JPS63140085A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPS63140085A JPS63140085A JP28526186A JP28526186A JPS63140085A JP S63140085 A JPS63140085 A JP S63140085A JP 28526186 A JP28526186 A JP 28526186A JP 28526186 A JP28526186 A JP 28526186A JP S63140085 A JPS63140085 A JP S63140085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plate
- film forming
- mounting table
- ceramic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009432 framing Methods 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は所要の基板上に薄膜を形成する成膜装置に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術）
半導体ウェハー、アルミナ単結晶基板など所要の物体表
面に薄膜を形成する方法としては蒸着。
面に薄膜を形成する方法としては蒸着。
スパッタリング、イオンブレーティングなどの物理的成
膜法（ＰＶＤ）及び活性化れた化学反応を利用する化学
的成膜法（ＣＶＤ）の二つに大別することができる。
膜法（ＰＶＤ）及び活性化れた化学反応を利用する化学
的成膜法（ＣＶＤ）の二つに大別することができる。
このうち、例えば第１図には成膜装置としてのプラズマ
ＣＶＤ装置の概略図を示すが、これにおいてチャンバー
Ｃ中にアルゴン、酸素、窒素、アンモニア等のキャリア
ガスの導入のもとに、放電型ＦｉＥと基板電極Ｓとの間
に高周波電圧を印加してプラズマ放電を発生せしめるが
、このうち基板電極Ｓは例えば４８０〜５００℃（成膜
材料などによって異なる）にヒータＨでもって加熱して
あり、この基板電極Ｓ上に載置台りをセットし、この載
置台り上に膜を形成する板状体Ｐを設置した後、該板状
体を上記温度に加熱状態のちとに揮発性の金属化合物を
送り込み板状体Ｐの表面での化学反応によって結晶質又
は非結晶質を析出させ板状体表面に薄膜を形成している
。上記におけるプラズマＣＶＤ装置を用いた化学的成膜
法において膜を形成する場合に見られるように化学反応
を促進する活性エネルギーを付与するために膜を被着す
る板状体Ｐを加熱するようになっている。すなわち基板
電極ＳにヒータＨを設置し載置台りを加熱することによ
って板状体Ｐを最適温度に加熱する。
ＣＶＤ装置の概略図を示すが、これにおいてチャンバー
Ｃ中にアルゴン、酸素、窒素、アンモニア等のキャリア
ガスの導入のもとに、放電型ＦｉＥと基板電極Ｓとの間
に高周波電圧を印加してプラズマ放電を発生せしめるが
、このうち基板電極Ｓは例えば４８０〜５００℃（成膜
材料などによって異なる）にヒータＨでもって加熱して
あり、この基板電極Ｓ上に載置台りをセットし、この載
置台り上に膜を形成する板状体Ｐを設置した後、該板状
体を上記温度に加熱状態のちとに揮発性の金属化合物を
送り込み板状体Ｐの表面での化学反応によって結晶質又
は非結晶質を析出させ板状体表面に薄膜を形成している
。上記におけるプラズマＣＶＤ装置を用いた化学的成膜
法において膜を形成する場合に見られるように化学反応
を促進する活性エネルギーを付与するために膜を被着す
る板状体Ｐを加熱するようになっている。すなわち基板
電極ＳにヒータＨを設置し載置台りを加熱することによ
って板状体Ｐを最適温度に加熱する。
このような載置台りとしては熱膨張係数の小さいハステ
ロイ、インコネル、４２アロイなどの金属製のものを用
いていた。
ロイ、インコネル、４２アロイなどの金属製のものを用
いていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、上記金属製の載置台りは熱膨張係数が比較的
大きく、熱伝導率（ｃａｌ−ｃＩＩＩ７ｃｍｔ−３ｅｃ
・℃）がインコネルで０．０３６ 、ハステロイで０．
０３程度と小さい。このため、かかる金属から成る載置
台を用いた成膜装置では、ヒータＨの加熱による載置台
上に配置した被加工物としての板状体の温度分布が一様
にならず温度ムラが生じる。かかる温度ムラのある状態
で板状体表面に膜を被着（成膜）した場合、膜厚や膜の
物性が均一なものとならず、特性が不均一なものとなる
。また膜をもった板状体を載置台に乗せたまま弗酸で洗
浄する場合が多いが、その際、金属製の載置台が浸食さ
れ、次第に変形するため耐久性がなく、またニッケルや
コバルトなどの合金製であるため高価であり、しかも重
量が大きいなどの不都合があった。
大きく、熱伝導率（ｃａｌ−ｃＩＩＩ７ｃｍｔ−３ｅｃ
・℃）がインコネルで０．０３６ 、ハステロイで０．
０３程度と小さい。このため、かかる金属から成る載置
台を用いた成膜装置では、ヒータＨの加熱による載置台
上に配置した被加工物としての板状体の温度分布が一様
にならず温度ムラが生じる。かかる温度ムラのある状態
で板状体表面に膜を被着（成膜）した場合、膜厚や膜の
物性が均一なものとならず、特性が不均一なものとなる
。また膜をもった板状体を載置台に乗せたまま弗酸で洗
浄する場合が多いが、その際、金属製の載置台が浸食さ
れ、次第に変形するため耐久性がなく、またニッケルや
コバルトなどの合金製であるため高価であり、しかも重
量が大きいなどの不都合があった。
Ｃ問題点を解決するための手段）
上記事情に鑑みて、熱伝導にすぐれ、熱膨張係数が小さ
く、かつ耐蝕性、耐熱性をもったセラミック材から成る
載置台を具備せしめたことを特徴とする。
く、かつ耐蝕性、耐熱性をもったセラミック材から成る
載置台を具備せしめたことを特徴とする。
（実施例）
以下、図により本発明実施例を詳述する。
第２図は成膜装置を構成する載１台ｌの一部破面を示し
、この載置台ｌの上面には被加工物体である板状体Ｐを
載置するに適するように凹部１ａを成すべく周辺部に枠
取り１ｂが一体的に形成しである。
、この載置台ｌの上面には被加工物体である板状体Ｐを
載置するに適するように凹部１ａを成すべく周辺部に枠
取り１ｂが一体的に形成しである。
この場合枠取り１ｂは載置台１の本体とは別途に作成し
ておいたものを本体に接合したり、螺着固定してもよい
。
ておいたものを本体に接合したり、螺着固定してもよい
。
ところで、載置台１は第１図に示した載置台りと同様の
回転テーブル型式の基板電極Ｓ上に載せられた状態にて
回転（公転）し、また必要に応じて自転するようにして
使用されるが、この際基板電極ＳはヒータＨによって加
熱され、載置台ｌを介して板状体Ｐを加熱する必要があ
るため、まず、熱伝導率が大きく、耐熱、耐蝕性の大き
いことが要求される。
回転テーブル型式の基板電極Ｓ上に載せられた状態にて
回転（公転）し、また必要に応じて自転するようにして
使用されるが、この際基板電極ＳはヒータＨによって加
熱され、載置台ｌを介して板状体Ｐを加熱する必要があ
るため、まず、熱伝導率が大きく、耐熱、耐蝕性の大き
いことが要求される。
したがって、このような性質を有している材質としてセ
ラミック材があげられる。そこで各種のセラミック材で
もって載置台１を形成し、成膜特性（膜厚バラツキ）を
測定した。
ラミック材があげられる。そこで各種のセラミック材で
もって載置台１を形成し、成膜特性（膜厚バラツキ）を
測定した。
第３図は熱伝導率１８０〜２５０Ｗ／ｍ−にの窒化アル
ミニウムで載置台１を構成したものの膜厚バラツキを示
し、測定個数に対する板状体としてのシリコン板表面に
成膜厚（人）の分布であって、４４００〜４７００人の
狭い成膜範囲に集中しており、初期の膜厚に確度よく成
膜することができる。第４図。
ミニウムで載置台１を構成したものの膜厚バラツキを示
し、測定個数に対する板状体としてのシリコン板表面に
成膜厚（人）の分布であって、４４００〜４７００人の
狭い成膜範囲に集中しており、初期の膜厚に確度よく成
膜することができる。第４図。
第５図にはそれぞれ炭化珪素（熱伝導率５０〜５０−７
ｍ−ｋ）、アルミナ（熱伝導率２０〜３０Ｗ／ｍ −
ｋ）で構成した載置台１上にて上記と同様の条件のもと
に成膜を行った成膜厚の分布をグラフ化したもので、こ
れらも比較的集中度の高い膜厚が被着されていることが
判る。
ｍ−ｋ）、アルミナ（熱伝導率２０〜３０Ｗ／ｍ −
ｋ）で構成した載置台１上にて上記と同様の条件のもと
に成膜を行った成膜厚の分布をグラフ化したもので、こ
れらも比較的集中度の高い膜厚が被着されていることが
判る。
また第６図は窒化珪素（熱伝導率１０〜２０Ｗ／ｍ
・ｋ）、第７図は在来品であるハステロイ（熱伝導率７
〜１６Ｗ／ｍ −ｋ）からそれぞれ成る載置台１にて
成膜した場合の膜厚の分布を示し、これら比較例から判
るように熱伝導率の小さい材質から成る載置台を用いた
場合の膜厚は４４００〜４７００人まで分布が広く、初
期の厚さの成膜を行うことががなり困難であった。
・ｋ）、第７図は在来品であるハステロイ（熱伝導率７
〜１６Ｗ／ｍ −ｋ）からそれぞれ成る載置台１にて
成膜した場合の膜厚の分布を示し、これら比較例から判
るように熱伝導率の小さい材質から成る載置台を用いた
場合の膜厚は４４００〜４７００人まで分布が広く、初
期の厚さの成膜を行うことががなり困難であった。
また、成膜後の板状体表面における膜の物性を観察した
結果、板状体の中心部１周辺部ともに均一な膜厚を有し
、歪の発生もなくすぐれた特性を有していた。
結果、板状体の中心部１周辺部ともに均一な膜厚を有し
、歪の発生もなくすぐれた特性を有していた。
さらに成膜した板状体を載置台１に乗せたまま弗酸によ
る洗浄をくり返したが本発明実施例による窒化アルミニ
ウム、炭化珪素、アルミナの各セラミック材製の載置台
ｌは比較的浸蝕されたり、変掻することなくくり返し使
用可能であった。
る洗浄をくり返したが本発明実施例による窒化アルミニ
ウム、炭化珪素、アルミナの各セラミック材製の載置台
ｌは比較的浸蝕されたり、変掻することなくくり返し使
用可能であった。
（発明の効果）
畝上のように本発明成膜装置によれば熱伝導にすぐれ、
熱膨張係数が小さく、かつ耐蝕、耐熱性をもったセラミ
ック材製の載置台で構成したことカラ、膜厚が均一で、
歪のないすぐれた物性をちった薄膜を備えた半導体素子
等を提供することができる。
熱膨張係数が小さく、かつ耐蝕、耐熱性をもったセラミ
ック材製の載置台で構成したことカラ、膜厚が均一で、
歪のないすぐれた物性をちった薄膜を備えた半導体素子
等を提供することができる。
第１図は在来の成膜装置の概略図、第２図は本発明成膜
装置を構成する載置台のみの破断面図、第３図、第４図
、第５図はそれぞれ本発明実施例による成膜特性を示す
グラフ、第６図及び第７図はともに比較例による成膜特
性を示すグラフである。 １・・載置台 １ａ ・・凹部 Ｐ・・板状体
装置を構成する載置台のみの破断面図、第３図、第４図
、第５図はそれぞれ本発明実施例による成膜特性を示す
グラフ、第６図及び第７図はともに比較例による成膜特
性を示すグラフである。 １・・載置台 １ａ ・・凹部 Ｐ・・板状体
Claims (2)
- （１）半導体ウェハー、単結晶サファイアなどの板状体
を載置し、該板状体表面に膜を被着する装置であって、
上記板状体を載置する台座が２０Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝
導係数をもったセラミック材から成ることを特徴とする
成膜装置。 - （２）上記セラミック材がアルミナ、炭化珪素系焼結体
、窒化アルミ焼結体である特許請求の範囲第１項記載の
成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285261A JPH0774451B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285261A JPH0774451B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140085A true JPS63140085A (ja) | 1988-06-11 |
| JPH0774451B2 JPH0774451B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=17689208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61285261A Expired - Fee Related JPH0774451B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774451B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02164442A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Teru Kyushu Kk | プラズマ装置 |
| JPH033250A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Ulvac Corp | 基板保持装置 |
| JPH047654U (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-23 | ||
| JPH04360524A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Murata Mfg Co Ltd | 化合物半導体基板用アニール処理炉 |
| JPH05251365A (ja) * | 1991-05-28 | 1993-09-28 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| US5306895A (en) * | 1991-03-26 | 1994-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| JPH0711446A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
| EP0506391B1 (en) * | 1991-03-26 | 2002-02-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Use of a corrosion-resistant member formed from aluminium nitride |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169788A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | 株式会社東芝 | 真空用試料加熱装置 |
| JPS59232994A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS60151281A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | 日本電気株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS60189927A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応容器 |
| JPS6110071A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-17 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS6155918A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61213374A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-22 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 治具 |
| JPS61214515A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | 半導体基板用サセプタ |
| JPS61251021A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-08 | Fujitsu Ltd | 成膜装置 |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP61285261A patent/JPH0774451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169788A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | 株式会社東芝 | 真空用試料加熱装置 |
| JPS59232994A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS60151281A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | 日本電気株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS60189927A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応容器 |
| JPS6110071A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-17 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS6155918A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61213374A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-22 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 治具 |
| JPS61214515A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | 半導体基板用サセプタ |
| JPS61251021A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-08 | Fujitsu Ltd | 成膜装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02164442A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Teru Kyushu Kk | プラズマ装置 |
| JPH033250A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Ulvac Corp | 基板保持装置 |
| JPH047654U (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-23 | ||
| US5306895A (en) * | 1991-03-26 | 1994-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| EP1120817A2 (en) * | 1991-03-26 | 2001-08-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member |
| EP1120817A3 (en) * | 1991-03-26 | 2002-01-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member |
| EP0506391B1 (en) * | 1991-03-26 | 2002-02-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Use of a corrosion-resistant member formed from aluminium nitride |
| JPH05251365A (ja) * | 1991-05-28 | 1993-09-28 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| JPH04360524A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Murata Mfg Co Ltd | 化合物半導体基板用アニール処理炉 |
| JP2800464B2 (ja) * | 1991-06-07 | 1998-09-21 | 株式会社村田製作所 | 化合物半導体基板用アニール処理炉 |
| JPH0711446A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0774451B2 (ja) | 1995-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5916370A (en) | Semiconductor processing chamber having diamond coated components | |
| WO1996011797A1 (en) | Wafer support fixtures for rapid thermal processing | |
| JPS6169116A (ja) | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング用サセプター | |
| JPS63140085A (ja) | 成膜装置 | |
| TWI597376B (zh) | 具有溫度調整裝置的處理裝置及處理基板的方法 | |
| JPH07335572A (ja) | 半導体ウエハの熱処理用サセプタ及びその製造方法 | |
| US6083360A (en) | Supplemental heating of deposition tooling shields | |
| JP3170248B2 (ja) | 半導体基板保持装置 | |
| JP2019533309A (ja) | 熱接触が制御された加熱装置 | |
| US4514250A (en) | Method of substrate heating for deposition processes | |
| JPH03183778A (ja) | 堆積膜形成方法及びその装置 | |
| JPH1116991A (ja) | 半導体製造装置用カーボン支持体 | |
| TWI784981B (zh) | 壓電體結晶膜的成膜方法及壓電體結晶膜成膜用盤 | |
| JP3853453B2 (ja) | 気相成長用縦型サセプター | |
| JPH07194965A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JP2004059990A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH04337276A (ja) | 複層セラミックスヒ−タ− | |
| JPH04293782A (ja) | プラズマ化学気相堆積装置 | |
| JPH0492447A (ja) | 無機薄膜の成膜方法 | |
| JPH06132233A (ja) | 薄膜製造装置用加熱装置の均熱板 | |
| JPH072608Y2 (ja) | 加熱成膜用基板ホルダ | |
| JP2005038914A (ja) | 圧電薄膜の形成装置 | |
| JP2004253535A (ja) | 誘電体薄膜形成装置および誘電体薄膜形成方法 | |
| JP2000012665A (ja) | セラミックス部品 | |
| JPH04289168A (ja) | 薄膜形成用基板保持具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |