DE3871044D1 - Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe. - Google Patents

Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe.

Info

Publication number
DE3871044D1
DE3871044D1 DE8888112733T DE3871044T DE3871044D1 DE 3871044 D1 DE3871044 D1 DE 3871044D1 DE 8888112733 T DE8888112733 T DE 8888112733T DE 3871044 T DE3871044 T DE 3871044T DE 3871044 D1 DE3871044 D1 DE 3871044D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
temp
healing
reaction tube
semiconductor disc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8888112733T
Other languages
English (en)
Inventor
Spyridon Dipl Phys Gisdakis
Joachim Dipl Ing Hoepfner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE8888112733T priority Critical patent/DE3871044D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3871044D1 publication Critical patent/DE3871044D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/12—Heating of the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
DE8888112733T 1987-09-16 1988-08-04 Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe. Expired - Fee Related DE3871044D1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE8888112733T DE3871044D1 (de) 1987-09-16 1988-08-04 Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3731148 1987-09-16
DE8888112733T DE3871044D1 (de) 1987-09-16 1988-08-04 Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3871044D1 true DE3871044D1 (de) 1992-06-17

Family

ID=6336161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8888112733T Expired - Fee Related DE3871044D1 (de) 1987-09-16 1988-08-04 Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5057668A (de)
EP (1) EP0307608B1 (de)
JP (1) JPH01100927A (de)
DE (1) DE3871044D1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377981B1 (ko) * 1994-06-07 2003-05-27 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 성형화합물큐어링방법
JP3180603B2 (ja) * 1995-02-07 2001-06-25 信越化学工業株式会社 金属窒化物製造用流動層反応装置
US5636320A (en) * 1995-05-26 1997-06-03 International Business Machines Corporation Sealed chamber with heating lamps provided within transparent tubes
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
KR100286325B1 (ko) * 1997-11-27 2001-05-02 김영환 화학기상증착 장비의 가열장치
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
JP2000286200A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3311694A (en) * 1965-05-28 1967-03-28 Electroglas Inc Diffusion furnace utilizing high speed recovery
US4331485A (en) * 1980-03-03 1982-05-25 Arnon Gat Method for heat treating semiconductor material using high intensity CW lamps
US4356384A (en) * 1980-03-03 1982-10-26 Arnon Gat Method and means for heat treating semiconductor material using high intensity CW lamps
US4545327A (en) * 1982-08-27 1985-10-08 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
US4535228A (en) * 1982-12-28 1985-08-13 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Heater assembly and a heat-treatment method of semiconductor wafer using the same
US4481406A (en) * 1983-01-21 1984-11-06 Varian Associates, Inc. Heater assembly for thermal processing of a semiconductor wafer in a vacuum chamber
GB2160355B (en) * 1984-05-16 1988-01-13 Plessey Co Plc Annealing semiconductor devices
JPS61196515A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 Mitsubishi Electric Corp 帯域溶融型半導体製造装置
DE3539981C1 (de) * 1985-11-11 1987-06-11 Telog Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleitermaterialien

Also Published As

Publication number Publication date
EP0307608A1 (de) 1989-03-22
US5057668A (en) 1991-10-15
EP0307608B1 (de) 1992-05-13
JPH01100927A (ja) 1989-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3685100D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum thermischen polymerisieren von kunststoffen fuer dentalzwecke.
DE3871044D1 (de) Anordnung zur durchfuehrung eines ausheilprozesses an einer halbleiterscheibe und verfahren zum ausheilen einer halbleiterscheibe.
ZA864163B (en) Heat activation process and apparatus for heat shrinkable material
ATE281001T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern der temperatur eines wafers
ATE27689T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von kunststoffflaschen aus gegossenen hohlen vorformlingen.
DE3271140D1 (en) Method and apparatus for manufacturing molecular-oriented tubes
DE69211074D1 (de) Verfahren und Apparat zum Kühlen von Mehrchip-Moduln durch die vollständige Wärmerohr-Technologie
EP1209251A3 (de) System zur Temperaturreglung eines Wafers
DE3864007D1 (de) Verfahren zur waermebehandlung metallischer werkstuecke.
ES487351A0 (es) Metodo de acondicionar articulos para su esterilizacion y aparato correspondiente
NO902212L (no) Fremgangsmaate og apparatur for forsteking av ikke-stekte pizzabunner.
DE68905618T2 (de) Verfahren und vorrichtungen zur waermebehandlung von kohlenstoffstahldraehten, um so ein feines perlitisches gefuege zu bekommen.
ATE481740T1 (de) Vorrichtung und verfahren zum temperieren mindestens eines prozessierguts
DE68906924D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum calcinieren.
DE69328375T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur kontrolle der wärmeleitung zwischen einem behälter und einem werkstück
ATE83000T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur heissreparatur der heizzuege einer koksofenbatterie.
ATE29241T1 (de) Verfahren zur molekularen orientierung von kunststoffmaterial.
ATE35098T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur schnellkuehlung einer hip-anlage.
ATE135923T1 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung eines hitzebehandelten substrats und düngemittel
ATA34786A (de) Verfahren und vorrichtung zur verringerung der emission von waehrend der erhitzung des rohmehles im schwebegas-waermetauscher bei der zementherstellung gebildetem so2 und von fluechtigen organischen verbindungen
GB2220262A (en) Curing oven system for semiconductor devices
ATE11904T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beheizen eines zementofens.
DE3577979D1 (de) Verfahren zum tempern von elastomeren und plastomeren gegenstaenden durch gleichzeitige behandlung mit waerme und vakuum in abwesenheit von sauerstoff und die so erhaltenen gegenstaende.
DE59801852D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Deckenstrahlplatten
ATE22117T1 (de) Verfahren zur ausbesserung schadhafter kuehlelemente eines hochofens.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee