JP3174379B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
- Publication number
- JP3174379B2 JP3174379B2 JP04634992A JP4634992A JP3174379B2 JP 3174379 B2 JP3174379 B2 JP 3174379B2 JP 04634992 A JP04634992 A JP 04634992A JP 4634992 A JP4634992 A JP 4634992A JP 3174379 B2 JP3174379 B2 JP 3174379B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inorganic
- heating device
- heating
- less
- processing container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 73
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 17
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 12
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 claims description 10
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004901 spalling Methods 0.000 description 8
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/04—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/148—Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/62—Heating elements specially adapted for furnaces
- H05B3/64—Heating elements specially adapted for furnaces using ribbon, rod, or wire heater
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Furnace Housings, Linings, Walls, And Ceilings (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、半導体ウエハを加熱処理する各種の工程が含
まれる。例えば、酸化処理、拡散処理、ＣＶＤ処理、エ
ピタキシャル処理、ドーピング処理等の工程である。こ
のような加熱処理に使用される加熱装置の一例において
は、被処理体である半導体ウエハが配置される処理容器
と、この処理容器を取囲むよう配置された断熱材と、こ
の断熱材の内壁に配置された発熱体とを備えてなる。断
熱材としては、従来、セラミックファイバが用いられ、
発熱体としては、従来、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）と
アルミニウム（Ａｌ）の合金線であるカンタル（商品
名）線等の抵抗発熱体が用いられている。
おいては、半導体ウエハを加熱処理する各種の工程が含
まれる。例えば、酸化処理、拡散処理、ＣＶＤ処理、エ
ピタキシャル処理、ドーピング処理等の工程である。こ
のような加熱処理に使用される加熱装置の一例において
は、被処理体である半導体ウエハが配置される処理容器
と、この処理容器を取囲むよう配置された断熱材と、こ
の断熱材の内壁に配置された発熱体とを備えてなる。断
熱材としては、従来、セラミックファイバが用いられ、
発熱体としては、従来、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）と
アルミニウム（Ａｌ）の合金線であるカンタル（商品
名）線等の抵抗発熱体が用いられている。
【０００３】しかるに、最近では、半導体デバイスの生
産性を高める観点から、加熱装置としても高速で昇降温
できるものが要求されている。しかし、上記のようにカ
ンタル線からなる発熱体は許容電流密度が小さいため、
十分な高速で昇温させることが困難である。そこで、本
発明者は、発熱体の材料として二ケイ化モリブデン（Ｍ
ｏＳｉ2 ）を使用することについて検討してきた。この
ＭｏＳｉ2 によれば、熱容量が小さくて、高速で昇温が
可能である。
産性を高める観点から、加熱装置としても高速で昇降温
できるものが要求されている。しかし、上記のようにカ
ンタル線からなる発熱体は許容電流密度が小さいため、
十分な高速で昇温させることが困難である。そこで、本
発明者は、発熱体の材料として二ケイ化モリブデン（Ｍ
ｏＳｉ2 ）を使用することについて検討してきた。この
ＭｏＳｉ2 によれば、熱容量が小さくて、高速で昇温が
可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＭｏＳｉ2 か
らなる発熱体を用いて高速で昇温させるプロセスを繰返
していくと、セラミックファイバからなる断熱材にスポ
ーリングによるクラックが入りやすく、断熱材の劣化が
著しいという問題が発生した。なお、スポーリングと
は、断熱材の構成材料が粉塵となって飛散する現象をい
う。また、半導体ウエハの加熱処理後、高速で降温させ
るために処理容器の均熱領域に強制的に冷却媒体を流し
て冷却するプロセスを繰返していくと、劣化した断熱材
からパーティクルが発生し、コンタミネーションの原因
となる問題も生じた。さらに、ＭｏＳｉ2 からなる発熱
体と断熱材との接触部分で両者が反応して発熱体が断線
するという問題も生じた。
らなる発熱体を用いて高速で昇温させるプロセスを繰返
していくと、セラミックファイバからなる断熱材にスポ
ーリングによるクラックが入りやすく、断熱材の劣化が
著しいという問題が発生した。なお、スポーリングと
は、断熱材の構成材料が粉塵となって飛散する現象をい
う。また、半導体ウエハの加熱処理後、高速で降温させ
るために処理容器の均熱領域に強制的に冷却媒体を流し
て冷却するプロセスを繰返していくと、劣化した断熱材
からパーティクルが発生し、コンタミネーションの原因
となる問題も生じた。さらに、ＭｏＳｉ2 からなる発熱
体と断熱材との接触部分で両者が反応して発熱体が断線
するという問題も生じた。
【０００５】そこで、本発明の第１の目的は、耐スポー
リング性、耐劣化性、耐反応性の優れた加熱装置を提供
することにある。また、本発明の第２の目的は、長期間
にわたり安定に昇降温できる加熱装置を提供することに
ある。
リング性、耐劣化性、耐反応性の優れた加熱装置を提供
することにある。また、本発明の第２の目的は、長期間
にわたり安定に昇降温できる加熱装置を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明の加熱装置は以下の特徴を有する。 （１）被処理体が配置される処理容器を取囲むよう断熱
材が配置されてなる加熱装置であって、前記断熱材は、
カサ密度が０．３〜０．８ｇ／ｃｍ3 の無機質成形体よ
りなる外層と、この外層の内面に形成された、カサ密度
が１．０〜２．０ｇ／ｃｍ3 の無機質被覆層よりなり、
その外周面が無機繊維製クロスで被覆された内層との積
層体よりなり、前記内層に加熱用発熱体が支持されてい
ることを特徴とする。 （２）前記（１）の積層体が高温で焼成されたものであ
ることを特徴とする。 （３）前記（１）の外層の無機質成形体が複数の分割品
で筒状に形成されていることを特徴とする。 （４）前記（１）の外層の無機質成形体が、アルミナ質
繊維、無機質充填材および無機質バインダーから形成さ
れていることを特徴とする。 （５）前記（４）のアルミナ質繊維が、Ａｌ2 Ｏ3 を９
０ｗｔ％以上含有するものであることを特徴とする。 （６）前記（１）の積層体中に含まれる下記不純物金属
元素の含有率が以下の範囲にあることを特徴とする。 ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合計：２０００ｐｐｍ以下 銅（Ｃｕ） ： ５０ｐｐｍ以下 鉄（Ｆｅ） ： ５００ｐｐｍ以下 ニッケル（Ｎｉ） ： ５０ｐｐｍ以下 （７）内部の均熱領域に被処理体が配置される処理容器
と、当該処理容器を取囲むよう配置された前記（１）に
記載の積層体よりなる断熱材と、この断熱材における内
層に支持された加熱用発熱体とを備えてなる加熱装置に
おいて、前記処理容器の均熱領域を冷却する冷却手段を
設けたことを特徴とする。 （８）前記（７）の加熱用発熱体が二ケイ化モリブデン
（ＭｏＳｉ2 ）からなることを特徴とする。
め、本発明の加熱装置は以下の特徴を有する。 （１）被処理体が配置される処理容器を取囲むよう断熱
材が配置されてなる加熱装置であって、前記断熱材は、
カサ密度が０．３〜０．８ｇ／ｃｍ3 の無機質成形体よ
りなる外層と、この外層の内面に形成された、カサ密度
が１．０〜２．０ｇ／ｃｍ3 の無機質被覆層よりなり、
その外周面が無機繊維製クロスで被覆された内層との積
層体よりなり、前記内層に加熱用発熱体が支持されてい
ることを特徴とする。 （２）前記（１）の積層体が高温で焼成されたものであ
ることを特徴とする。 （３）前記（１）の外層の無機質成形体が複数の分割品
で筒状に形成されていることを特徴とする。 （４）前記（１）の外層の無機質成形体が、アルミナ質
繊維、無機質充填材および無機質バインダーから形成さ
れていることを特徴とする。 （５）前記（４）のアルミナ質繊維が、Ａｌ2 Ｏ3 を９
０ｗｔ％以上含有するものであることを特徴とする。 （６）前記（１）の積層体中に含まれる下記不純物金属
元素の含有率が以下の範囲にあることを特徴とする。 ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合計：２０００ｐｐｍ以下 銅（Ｃｕ） ： ５０ｐｐｍ以下 鉄（Ｆｅ） ： ５００ｐｐｍ以下 ニッケル（Ｎｉ） ： ５０ｐｐｍ以下 （７）内部の均熱領域に被処理体が配置される処理容器
と、当該処理容器を取囲むよう配置された前記（１）に
記載の積層体よりなる断熱材と、この断熱材における内
層に支持された加熱用発熱体とを備えてなる加熱装置に
おいて、前記処理容器の均熱領域を冷却する冷却手段を
設けたことを特徴とする。 （８）前記（７）の加熱用発熱体が二ケイ化モリブデン
（ＭｏＳｉ2 ）からなることを特徴とする。
【０００７】
【作用】処理容器を取囲む断熱材が、カサ密度の小さい
無機質成形体よりなる外層に、カサ密度の大きい無機質
被覆層よりなる内層が積層されてなる積層体により構成
され、かつ、無機質被覆層の外周面が無機繊維製クロス
により補強されているため、高速で昇降温させたときに
もヒートショックによって割れや剥離が発生するおそれ
がない。積層体が高温で焼成されていると、積層体の歪
が少なくなる。外層の無機質成形体が複数の分割品で筒
状に形成されていると、精密な構造の積層体が得られ
る。外層の無機質成形体が、アルミナ質繊維、無機質充
填材および無機質バインダーから形成されていると、粉
塵等の飛散が少ない。アルミナ質繊維が、Ａｌ2 Ｏ3 を
９０ｗｔ％以上含有するものであると、耐熱性が向上す
る。積層体中に含まれる特定の不純物金属元素の含有率
を特定値以下に抑制すると、コンタミネーションが小さ
くなる。処理容器の均熱領域を冷却する冷却手段を設け
て、高速で昇降温させたときにも積層体を劣化させるこ
とがなく、長期間にわたり安定に高速加熱処理を行うこ
とができる。加熱用発熱体として二ケイ化モリブデン
（ＭｏＳｉ2 ）を用いた場合にも、無機質被覆層との反
応性が小さく、発熱体の断線が発生するおそれがない。
無機質成形体よりなる外層に、カサ密度の大きい無機質
被覆層よりなる内層が積層されてなる積層体により構成
され、かつ、無機質被覆層の外周面が無機繊維製クロス
により補強されているため、高速で昇降温させたときに
もヒートショックによって割れや剥離が発生するおそれ
がない。積層体が高温で焼成されていると、積層体の歪
が少なくなる。外層の無機質成形体が複数の分割品で筒
状に形成されていると、精密な構造の積層体が得られ
る。外層の無機質成形体が、アルミナ質繊維、無機質充
填材および無機質バインダーから形成されていると、粉
塵等の飛散が少ない。アルミナ質繊維が、Ａｌ2 Ｏ3 を
９０ｗｔ％以上含有するものであると、耐熱性が向上す
る。積層体中に含まれる特定の不純物金属元素の含有率
を特定値以下に抑制すると、コンタミネーションが小さ
くなる。処理容器の均熱領域を冷却する冷却手段を設け
て、高速で昇降温させたときにも積層体を劣化させるこ
とがなく、長期間にわたり安定に高速加熱処理を行うこ
とができる。加熱用発熱体として二ケイ化モリブデン
（ＭｏＳｉ2 ）を用いた場合にも、無機質被覆層との反
応性が小さく、発熱体の断線が発生するおそれがない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、以
下の実施例は被処理体として半導体ウエハを使用した例
であるが、本発明においては、半導体ウエハに限定され
ることはなく、加熱対象は任意に選択することができ
る。例えばＬＣＤ等の加熱にも適用することができる。
下の実施例は被処理体として半導体ウエハを使用した例
であるが、本発明においては、半導体ウエハに限定され
ることはなく、加熱対象は任意に選択することができ
る。例えばＬＣＤ等の加熱にも適用することができる。
【０００９】図１は実施例に係る加熱装置の概略図であ
る。１は処理容器、２は発熱体、３は積層体、４は半導
体ウエハ、５はウエハ保持具、６は保温筒、７は外匣、
８は基台、９は蓋部材である。処理容器１は例えば石英
管からなり、この外周を取囲むように積層体３が配置さ
れ、この積層体３に発熱体２が支持されている。積層体
３は、図２に示すように、カサ密度０．３〜０．８ｇ／
ｃｍ3 の無機質成形体３２よりなる外層の内面に、無機
繊維製クロス３３で外周面が被覆されたカサ密度が１．
０〜２．０ｇ／ｃｍ3 の無機質被覆層３１よりなる内層
が形成されて構成されている。この無機質被覆層３１が
発熱体２の支持部とされている。
る。１は処理容器、２は発熱体、３は積層体、４は半導
体ウエハ、５はウエハ保持具、６は保温筒、７は外匣、
８は基台、９は蓋部材である。処理容器１は例えば石英
管からなり、この外周を取囲むように積層体３が配置さ
れ、この積層体３に発熱体２が支持されている。積層体
３は、図２に示すように、カサ密度０．３〜０．８ｇ／
ｃｍ3 の無機質成形体３２よりなる外層の内面に、無機
繊維製クロス３３で外周面が被覆されたカサ密度が１．
０〜２．０ｇ／ｃｍ3 の無機質被覆層３１よりなる内層
が形成されて構成されている。この無機質被覆層３１が
発熱体２の支持部とされている。
【００１０】無機質被覆層３１のカサ密度は、１．０〜
２．０ｇ／ｃｍ3 の範囲にあることが必要である。カサ
密度が１．０未満のときは、耐風速性（耐エロージョン
性）が低下する。カサ密度が２．０ｇ／ｃｍ3 を超える
場合は、熱的耐スポーリング性が低下する。無機質被覆
層３１の外周面を被覆する無機繊維製クロス３３として
は、アルミナ繊維質クロスが好適であり、無機質成形体
３２の内面に無機質被覆層３１の材料を被覆する際に埋
設された状態で張り付けられるものであって、無機質成
形体３２のクラックおよびパーティクルの発生を抑制す
るものである。無機質被覆層３１は、アルミナ質繊維、
無機質充填材、無機質バインダーにより形成することが
でき、これらの配合割合は、例えば、アルミナ質繊維／
無機質充填材／無機質バインダー＝１０〜１５／４０〜
６０／２０〜４０（ｗｔ％）である。
２．０ｇ／ｃｍ3 の範囲にあることが必要である。カサ
密度が１．０未満のときは、耐風速性（耐エロージョン
性）が低下する。カサ密度が２．０ｇ／ｃｍ3 を超える
場合は、熱的耐スポーリング性が低下する。無機質被覆
層３１の外周面を被覆する無機繊維製クロス３３として
は、アルミナ繊維質クロスが好適であり、無機質成形体
３２の内面に無機質被覆層３１の材料を被覆する際に埋
設された状態で張り付けられるものであって、無機質成
形体３２のクラックおよびパーティクルの発生を抑制す
るものである。無機質被覆層３１は、アルミナ質繊維、
無機質充填材、無機質バインダーにより形成することが
でき、これらの配合割合は、例えば、アルミナ質繊維／
無機質充填材／無機質バインダー＝１０〜１５／４０〜
６０／２０〜４０（ｗｔ％）である。
【００１１】アルミナ質繊維としては、通常のＡｌ2 Ｏ
3 成分を７０ｗｔ％程度以上含有するものが使用可能で
あるが、高温下での再結晶化に伴う繊維の劣化が小さく
て耐熱性の良好なＡｌ2 Ｏ3 を９０ｗｔ％以上含有する
もので、かつ、他の無機質充填材および無機質バインダ
ーの混合物中への均一分散を良好にして補強効果を促す
短繊維が好ましい。かかる短繊維の具体例としては、
「ルビール」（ニチアス株式会社製，Ａｌ2 Ｏ3 ／Ｓｉ
Ｏ2 ＝９５／５（ｗｔ％））がある。無機質充填材とし
ては、例えばアルミナ粉末、ムライト粉末等を用いるこ
とができる。無機質バインダーとしては、例えばコロイ
ダルシリカ、コロイダルアルミナ等を用いることができ
る。なお、発熱体として二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ
2 ）を使用する場合は、被覆層材料としてアルミナ質繊
維、アルミナ粉末およびコロイダルアルミナからなる材
料で構成することが好ましい。
3 成分を７０ｗｔ％程度以上含有するものが使用可能で
あるが、高温下での再結晶化に伴う繊維の劣化が小さく
て耐熱性の良好なＡｌ2 Ｏ3 を９０ｗｔ％以上含有する
もので、かつ、他の無機質充填材および無機質バインダ
ーの混合物中への均一分散を良好にして補強効果を促す
短繊維が好ましい。かかる短繊維の具体例としては、
「ルビール」（ニチアス株式会社製，Ａｌ2 Ｏ3 ／Ｓｉ
Ｏ2 ＝９５／５（ｗｔ％））がある。無機質充填材とし
ては、例えばアルミナ粉末、ムライト粉末等を用いるこ
とができる。無機質バインダーとしては、例えばコロイ
ダルシリカ、コロイダルアルミナ等を用いることができ
る。なお、発熱体として二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ
2 ）を使用する場合は、被覆層材料としてアルミナ質繊
維、アルミナ粉末およびコロイダルアルミナからなる材
料で構成することが好ましい。
【００１２】無機質被覆層３１の硬度は、耐スポーリン
グ性を高めるために、高いことが好ましく、例えばビッ
カース硬度Ｈｖ５０〜１００程度が好ましい。無機質被
覆層３１の表面は、急熱および急冷による構成材料（パ
ーティクル）の粉塵化による飛散防止のため、その表面
粗さは２０μｍ以下とすることが好ましい。無機質被覆
層３１の厚さは、熱衝撃によるクラック発生の防止、熱
容量の低減による昇温特性の向上の点から０．５〜３ｍ
ｍ程度の範囲が好ましい。
グ性を高めるために、高いことが好ましく、例えばビッ
カース硬度Ｈｖ５０〜１００程度が好ましい。無機質被
覆層３１の表面は、急熱および急冷による構成材料（パ
ーティクル）の粉塵化による飛散防止のため、その表面
粗さは２０μｍ以下とすることが好ましい。無機質被覆
層３１の厚さは、熱衝撃によるクラック発生の防止、熱
容量の低減による昇温特性の向上の点から０．５〜３ｍ
ｍ程度の範囲が好ましい。
【００１３】無機質成形体３２のカサ密度は０．３〜
０．８ｇ／ｃｍ3 の範囲にあることが必要である。カサ
密度が０．３未満のときは、高温下（１０００℃以上）
での熱伝導率が大きくなり、断熱特性が低下する。一
方、カサ密度が０．８を超えるときは、熱容量が大きく
なり、また重量の増大をきたす。無機質成形体３２は、
無機質繊維、無機質充填材、無機質バインダーにより形
成することができ、これらの配合割合は、例えば、無機
質繊維／無機質充填材／無機質バインダー＝２０〜６５
／３５〜７０／３〜１０（ｗｔ％）である。無機質繊
維、無機質充填材、無機質バインダーの具体的材料とし
ては、無機質被覆層３１と同様のものを用いることがで
きる。無機質成形体３２の厚さは、例えば５〜３０ｍｍ
程度である。
０．８ｇ／ｃｍ3 の範囲にあることが必要である。カサ
密度が０．３未満のときは、高温下（１０００℃以上）
での熱伝導率が大きくなり、断熱特性が低下する。一
方、カサ密度が０．８を超えるときは、熱容量が大きく
なり、また重量の増大をきたす。無機質成形体３２は、
無機質繊維、無機質充填材、無機質バインダーにより形
成することができ、これらの配合割合は、例えば、無機
質繊維／無機質充填材／無機質バインダー＝２０〜６５
／３５〜７０／３〜１０（ｗｔ％）である。無機質繊
維、無機質充填材、無機質バインダーの具体的材料とし
ては、無機質被覆層３１と同様のものを用いることがで
きる。無機質成形体３２の厚さは、例えば５〜３０ｍｍ
程度である。
【００１４】以上の無機質被覆層３１と無機質成形体３
２との積層体３は高温で焼成されていることが好まし
い。なお、「高温」とは、加熱装置の使用時において、
積層体３が実際に到達する使用温度よりも高い温度をい
う。例えば半導体ウエハの酸化処理や拡散処理の加熱装
置とする場合には、処理温度が１２００℃程度に達する
ので、例えば１２００〜１６００℃の高温で焼成する。
このような高温で焼成することにより、使用時における
ヒートショックによる緻密な無機質被覆層３１の割れや
剥離が抑制され、耐スポーリング性が向上する。また、
結晶構造面からも無機質被覆層３１を構成するＡｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 がムライト化（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）することにより、遊離のＳｉＯ2 成分が減少し、
耐熱性が向上するとともに、二ケイ化モリブデン（Ｍｏ
Ｓｉ2 ）よりなる発熱体２との反応を抑制し、発熱体２
の劣化を防止する。
２との積層体３は高温で焼成されていることが好まし
い。なお、「高温」とは、加熱装置の使用時において、
積層体３が実際に到達する使用温度よりも高い温度をい
う。例えば半導体ウエハの酸化処理や拡散処理の加熱装
置とする場合には、処理温度が１２００℃程度に達する
ので、例えば１２００〜１６００℃の高温で焼成する。
このような高温で焼成することにより、使用時における
ヒートショックによる緻密な無機質被覆層３１の割れや
剥離が抑制され、耐スポーリング性が向上する。また、
結晶構造面からも無機質被覆層３１を構成するＡｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 がムライト化（３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）することにより、遊離のＳｉＯ2 成分が減少し、
耐熱性が向上するとともに、二ケイ化モリブデン（Ｍｏ
Ｓｉ2 ）よりなる発熱体２との反応を抑制し、発熱体２
の劣化を防止する。
【００１５】また、積層体３において、アルカリ金属で
あるナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合計の含有
量が２０００ｐｐｍ以下、重金属である銅（Ｃｕ）の含
有量が５０ｐｐｍ以下、重金属である鉄（Ｆｅ）の含有
量が５００ｐｐｍ以下、重金属であるニッケル（Ｎｉ）
の含有量が５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。この
ような不純物金属元素の含有量を小さく抑制することに
より、積層体３の耐スポーリング性がさらに向上し、ま
た、耐コンタミネーションも向上する。
あるナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合計の含有
量が２０００ｐｐｍ以下、重金属である銅（Ｃｕ）の含
有量が５０ｐｐｍ以下、重金属である鉄（Ｆｅ）の含有
量が５００ｐｐｍ以下、重金属であるニッケル（Ｎｉ）
の含有量が５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。この
ような不純物金属元素の含有量を小さく抑制することに
より、積層体３の耐スポーリング性がさらに向上し、ま
た、耐コンタミネーションも向上する。
【００１６】積層体３は、全体としては円筒状である
が、図３に示すように、半円筒状のものを２個組合せて
形成されている。発熱体２は、一本の線材を上下部でＵ
字状に折り曲げて、縦形に連続するミヤンダ状に形成さ
れている。この発熱体２は、ステープル２１により積層
体３の内壁に取付け保持されている。
が、図３に示すように、半円筒状のものを２個組合せて
形成されている。発熱体２は、一本の線材を上下部でＵ
字状に折り曲げて、縦形に連続するミヤンダ状に形成さ
れている。この発熱体２は、ステープル２１により積層
体３の内壁に取付け保持されている。
【００１７】具体的には、次のようにして製造すること
ができる。 （１）アルミナ質繊維と、無機質充填材と、無機質バイ
ンダーとを用いて、無機質被覆層のための筒体（内筒
体）を成形し、これを縦に４分割し、各分割体の表面に
アルミナクロスを接着させながら全面を被覆し、さら
に、焼成する。 （２）無機質繊維と、無機質充填材と、無機質バインダ
ーとを用いて、無機質成形体のための筒体（外筒体）を
成形し、これを縦に２分割する。 （３）一方の半割りの外筒体の内面側に２つの分割体
（内筒体）を配置して両者を接着し、乾燥して、一方の
積層体を作製する。 （４）前記（３）で得られた一方の積層体の内面側に発
熱体をステープルで締結して、一方の半割り品を得る。 （５）他方の半割りの外筒体についても前記（３）およ
び（４）と同様にして他方の半割り品を得る。 （６）一方の半割り品と他方の半割り品とを合体させて
筒状体を形成する。
ができる。 （１）アルミナ質繊維と、無機質充填材と、無機質バイ
ンダーとを用いて、無機質被覆層のための筒体（内筒
体）を成形し、これを縦に４分割し、各分割体の表面に
アルミナクロスを接着させながら全面を被覆し、さら
に、焼成する。 （２）無機質繊維と、無機質充填材と、無機質バインダ
ーとを用いて、無機質成形体のための筒体（外筒体）を
成形し、これを縦に２分割する。 （３）一方の半割りの外筒体の内面側に２つの分割体
（内筒体）を配置して両者を接着し、乾燥して、一方の
積層体を作製する。 （４）前記（３）で得られた一方の積層体の内面側に発
熱体をステープルで締結して、一方の半割り品を得る。 （５）他方の半割りの外筒体についても前記（３）およ
び（４）と同様にして他方の半割り品を得る。 （６）一方の半割り品と他方の半割り品とを合体させて
筒状体を形成する。
【００１８】発熱体２としては、二ケイ化モリブデン
（ＭｏＳｉ2 ）を好ましく用いることができる。このＭ
ｏＳｉ2 は、単線として使用することができ、約１８０
０℃の高温にも十分に耐えることができるので、高温で
処理を行う加熱装置の材料として好適である。また、Ｍ
ｏＳｉ2 は、熱容量も小さいため、高速での昇温に好適
であり、高温時での電気抵抗値の安定性も優れているた
め、加熱温度の均一性も高い。
（ＭｏＳｉ2 ）を好ましく用いることができる。このＭ
ｏＳｉ2 は、単線として使用することができ、約１８０
０℃の高温にも十分に耐えることができるので、高温で
処理を行う加熱装置の材料として好適である。また、Ｍ
ｏＳｉ2 は、熱容量も小さいため、高速での昇温に好適
であり、高温時での電気抵抗値の安定性も優れているた
め、加熱温度の均一性も高い。
【００１９】処理容器１の均熱領域１１を冷却する冷却
手段（図示省略）を設けることが好ましい。この冷却手
段の付加により、処理容器１を高速で降温させることが
できる。冷却手段としては、例えば処理容器１と積層体
３との間隙１２に冷却ガスを流す構成等を採用すること
ができる。冷却ガスとしては、空気、窒素やアルゴンな
どの不活性ガスを用いることができる。半導体ウエハの
酸化処理や拡散処理の場合は、処理容器１の均熱領域を
例えば３００〜４００℃程度まで冷却するのが好まし
い。
手段（図示省略）を設けることが好ましい。この冷却手
段の付加により、処理容器１を高速で降温させることが
できる。冷却手段としては、例えば処理容器１と積層体
３との間隙１２に冷却ガスを流す構成等を採用すること
ができる。冷却ガスとしては、空気、窒素やアルゴンな
どの不活性ガスを用いることができる。半導体ウエハの
酸化処理や拡散処理の場合は、処理容器１の均熱領域を
例えば３００〜４００℃程度まで冷却するのが好まし
い。
【００２０】処理容器１は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）等
により形成することができる。この処理容器１は下端に
開口を有する筒状の形態を有しており、ウエハ保持具５
および半導体ウエハ４を発熱体２および積層体３から隔
離して半導体ウエハ１の雰囲気を外部から分離するもの
である。基台８は、例えばステンレススチール製であ
り、この基台８に、処理容器１と積層体３が保持されて
いる。ウエハ保持具５は保温筒６に載置され、この保温
筒６は蓋部材９に固定されている。ウエハ保持具５に
は、複数の半導体ウエハ４が水平に等間隔で配置されて
いる。蓋部材９は昇降手段（図示省略）により上下に往
復移動されるようになっている。蓋部材９が下降すると
ウエハ保持具５が一体となって下降し、アンロードの状
態となる。一方、蓋部材９が上昇して処理容器１を密閉
すると、ロードの状態となる。
により形成することができる。この処理容器１は下端に
開口を有する筒状の形態を有しており、ウエハ保持具５
および半導体ウエハ４を発熱体２および積層体３から隔
離して半導体ウエハ１の雰囲気を外部から分離するもの
である。基台８は、例えばステンレススチール製であ
り、この基台８に、処理容器１と積層体３が保持されて
いる。ウエハ保持具５は保温筒６に載置され、この保温
筒６は蓋部材９に固定されている。ウエハ保持具５に
は、複数の半導体ウエハ４が水平に等間隔で配置されて
いる。蓋部材９は昇降手段（図示省略）により上下に往
復移動されるようになっている。蓋部材９が下降すると
ウエハ保持具５が一体となって下降し、アンロードの状
態となる。一方、蓋部材９が上昇して処理容器１を密閉
すると、ロードの状態となる。
【００２１】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明の熱処理装置は、常圧のプロセス、減圧プロ
セス、真空プロセスのいずれにも適用することができ
る。また、酸化処理、拡散処理、ＣＶＤ処理、アニール
等の各種の加熱処理に適用することができる。
が、本発明の熱処理装置は、常圧のプロセス、減圧プロ
セス、真空プロセスのいずれにも適用することができ
る。また、酸化処理、拡散処理、ＣＶＤ処理、アニール
等の各種の加熱処理に適用することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果が得られる。 （１）請求項１の発明によれば、耐スポーリング性、耐
劣化性、耐反応性の優れた加熱装置が得られる。 （２）請求項２の発明によれば、歪の少ない加熱装置が
得られる。 （３）請求項３の発明によれば、複雑な構造であっても
精密な加熱装置が得られる。 （４）請求項４の発明によれば、クリーンな加熱装置が
得られる。 （５）請求項５の発明によれば、クリーンで強固な加熱
装置が得られる。 （６）請求項６の発明によれば、耐コンタミネーション
の優れた加熱装置が得られる。 （７）請求項７の発明によれば、長期間にわたり安定に
昇降温できる加熱装置が得られる。 （８）請求項８の発明によれば、長期間にわたり安定に
高速で昇降温できる加熱装置が得られる。
下の効果が得られる。 （１）請求項１の発明によれば、耐スポーリング性、耐
劣化性、耐反応性の優れた加熱装置が得られる。 （２）請求項２の発明によれば、歪の少ない加熱装置が
得られる。 （３）請求項３の発明によれば、複雑な構造であっても
精密な加熱装置が得られる。 （４）請求項４の発明によれば、クリーンな加熱装置が
得られる。 （５）請求項５の発明によれば、クリーンで強固な加熱
装置が得られる。 （６）請求項６の発明によれば、耐コンタミネーション
の優れた加熱装置が得られる。 （７）請求項７の発明によれば、長期間にわたり安定に
昇降温できる加熱装置が得られる。 （８）請求項８の発明によれば、長期間にわたり安定に
高速で昇降温できる加熱装置が得られる。
【図１】実施例に係る加熱装置の概略断面図である。
【図２】実施例に係る積層体および発熱体の断面図であ
る。
る。
【図３】実施例に係る積層体に発熱体を取付けた状態の
斜視図である。
斜視図である。
１ 処理容器 １１ 均熱領域 １２ 間隙 ２ 発熱体 ２１ ステープル ３ 積層体 ３１ 無機質被覆層 ３２ 無機質成
形体 ３３ 無機繊維製クロス ４ 半導体ウ
エハ ５ ウエハ保持具 ６ 保温筒 ７ 外匣 ８ 基台 ９ 蓋部材
形体 ３３ 無機繊維製クロス ４ 半導体ウ
エハ ５ ウエハ保持具 ６ 保温筒 ７ 外匣 ８ 基台 ９ 蓋部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本吉 芳之 神奈川県横浜市緑区青葉台１−６−９ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) F27D 11/02 F27D 1/00 H01L 21/22 501 H05B 3/64
Claims (8)
- 【請求項１】 被処理体が配置される処理容器を取囲む
よう断熱材が配置されてなる加熱装置であって、 前記断熱材は、 カサ密度が０．３〜０．８ｇ／ｃｍ3 の
無機質成形体よりなる外層と、この外層の内面に形成さ
れた、カサ密度が１．０〜２．０ｇ／ｃｍ3 の無機質被
覆層よりなり、その外周面が無機繊維製クロスで被覆さ
れた内層との積層体よりなり、 前記内層に加熱用発熱体が支持 されていることを特徴と
する加熱装置。 - 【請求項２】 積層体が高温で焼成されたものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。 - 【請求項３】 外層の無機質成形体が複数の分割品で筒
状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
加熱装置。 - 【請求項４】 外層の無機質成形体が、アルミナ質繊
維、無機質充填材および無機質バインダーから形成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。 - 【請求項５】 アルミナ質繊維が、Ａｌ2 Ｏ3 を９０ｗ
ｔ％以上含有するものであることを特徴とする請求項４
に記載の加熱装置。 - 【請求項６】 積層体中に含まれる下記不純物金属元素
の含有率が以下の範囲にあることを特徴とする請求項１
に記載の加熱装置。 ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）の合計：２０００ｐｐｍ以下 銅（Ｃｕ） ： ５０ｐｐｍ以下 鉄（Ｆｅ） ： ５００ｐｐｍ以下 ニッケル（Ｎｉ） ： ５０ｐｐｍ以下 - 【請求項７】 内部の均熱領域に被処理体が配置される
処理容器と、当該処理容器を取囲むよう配置された請求
項１に記載の積層体よりなる断熱材と、この断熱材にお
ける内層に支持された加熱用発熱体とを備えてなる加熱
装置において、 前記処理容器の均熱領域を冷却する冷却手段を設けたこ
とを特徴とする加熱装置。 - 【請求項８】 加熱用発熱体が二ケイ化モリブデンから
なることを特徴とする請求項７に記載の加熱装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04634992A JP3174379B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 加熱装置 |
| US08/012,151 US5323484A (en) | 1992-02-03 | 1993-01-28 | Heating apparatus with multilayer insulating structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04634992A JP3174379B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05215473A JPH05215473A (ja) | 1993-08-24 |
| JP3174379B2 true JP3174379B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=12744672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04634992A Expired - Lifetime JP3174379B2 (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 加熱装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5323484A (ja) |
| JP (1) | JP3174379B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5616264A (en) * | 1993-06-15 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system |
| US5507639A (en) * | 1993-06-30 | 1996-04-16 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus and method thereof |
| JP2939791B2 (ja) * | 1995-05-09 | 1999-08-25 | 株式会社ニチビ | 拡散炉断熱リング |
| US5900177A (en) * | 1997-06-11 | 1999-05-04 | Eaton Corporation | Furnace sidewall temperature control system |
| US6244197B1 (en) | 1999-01-04 | 2001-06-12 | Gary L. Coble | Thermal induced cooling of industrial furnace components |
| JP2003082569A (ja) * | 2001-04-13 | 2003-03-19 | Toshiba Monofrax Co Ltd | 無機繊維製品 |
| KR100622966B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2006-09-14 | 고요 써모시스템 주식회사 | 열처리로용 전기 히터 |
| JP4740732B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2011-08-03 | 株式会社九州日昌 | 加熱装置 |
| US7705276B2 (en) * | 2006-09-14 | 2010-04-27 | Momentive Performance Materials Inc. | Heater, apparatus, and associated method |
| JP5089248B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-12-05 | 株式会社九州日昌 | 熱処理装置 |
| US8395096B2 (en) * | 2009-02-05 | 2013-03-12 | Sandvik Thermal Process, Inc. | Precision strip heating element |
| US8950470B2 (en) * | 2010-12-30 | 2015-02-10 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber control device and method |
| JP5951543B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-07-13 | ニチアス株式会社 | 金属発熱体および発熱構造体 |
| JP7172221B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-11-16 | 日本電気硝子株式会社 | 発熱体の温度調整方法及びガラス物品の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE529194C (de) * | 1924-12-16 | 1931-07-11 | Heraeus Vacuumschmelze Akt Ges | Elektrisch beheizter, stehender Blankgluehofen |
| US3735008A (en) * | 1970-03-20 | 1973-05-22 | Kokusai Electric Co Ltd | Electric furnace |
| US4147888A (en) * | 1977-07-20 | 1979-04-03 | Seiki Sato | Electric heating element for electric resistance furnaces |
| US4493089A (en) * | 1983-03-21 | 1985-01-08 | Refractory Poroducts Co. | Electric furnace insulation |
| US4966201A (en) * | 1989-06-16 | 1990-10-30 | General Electric Company | Transfer tube |
| US5038019A (en) * | 1990-02-06 | 1991-08-06 | Thermtec, Inc. | High temperature diffusion furnace |
| JPH0739908B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1995-05-01 | ニチアス株式会社 | 加熱装置 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP04634992A patent/JP3174379B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-28 US US08/012,151 patent/US5323484A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5323484A (en) | 1994-06-21 |
| JPH05215473A (ja) | 1993-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3174379B2 (ja) | 加熱装置 | |
| US6211496B1 (en) | Molybdenum disilicide heating element and its production method | |
| EP0134770A2 (en) | Carbonaceous articles having oxidation prohibitive coatings thereon | |
| JPS63257218A (ja) | 拡散炉構成要素 | |
| JP3361385B2 (ja) | ヒータ | |
| JPH02197016A (ja) | セラミック超電導体 | |
| JP2000130951A (ja) | プラズマ・ディスプレイ・パネル用基板焼成炉及びそれに用いる炉内部材 | |
| JP4023774B2 (ja) | 耐熱性治具 | |
| JPS6319300Y2 (ja) | ||
| JP4269350B2 (ja) | 高珪素鋼板の製造方法 | |
| JPH0568433B2 (ja) | ||
| JPH0657873B2 (ja) | 熱処理炉用ロ−ル | |
| Qingwei et al. | The high temperature oxidation behavior of reaction-bonded silicon carbide | |
| JP3043917B2 (ja) | 耐剥離性、耐摩耗性、耐ビルドアップ性に優れた熱処理炉用ロール | |
| JP3865419B2 (ja) | 半導体熱処理装置に用いられる遮熱体 | |
| JP4515038B2 (ja) | ＭｏＳｉ２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法 | |
| JPH0666265B2 (ja) | 半導体気相成長用サセプタ | |
| JPS6229706B2 (ja) | ||
| JP2524578B2 (ja) | 炭化珪素発熱体 | |
| JP3611951B2 (ja) | 窒化アルミニウムの焼成方法 | |
| JP4050891B2 (ja) | ガラス状炭素製パイプの製造方法およびガラス状炭素製パイプ製造用中子 | |
| JP2734013B2 (ja) | 断熱方法 | |
| JPS602658A (ja) | 耐ロ−ルピツクアツプ性の優れた熱処理炉用ロ−ル | |
| JPH04125986A (ja) | 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法 | |
| JPH10141864A (ja) | 熱間等方圧加圧装置における断熱装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010313 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090330 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |