 1 2 a來加以保存。 一旦以上的校正處理完成，控制電腦7，將被記錄在 裝置D B 7 5中的管理表格的該處理裝置用的模型校正後 處理回數的欄位，重設爲〇 (第1 2圖、步驟S 2 4 )。 接著，控制部7 1 ，辨別被儲存在管理表格中的該裝 本，國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 591687 A7 ___ B7 五、發明説明（ 置的製法校正後處理回數，是否到達規定値（步驟s 2 5 )° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 若未到達，控制部7 1照原樣地使對應此處理完成通 知的處理完成。另一方面，一旦辨別出已到達，控制部 7 1 ’判斷該處理裝置3的製法需要修正，經由顯示部 7 3 ’將其意旨通知操作者。 以後的動作，基本上與第1 〇圖所示之初期設定時的 製法校正處理相同；控制電腦7的控制部7 1 ，將應該開 始製法的校正處理的指示，傳送到校正對象的處理裝置3 (步驟 S 2 1 1 )。 處理裝置3 1，接收從控制電腦7來的指示（步驟 S 2 1 2 );接著，根據被記憶在製法記憶部4 1 2 b中 的校正對象的製法，實行製程（步驟S 2 1 3 )。 一旦製程完成，控制部4 1 1 ，將成膜處理完成之事 ，通知控制電腦7 (步驟S 2 1 4 )。控制電腦，接收通 知，等待接收從測定裝置5來的測定結果（步驟S 2 1 6 )° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 處理擔任者，將處理完成的晶圓W安置在測定裝置5 中，指定處理裝置3的裝置I D，來測量處理結果。測定 裝置5，將所測定的膜厚和裝置I D，傳送給控制電腦7 (步驟S 2 1 8 )。再者，測定對象的晶圓W或是測定點 的位置或個數，與初期設定時相同。 控制部7 1 ，從管理表格讀出校正對象處理裝置3的 現在的製法。然後，根據測定値，（1)爲了使全部晶圓W的 -25- 本紙巧户丨本if；%·"^國家標準（CNS ) M規格（21〇X297公釐 591687 A7 B7 五、發明説明（4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 平均膜厚能夠等於作爲目標的膜厚，來調整全部區域的製 法；（2)爲了使各區域的晶圓W的平均膜厚能夠等於作爲目 標的膜厚，來調整各區域的製法；（3)爲了能夠減少晶圓W 之間以及晶圓W內的膜厚的偏移，來調整各區域的製法（ 步驟S 2 2 0 )。 以如此的手段，控制電腦7校正處理裝置3的製法， 將該校正後的製法，寫在被記錄在裝置D B 7 5中的管理 表格之該處理裝置用的製法儲存區域中來加以保存，同時 傳送到校正對象的處理裝置3中（步驟S 2 2 1 )。 處理裝置3，接收校正後的製法，將該製法儲存在製 法記憶部中（步驟S 2 2 2 )。 一旦以上的校正處理完成後，控制電腦7，將被記錄 在裝置D B 7 5中的管理表格上的該裝置用的製法校正後 處理回數的欄位，重設爲〇 (第1 2圖、步驟S 2 7 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如以上所說明，處理系統1 ，利用控制電腦7將複數 台處理裝置3集中地管理。因此，管理處理與以往相比， 大幅地效率化。又，將模型的校正、製法的校正等的處理 負擔大的部分，藉由控制電腦7來加以負擔，可以使各處 理裝置3的軟體構成以及硬體構成簡單化。進而，藉由進 行前述的校正處理，適當地實行製程，能夠得到所希望的 品質。 本發明並不被限定於上述實施形態，可以做各種變化 以及應用。例如，在上述實施形態中，係實行製程，根據 該處理結果來校正模型。但是，例如也可以組合溫度感測 本矣ή®國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 591687 Α7 Β7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 器，將仿真晶圓配置在各區域，直接求出各晶圓的溫度而 加以記錄，爲了使此實測溫度與使用模型所推定的溫度能 夠一致，來校正模型。 又，在上述實施形態中，在每當進行規定回數的處理 時，實行校正專用的製程，來校正模型和製法。但是，也 可以一邊實行通常的處理，一邊調整模型或製法。例如， 當進行通常的處理之際，也可以將組合有溫度感測器的仿 真晶圓與製品晶圓一起配置在各區域中，直接求出各仿真 晶圓的溫度，加以記錄；控制電腦7，爲了使使用模型所 推定的溫度與實測溫度一致，而校正模型，在下次處理開 始前，更新處理裝置3的模型。 又，也可以做成將各區域的晶圓W，從在通常處理時 被處理的製品中，作爲樣品加以抽出，測量樣品晶圓上的 膜厚等，使用該測量値，控制電腦7校正模型，而在下次 處理開始前，更新處理裝置3的模型或是製法。若根據此 手段，不用停止處理裝置3， 便可以校正模型或製法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，在上述實施形態中，係利用控制電腦7來進行模 型以及製法的校正處理，但是，也可以利用控制電腦7來 實行其他的處理。例如，可以使控制電腦7具有在複數台 處理裝置中所共通的運算處理功能。而且，如第1 3圖所 示’處理擔任者，操作處理裝置3的操作面板4 1 4 (參 照第4圖），若輸入一些資訊，則該資訊經由網路9 ，與 裝置I D —同傳送到控制電腦7 (步驟S 3 1 1 )。控制 電腦7根據輸入資訊的解析（步驟S 3 1 2 )或輸入資訊 本狄國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 一 -27- 591687 A7 B7 經濟部智慈財產局：貝工消費合作社印製 五、發明説明（2 ’進行處理（例如’裝置設定變更用的運算等的處理）（ 步驟S 3 1 3 )。該結果，回信給處理裝置3。在處理裝 置3所收到的資料’係被利用在處理裝置3的控制變更或 是控制等之中’而被顯示在操作面板4 1 4上。在此情況 ’也可以將各處理裝置的構成簡單化。又，處理擔任者， 不用意識控制電腦，便能夠進行處理裝置的操作。 在上述實施形態中，測定裝置5與處理裝置3係分開 的裝置。但是，測定裝置5也可以被組合在各處理裝置3 中。若根據此構成，能夠將根據測定裝置5之被處理體的 測定結果’從處理裝置3 ，經由網路9，傳送到控制電腦 。又，當傳送處理結果之際，能夠將裝置I D自動地附加 在該結果資料中，能夠更加地省力化。 在上述實施形態中，作爲通訊媒體，係以網路9爲例 ’但是通訊手段的構成可以任意地組成；例如，也可以作 成經由軟碟、快閃記憶體等的記錄媒體，在裝置之間，傳 達資料或指示。 在上述實施形態中，作爲被鴇理體，係以半導體晶圓 爲例；被處理體，也可以爲液晶顯示元件或是P D P的玻 璃基板等。 【圖面之簡單說明】 第1圖係表示關於本發明的實施形態的處理系統的構 成之圖。 第2圖係表示在第1圖中所示的C V D裝置的構成例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •嫌· 訂 费量中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 591687 A7 __B7 五、發明説明（4 的圖。 第3圖係表示反應管內的區域構成的圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖係表示在第2圖中所示的控制器的構成例的方 塊圖。 第5圖係表示溫度製法的例子的圖。 第6圖係表示在第1圖中所示的控制電腦的構成例之 方塊圖。 第7圖係表示被儲存在第6圖的裝置D B中的管理表 格之例子的圖。 第8圖係用來說明系統初期引進時的校正程序的圖。 第9圖係用來說明模型校正處理的圖。 第1 0圖係用來說明製法校正處理的圖。 第1 1圖係用來說明晶圓上的測定點的圖。 第1 2圖係用來說明控制電腦，響應處理裝置完成處 理時所輸出的處理完成通知，來進行處理的圖。 第1 3圖係表示處理系統的其他動作例的圖。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 【符號說明】 1 :處理系統 .3 :處理裝置 5 :測定裝置 7 :控制電腦 9 :網路 1 : c v D 裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -29- 591687 A7 B7 五、發明説明（& 3 2 :氧化裝置 3 3 :擴散裝置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 1 :控制部 7 2 :通訊部 7 3 :顯示部 7 4 :輸入部 7 5 :裝置資料庫（D B ) 7 6 :記憶部 3〇2 :反應管 3 2 1 :歧管 3 2 3 :晶圓螺桿 3 2 5 :保溫筒 3 2 7 :排氣管 3 2 8 :壓力調整部 331〜335:加熱器 336〜340:電力控制器 3 4 1、3 4 2、3 4 3 :氣體供給管 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4 4、3 4 5、3 4 6 :質量流控制器 4〇0 :控制器 4 1 1 :控制部 4 1 2 :記憶部 4 1 2 a :模型記憶部 4 1 2 b :製法記憶部 ‘ 4 1 2 c :程式記憶部 用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 591687 A7 B7 五、發明説明（^ 4 1 2 d :運算區 4 1 3 : I /〇埠 4 5 1± 1± 4 4 板 面部 作訊 操通 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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釐 公 7 9 2 X 3

Claims (1)

1. 591687 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1 1 . 一種處理系統，其特徵爲具備： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 複數台處理裝置，這些裝置分別具備：處理被處理體 的處理手段、儲存用來控制前述處理手段的控制資訊之記 憶手段、以及根據前述控制資訊來控制前述處理手段的控 制手段；以及 具有校正手段的電腦，該電腦係與前述複數台處理裝 置分開地設置，構成能夠經由通訊媒體，在與前述各處理 裝置之間，進行包含前述控制資訊之資訊的通訊；而且， 根據被輸入此電腦中之藉由前述處理裝置所產生的被處理 體的處理結果，來校正用來控制該處理裝置的前述控制資 訊。 2 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前 述各處理裝置的控制手段，係經由前述通訊媒體，接收藉 由前述電腦的校正手段而校正後的控制資訊，儲存在前述· 記憶手段中，構成可以根據校正後的控制資訊來實行處理 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前 述電腦，具有將對應被儲存在各處理裝置的記憶手段中的 前述控制資訊之控制資訊，加以儲存的記憶手段； 前述電腦，係構成：當校正用來控制前述複數台的處 理裝置之中的其中之一的處理裝置的控制資訊時，可以實 行丨 從前述電腦的記憶手段，取出被儲存在前述電腦的記 憶手段中的用來控制前述一台的處理裝置的控制資訊的步 本紙在國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） 32- 591687 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍2 驟； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將此取出的控制資訊，根據前述一台的處理裝置所產 生的被處理體的處理結果，藉由前述校正手段來校正的步 驟； 將此校正後的控制資訊，儲存在前述電腦的記憶手段 中的步驟；以及 將前述校正後的控制資訊，經由前述通訊媒體，傳送 到前述一台的處理裝置中，使其記憶在前述處理裝置的記 憶手段中的步驟。 · 4 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中更 具備測定根據前述處理裝置所產生的處理結果的測定裝置 前述電腦，構成能夠經由前述通訊媒體，在與前述測 定裝置之間，進行資訊通訊； S丨J述處理結果5係經由則述通訊媒體’被輸入前述電 腦。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前 述各處理裝置的前述處理手段，具有：其內部收容被處理 體並且將其加熱的加熱爐、以及設置在加熱爐中的複數個 溫度感測器； 前述控制資訊，包含：用來根據前述溫度感測器的輸 出，來推定前述被處理體的溫度的模型；以及規定前述被 處理體之處理中的溫度變化的製法； 前述處理裝置的記憶手段，記憶前述模型以及前述製 _^〇rf)3G_ — 本紙張尺度適用+國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 591687 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3 法； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述處理裝置的控制手段，根據前述溫度感測器的輸 出，使用被記憶在前述記憶手段中的模型，來推定前述加 熱爐內的被處理體的溫度；而根據此被推定的溫度，爲了 使前述被處理體的溫度能夠與被記憶在前述記憶手段中的 製法所規定的溫度一致，來控制前述加熱爐。 6 ·如申請專利範圍第5項所述的處理系統，其中前 述電腦，係構成：當校正用來控制前述複數台的處理裝置 之中的其中之一的處理裝置的模型時，可以實行： 、 將用來校正前述模型的製法，傳送到前述一台處理裝 置中的傳送步驟； 在前述一台處理裝置中，根據用來校正前述模型的製 法，實行被處理體的處理的步驟；以及 根據前述被處理體的處理結果，藉由前述校正手段來. 校正前述模型的步驟。 7 ·如申請專利範圍第6項所述的處理系統，其中前 述電腦，係根據處理中的被處理體的實際溫度的測定結果 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 ，來校正前述模型。 8 .如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前 述各處理裝置，將被處理體的處理完成之事，通知前述電 腦；前述電腦，根據前述通知，計算各處理裝置的處理回 數；處理回數，係構成在前回的校正處理後，每到達規定 回數，便可以實行前述控制資訊的校正。 9 ·如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中前 關家料（CNS ) ( 21GX297公*7 -34- 591687 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 述處理裝置，具備向電腦請求資料處理的手段； 前述電腦，具有：應從前述處理裝置所接收到的前述 請求’實行資料處理，而將該資料處理的結果傳送到前述 處理裝置中的手段； 前述處理裝置，具有：接收從前述電腦傳送出來的資 料處理的結果，根據前述所接收到的處理結果，來動作的 手段。 1 ◦•如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中 前述各處理裝置，包含：測量藉由該處理裝置所產生的被 處理體的處理結果的測定手段； 藉由前述測定手段所測定的測定結果，經由前述通訊 媒體，從前述處理裝置，可以傳送到前述電腦。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S S 5 C“ ο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35-